EP2332186A1 - Led-modul und herstellungsverfahren - Google Patents

Led-modul und herstellungsverfahren

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EP2332186A1
EP2332186A1 EP09744315A EP09744315A EP2332186A1 EP 2332186 A1 EP2332186 A1 EP 2332186A1 EP 09744315 A EP09744315 A EP 09744315A EP 09744315 A EP09744315 A EP 09744315A EP 2332186 A1 EP2332186 A1 EP 2332186A1
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EP
European Patent Office
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substrate
wafer
led
contact surfaces
led module
Prior art date
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Withdrawn
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EP09744315A
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English (en)
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Georg Bogner
Berthold Hahn
Siegfried Herrmann
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Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
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Publication date
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Abstract

Auf einer Oberseite eines Substrates (4) ist mindestens ein Schichtstapel (1) einer substratlosen LED angeordnet. Kontaktflächen befinden sich an einer Seitenfläche (14) des Substrates (4), die an die Oberseite angrenzt. Anschlüsse der LED sind über Anschlussleitungen (10, 20) mit den Kontaktflächen verbunden. Die Kontaktflächen können insbesondere durch Leiterschichten (6) in Lötkehlen (5) an vertikalen Kanten des Substrates (4) gebildet sein. Zur Herstellung können in einem oberseitig mit LEDs versehenen Wafer Durchkontaktierungen gebildet werden, die nach dem Zerteilen des Wafers metallisierte Lötkehlen an seitlichen Kanten der Substrate (4) bilden.

Description

B e s ehr e ibung
LED-Modul und Herstellungsverfahren
Die vorliegende Erfindung betrifft ein besonders flach gestaltbares LED-Modul und ein zugehöriges Herstellungsverfahren.
In der DE 10 2007 030 129 ist ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente angegeben. Ein Anschlussträgerverbund wird bereitgestellt, der eine Mehrzahl von Bauelementbereichen aufweist, in denen jeweils zumindest ein elektrischer Anschlussbereich vorgesehen ist, sowie ein Halbleiterkörperträger, auf dem eine Mehrzahl gesonderter und mit dem Halbleiterkörperträger verbundener Halbleiterkörper angeordnet ist, wobei die Halbleiterkörper jeweils eine Halbleiterschichtenfolge mit einem aktiven Bereich aufweisen. Der Anschlussträgerverbund und der Halbleiterkörperträger werden relativ zueinander derart ausgerichtet, dass die Halbleiter- körper den Bauelementbereichen zugewandt sind. Eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern wird mit dem Anschlussträgerverbund in einem Montagebereich eines dem jeweiligen Halbleiterkörper zugeordneten Bauelementbereichs mechanisch verbunden, und der jeweilige Halbleiterkörper wird mit dem Anschlussbereich des dem Halbleiterkörper zugeordneten Bauelementbereichs elektrisch leitend verbunden. Der mit dem Anschlussträgerverbund verbundene Halbleiterkörper wird vom Halbleiterkörperträger getrennt, und der Anschlussträgerverbund wird in eine Mehrzahl von gesonderten optoelektronischen Bauelementen aufgeteilt, die jeweils einen Anschlussträger, der den
Bauelementbereich aufweist, und einen auf dem Anschlussträger angeordneten und mit dem Anschlussbereich elektrisch leitend verbundenen Halbleiterkörper aufweisen. __ p
Für verschiedene Anwendungen, wie zum Beispiel die Hintergrundbeleuchtung von Monitoren, werden besonders kompakte und flache Anordnungen von LEDs mit einer großen Abstrahlfläche benötigt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein besonders flaches LED-Modul anzugeben, das einfach und kostengünstig hergestellt werden kann. Außerdem soll ein hierzu geeignetes Herstellungsverfahren angegeben werden.
Das LED-Modul umfasst mindestens eine substratlose LED, die als Schichtstapel auf einer Oberseite eines Substrates angeordnet ist.
Bei der substratlosen LED handelt es sich zum Beispiel um einen Leuchtdiodenchip von dessen epitaktisch gewachsenen Schichten das Aufwachssubstrat vollständig entfernt ist. Die substratlose Leuchtdiode umfasst daher zum Beispiel ausschließlich epitaktisch gewachsene Halbleiterschichten. Sie kann eine Dicke von höchsten 20 μm aufweisen. Die substratlose LED kann - auch aufgrund ihrer geringen Dicke - für sichtbares Licht durchlässig sein.
An mindestens einer Seitenfläche, die an die Oberseite angrenzt, besitzt das Substrat Kontaktflächen für einen externen elektrischen Anschluss der LED. Die Anschlüsse der LED sind über Leiterbahnen, die auf der Oberseite vorgesehen sind, mit den zugehörigen Kontaktflächen verbunden. Das LED- Modul kann auch mehrere LEDs umfassen. In diesem Fall sind mehrere Schichtstapel substratloser LEDs auf der Oberseite des Substrates angeordnet und mit einer entsprechenden Mehrzahl von Kontaktflächen verbunden, die auf einer Seiten- fläche vorgesehen sind. Die Kontaktflächen können streifenförmig strukturierte Leiterbahnen auf der Seitenfläche sein. Die Kontaktflächen können auch durch elektrisch leitfähige, vorzugsweise metallisierte, Lötkehlen an den zu der Oberseite senkrechten Kanten der Seitenfläche gebildet sein.
Derartige Lötkehlen können hergestellt werden, während sich das Substrat zusammen mit weiteren Substraten im Verbund eines größeren Ausgangssubstrates, im Folgenden als Wafer bezeichnet, befindet. Das geschieht vorzugsweise dadurch, dass Kontaktlöcher in dem Wafer hergestellt werden, in die nach Art von Durchkontaktierungen (Vias) elektrisch leitfähiges Material eingebracht wird. Das elektrisch leitfähige Material kann die Kontaktlöcher füllen oder auch nur deren Seitenwände bedecken. Bevorzugt ist hierbei die Verwendung eines Metalls und die Bildung einer Metallisierung auf den Seitenwänden der Kontaktlöcher. Der Wafer wird danach zerteilt, wobei die Vias geschnitten werden, so dass aus zylindrischen Vias Lötkehlen mit Metallschichten in der Form von Viertelhohlzylindern oder halben Hohlzylindern entstehen.
Das LED-Modul ist für eine Montage vorgesehen, bei der die mit den Kontaktflächen versehene Seitenfläche auf einem Träger, zum Beispiel einer Platine oder einem Board (PCB, printed circuit board) , angebracht wird und die Kontakt- flächen mit zugehörigen elektrischen Anschlüssen des Trägers elektrisch leitend verbunden werden. Wenn mehrere LEDs, zum Beispiel in einer oder mehreren Reihen, auf einem Substrat entsprechender Abmessungen angeordnet werden, kann das LED- Modul für großflächige Lichtabstrahlung konzipiert und an unterschiedliche Anwendungen angepasst werden. Die Montage auf der Seitenfläche gestattet es insbesondere, die für die Abstrahlung des Lichtes vorgesehene Oberseite sehr schmal zu halten und somit ein extrem flaches LED-Modul zu realisieren.
Das LED-Modul wird aus substratlosen LEDs, vorzugsweise im Frontend mittels Waferlevel-Technologie, hergestellt. Hierzu wird eine Vielzahl einzelner Schichtstapel für LEDs in einer matrixartigen Anordnung auf eine Oberseite eines Wafers aufgebracht. In dieser Anordnung können jeweils einzelne Reihen von Schichtstapeln oder auch jeweils eine Mehrzahl aufeinander folgender Reihen von Schichtstapeln für ein LED- Modul vorgesehen werden, und jedes herzustellende LED-Modul umfasst eine entsprechende Vielzahl einzelner LEDs . Stattdessen ist es auf diese Weise auch möglich, Einzelbauelemente mit nur einer LED herzustellen. Der Abstand der Schichtstapel der LEDs ist so gewählt, dass eine
Zerteilung des Substrates durch übliche Prozesse wie Sägen, Lasertrennen oder Brechen möglich ist; dieser Abstand kann typisch z. B. etwa 30 μm bis 200 μm betragen.
Leiterbahnen zur Kontaktierung der LEDs und zur Verbindung der Anschlüsse der LEDs mit den seitlichen Kontaktflächen werden mittels Fotolithographie auf dem Wafer hergestellt. Die Kontaktflächen für die externen elektrischen Anschlüsse können durch Kontaktlochfüllungen in denjenigen Bereichen hergestellt werden, in denen der Wafer in die Substrate der einzelnen LED-Module zerteilt werden soll. Beim Zerteilen des Wafers in LED-Module, die jeweils eine oder mehrere LEDs umfassen, werden die in den Kontaktlöchern hergestellten Durchkontaktierungen zerteilt und ergeben jeweils mindestens eine Kontaktfläche, zum Beispiel in der Form einer Lötkehle. Anstatt mittels Kontaktlochfüllungen können die Kontaktflächen zum Beispiel auch dadurch hergestellt werden, dass Gräben in den Wafer gefräst werden, deren Seitenwände später die Seitenwände der herzustellenden einzelnen Substrate bilden. Auf diesen Seitenwänden wird mit einem an sich bekannten Verfahren eine Struktur von Leiterbahnen hergestellt, die die Kontaktflächen bilden und mit den zugehörigen Leiterbahnen auf der Oberseite des Wafers verbunden sind.
Wegen des Fehlens von Gehäusewänden können bereits im Wafer- Verbund Chipabdeckungen wie Silikone oder ähnliches als dünne Schichten oder Folien aufgebracht werden. Bei der Verwendung weißer LEDs kann die Konvertierung durch Chip-Level-Coating mittels Aufbringens von Konversionsplättchen oder Folien oder auch durch Übermolden erfolgen.
Mit den beschriebenen Ausgestaltungen können äußerst flache seitlich emittierende LED-Module hergestellt werden, deren seitliche Abmessung der Summe aus der Breite des Schichtstapels der LED und der Breite des Trenngrabens entspricht . Die notwendige Abmessung und die Abstrahlleistung können durch die Geometrie der LED festgelegt werden. Da die LED ein Oberflächenstrahler ist und kein eigenes Halbleiterchipsubstrat aufweist, außerdem herkömmliche Drahtbondung sowie Gehäusewände im Bauteil fehlen und die LED nicht in einem plan vergossenen Topf sitzt - zum Beispiel das Substrat also Kavitätsfrei ist -, wird nahezu kein von der LED emittiertes Licht reflektiert oder absorbiert. Das LED-Modul kann bei seitlicher Einkopplung des Lichtes zudem sehr nahe an einem Lichtleiter platziert werden. Wenn mit dem beschriebenen Verfahren nicht nur jeweils eine substratlose LED auf dem Substrat aufgebracht wird, sondern mehrere LEDs als Schichtstapel (Stack) übereinander hergestellt werden, können mehrfarbige LED-Module, z. B. für Rot, Grün und Blau, mit äußerst geringen Abmessungen hergestellt werden. Somit ergibt sich, bei der Einkopplung in den Lichtleiter nahezu kein Mischbereich und ein sehr homogenes Farbbild.
Weil das übliche Kunststoffgehäuse fehlt, kann das LED-Modul in der Höhe deutlich reduziert werden. Ein üblicher planer Verguss ist nicht notwendig, wodurch Ruckstreuungs- und Absorptionsverluste erheblich reduziert werden. Montagetoleranzen werden durch das spezielle Herstellungsverfahren minimiert. Die Abmessungen der LED werden im Wesentlichen durch den Schichtstapel bestimmt, weshalb auch bei Miniaturbauformen die eingesetzte Chipfläche und damit die Effizienz des Bauelementes maximiert werden kann. Typische Anwendungen des LED-Moduls sind z. B. eine Handy-Tastaturhinterleuchtung, Displayhinterleuchtungen für LCD-Displays und RGB- oder andere Färb- und Konversionskompositionen.
Bei Verwendung eines Substrates geringer Höhe kann das LED- Modul auf einem Grundkörper größerer Abmessungen montiert sein, der die Handhabung erleichtert, insbesondere zur Ausrichtung der Abstrahlfläche senkrecht zu einer Unterlage.
Das Substrat kann Zusatzfunktionen wie zum Beispiel eine Schutzdiode enthalten. Das Substrat kann auf diese Weise einen funktionalen Grundkörper bilden, in dem eine Schutzdiode monolithisch integriert sein kann, insbesondere zum Beispiel in einem Substrat aus Silizium mit unterschiedlich dotierten Bereichen, wobei die Kennlinie der Schutzdiode über Abstand und Lage der Metallkontakte eingestellt wird.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des hier beschrieben LED-Moduls ist die Montagefläche des Substrats und/oder des Grundkörpers, auf der die substratlose LED angeordnet ist, kavitätsfrei. Das heißt, die substratlose LED ist nicht in einer Kavität angeordnet .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das LED-Modul eine Kontaktrampe, auf der eine Anschlussleitung zu
Kontaktierung der substratlosen LED angeordnet ist. Die Kontaktrampe umfasst eine schräge Oberfläche, die den durch das Substrat vorgegeben Höhenunterschied überwindet. Die Kontaktrampe ist zum Beispiel aus einem elektrisch isolierenden Material gebildet. Die Kontaktrampe kann zum Beispiel die Form eines Keils aufweisen.
Es wird ferner ein Herstellungsverfahren zur Herstellung eines LED-Moduls angegeben. Zum Beispiel kann dabei ein hier beschriebenes LED-Modul hergestellt werden. Das heißt, alle für das LED-Modul offenbarten Merkmale sind auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das Verfahren ein Herstellungsverfahren, bei dem
- substratlose LEDs, die elektrische Anschlüsse aufweisen, auf einer Oberseite eines Wafers montiert werden,
- Öffnungen mit Wänden in dem Wafer hergestellt werden,
- auf den Wänden elektrische Leiter angeordnet werden, - die elektrischen Leiter mit den Anschlüssen der LEDs durch auf der Oberseite des Wafers angeordnete Anschlussleitungen elektrisch leitend verbunden werden und
- der Wafer derart in Substrate zerteilt wird, dass die Substrate an die Oberseite angrenzende Seitenflächen aufweisen, auf denen die elektrischen Leiter angeordnet sind. Es folgt eine genauere Beschreibung von Beispielen des LED- Moduls und des Herstellungsverfahrens anhand der beigefügten Figuren.
Die Figur 1 zeigt eine perspektivische Ansicht einer Einzelbauform des LED-Moduls mit einer substratlosen LED auf einem Substrat .
Die Figur 2 zeigt eine alternative Ausgestaltung einer Einzelbauform in einer Aufsicht.
Die Figur 3 zeigt eine Aufsicht auf eine matrixartige Anordnung von LEDs auf einem Wafer.
Die Figur 4 zeigt einen Ausschnitt aus einer Waferzeile.
Die Figur 5 zeigt eine Anordnung gemäß der Figur 4 in einer Seitenansicht .
Die Figur 6 zeigt eine perspektivische Ansicht eines Ausführungsbeispiels eines auf einem Board montierten LED-Moduls.
Die Figur 7 zeigt eine perspektivische Ansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels eines auf einem Board montierten LED- Moduls.
Die Figur 8 zeigt eine Aufsicht auf die Oberseite eines weiteren Ausführungsbeispiels des LED-Moduls.
Die Figur 9 zeigt eine Aufsicht auf die Rückseite des
Ausführungsbeispiels der Figur 8. Die Figur 10 zeigt eine Aufsicht gemäß der Figur 8 auf die Oberseite eines weiteren Ausführungsbeispiels des LED-Moduls .
Die Figur 11 zeigt eine perspektivische Ansicht eines Grundkörpers .
Die Figur 12 zeigt entsprechend der Figur 11 eine perspektivische Ansicht des Grundkörpers mit darauf montiertem LED-Modul.
Die Figur 1 zeigt eine perspektivische Ansicht einer Einzelbauform des LED-Moduls mit einer substratlosen LED auf einem Substrat mit seitlichen Kontaktflächen. Die LED umfasst einen Schichtstapel 1, der nicht auf einem Halbleitersubstrat ange- ordnet ist, weshalb die LED als substratlose LED bezeichnet wird. Der Schichtstapel 1 ist mit einem oberen Anschluss- kontakt 2 und mit einem unteren Anschlusskontakt 3 versehen. Der obere Anschlusskontakt 2 ist aus einem für das abzustrahlende Licht durchlässigen Material oder, wie in dem in der Figur 1 dargestellten Ausführungsbeispiel, rahmenförmig ausgebildet, so dass die Abstrahlfläche 9 frei bleibt. Diese Anordnung befindet sich auf einem Substrat 4, das zum Beispiel ein keramisches Material, Silizium oder ein anderer Isolator sein kann. An den bezüglich der mit dem Schichtsta- pel 1 versehenen Oberseite vertikalen Kanten des Substrates 4 befinden sich Lötkehlen 5, die in dem dargestellten Beispiel jeweils mit Leiterschichten 6, vorzugsweise mit Metallschichten, in der Form eines Viertelhohlzylinders versehen sind. Diese Leiterschichten 6 bilden die für den externen elektrischen Anschluss des LED-Moduls vorgesehenen Kontaktflächen auf der betreffenden Seitenfläche 14 des Substrates. Derartige Lötkehlen können z. B. hergestellt werden, indem in einem Ausgangssubstrat (Wafer) Kontaktlöcher hergestellt und anschließend mit elektrisch leitfähigem Material, vorzugsweise einem Metall, gefüllt werden. Es genügt hierbei, wenn das elektrisch leitfähige Material nur an den Wänden der
Kontaktlöcher eine dünne Leiterschicht bildet. Nach dem Zerteilen des Wafers in die Substrate 4 der LED-Module bleiben an den Kanten, die mit den Kontaktlochfüllungen versehen sind, jeweils die in der Figur 1 erkennbaren Aussparungen in der Form eines Viertelzylinders mit den darauf vorhandenen dünnen Leiterschichten 6. Wenn die Kontaktlöcher dagegen mit dem elektrisch leitfähigen Material vollständig gefüllt worden waren, sind die in der Figur 1 dargestellten Lötkehlen 5 nach dem Zerteilen des Wafers mit elektrisch leitfähigem Material in der Form eines Viertelzylinders gefüllt, so dass das Substrat 4 bis zu den seitlichen Kanten hin quaderförmig ist.
Für die elektrisch leitende Verbindung zwischen dem unteren Anschlusskontakt 3 und der zugehörigen seitlichen Kontaktfläche ist eine erste Anschlussleitung 10 vorgesehen, und für die elektrisch leitende Verbindung zwischen dem oberen Anschlusskontakt 2 und der zugehörigen seitlichen Kontakt- fläche ist eine zweite Anschlussleitung 20 vorgesehen, die in diesem Beispiel über eine Kontaktrampe 26, vorzugsweise aus einem in der Halbleitertechnik üblichen strukturierbaren Isolationsmaterial, geführt ist. Die in der Figur 1 eingezeichnete Höhe h des Substrates kann typisch etwa 0,2 mm bis 1,0 mm betragen. Die Länge 1 des Einzelbauelementes kann typisch etwa 300 μm bis 3 mm betragen. Mit denjenigen
Leiterschichten 6, die mit den Anschlussleitungen 10, 20 verbunden sind, kann das LED-Modul auf einer Platine oder dergleichen aufgelötet werden, wobei elektrisch leitende Verbindungen zu korrespondierenden Leiterbahnen der Platine hergestellt werden. Die für die Lichtabstrahlung vorgesehene Oberseite des Schichtstapels 1 kann insbesondere mit einer Konverterabdeckung oder dergleichen Vorrichtung zur Modifizierung der Lichtabstrahlung versehen sein.
Die Figur 2 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Einzelbauform des LED-Moduls in einer Aufsicht auf die mit einem Schichtstapel 1 der LED versehenen Oberseite des Substrates 4. Die in der Figur 2 eingezeichnete Breite b des Substrates kann typisch etwa 50 μm bis 1 mm betragen. Im Unterschied zu der Ausführungsform der Figur 1 sind bei der Ausführungsform der Figur 2 mehrere Lötkehlen 5 auf einer Seitenfläche des Substrates 4 vorhanden. Die Leiterschichten 6 der Lδtkehlen 5 gestatten es daher, mehrere Anschlussleitungen anzuschließen. Das ermöglicht eine Ausführungsform, die für eine Lichtabstrahlung unterschiedlicher Farben, insbesondere Rot, Grün und Blau (RGB-Ausführung) , vorgesehen ist. Zu diesem Zweck werden in dem Schichtstapel 1 Schichten für die unterschiedlichen Farben vorgesehen, vorzugsweise, indem getrennt gewachsene Epitaxieschichten für die verschiedenen Farben übereinander montiert werden. Diese Schichten werden jeweils mit einem oberen Anschlusskontakt und einem unteren Anschlusskontakt versehen, und diese Anschlusskontakte werden über die in der Figur 2 eingezeichneten Anschlussleitungen mit jeweiligen Kontaktflächen, die durch die Leiterschichten 6 in den Lötkehlen 5 gebildet werden, leitend verbunden. Für den elektrischen Anschluss der Schicht, die für die erste Farbe vorgesehen ist, sind eine erste Anschlussleitung 11 und eine zweite AnschlussIeitung 21 vorhanden, die in dem dargestellten Beispiel zu denjenigen Lötkehlen geführt sind, die dem SchichtStapel 1 am nächsten angeordnet sind. Für den Anschluss der Schicht, die für die zweite Farbe vorgesehen ist, sind entsprechend eine weitere erste Anschlussleitung 12 und eine weitere zweite Anschluss- leitung 22 vorgesehen, und für den Anschluss der Schicht, die für die dritte Farbe vorgesehen ist, sind ebenfalls eine weitere erste AnschlussIeitung 13 und eine weitere zweite
Anschlussleitung 23 vorgesehen. Die Anordnung der jeweiligen Anschlussleitungen ist hier nur als Beispiel dargestellt und kann den jeweiligen Anforderungen entsprechend variiert werden. Insbesondere ist es möglich, die Anschlussleitungen jeweils mit denjenigen Kontaktflächen zu verbinden, die über den zugehörigen Anschlüssen der Platine angeordnet sind. Die Anschlussleitungen der LEDs können z. B. unter Verwendung von Multilayer-Keramik in an sich bekannter Weise in verschiedenen Ebenen des Substrates zu den Lötpads der Platine geführt werden.
Die Figur 3 zeigt eine Aufsicht auf eine Oberseite eines Wafers mit Schichtstapeln 1 von LEDs in einer Zeilen- und spaltenweisen Anordnung. Bei dem Beispiel der Figur 3 sind für jede LED eine erste Anschlussleitung 10 und eine zweite
Anschlussleitung 20 vorgesehen. Stattdessen kann für jede LED eine mehrlagige Schichtstruktur entsprechend dem Ausführungsbeispiel der Figur 2 vorgesehen sein. Die Anschlussleitungen 10, 20 sind jeweils zu einer zugehörigen Durchkontaktierung 25 geführt. Die Durchkontaktierungen 25 können hergestellt werden, indem in dem Wafer Kontaktlöcher hergestellt und mit einem elektrisch leitfähigen Material zumindest teilweise gefüllt werden. In der in der Figur 3 dargestellten Aufsicht sind eine erste Schar 7 paralleler Schnittlinien und eine senkrecht dazu verlaufende zweite
Schar 8 paralleler Schnittlinien eingezeichnet. Wenn der Wafer nicht vollständig in Einzelbauformen des LED-Moduls zerteilt wird, sondern nur längs der ersten Schar 7 oder der zweiten Schar 8 der Schnittlinien, erhält man LED-Module auf streifenartigen länglichen Substraten mit einer Mehrzahl von LEDs, die als seitlich abstrahlende LED-Module eingesetzt werden können. Durch Zerteilen des Wafers längs der ersten Schar 7 der Schnittlinien erhält man eine Anordnung, bei der die einzelnen LEDs mit den Längsseiten ihrer Schichtstapel 1 benachbart zueinander angeordnet sind. Der das LED-Modul bildende Streifen des Wafers ist daher kürzer als bei einer Unterteilung des Wafers längs der zweiten Schar 8 der Schnittlinien. Es können auch LED-Module mit in beiden
Richtungen aufeinanderfolgend angeordneten LEDs hergestellt werden, indem der Wafer nicht längs aller Schnittlinien einer Schar 7, 8 zerteilt wird, sondern nur in größeren Abständen.
Wenn die Anordnung gemäß der Figur 3 längs der zweiten Schar 8 paralleler Schnittlinien zerteilt wird, erhält man streifenförmige LED-Module, die in Aufsicht etwa dem in der Figur 4 dargestellten Beispiel entsprechen.
Die Figur 4 zeigt eine Ausführungsform, bei der für jede Anschlussleitung jeder LED eine gesonderte seitliche Kontaktfläche mit einer Leiterschicht 6 vorhanden ist. Die jeweils erste Anschlussleitung 10 einer LED und die jeweils zweite Anschlussleitung 20 der hierzu benachbarten LED sind somit elektrisch voneinander getrennt und können z. B. auf einer Platine getrennt voneinander angeschlossen werden. Das ermöglicht eine separate Ansteuerung der einzelnen LEDs.
Die Figur 5 zeigt das LED-Modul gemäß der Figur 4 in einer seitlichen Ansicht. In der Figur 5 sind das Substrat 4 und die vertikalen Lötkehlen 5 dargestellt. Auf der Oberseite des Substrates 4 befinden sich die Schichtstapel 1, die in diesem Beispiel von einer Lichtverteilungsplatte 29 bedeckt sind. Mit der Lichtverteilungsplatte 29 wird das von den LEDs abgestrahlte Licht gleichmäßig verteilt, so dass sich eine homogene Lichtabstrahlung ergibt, in der die LEDs nicht oder kaum als einzelne Lichtquellen wahrnehmbar sind. Auf diese Weise ist es möglich, mit einem LED-Modul, das eine geringe Bauhöhe aufweist und nach Bedarf als sehr schmaler Streifen ausgebildet werden kann, eine großflächige homogene Lichtabstrahlung zu erreichen.
Die Figur 6 zeigt, wie ein LED-Modul, das in dem gezeigten
Ausführungsbeispiel wieder als Einzelbauform dargestellt ist, auf einem Board 24 montiert sein kann. Für den elektrischen Anschluss zu Leitern, die auf und gegebenenfalls in dem Board 24 in einer an sich bekannten Weise vorhanden und nicht dargestellt sind, wird ein Lot 15 verwendet, das in den
Lotkehlen eine elektrische Verbindung zwischen Lotkontakten 16 auf den Leitern des Board 24 und den Leiterschichten 6 und somit den AnschlussIeitungen 10, 20 herstellt. Wie in der Figur 6 erkennbar ist, erfolgt die Lichtabstrahlung aus der Ebene der Abstrahlfläche des Schichtstapels 1, die auf der Oberseite des Board 24 senkrecht steht; das Licht wird also bezüglich des Board 24 in seitlicher Richtung abgestrahlt.
Die Figur 7 zeigt eine Ansicht gemäß der Figur 6 für eine weitere Ausführungsform. Hierbei sind keine Lötkehlen am LED- Modul vorgesehen. Stattdessen befinden sich auf der Seitenfläche des Substrats 4, die dem Board 24 zugewandt ist, Leiterstreifen, die die Kontaktflächen bilden und mit den Anschlussleitungen 10, 20 verbunden sind. Die Kontaktflächen können zum Beispiel hergestellt werden, indem Gräben in einem Wafer hergestellt werden und deren Seitenwände mit Leiterbahnen versehen werden. Ein Bereich einer solchen Seitenwand bildet nach dem Zerteilen des Wafers die Seitenfläche des Substrates 4, die nach der Montage des LED-Moduls dem Board 24 zugewandt ist. Ein Lot 17, das auf das Board 24 zum Beispiel mittels eines Siebdruckverfahrens aufgebracht werden kann, verbindet die jeweilige Kontaktfläche des Substrates 4 mit einem zugehörigen Leiter des Board 24.
Die Figur 8 zeigt eine Aufsicht auf die Oberseite eines weiteren Ausführungsbeispiels des LED-Moduls, bei dem der Schichtstapel 1 wie in dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 auf einem Substrat 4 angeordnet und mit einer ersten
Anschlussleitung 10 und einer zweiten Anschlussleitung 20 versehen ist. Die Anschlussleitungen 10, 20 sind hier jedoch nicht zur Kante des Substrates geführt, sondern mit Durchkontaktierungen 18 durch das Substrat 4 hindurch versehen. Die Durchkontaktierungen 18 bilden elektrisch leitende Verbindungen zwischen den Anschlussleitungen 10, 20 und Rückseitenkontakten des Substrates. In der Figur 8 sind zur Verdeutlichung die Positionen der Durchkontaktierungen 18 eingezeichnet, obwohl sie unter den Anschlussleitungen 10, 20 nicht erkennbar sein müssen.
Die Figur 9 zeigt eine Aufsicht auf die der Oberseite gegenüberliegende Rückseite des Ausführungsbeispiels der Figur 8. Auf der Rückseite sind Rückseitenkontakte 19 aufgebracht, die mit den Durchkontaktierungen 18 verbunden sind und auf diese Weise einen rückseitigen elektrischen Anschluss der LED ermöglichen. In der Figur 9 sind zur Verdeutlichung die Positionen der Durchkontaktierungen 18 eingezeichnet, obwohl sie unter den Rückseitenkontakten 19 nicht erkennbar sein müssen.
Die Figur 10 zeigt eine Aufsicht gemäß der Figur 8 auf die Oberseite eines weiteren Ausführungsbeispiels des LED-Moduls, bei dem die Anschlussleitungen 10, 20 zu Seitenflächen des Substrates 4 geführt sind und dort mit Leiterschichten 27 auf Seitenwänden von Durchkontaktierungen 28 verbunden sind. Die Durchkontaktierungen 28 können entsprechend dem anhand der Figur 3 beschriebenen Verfahren hergestellt werden, indem in einen Wafer Kontaktlöcher an den für die Durchkontaktierungen vorgesehenen Positionen geätzt werden und zumindest auf die Seitenwände der Kontaktlöcher ein elektrisch leitfähiges Material aufgebracht wird. Der Wafer wird dann in der Weise zerteilt, dass die Durchkontaktierungen nur in einer Richtung durchtrennt werden, so dass die Leiterschichten 27 sich anschließend an den Seitenflächen der Einzelbauelemente beispielsweise in halbzylinderförmigen Aussparungen befinden, wie in der Figur 10 erkennbar ist. Auf der Rückseite können Rückseitenkontakte wie bei dem Ausführungsbeispiel der Figur 9 vorhanden sein, die über weitere Anschlussleiter mit den Leiterschichten 27 auf den Seitenflächen verbunden sind. Auf die Rückseitenkontakte 19 des Substrates 4 kann jedoch verzichtet werden, wenn Kontaktflächen des LED-Moduls gemäß der Figur 10 in Form von Leiterschichten auf Seitenflächen des Substrates 4 angeordnet sind.
Die Figur 11 zeigt einen Grundkörper 30 in einer perspektivischen Aufsicht. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist der Grundkörper 30 quaderförmig, was aber nicht notwendig ist. Der Grundkörper 30 ist auf einer Oberfläche mit einer ersten Anschlussleitung 31 und einer zweiten Anschlussleitung 32 versehen. Die Anschlussleitungen 31, 32 besitzen jeweils eine auf dieser Oberfläche angeordnete Kontaktfläche 33, 34. Die Kontaktflächen 33, 34 sind über die Anschlussleitungen 31, 32 jeweils elektrisch leitend verbunden mit Kontaktflächen, die an einer Seitenfläche 14' des Grundkörpers vorhanden sind. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel sind die Kontaktflächen der Seitenfläche 14 ' durch metallisierte Lötkehlen 35 gebildet, die sich an Kanten des Grundkörpers 30 befinden, die die Seitenfläche 14' begrenzen. Der Grundkörper 30 ist für eine Montage des LED-Moduls beispielsweise in einer der Ausführungsformen der Figuren 8 bis 10 vorgesehen.
Die mit den Anschlussleitungen 31, 32 versehene Oberfläche des Grundkörpers 30 kann eine parallel zu der Seitenfläche 14 ' gemessene Länge IG von typisch etwa 1 mm bis 3 mm besitzen. Der Grundkörper 30 kann eine senkrecht zu dieser Oberfläche gemessene Tiefe dG von typisch etwa 0,5 mm bis 2 mm und eine senkrecht zu der Seitenfläche 14 ' gemessene Höhe hG von typisch etwa 0,2 mm bis 2 mm besitzen. Wenn ein solcher Grundkörper 30 verwendet wird, kann auch ein LED- Modul mit einem Substrat 4 einer geringen Höhe h (Figur 1) von typisch etwa 100 μm bis 400 μm einfach montiert werden, auch im Fall einer geringen Breite b (Figur 2) des Einzelbauelementes von typisch etwa 50 μm bis 100 μm.
Das LED-Modul kann auf dem Grundkörper 30 entsprechend der Darstellung der Figur 12 montiert werden. Die Rückseitenkontakte 19 werden zum Beispiel mittels eines herkömmlichen Löt- oder Klebeverfahrens elektrisch leitend mit den Kontaktflächen 33, 34 verbunden, so dass die erste Anschlussleitung 10 des LED-Moduls mit der ersten Kontaktfläche 33 und die zweite Anschlussleitung 20 mit der zweiten Kontaktfläche 34 über die Leiter der Durchkontaktierungen 18, 28 verbunden ist. Entsprechend wird bei dem Ausführungsbeispiel gemäß der Figur 10 verfahren, wenn keine Rückseitenkontakte vorgesehen sind, wobei die Anschlussleitungen des Grundkörpers 30 derart ausgebildet werden, dass sie eine seitliche Kontaktierung des LED-Moduls ermöglichen. Über die erste Anschlussleitung 31 und die zweite Anschlussleitung 32 des Grundkörpers 30 bestehen somit elektrisch leitende Verbindungen zwischen den Anschlüssen der LED und den Metallisierungen der Lötkehlen 35 des Grundkörpers 30.
Der Grundkörper 30 kann dann anstelle des Substrates 4 in dem Ausführungsbeispiel der Figur 6 in entsprechender Weise auf einem beliebigen Board 24 montiert werden. Durch die Verwendung des Grundkörpers wird die Handhabung des LED-Moduls trotz des dünnen Substrates wegen der im Vergleich dazu größeren Abmessungen des Grundkörpers erleichtert.
Bei dem Ausführungsbeispiel der Figur 12 wird ein Lot in die Lötkehlen 35 des Grundkörpers 30 eingebracht, um die elektrischen Verbindungen mit Leitern des Board 24 herzustellen. Stattdessen kann der Grundkörper 30 ähnlich dem in der Figur 7 dargestellten Substrat 4 gestaltet sein, so dass die beispielsweise mittels eines Siebdruckverfahrens aufgebrachten Bahnen aus Lot 17 die Verbindung zwischen den Kontaktflächen auf der Seitenfläche 14' des Grundkörpers 30 und den zugeordneten Kontaktflächen des Board 24 herstellen.
Der Grundkörper kann, ebenso wie das Substrat, Zusatzfunktionen, wie zum Beispiel eine Schutzdiode oder Zenerdiode, enthalten. In dem Grundkörper kann das betreffende Bauelement monolithisch integriert sein, insbesondere zum Beispiel in einem Grundkörper aus Silizium.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102008049535.2, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Patentansprüche
1. LED-Modul mit
- einem Schachtstapel (1) einer substratlosen LED, - einer für Lichtabstrahlung vorgesehenen Abstrahlfläche (9) des Schichtstapels,
- einem Substrat (4) mit einer Oberseite, auf der die substratlose LED angeordnet ist,
- Kontaktflächen, die an einer Seitenfläche (14) des Substrates angeordnet sind, wobei die Seitenfläche (14) senkrecht zu der Abstrahlfläche ist, und/oder mit einem Grundkörper (30) , der Kontaktflächen an einer Seitenfläche (14') aufweist und auf dem das Substrat derart montiert ist, dass die Seitenfläche (14 ') senkrecht zu der Abstrahlfläche ist,
- einer ersten Anschlussleitung (10) zwischen der LED und einer der Kontaktflächen und
- einer zweiten Anschlussleitung (20) zwischen der LED und einer weiteren der Kontaktflächen.
2. LED-Modul nach dem vorherigen Anspruch, bei dem der Schichtstapel (1) Schichten umfasst, die für die Erzeugung von Licht unterschiedlicher Farben vorgesehen sind, und an der LED für jede Farbe zwei Anschlussleitungen (11, 21; 12, 22; 13, 23) vorgesehen sind, die mit voneinander getrennten Kontaktflächen verbunden sind.
3. LED-Modul nach einem der vorherigen Ansprüche einer Mehrzahl von substratlosen LEDs, die auf der Oberseite des Substrates (4) angeordnet sind, und einer Mehrzahl von Kontaktflächen, die an der Seitenfläche (14) des Substrates (4) und/oder an einer Seitenfläche (14 ') eines Grundkörpers (30) , auf dem das Substrat montiert ist, angeordnet und mit zugehörigen Anschlussleitungen (10, 20,- 11, 12, 13, 21, 22, 23) der LEDs verbunden sind.
4. LED-Modul nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die LEDs auf der Oberseite des Substrates (4) in einer einzelnen Reihe angeordnet sind.
5. LED-Modul nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die mit Anschlussleitungen (10, 20; 11, 12, 13, 21, 22, 23) verbundenen Kontaktflächen vertikal zu der Oberseite ausgerichtete Leiterbahnen sind.
6. LED-Modul nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem zumindest einige der Kontaktflächen in Lötkehlen (5) angeordnet und jeweils durch eine dünne Leiterschicht (6) in der Form eines Viertelhohlzylinders gebildet sind.
7. LED-Modul nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem das Substrat (4) oder der Grundkörper (30) mit der Seitenfläche (14, 14') auf einem mit elektrischen Anschlüssen versehenen Board (24) angeordnet ist.
8. LED-Modul nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem ein quaderförmiger Grundkörper (30) vorhanden ist, der eine mit dem Substrat (4) versehene Oberseite und eine mit Kontaktflächen versehene Seitenfläche (14") aufweist, das Substrat eine senkrecht zu der Oberseite gemessene Höhe (h) von 100 μm bis 400 μm aufweist, die Oberseite des Grundkörpers eine parallel zu der Seitenfläche (14') gemessene Länge (IG) von 1 mm bis 3 mm besitzt und der Grundkörper eine senkrecht zu der Seitenfläche (14') gemessene Höhe (hG) von typisch etwa 0,2 mm bis 2 mm und eine senkrecht zu der Oberseite gemessene Tiefe (dG) von 0,5 mm bis 2 mm besitzt.
9. Verfahren zur Herstellung eines LED-Moduls gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei dem
- substratlose LEDs, die elektrische Anschlüsse aufweisen, auf einer Oberseite eines Wafers montiert werden, - Öffnungen mit Wänden in dem Wafer hergestellt werden,
- auf den Wänden elektrische Leiter angeordnet werden,
- die elektrischen Leiter mit den Anschlüssen der LEDs durch auf der Oberseite des Wafers angeordnete Anschlussleitungen (10, 20; 11, 12, 13, 21, 22, 23) elektrisch leitend verbunden werden und
- der Wafer derart in Substrate (4) zerteilt wird, dass die Substrate (4) an die Oberseite angrenzende Seitenflächen (14) aufweisen, auf denen die elektrischen Leiter angeordnet sind.
10. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem
- die elektrischen Leiter in den Öffnungen des Wafers nach Art von Durchkontaktierungen (25) hergestellt werden,
Anschlussleitungen (10, 20; 11, 12, 13, 21, 22, 23) zwischen den LEDs und den Durchkontaktierungen (25) hergestellt werden und
- der Wafer derart in Substrate (4) zerteilt wird, dass die Durchkontaktierungen (25) mit elektrischen Leitern versehene Lötkehlen (5) bilden.
11. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die Durchkontaktierungen (25) hergestellt werden, indem Kontaktlöcher in dem Wafer gebildet werden und auf Wänden der Kontaktlöcher dünne Leiterschichten (6) aufgebracht werden.
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, bei dem der Wafer derart in Substrate (4) zerteilt wird, dass die
Lötkehlen (5) sich an Kanten der Substrate (4) befinden, die jeweils senkrecht zu der mit den LEDs versehenen Oberseite verlaufen.
13. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem
- zur Herstellung der Öffnungen Gräben mit Seitenwänden in dem Wafer gebildet werden,
- vertikal bezüglich der Oberseite des Wafers verlaufende Leiterbahnen auf den Seitenwänden gebildet werden, - Anschlussleitungen (10, 20; 11, 12, 13, 21, 22, 23) zwischen den LEDs und den Leiterbahnen hergestellt werden und
- der Wafer derart in Substrate (4) zerteilt wird, dass die Substrate (4) an die Oberseite angrenzende Seitenflächen aufweisen, auf denen die auf den Seitenwänden der Gräben gebildeten Leiterbahnen angeordnet sind.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 13 , bei dem jeweils nur elektrische Leiter, die auf derselben Seitenfläche eines Substrates (4) angeordnet sind, mit Anschlussleitungen (10, 20; 11, 12, 13, 21, 22, 23) verbunden werden.
15. Verfahren zur Herstellung eines LED-Moduls, bei dem
- ein Schichtstapel (1) einer substratlosen LED mit einer für Lichtabstrahlung vorgesehenen Abstrahlfläche (9) auf einer Oberseite eines Substrates (4) angeordnet wird und das Substrat mit elektrisch leitenden Verbindungen zwischen Anschlüssen der LED und Kontaktflächen an einer der Oberseite gegenüberliegenden Rückseite versehen wird und - das Substrat mit der Rückseite auf einem Grundkörper (30) , der mit Kontaktflächen und Anschlussleitern (31, 32) versehen ist, derart montiert wird, dass Kontaktflächen sich an einer senkrecht zu der Abstrahlfläche vorhandenen Seitenfläche (14 ') des Grundkörpers befinden und über die Anschlussleiter mit den Kontaktflächen des Substrates elektrisch leitend verbunden sind.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010045054A1 (de) 2010-09-10 2012-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsvorrichtung
DE102012109139A1 (de) * 2012-09-27 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, Elektronische Baugruppe, Verfahren zum Herstellen von Gehäusen und Verfahren zum Herstellen elektronischer Baugruppen
DE102013103226A1 (de) * 2013-03-28 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
CN104681690A (zh) * 2013-12-03 2015-06-03 复盛精密工业股份有限公司 侧向型发光二极管的支架结构
JP6405697B2 (ja) 2014-05-21 2018-10-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102017115780A1 (de) * 2017-07-13 2019-01-17 Tdk Electronics Ag Leuchtdiodenbauteil, Leuchtdiodenanordnung und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenbauteils
JP6822455B2 (ja) * 2018-09-19 2021-01-27 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN112023255B (zh) * 2020-08-26 2023-05-26 清华大学 多功能植入式探针及其制备方法
JP1682191S (de) * 2020-09-25 2021-03-29
DE102022111033A1 (de) 2022-05-04 2023-11-09 Ams-Osram International Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauelement

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002368279A (ja) * 2001-06-07 2002-12-20 Sharp Corp チップ発光ダイオード
JP2003204081A (ja) * 2002-01-08 2003-07-18 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
US20040227235A1 (en) * 2003-03-13 2004-11-18 Seiko Epson Corporation Electronic device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0529659A (ja) * 1991-07-23 1993-02-05 Sharp Corp 側面発光型ｌｅｄランプとその製造方法
US6855552B2 (en) * 1998-09-03 2005-02-15 Ventana Medical Systems Automated immunohistochemical and in situ hybridization assay formulations
TWI292227B (en) * 2000-05-26 2008-01-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting-dioed-chip with a light-emitting-epitaxy-layer-series based on gan
US6547249B2 (en) * 2001-03-29 2003-04-15 Lumileds Lighting U.S., Llc Monolithic series/parallel led arrays formed on highly resistive substrates
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
JP4792726B2 (ja) * 2003-10-30 2011-10-12 日亜化学工業株式会社 半導体素子用支持体の製造方法
KR101332771B1 (ko) * 2004-02-20 2013-11-25 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전 소자, 다수의 광전 소자를 구비한 장치 및 광전 소자를 제조하기 위한 방법
DE102005016592A1 (de) * 2004-04-14 2005-11-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip
EP2144286A3 (de) * 2004-06-30 2011-03-30 Seoul Opto Device Co., Ltd. Lichtemittierendes Bauteil mit einer Vielzahl verbundener Leuchtdioden, Herstellungsverfahren dafür und dieses Bauteil verwendende Leuchtvorrichtung
US7271420B2 (en) * 2004-07-07 2007-09-18 Cao Group, Inc. Monolitholic LED chip to emit multiple colors
US7256483B2 (en) * 2004-10-28 2007-08-14 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Package-integrated thin film LED
JP2006186297A (ja) * 2004-12-03 2006-07-13 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US7683393B2 (en) * 2004-12-07 2010-03-23 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring substrate for mounting light emitting element
JP4698259B2 (ja) * 2005-03-16 2011-06-08 三洋電機株式会社 電子部品搭載用パッケージ及びパッケージ集合基板
DE112006001414A5 (de) * 2005-05-30 2008-03-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäusekörper und Verfahren zu dessen Herstellung
US7339196B2 (en) * 2005-06-25 2008-03-04 Industrial Technology Research Institute Packaging of SMD light emitting diodes
KR100606551B1 (ko) * 2005-07-05 2006-08-01 엘지전자 주식회사 발광소자 제조방법
GB2428879A (en) * 2005-07-26 2007-02-07 Unity Opto Technology Co Ltd Light emitting diode with uniform colour mixing
JP4821343B2 (ja) * 2006-02-04 2011-11-24 日亜化学工業株式会社 サブマウント基板及びこれを備える発光装置
DE102007021009A1 (de) * 2006-09-27 2008-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
JP4689637B2 (ja) * 2007-03-23 2011-05-25 シャープ株式会社 半導体発光装置
US7569421B2 (en) * 2007-05-04 2009-08-04 Stats Chippac, Ltd. Through-hole via on saw streets
DE102007030129A1 (de) 2007-06-29 2009-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement
DE102008013030A1 (de) * 2007-12-14 2009-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
KR100981214B1 (ko) * 2008-01-28 2010-09-10 알티전자 주식회사 발광다이오드 패키지

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002368279A (ja) * 2001-06-07 2002-12-20 Sharp Corp チップ発光ダイオード
JP2003204081A (ja) * 2002-01-08 2003-07-18 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
US20040227235A1 (en) * 2003-03-13 2004-11-18 Seiko Epson Corporation Electronic device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of WO2010034277A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012504318A (ja) 2012-02-16
CN102165612A (zh) 2011-08-24
TW201013999A (en) 2010-04-01
KR20110070975A (ko) 2011-06-27
WO2010034277A1 (de) 2010-04-01
JP5717636B2 (ja) 2015-05-13
US20110227103A1 (en) 2011-09-22
DE102008049535A1 (de) 2010-04-08

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