JP4822484B2 - 表面実装型電子部品とその製造方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は表面実装型電子部品とその製造方法に関し、特に実装密度を高めて小型化に適応した表面実装型電子部品とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
(従来技術の第1例)
発光ダイオ−ド(LED)を用いた表面実装型電子部品における従来技術の第1例として、図11、図12、図13に示されているような構成のものが知られている。図11は、表面実装型電子部品1の斜視図、図12は平面図、図13は、その断面図である。図に示すように、基板2の表面に導電材料よりなる一対の電極パタ−ン4、5が形成されている。又、形状が長穴状のスルーホール7、8の内壁には、メッキ層等の導電膜が形成されて基板2の裏面に延在し、基板2の表面に形成される一対の電極パタ−ン4、5と電気的に接続されている。
【0003】
前記一対の電極パタ−ンの一方の電極パタ−ン4には矩形状のパッド部13を形成し、パッド部13の上に発光ダイオ−ド(LED)3を搭載する。発光ダイオ−ド(LED)3は、他方の電極パタ−ン5と金属線6によりワイヤ−ボンデングされている。発光ダイオ−ド(LED)3と金属線6は、図13の表面実装型電子部品1の断面図に示すように、透光性の合成樹脂による封止樹脂9で封止される。このような構成の表面実装型電子部品1は、プリント基板等に表面実装され、基板の裏面に形成された導電膜とプリント基板の回路パタ−ンが電気的に接続される。
【0004】
図11に示すように表面実装型電子部品1は、基板2の両端にスルーホール7、8が設けられており、その内壁には導電膜が形成されている。このため、発光ダイオ−ド(LED)3と金属線6を透光性の封止樹脂9により封止する際に、導電膜の導電性を保持する上から封止樹脂9がスルーホール7、8に流入しないように、封止樹脂9の端面の位置をスルーホール7、8の位置よりも内側となるように位置合わせをして封止している。このため、図12に示すように封止樹脂9の長さBは基板2の長さAよりも短く設定されている。
【0005】
図11に示す斜視図は、シート状の基板上に封止樹脂を形成した表面実装型電子部品も示している。この種の表面実装型電子部品1は、その製造工程でシート状の基板をダイシング装置などを用いて分断し、最終的には、個々の単位の面実装可能な表面実装型電子部品1として完成され、これが図にはない別のプリント基板に実装される。
【0006】
(従来技術の第2例)
発光ダイオ−ド(LED)を用いた表面実装型電子部品における従来技術の第2例として、図14、図15、図16に示されているような構成のものが知られている。図14は、表面実装型電子部品1aの斜視図、図15は、平面図、図16は、断面図である。従来技術の第1例の図11〜図13に示した表面実装型電子部品1と同じ部分または対応する部分については同一の符号を付してある。
【0007】
図に示す表面実装型電子部品1aは、基板2に事前に張り付けられた銅箔、もしくは、銅箔上にメッキを施した電極部を有し、その一方の電極パターン4に発光ダイオード(LED)3を導電性接着剤で接着し、発光ダイオード(LED)3の他方の面の電極と基板2の他方の電極パターン5とを金線からなる金属線6で結線し封止樹脂9を成形したものである。又、半円形のスルーホール7a、8aの内壁には導電膜が形成され基板2の裏面電極と前記電極パターン4、5とが電気的に接続されている。又、前記スルーホール7a、8aの表面側開口部はドライフィルム10により被覆されている。
【0008】
前記ドライフィルム10は、発光ダイオ−ド(LED)3の搭載前の基板2上に貼り付けた後、写真蝕刻技術によりパターン形成することができる。また、ドライフィルム10の形成には、予めパターン成形されたフィルム状のものを熱圧着する手法も実用可能である。
【0009】
前記スルーホール7a、8aはドライフィルム10により被覆されている為、封止樹脂9がスルーホール7a、8aへ漏出することを防止でき、封止樹脂9の大きさを基板2とほぼ同じ大きさになっている。又、前記表面実装型電子部品1aは、シート状の基板をスルーホール7a、8aの中央部でダイシング装置などを用いて分断し、個々の単位の面実装可能な表面実装型電子部品1aとして完成される。
【0010】
(従来技術の第3例)
発光ダイオ−ド(LED)を用いた表面実装型電子部品の従来技術の第3例として、図17、図18、図19に示されているような構成のものが知られている。図17は、表面実装型電子部品1bの斜視図、図18は、平面図、図19は、その断面図である。従来技術の第2例に示した表面実装型電子部品1aと同じ部分または対応する部分については同一の符号を付しある。
【0011】
図18、図19において、表面実装型電子部品1bの基板2の表面には導電箔または導電膜等で形成される電極パタ−ン4a、5aが配置される。電極パタ−ン4a、5aの端部は、半円形のスルーホール7a、8aを覆う位置まで延在させている。スルーホール7a、8aの内壁には、メッキ等により導電膜4b、5bを形成して基板2の裏面まで延在させ裏面電極と電気的に接続される。また、導電膜4b、5bは基板2の表面に形成される電極パタ−ン4a、5aと電気的に接続される。
【0012】
スルーホール7a、8aの樹脂基板表面側の開口部は、電極パタ−ン4a、5aにより覆われている。このため、発光ダイオ−ド(LED)3と金属線6を封止する透光性の合成樹脂からなる封止樹脂9の端面位置を、電極パタ−ン4a、5aの端面の位置に揃えて形成してもスルーホール7a、8a内には封止樹脂9は流入しない。
【0013】
このスルーホール7a、8aは、基板2の表裏両面の電極をパターニングする際に、スルーホールを形成する部分の裏面の導電膜を同時にパターニングにより開口して基板表面を露出させ、裏面からレーザ加工により基板2をエッチングする。パターニングにより露出する形状で基板2がエッチングされて、表面の導電膜に達するとエッチングが止まる。
【0014】
これは、レーザ加工の強さが基板2をエッチングすることができるが、銅箔などの導電膜をエッチングすることができないように調整されているためである。これによって、表面側を閉塞したスルーホール7a、8aを形成することができる。その後、スルーホール7a、8a内に導電膜4b、5bを形成することにより、電極パターン4a、5aと裏面電極とを接続する。
【0015】
図17は、表面実装型電子部品1bの概略の斜視図である。図17に示すように、封止樹脂9の長さ、幅、は、基板2とほぼ同じ大きさである。又、本例も従来技術の第2の例と同じように、表面実装型電子部品1bは、その製造工程でシート状の基板をスルーホール7a、8aの中央部でダイシング装置などを用いて分断し、最終的には、個々の単位の面実装可能な表面実装型電子部品1bとして完成される。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
(第1の従来技術の問題点)
第1の従来例の表面実装型電子部品1では、封止樹脂9を成型する金型と基板2との位置ずれなどを考慮し、封止樹脂9と基板2に形成されているスルーホール7、8との間に間隔を取っている。従って、通常では、封止樹脂がスルーホール7、8に流れ込む危険は少ないが、このためには封止樹脂体9の長さBは基板2の長さAよりも短く設定する必要がある。
【0017】
しかしながら表面実装型電子部品1を小型化する上で、間隔を大きくすることには限界があるため、現実には封止樹脂9と基板2との位置ずれが大きい場合、基板2のスルーホール7、8に封止樹脂が流れ込んで基板2の電極パターン4、5を覆い、これが別のプリント基板へ実装する際に、その別のプリント基板上に形成された配線体電極部との電気的接続を阻害ないし不安定にする。そして、流れ込んだ封止樹脂を除去するには余分に工程が掛かり、工数の増加をもたらすことになる。
【0018】
このように、封止樹脂9が基板2の両端のスルーホール7、8に流入しないよう端面位置を調整し、しかも基板2の長さよりも最大長さを短くして封止樹脂9を形成するためには特別な金型が必要であり、表面実装型電子部品1の製造コストが高くなるという問題があった。また、更に小型の表面実装型電子部品1が要求される場合には、金型が制約されて製造が困難でありこのような要求には対応できないという問題があった。
【0019】
(第2の従来技術の問題点)
第2の従来例の表面実装型電子部品1aでは、基板2のスルーホール7a、8aはドライフィルム10により被覆されているから封止樹脂9がスルーホール7a、8aへ漏出することが防止される。しかし、この例においては、ドライフィルム10をスルーホール7a、8aに被覆する工程を必要とし表面実装型電子部品1aの製造コストが高くなるという問題があった。
【0020】
又、表面実装型電子部品に対しては小型化の要請が増大している。一方表面実装型電子部品の大きさは基板の大きさで規定される。第2の従来例においては、基板2の表面上にドライフィルム10を形成するための面積が必要であり、このため発光ダイオ−ド(LED)3の搭載される有効な基板面積が少なくなる。従って、基板面積の有効利用を阻害するという問題があった。
【0021】
(第3の従来技術の問題点)
又、第3の従来例の表面実装型電子部品1bでは、基板2のスルーホール7a、8aが電極パターン4a、5aにより被覆されており、第2の従来例と同じく、封止樹脂9がスルーホール7a、8aへ漏出することはない。しかし、スルーホール7a、8aを形成するためには、基板2のみ加工し電極パターン4a、5aは加工しない所謂メクラ穴加工に出力の大きいレーザー加工が必要となり、この為、製造コストが高くなるという問題があった。
【0022】
(発明の目的)
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、従来技術におけるドライフィルムや銅箔等でスルーホールを覆う工程を省き、スルーホールへの樹脂の流入を防止すると共に、ドライフィルムを無くすことによって電子部品素子の搭載される有効面積を増加させ高密度実装による小型化の実現と、製造コストの低減が可能な表面実装型電子部品とその製造方法を提供することを目的とする。
【0023】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するために、本発明の表面実装型電子部品は、ビアホールを有する第1の樹脂基板とスルーホールを有する第2の樹脂基板とに電極パターンを形成して積層構造とし、前記第1の樹脂基板の表面に形成する表面電極パターンと前記第2の樹脂基板の上面に形成する中間層電極パターンとを前記ビアホールに形成するビア導体により接続し、前記中間層電極パターンと前記第2の樹脂基板の底面に形成する底面電極パターンとを前記スルーホールに形成する周面電極により接続する多層基板と、該多層基板の表面上に搭載する電子部品素子と、該電子部品素子周域及び前記多層基板表面を封止する封止樹脂とを備える表面実装型電子部品であって、前記第1の樹脂基板がガラス繊維を含浸しない樹脂材料からなり、前記第2の樹脂基板がガラス繊維を含浸した樹脂材料からなり、前記第2の樹脂基板の厚さが前記第1の樹脂基板の厚さに比較して大きい値に設定されており、前記第2の樹脂基板に前記第1の樹脂基板を積層し、前記第2の樹脂基板に形成されるスルーホールの開口部を前記第1の樹脂基板で塞ぐことによって、前記封止樹脂が前記スルーホールに流入することを防止するように構成されていることを特徴とする。
【0024】
、前記スルーホールは複数からなり、該複数のスルーホールが前記第2樹脂基板の同一側面に形成されているとを特徴とする。
【0025】
又、本発明の表面実装型電子部品の製造方法は、第1の樹脂基板と第2の樹脂基板とに電極パターンを形成して積層構造とした多層基板の表面上に電子部品素子を搭載し、該電子部品素子周域及び前記多層基板表面に封止樹脂を成形する表面実装型電子部品の製造方法において、ガラス繊維を含浸しない樹脂材料からなる第1の樹脂基板にビアホールをレーザー加工により形成するとともに、ビア導体及び該ビア導体と導通する表面電極パターンを形成する工程と、ガラス繊維を含浸した樹脂材料からなり基板の厚さが前記第1の樹脂基板の厚さに比較して大きい値に設定されている第2の樹脂基板にスルーホールをドリル加工により形成するとともに、スルーホールの周面電極を形成し、該周面電極と導通する中間層電極パターンと底面電極パターンとを前記第2の樹脂基板の上面と底面とにそれぞれ形成する工程と、前記中間層電極パターンと前記第1の樹脂基板の表面電極パターンとを前記ビア導体で導通させると共に前記第2の樹脂基板に形成されるスルーホールの開口部を前記第1の樹脂基板によって塞ぐように前記第1の樹脂基板と前記第2の樹脂基板とを積層する工程とを含み、前記スルーホールの開口部を前記第1の樹脂基板で塞ぐことによって、前記電子部品素子周域及び前記多層基板表面に封止樹脂を成形する工程で前記封止樹脂が前記第2の樹脂基板のスルーホールに流入することを防止することを特徴とする。
【0026】
(作用)
本発明は、第2の樹脂基板に設けるスルーホールの開口部(第2の樹脂基板の上面側)を第1の樹脂基板で塞ぐ構成となっているので、スルーホールへの樹脂の流入を防止し、且つ従来技術におけるドライフィルムをなくすことによって電子部品素子の搭載される有効面積を増加させ高密度実装を実現できる。更に、ドライフィルムや電極でスルーホールを覆う工程が不要となる。以下、本発明の実施の形態により詳述する。
【0027】
【発明の実施の形態】
(第1の実施形態)
図1、図2、図3は本発明における表面実装型電子部品の第1の実施形態を説明するための図である。図1は本発明の第1の実施形態における表面実装型電子部品を示す斜視図、図2は平面図、図3は断面図である。以下、図1、図2、図3を用いて第1の実施形態における表面実装型電子部品について説明する。なお、前記従来例と同一部分には同一番号を付与してその説明は簡略する。
【0028】
図1に示すように、本実施形態における表面実装型電子部品20は、多層基板30と、該多層基板30の表面上に搭載する電子部品素子としての発光ダイオード(LED)3と、該発光ダイオード(LED)3周域及び前記多層基板30の表面を封止する封止樹脂9とを備えている。
【0029】
前記多層基板30は、矩形状の第1の樹脂基板21と第2の樹脂基板22とを積層した構造をなしている。前記第1の樹脂基板21は、ガラス繊維の含浸されていないエポキシ樹脂からなる。又、前記第2の樹脂基板22は、ガラス繊維を含浸したエポキシ樹脂からなり通称ガラスエポキシ基板と呼ばれている。
【0030】
又、図2、図3にも示すように前記多層基板30(第1の樹脂基板21)の表面には表面電極パターン23、23aが形成され、一方の表面電極パターン23には発光ダイオード(LED)3が銀ペースト等の導電性接着剤で電気的に接続され且つ接着されている。更に発光ダイオード(LED)3と他方の表面電極23aとが金線等の金属線6で結線され電気的に接続されている。又、封止樹脂9は表面実装型電子部品20の機械的強度を得るため透光性のエポキシ系樹脂で成形されている。
【0031】
更に、図3に示すように前記第1の樹脂基板21と前記第2の樹脂基板22の中間で、前記第2の樹脂基板22の上面22aには、中間層電極パターン24、24aが形成され、底面には、底面電極パターン25、25aが形成されている。更に、前記中間層電極パターン24、24aと前記底面電極パターン25、25aとをそれぞれ接続するための半円状のスルーホール(電極貫通孔)26、26a及び該スルーホール26、26aの内周面に形成される周面電極膜27、27aが第2の樹脂基板22の対抗する両側面にそれぞれ形成されている。尚、前記スルーホール26、26aは、図1に示すようにシート状多層基板を個々の多層基板30に分割して形成されるため半円状となる。
【0032】
又、図2、図3に示すように前記第1の樹脂基板21の中央付近には、前記表面電極パターン23、23aと、前記第2の樹脂基板22に形成されている中間層電極パターン24、24aとをそれぞれ接続するためのビアホール(貫通穴)28、28a及び該ビアホール28、28aにビア導体29、29aが形成されている。図3においては、ビアホール28、28aに導電材料を隙間無く充填したビア導体が示されているが、充填されていなくても差し支えない。
【0033】
又、図3に示すように本実施形態における表面実装型電子部品20は、前記第2の樹脂基板22に前記第1の樹脂基板21を積層することによって、前記表面電極23、23aと前記中間層電極24、24aとを前記ビア導体29、29aを介してそれぞれ接続し、更に中間層電極24、24aと前記底面電極25、25aとを前記スルーホールの周面電極27、27aを介してそれぞれ接続するように構成されている。
【0034】
更に、本実施形態における表面実装型電子部品20は、前記第2の樹脂基板22に前記第1の樹脂基板21を積層することによって、前記第2の樹脂基板22に形成されるスルーホール26、26aの上面側の開口部31、31aを前記第1の樹脂基板21の端部で閉塞する構造になっている。
これにより前記封止樹脂9が前記スルーホール26、26aに流入することを防止することが可能となり、前記多層基板30のほぼ表面全体を覆うように前記封止樹脂9が形成できる。
【0035】
更に、本実施形態における多層基板の表面は、従来技術におけるドライフィルム10を無くすことによって、発光ダイオード(LED)の搭載される有効面積を増加させ、高密度実装を実現することができる。
【0036】
(表面実装型電子部品の製造方法)
次に、本実施形態における表面実装型電子部品を製造する工程について図8、図9、図10の工程図を参照して説明する。
【0037】
図8(a)に示すシ−ト状の基板52は、厚さが約500μmで、ガラス繊維を含浸したエポキシ樹脂からなり、通称ガラスエポキシ基板と呼ばれている。このシ−ト状の基板52の上下面には銅箔52a、52bが事前に張り付けられている。次に、図8(b)に示すように、前記シ−ト状のガラスエポキシ基板52と銅箔52a、52bとを貫通する円形のスルーホール56a、56bをドリル加工で形成する。図の例ではスルーホールを2個所のみ表示しているが、全体ではマトリクス状に所定数の円形スルーホールが形成される。
【0038】
次に図8(c)に示すように基板52に無電解メッキ法によりに銅メッキを施し、前記スルーホール56a、56bの内周面に周面電極57a、57bをそれぞれ形成する。この時、前記基板52の上下面に形成されている銅箔52a、52bの表面も銅メッキされる。
【0039】
次に図8(d)に示すように前記基板52の銅箔52a、52bの不要部分をエッチングで除去して、所定の中間層電極パターン54a、54bと底面電極パターン55a、55bとを形成する。更に前記中間層電極パターン54a、54b、前記底面電極パターン55a、55b、及び周面電極57a、57bの表面には、Ni+Auメッキが施される。これによって、中間層電極パターン54a、54bと、底面電極パターン55a、55bとが周面電極57a、57bを介してそれぞれ電気的に接続されたシート状の第2の樹脂基板62が形成される。
【0040】
次に図9(a)に示すように、前記シート状の第2の樹脂基板62の上面にシート状の第1の樹脂基板61を接着材50を用いて積層する。この時、前記第2の樹脂基板62のスルーホール56a、56bの上面側の開口部60a、60bが第1の樹脂基板61で閉塞される。第1の樹脂基板61は、シート状の基板51の上面に銅箔51aを事前に張り付けたものである。又、前記シ−ト状の基板51は、厚さが約50μmでガラス繊維を含浸しないエポキシ樹脂からなる。
【0041】
次に、図9(b)に示すように、前記第1の樹脂基板61の銅箔51aのビアホールを形成する部分をパターニングにより開口して孔68a、68bを形成し、基板51の表面を露出させる。
【0042】
次に図9(c)に示すように、第1の樹脂基板61の上面をレーザ加工によりエッチング加工する。これによってパターニングにより露出した前記孔68a、68bの形状で前記基板51と接着材50とがエッチングされて、前記中間層電極パターン54a、54bに達するとエッチングが止まる。これによって第1の樹脂基板61に円形のビアホール58a、58bを形成し、前記中間層電極パターン54a、54bの表面の一部が露出する。(図の例ではビアホールを2個所のみ表示しているが、全体ではマトリクス状に所定数のビアホールが形成される)

【0043】
次に図10(a)に示すように前記第1の樹脂基板61に無電解メッキ法により銅メッキを施し、前記ビアホール58a、58bにビア導体59a、59bを形成する。この時、前記基板51の上面に形成されている銅箔51a及び前記中間層電極パターン54a、54bの露出された表面にも銅メッキされる。
【0044】
次に図10(b)に示すように前記第1の樹脂基板61の表面に形成した銅箔51aの不要部分をエッチングで除去して所定の表面電極パターン53a、53bを形成する。更に前記表面電極パタ−ン53a、53bの表面には、Ni+Auメッキが施される。これによって、表面電極パターン53a、53bと前記中間層電極パターン54a、54bとが前記ビア導体59a、59bを介してそれぞれ電気的に接続する。そして表面電極パターン53a、53bと底面電極55a、55bとがそれぞれ電気的に接続したシート状の多層基板63が形成される。
【0045】
次に、図10(b)に示すように、発光ダイオード(LED)3をシート状の多層基板63の一方の表面電極53aに導電性接着剤等で接着し、発光ダイオード(LED)3と他方の表面電極53bとを金属線6にてワイヤボンデングする。その後、シ−ト状多層基板63の表面を全体的に金型等を用いて封止樹脂9となる透光性のエポキシ樹脂で覆い、発光ダイオード(LED)3と金属線6とを封止する。最後にスル−ホ−ルの中央付近で封止樹脂9となるエポキシ樹脂、シート状の多層基板63を切断し個々の表面実装型電子部品20を形成する。その後、マザーボード(図示しない)に平面実装され、多層基板の底面に形成された底面電極とマザーボード(図示しない)電極パターンとが電気的に接続される。
【0046】
以上のように本実施形態における表面実装型電子部品の製造方法によれば、図10に示すようにスル−ホ−ルの上面側の開口部60a、60bを第1の樹脂基板61で覆い、前記開口部60a、60bが閉塞した状態で透光性のエポキシ樹脂による封止を行うので、封止樹脂9を形成する過程で透光性のエポキシ樹脂がスル−ホ−ル56a、56bに流入することを確実に防止でき、スル−ホ−ル56a、56bに形成された周面電極57a、57bの導電性を良好に保持することができる。
【0047】
又、本実施形態における表面実装型電子部品の製造方法によれば、従来技術におけるドライフィルムや電極によってスルーホールを覆う工程を必要としない。又、スルーホールの形成はドリル加工が可能となり従来技術のような出力の大きいレーザー加工を必要としない。尚、本実施形態におけるビアホールのレーザー加工は、加工する基板の厚さ、孔径が小さい為、スルーホールの加工と比較して格段に小さい出力でよい。この結果、製造コストの低減が可能となる。
【0048】
尚、本実施形態においては、シ−ト状樹脂基板に円形状のスル−ホ−ルを形成して得られる表面実装型電子部品の例で説明したが、シ−ト状基板に長穴状のスル−ホ−ルを形成して得られる表面実装型電子部品にも適用できる。
【0049】
(第2の実施形態)
図4、図5、図6、図7は本発明における表面実装型電子部品の第2の実施形態を説明するための図である。図4は本発明の第2の実施形態における表面実装型電子部品を示す斜視図、図5は平面図、図6は側面図、図7は図4における表面実装型電子部品をマザーボード側から見た図である。以下、図4、図5、図6、図7を用いて第2の実施形態における表面実装型電子部品について説明する。なお、第1の実施形態と同一部分には同一番号を付与して、その説明は簡略する。
【0050】
図4、図6に示すように、第2の実施形態における表面実装型電子部品20aは、側面実装タイプの例であり、二つのスルーホールを第2の樹脂基板の同一側面に形成した点が第1の実施形態と異なっている。その他の構成は、第1の実施形態と同様であるため説明は簡略する。
【0051】
前記表面実装型電子部品20aは、多層基板30aと、発光ダイオード(LED)3と、封止樹脂9とを備えている。又、前記表面実装型電子部品20aは、マザーボード11に側面実装されている。
【0052】
前記多層基板30aは、図4、図5、図7に示すように矩形状の第1の樹脂基板21と第2の樹脂基板32とを積層した構造をなしていて、該第2の樹脂基板32は、ガラス繊維の含浸したエポキシ樹脂からなる通称ガラスエポキシ基板である。尚、前記第1の樹脂基板21は第1の実施形態と同様であるため説明を省略する。
【0053】
更に、図5、図7に示すように前記第1の樹脂基板21と前記第2の樹脂基板32の中間で、前記第2の樹脂基板32の上面32aには、中間層電極パターン34、34aが形成され、底面32bには、底面電極パターン35、35aが形成されている。更に、前記中間層電極パターン34、34aと前記底面電極パターン35、35aとをそれぞれ接続するための半円状のスルーホール(電極貫通孔)36、36a及び該スルーホール36、36aの内周面に形成される周面電極膜37、37aが第2の樹脂基板32の同一側面に形成されている。尚、前記スルーホール36、36aは、第1の実施形態と同様にシート状多層基板を個々の多層基板30aに分割して形成されるため半円状となる。
【0054】
又、図7に示すように本実施形態における表面実装型電子部品20aは、前記第2の樹脂基板32に、前記第1の樹脂基板21を積層することによって、前記第2の樹脂基板32に形成されるスルーホール36、36aの上面側の開口部41、41aが前記第1の樹脂基板21で塞がれる構造になっている。これにより前記封止樹脂9が前記スルーホール36、36aに流入することを防止することが可能となり、前記多層基板30aのほぼ表面全体を覆うように前記封止樹脂9が形成できる。
【0055】
図7は、スルーホールの中央付近で切断して得られる表面実装型電子部品20aの側面を示している。本実施形態においては、前記表面実装型電子部品20aの側面がマザーボード11の表面に接合され、図6に示すようにマザーボード11に側面実装される。この時、マザーボード11の表面に形成されている一方の電極パターン15と、前記表面実装型電子部品20aの一方の周面電極37及び底面電極35とを半田14で電気的に接続する。又、図示していないがマザーボード11の表面に形成されている他方の電極パターンも同様に周面電極37a及び底面電極35aと電気的に接続される。
【0056】
尚、第2の実施形態における表面実装型電子部品20aの製造方法は、第2の樹脂基板32に形成するスルーホールの位置が第1の実施形態と異なるだけで他は同様であるため説明を省略する。
【0057】
以上のように第2の実施形態における表面実装型電子部品20aによれば、図7に示すようにスル−ホ−ル36、36aの上面側の開口部41、41aを第1の樹脂基板21の端部で覆い閉塞した状態で透光性のエポキシ樹脂による封止を行うので、封止樹脂9を形成する過程で透光性のエポキシ樹脂がスル−ホ−ル36、36aに流入することを確実に防止でき、スル−ホ−ル36、36aに形成された周面電極37、37aの導電性を良好に保持できる。従って、側面実装の場合においても、電気的接続を確実にすることが出来る。又、本実施形態においても前述の第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0058】
以上のように、本発明による表面実装型電子部品とその製造方法は、表面実装型電子部品を小型化する場合に特に効果が大である。
尚、本発明の実施形態においては、発光ダイオード(LED)を搭載した表面実装型電子部品を例として説明したが、この他の電子部品素子を搭載した表面実装型電子部品においても同様の効果を得ることができる。
【0059】
【発明の効果】
本発明における表面実装型電子部品とその製造方法によれば、多層基板を製造する段階で第2の樹脂基板に第1の樹脂基板を積層し、第2の樹脂基板に形成されるスルーホールの上面側の開口部を第1の樹脂基板の端部で確実に閉塞した状態でシ−ト状の多層基板の表面を封止樹脂で封止している。この結果、封止樹脂を形成する際に封止樹脂がスル−ホ−ルに流入することを防止し、電気的接続を安定させることが出来る。又、本発明によれば、従来技術における多層基板の表面に形成されるドライフィルムを排除することが出来るため電子部品素子の搭載される有効面積を増加させ、高密度実装を実現できる。
【0060】
又、封止樹脂を形成するための金型は、封止樹脂がスルーホールの位置にかからないようにするための特別の金型を用いることなく封止樹脂を形成できるので、安価にしかも小型の多層基板からなる表面実装型電子部品を提供できる。
更に、従来技術におけるドライフィルムや電極によってスルーホールを覆う工程を省く事が出来る。又、スルーホールの形成にレーザー加工を必要とすることもない。従って、製造工程が簡素化され製造コストの低減化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態における表面実装型電子部品を示す斜視図である。
【図2】本発明の第1の実施形態における表面実装型電子部品を示す平面図である。
【図3】本発明の第1の実施形態における表面実装型電子部品を示す断面図である。
【図4】 本発明の第2の実施形態における表面実装型電子部品を示す斜視図である。
【図5】本発明の第2の実施形態における表面実装型電子部品を示す正面図である。
【図6】本発明の第2の実施形態における表面実装型電子部品を示す側面図である。
【図7】図4における側面発光LEDをマザーボード側から見た図である。
【図8】本発明の第1の実施形態における表面実装型電子部品の製造工程を示す図である。
【図9】本発明の第1の実施形態における表面実装型電子部品の製造工程を示す図である。
【図10】本発明の第1の実施形態における表面実装型電子部品の製造工程を示す図である。
【図11】従来例における表面実装型電子部品の第1例を示す斜視図である。
【図12】従来例における表面実装型電子部品の第1例を示す平面図である。
【図13】従来例における表面実装型電子部品の第1例を示す断面図である。
【図14】従来例における表面実装型電子部品の第2例を示す斜視図である。
【図15】従来例における表面実装型電子部品の第2例を示す平面図である。
【図16】従来例における表面実装型電子部品の第2例を示す断面図である。
【図17】従来例における表面実装型電子部品の第3例を示す斜視図である。
【図18】従来例における表面実装型電子部品の第3例を示す平面図である。
【図19】従来例における表面実装型電子部品の第3例を示す断面図である。
【符号の説明】
1、1a、1b 表面実装型電子部品
2 基板
3 発光ダイオード(LED)
4、5 電極パターン
4a、5a 端部がスルーホールを覆う電極パターン
4b、5b スルーホールの周面電極
6 金属線
7、7a、8、8a スルーホール
9 封止樹脂
10 ドライフィルム
11 マザーボード
13 パッド部
14 半田
15 電極パターン
20 表面実装型電子部品
20a 表面実装型電子部品
21 第1の樹脂基板
22 第2の樹脂基板
22a 第2の樹脂基板の上面
22b 第2の樹脂基板の底面
23、23a 表面電極パターン
24、24a 中間層電極パターン
25、25a 底面電極パターン
26、26a スルーホール
27、27a 周面電極
28、28a ビアホール
29、29a ビア導体
30、30a多層基板
31、31a スルーホールの上面側の開口部
32 第2の樹脂基板
32a 第2の樹脂基板の上面
32b 第2の樹脂基板の底面
34、34a 中間層電極パターン
35、35a 底面電極パターン
36、36a スルーホール
37、37a 周面電極
50 接着材
51 第1の樹脂基板
52 第2の樹脂基板
52a 第2の樹脂基板の上面
52b 第2の樹脂基板の底面
53 表面導電層
53a、53b 表面電極パターン
54 中間導電層
54a、54b 中間層電極パターン
55 底面導電層
55a、55b 底面電極パターン
56a、56b スルーホール
57a、57b 周面電極
58a、58b ビアホール
59a、59b ビア導体
60a、60b スルーホールの上面側の開口部
61 第1の樹脂基板
62 第2の樹脂基板
63 多層基板
68a、68b 孔

Claims (3)

  1. ビアホールを有する第1の樹脂基板とスルーホールを有する第2の樹脂基板とに電極パターンを形成して積層構造とし、前記第1の樹脂基板の表面に形成する表面電極パターンと前記第2の樹脂基板の上面に形成する中間層電極パターンとを前記ビアホールに形成するビア導体により接続し、前記中間層電極パターンと前記第2の樹脂基板の底面に形成する底面電極パターンとを前記スルーホールに形成する周面電極により接続する多層基板と、該多層基板の表面上に搭載する電子部品素子と、該電子部品素子周域及び前記多層基板表面を封止する封止樹脂とを備える表面実装型電子部品であって、前記第1の樹脂基板がガラス繊維を含浸しない樹脂材料からなり、前記第2の樹脂基板がガラス繊維を含浸した樹脂材料からなり、前記第2の樹脂基板の厚さが前記第1の樹脂基板の厚さに比較して大きい値に設定されており、前記第2の樹脂基板に前記第1の樹脂基板を積層し、前記第2の樹脂基板に形成されるスルーホールの開口部を前記第1の樹脂基板で塞ぐことによって、前記封止樹脂が前記スルーホールに流入することを防止するように構成されていることを特徴とする表面実装型電子部品。
  2. 前記スルーホールは複数からなり、該複数のスルーホールが前記第2樹脂基板の同一側面に形成されているとを特徴とする請求項1記載の表面実装型電子部品。
  3. 第1の樹脂基板と第2の樹脂基板とに電極パターンを形成して積層構造とした多層基板の表面上に電子部品素子を搭載し、該電子部品素子周域及び前記多層基板表面に封止樹脂を成形する表面実装型電子部品の製造方法において、ガラス繊維を含浸しない樹脂材料からなる第1の樹脂基板にビアホールをレーザー加工により形成するとともに、ビア導体及び該ビア導体と導通する表面電極パターンを形成する工程と、ガラス繊維を含浸した樹脂材料からなり基板の厚さが前記第1の樹脂基板の厚さに比較して大きい値に設定されている第2の樹脂基板にスルーホールをドリル加工により形成するとともに、スルーホールの周面電極を形成し、該周面電極と導通する中間層電極パターンと底面電極パターンとを前記第2の樹脂基板の上面と底面とにそれぞれ形成する工程と、前記中間層電極パターンと前記第1の樹脂基板の表面電極パターンとを前記ビア導体で導通させると共に前記第2の樹脂基板に形成されるスルーホールの開口部を前記第1の樹脂基板によって塞ぐように前記第1の樹脂基板と前記第2の樹脂基板とを積層する工程とを含み、前記スルーホールの開口部を前記第1の樹脂基板で塞ぐことによって、前記電子部品素子周域及び前記多層基板表面に封止樹脂を成形する工程で前記封止樹脂が前記第2の樹脂基板のスルーホールに流入することを防止することを特徴とする表面実装型電子部品の製造方法。
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