JP6576581B1 - サイドビューledパッケージ及びサイドビューledモジュール - Google Patents
サイドビューledパッケージ及びサイドビューledモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP6576581B1 JP6576581B1 JP2019009355A JP2019009355A JP6576581B1 JP 6576581 B1 JP6576581 B1 JP 6576581B1 JP 2019009355 A JP2019009355 A JP 2019009355A JP 2019009355 A JP2019009355 A JP 2019009355A JP 6576581 B1 JP6576581 B1 JP 6576581B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electrode pattern
- led
- view
- led chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 95
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 91
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 cerium-activated yttrium aluminum garnet Chemical class 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 1
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007977 PBT buffer Substances 0.000 description 1
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
前記各凹電極のそれぞれの内壁面は、前記開口部から一定長さだけ繋がった凹内壁面と、前記凹内壁面の末端に形成されて前記開口部に対して平行な垂直内壁面と、を含み得る。
前記内部フィレット部は、前記垂直内壁面に接する第1内部フィレット部と、前記凹内壁面の両側に接する第2内部フィレット部と、を含み得る。
前記各ソルダー部のそれぞれは、前記各開口部のそれぞれを全体的に塞ぐように形成され、各開口部周辺で前記各第2電極パターンのそれぞれに接する外部フィレット部を更に含み得る。
前記外部フィレット部は、前記凹電極の凹内壁面を支える段部を含み得る。
前記第2電極パターンは、前記開口部周辺のソルダーボンディング領域と、前記ソルダーボンディング領域の外郭ラインで一側に突出したビア接続領域と、を含み得る。
前記凹内壁面は、半球状又はアーチ状の断面を有し得る。
前記LEDユニットは、前記各第1電極パターンに接続される電極面及び前記電極面の反対側の出光面を有するLEDチップと、前記LEDチップの出光面上に配置された波長変換シートと、前記LEDチップ及び前記波長変換シートの側面部を取り囲むように形成されたリフレクターと、を含み得る。
前記波長変換シートは、斜線カッティングによって形成された傾斜した側面を含み得る。
前記リフレクターは、前記第3面と同一の平面をなす面を含み得る。
前記LEDユニットは、それぞれが前記各第1電極パターンに接続された第1導電型電極及び第2導電型電極が形成された電極面並びに前記電極面の反対側の出光面を有する第1LEDチップ及び第2LEDチップと、前記第1LEDチップの出光面及び前記第2LEDチップの出光面上に配置された第1波長変換シート及び第2波長変換シートと、前記第1LEDチップ及び前記第1波長変換シートの側面部並びに前記第2LEDチップ及び前記第2波長変換シートの側面部を取り囲むように形成された一つのリフレクターと、を含み得る。
前記各第1電極パターンは、第1−1電極パターン、第1−2電極パターン、及び第1−3電極パターンを含み、前記各第2電極パターンは、第2−1電極パターン、第2−2電極パターン、及び第2−3電極パターンを含み、前記各ビアは、前記第1−1電極パターンを前記第2−1電極パターンに連結する第1ビアと、前記第1−2電極パターンを前記第2−2電極パターンに連結する一つ以上の第2ビアと、前記第1−3電極パターンを前記第2−3電極パターンに連結する第3ビアと、を含み得る。
前記第1LEDチップの第1導電型電極が前記第1−1電極パターンに連結され、前記第2LEDチップの第2導電型電極が前記第1−3電極パターンに連結され、前記第1LEDチップの第2導電型電極及び前記第2LEDチップの第1導電型電極が前記第1−2電極パターンに連結され得る。
前記第1LEDチップの第1導電型電極が前記第1−1電極パターンに連結され、前記第2LEDチップの第1導電型電極が前記第1−3電極パターンに連結され、前記第1LEDチップの第2導電型電極及び前記第2LEDチップの第2導電型電極が前記第1−2電極パターンに連結され得る。
前記各凹電極は、前記第2−1電極パターンに連結された第1凹電極と、前記第2−3電極パターンに連結された第2凹電極と、を含み得る。
前記ボディー部を製作する段階は、上面及び底面を含むボディー部用基材を準備する段階と、前記ボディー部用基材の底面から一定の深さだけ延長された各ブラインドホール及び前記ボディー部用基材を貫通する各貫通ホールを形成する段階と、前記各ブラインドホールの内部面、前記各貫通ホールの内部面、並びに前記上面及び前記底面を覆う金属層を形成する段階と、前記上面に形成された金属層及び前記底面に形成された金属層をパターニングする段階と、前記パターニングする段階の後、前記ボディー部用基材をカッティングする段階と、を含み、前記ボディー部用基材をカッティングする段階中、各ブラインドホールに形成された金属層が2個の凹電極に分割され得る。
前記各凹電極のそれぞれの内壁面は、前記開口部から一定長さだけ繋がった凹内壁面と、前記凹内壁面の末端に形成された垂直内壁面とを含み、前記サイドビューLEDパッケージを実装する段階において、前記各ソルダー部のそれぞれは、前記垂直内壁面に接する第1内部フィレット部と、前記凹内壁面の両側に接する第2内部フィレット部と、前記各開口部のそれぞれを全体的に塞ぐように形成されて各開口部周辺で前記各第2電極パターンのそれぞれに接する外部フィレット部と、を含むように形成され得る。
前記LEDユニットを製作する段階は、斜線カッティングによって形成された傾斜した側面を含む各波長変換シートを製造する段階と、各LEDチップを準備する段階と、前記傾斜した側面を含む各波長変換シートのそれぞれを前記各LEDチップのそれぞれの一面に結合する段階と、前記波長変換シートが結合された各LEDチップをアレイして前記各波長変換シート及び前記各LEDチップの側面を取り囲むように反射部材を形成する段階と、前記反射部材を切断するシンギュレーション(singulation)段階と、を含み得る。
前記ボディー部は、前記第1面、及び前記第2面に直交してマウント基板に実装されるときに前記マウント基板に向き合う第3面を含み、前記ビアは、前記第3面で前記マウント基板に向かって露出するように、前記第3面に位置する前記ボディー部のコーナーに形成され得る。
前記ビアは、前記第1面と前記第2面との間を連結するコーナーに沿って形成され得る。
前記ボディー部を準備する段階において、前記第1電極パターン及び前記第2電極パターンのそれぞれは、水平面及び垂直面を備えた「L」字状に形成され、前記「コ」字状のソルダリングパターンは、前記ビアと、前記第1電極パターンの垂直面と、前記第2電極パターンの垂直面と、からなり得る。
前記ビアは、基板に形成されたビアホールに導電性物質が充填された後、前記導電性物質と共に基板がカッティングされて形成され得る。
前記製造方法は、前記LEDユニットを準備するために斜線にカッティングされた傾斜面を有する各波長変換シートを製造する段階と、前記各波長変換シートを各LEDチップに結合する段階と、前記波長変換シートが結合された各LEDチップをアレイして前記各波長変換シート及び前記各LEDチップの側面を取り囲むように反射部材を形成する段階と、前記反射部材を切断するシンギュレーション段階と、を含み得る。
前記波長変換シートを製造する段階において、前記波長変換シートの前記LEDチップに接する面の面積が、前記LEDチップが前記波長変換シートに接する面積以上になるように、前記波長変換シートがカッティングされ得る。
前記波長変換シートを製造する段階において、前記波長変換シートは、前記LEDチップに接する面から前記LEDチップの反対側面に向かうほど断面積が漸次増加する形状に製造され得る。
前記ビアは、前記第1面及び前記第2面に直交する第3面上で前記第1面と前記第2面との間を連結するコーナーに形成され得る。
前記第1電極パターン及び前記第2電極パターンのそれぞれは、水平面及び垂直面を備えた「L」字状であり得る。
前記「コ」字状のソルダリングパターンは、前記ビア、前記第1電極パターンの垂直面、及び前記第2電極パターンの垂直面によって形成され得る。
前記「コ」字状のソルダリングパターンは、前記ボディー部の第3面にのみ形成され、前記第3面は、前記第1面及び前記第2面に直交し得る。
前記サイドビューLEDパッケージは、前記「コ」字状のソルダリングパターンがマウント基板に向き合うように、前記マウント基板に実装され得る。
前記LEDユニットは、CSP(Chip Scale Pakage)タイプであり得る。
前記LEDユニットは、LEDチップと、前記LEDチップに付着されて形成された内側に斜線にカッティングされた波長変換シートと、前記LEDチップ及び前記波長変換シートの側面を取り囲むリフレクター構造と、を含み得る。
前記波長変換シートは、前記LEDチップに接する面の面積が前記LEDチップと前記波長変換シートとの接触面積以上になるように形成され得る。
前記波長変換シートは、前記LEDチップに接する面から前記LEDチップの反対側の面に向かって断面積が漸次増加する形態を有し得る。
また、波長変換層の側面が斜線カッティングによる傾斜面に形成されて波長変換層の側面を取り囲むリフレクターの内壁面も所望の角度の傾斜面に具現可能なサイドビューLEDパッケージが提供される。
また、サイドビューLEDパッケージとマウント基板との間を接合するソルダーの露出領域を最小化しながらも、ソルダーによるサイドビューLEDパッケージとマウント基板との間の接合力を向上させ、サイドビューLEDパッケージのチルトなどの問題を解決するサイドビューLEDモジュールが提供される。
2a ブラインドホール
2b 貫通ホール
3、3c、3d 金属層
3a 上面の金属層
3b 底面の金属層
10 波長変換シート
10−1 上面
10−2 下面
12 LEDチップ
12a、12b 第1、第2LEDチップ
14 リフレクター(反射部材)
20 第1面
21a、21A 第1−1電極パターン
21b、21B 第1−2電極パターン
21c 第1−3電極パターン
21d、21C 第2−1電極パターン
21e、21D 第2−2電極パターン
21f 第2−3電極パターン
21A−1、21B−1、21C−1、21D−1 側面
21A−2、21B−2 前方面(水平面)
22 第2面
23a、23A 第1ビア
23b、23B 第2ビア
23c 第3ビア
24 第3面
25、25c 凹電極
25a、25A 第1凹電極
25b、25B 第2凹電極
26 第4面
100 LEDユニット
101 傾斜面
200 ボディー部
251 開口部
252 凹内壁面
253 垂直内壁面
254 エッジ面
300 マウント基板
400 ソルダー部
401 ベース部
412 第2内部フィレット部
413 第1内部フィレット部
420 外部フィレット部
422 段部
1000 サイドビューLEDパッケージ
Claims (15)
- マウント基板と、
LEDユニットと、前記LEDユニットに結合される第1面、前記第1面に対して平行な第2面、並びに前記第1面及び前記第2面に直交して前記マウント基板に向き合う第3面を含み、前記第1面、前記第2面、及び前記第3面に各端子が形成されたボディー部と、を含むサイドビューLEDパッケージと、
前記各端子を前記マウント基板に電気的に連結するための各ソルダー部と、を有し、
前記各端子のそれぞれは、
前記第2面に形成された開口部と、
前記開口部から前記第1面に延長されて前記第3面に対して凹状の凹電極と、を含み、
前記各ソルダー部のそれぞれは、
前記凹電極の内部空間の一部分のみを充填するように形成されて前記第3面に形成されたベース部と、
前記ベース部から前記凹電極の内壁面に沿って形成された内部フィレット部と、を含み、
前記各端子のそれぞれは、
前記第1面に形成された第1電極パターンと、
前記第2面に形成されて前記開口部の周辺で前記凹電極に連結された第2電極パターンと、
前記第1電極パターンと前記第2電極パターンとを連結するビアと、を含むことを特徴とするサイドビューLEDモジュール。 - 前記凹電極の内壁面は、
前記開口部から一定長さだけ繋がった凹内壁面と、
前記凹内壁面の末端に形成されて前記開口部に対して平行な垂直内壁面と、を含むことを特徴とする請求項1に記載のサイドビューLEDモジュール。 - 前記内部フィレット部は、
前記垂直内壁面に接する第1内部フィレット部と、
前記凹内壁面の両側に接する第2内部フィレット部と、を含むことを特徴とする請求項2に記載のサイドビューLEDモジュール。 - 前記各ソルダー部のそれぞれは、前記開口部を全体的に塞ぐように形成され、各開口部周辺で前記第2電極パターンに接する外部フィレット部を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のサイドビューLEDモジュール。
- 前記外部フィレット部は、前記凹電極の凹内壁面を支える段部を含むことを特徴とする請求項4に記載のサイドビューLEDモジュール。
- 前記第2電極パターンは、
前記開口部の周辺のソルダーボンディング領域と、
前記ソルダーボンディング領域の外郭ラインで一側に突出したビア接続領域と、を含むことを特徴とする請求項1に記載のサイドビューLEDモジュール。 - 前記凹内壁面は、半球状又はアーチ状の断面を有することを特徴とする請求項2に記載のサイドビューLEDモジュール。
- 前記LEDユニットは、
前記第1電極パターンに接続される電極面及び前記電極面の反対側の出光面を有するLEDチップと、
前記LEDチップの出光面上に配置された波長変換シートと、
前記LEDチップ及び前記波長変換シートの側面部を取り囲むように形成されたリフレクターと、を含むことを特徴とする請求項1に記載のサイドビューLEDモジュール。 - 前記波長変換シートは、斜線カッティングによって形成された傾斜した側面を含むことを特徴とする請求項8に記載のサイドビューLEDモジュール。
- 前記リフレクターは、前記第3面と同一の平面をなす面を含むことを特徴とする請求項8に記載のサイドビューLEDモジュール。
- 前記LEDユニットは、
それぞれが前記第1電極パターンに接続された第1導電型電極及び第2導電型電極が形成された電極面並びに前記電極面の反対側の出光面を有する第1LEDチップ及び第2LEDチップと、
前記第1LEDチップの出光面及び前記第2LEDチップの出光面上にそれぞれ配置された第1波長変換シート及び第2波長変換シートと、
前記第1LEDチップ及び前記第1波長変換シートの側面部並びに前記第2LEDチップ及び前記第2波長変換シートの側面部を取り囲むように形成された一つのリフレクターと、を含むことを特徴とする請求項1に記載のサイドビューLEDモジュール。 - 前記第1電極パターンは、第1−1電極パターン、第1−2電極パターン、及び第1−3電極パターンを含み、
前記第2電極パターンは、第2−1電極パターン、第2−2電極パターン、及び第2−3電極パターンを含み、
前記ビアは、
前記第1−1電極パターンを前記第2−1電極パターンに連結する第1ビアと、
前記第1−2電極パターンを前記第2−2電極パターンに連結する一つ以上の第2ビアと、
前記第1−3電極パターンを前記第2−3電極パターンに連結する第3ビアと、を含むことを特徴とする請求項11に記載のサイドビューLEDモジュール。 - 前記第1LEDチップの第1導電型電極が前記第1−1電極パターンに連結され、
前記第2LEDチップの第2導電型電極が前記第1−3電極パターンに連結され、
前記第1LEDチップの第2導電型電極及び前記第2LEDチップの第1導電型電極が前記第1−2電極パターンに連結されることを特徴とする請求項12に記載のサイドビューLEDモジュール。 - 前記第1LEDチップの第1導電型電極が前記第1−1電極パターンに連結され、
前記第2LEDチップの第1導電型電極が前記第1−3電極パターンに連結され、
前記第1LEDチップの第2導電型電極及び前記第2LEDチップの第2導電型電極が前記第1−2電極パターンに連結されることを特徴とする請求項12に記載のサイドビューLEDモジュール。 - 前記凹電極は、
前記第2−1電極パターンに連結された第1凹電極と、
前記第2−3電極パターンに連結された第2凹電極と、を含むことを特徴とする請求項12に記載のサイドビューLEDモジュール。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2018-0036404 | 2018-03-29 | ||
KR20180036404 | 2018-03-29 | ||
KR10-2018-0166909 | 2018-12-21 | ||
KR1020180166909A KR102621850B1 (ko) | 2018-03-29 | 2018-12-21 | 사이드뷰 엘이디 패키지 및 사이드뷰 엘이디 모듈 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6576581B1 true JP6576581B1 (ja) | 2019-09-18 |
JP2019176133A JP2019176133A (ja) | 2019-10-10 |
Family
ID=67982951
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019009355A Active JP6576581B1 (ja) | 2018-03-29 | 2019-01-23 | サイドビューledパッケージ及びサイドビューledモジュール |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10847697B2 (ja) |
JP (1) | JP6576581B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113043361A (zh) * | 2020-03-27 | 2021-06-29 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 一种荧光片、led封装件及其制作方法 |
CN114038869B (zh) * | 2021-05-14 | 2023-01-13 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 显示面板、显示背板及其制作方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4822484B2 (ja) * | 2001-06-19 | 2011-11-24 | シチズン電子株式会社 | 表面実装型電子部品とその製造方法 |
JP5937315B2 (ja) * | 2011-08-11 | 2016-06-22 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオード |
JP5708766B2 (ja) * | 2013-11-20 | 2015-04-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6303805B2 (ja) * | 2014-05-21 | 2018-04-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
KR20160041108A (ko) * | 2014-10-06 | 2016-04-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광장치 |
TWI677114B (zh) * | 2015-10-05 | 2019-11-11 | 行家光電股份有限公司 | 具導角反射結構的發光裝置 |
JP6693369B2 (ja) * | 2016-09-21 | 2020-05-13 | 豊田合成株式会社 | 光源および発光装置の実装方法 |
TWI713239B (zh) * | 2016-12-01 | 2020-12-11 | 晶元光電股份有限公司 | 發光裝置 |
-
2019
- 2019-01-23 JP JP2019009355A patent/JP6576581B1/ja active Active
- 2019-02-27 US US16/287,310 patent/US10847697B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019176133A (ja) | 2019-10-10 |
US20190305201A1 (en) | 2019-10-03 |
US10847697B2 (en) | 2020-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6928283B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7054025B2 (ja) | 発光装置 | |
KR102236796B1 (ko) | 발광 장치 | |
JP5279225B2 (ja) | 発光モジュールおよびその製造方法 | |
KR101360732B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
JP4123105B2 (ja) | 発光装置 | |
CN102237350B (zh) | 照明装置以及包括发光元件的发光装置 | |
JP2007324205A (ja) | 発光装置 | |
JP2004363537A (ja) | 半導体装置およびその製造方法、並びにその半導体装置を用いた光学装置 | |
KR102116988B1 (ko) | 광원 모듈, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 유닛 | |
JP4203374B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6576581B1 (ja) | サイドビューledパッケージ及びサイドビューledモジュール | |
US7154155B2 (en) | Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes | |
KR20090082470A (ko) | 발광 장치, 그 제조 방법 및 실장 기판 | |
JP2007324275A (ja) | 発光装置 | |
WO2018105448A1 (ja) | 発光装置 | |
JP2005191111A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JP7208495B2 (ja) | 光源装置 | |
KR102621850B1 (ko) | 사이드뷰 엘이디 패키지 및 사이드뷰 엘이디 모듈 | |
CN110957410A (zh) | 发光装置以及发光装置的制造方法 | |
JP6611795B2 (ja) | Ledパッケージ、発光装置およびledパッケージの製造方法 | |
JP2016127059A (ja) | 発光装置 | |
JP6847661B2 (ja) | 発光デバイス及びその形成方法 | |
JP7132504B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2022097900A (ja) | 発光装置及びそれを用いたディスプレイ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190123 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20190123 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20190214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190319 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190530 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190730 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190820 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6576581 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |