CN102165612A - 发光二极管模块和制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 44
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 19
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 7
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0756—Stacked arrangements of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3442—Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers
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Abstract
在衬底(4)的上侧上设置有无衬底发光二极管的至少一个层堆叠(1)。接触面在衬底(4)的与上侧邻接的侧面(14)上。发光二极管的端子通过连接线路(10，20)与接触面相连。接触面尤其可以通过焊接槽(5)中的导体层(6)形成在衬底(4)的垂直边缘上。为了制造，可以在上侧设置有发光二极管的晶片中形成穿通接触部，其在晶片分割之后在衬底(4)的侧向边缘上形成金属化的焊接槽。
Description
本发明涉及一种可特别平坦地构建的发光二极管(LED)模块和相关的制造方法。
在DE 10 2007 030 129中提出了一种用于制造多个光电子器件的方法。提供了一种连接支承体复合结构，其具有多个器件区域，在这些器件区域中分别设置有至少一个电连接区域，以及一种半导体本体支承体，在该半导体本体支承体上设置有多个单独的并且与半导体本体支承体相连的半导体本体，其中半导体本体分别具有带有有源区的半导体层序列。连接支承体复合结构和半导体本体支承体相对彼此定向为使得半导体本体朝着器件区域。多个半导体本体与连接支承体复合结构在同相应的半导体本体关联的器件区域的安装区域中以机械方式相连，并且相应的半导体本体与同半导体本体关联的器件区域的连接区域导电连接。与连接支承体复合结构相连的半导体本体与半导体本体支承体分离，并且连接支承体复合结构划分成多个单独的光电子器件，它们分别具有：连接支承体，该连接支承体具有器件区域；以及设置在连接支承体上的并且与连接区域导电连接的半导体本体。
针对不同应用譬如监视器的背光照明，需要带有大的发射面的LED的特别紧凑且平坦的布置。
本发明的任务是提出一种特别平坦的LED模块，其可以简单且成本低廉地制造。此外，要提出一种适合于此的制造方法。
该LED模块包括至少一个无衬底的LED，该LED作为层堆叠设置在衬底的上侧上。
无衬底的LED例如是发光二极管芯片，生长衬底从该发光二极管芯片的外延生长的层完全去除。无衬底的发光二极管因此例如仅仅包括外延生长的半导体层。该发光二极管可以具有最高20μm的厚度。无衬底的LED(也由于其小的厚度)可以对于可见光是透射的。
在与上侧邻接的至少一个侧面上，衬底具有用于LED的外部电连接的接触面。LED的端子通过设置在上侧上的印制导线与相关的接触面连接。LED模块也可以包括多个LED。在此情况下，无衬底的LED的多个层堆叠设置在衬底的上侧上并且与相应的多个接触面相连，这些接触面设置在侧面上。接触面可以是在侧面上的条状结构化的印制导线。接触面也可以通过在侧面的垂直于上侧的边缘上导电的、优选金属化的焊接槽形成。
这种焊接槽可以在衬底与其他衬底处于较大的原始衬底(以下称作晶片)的复合结构中的期间被制造。这优选通过如下方式来实现：在晶片中制造接触孔，根据穿通接触(通孔)的方式将导电材料引入到接触孔中。导电的材料可以填充接触孔或者也可以仅仅覆盖其侧壁。优选地，在此情况下使用金属并且在接触孔的侧壁上形成金属化部。随后将晶片分割，其中通孔被切割，使得由圆柱形的通孔形成四分之一空心圆柱体或者半个空心圆柱体形式的具有金属层的焊接槽。
LED模块针对如下安装而设计：其中设置有接触面的侧面安置在支承体上，例如安置在电路板或印刷电路板(PCB，printed circuit board)上并且接触面与支承体的相关的电端子导电连接。在多个LED例如以一列或多个列设置在相应尺寸的衬底上时，该LED模块可以针对大面积的光发射而设计并且与不同的应用匹配。在侧面上的安装尤其是允许将设置用于发光的上侧保持得非常窄并且因此实现极平坦的LED模块。
LED模块由无衬底的LED制造，优选在前端借助晶片级技术来制造。对此，将多个用于LED的单个层堆叠以矩阵布置施加到晶片的上侧上。在该布置中，针对一个LED模块可以分别设置单列的层堆叠或者也可以分别设置多个相继的列的层堆叠，并且每个要制造的LED模块包括相应数量的单个LED。替代地，以此方式也可能的是制造仅仅带有一个LED的单器件。LED的层堆叠的距离选择为使得通过常规工艺如锯、激光分离或折断可以分割该衬底，该距离典型地可以为例如大约30μm到200μm。
用于接触LED和用于将LED的端子与侧向的接触面相连的印制导线在晶片上借助光刻来制造。用于外部电连接的接触面可以通过在如下区域中的接触孔填充物来制造：在这些区域中，要将晶片分割成单个LED模块的衬底。在将晶片分割成分别包括一个或多个LED的LED模块时，将在接触孔中制造的穿通接触部分割并且分别形成至少一个接触面，例如焊接槽形式的接触面。代替借助接触孔填充物，例如也可以通过如下方式制造接触面：将沟槽铣削到晶片中，其侧壁稍后形成要制造的单个衬底的侧壁。借助已知的方法将印制导线的结构制造到这些侧壁上，该结构形成接触面并且与晶片的上侧上的相关的印制导线相连。
由于没有壳体壁，所以在晶片复合结构中已经可以施加芯片覆盖物如硅树脂等等作为薄层或者膜。在使用白色LED的情况下，通过借助施加转换小板或者膜的芯片级涂覆或者也可以通过上模制(Uebermolden)来实现转换。
借助所描述的构型可以制造极其平坦的侧向发射的LED模块，其侧向尺寸对应于LED层堆叠的宽度与分离沟槽的宽度之和。所需的尺寸和发射功率可以通过LED的几何结构确定。由于LED是表面辐射器并且不具有自己的半导体芯片衬底，此外在该部件中没有传统的线接合以及壳壁，并且该LED并不在平面浇注的盆中(例如衬底于是是无空腔的)，所以LED所发射的光几乎不被反射或者吸收。该LED模块在侧向耦合输入光时还可以非常靠近光导体地放置。在借助所描述的方法不仅分别将无衬底的LED施加到衬底上而且将多个LED相叠地制造为层堆叠(stack)时，可以以极小的尺寸制造多色彩的LED模块(例如针对红色、绿色和蓝色)。因此，在耦合输入到光导体时几乎没有出现混合区域并且形成了非常均匀的色彩图像。
由于没有常规的塑料壳体，所以LED模块可以在高度方面明显减小。无需常规的平面浇注，由此极大地减小了向回散射损耗和吸收损耗。安装公差通过特殊的制造方法被最小化。LED的尺寸基本上通过层堆叠确定，所以即使在小型结构形式的情况下也可以使所使用的芯片面积最大化并且由此使器件的效率最大化。LED模块的典型应用例如是手机按键背光照明、LCD显示器的显示器背光照明和RGB或者其他色彩组成物和转换组成物。
在使用较小高度的衬底的情况下，LED模块可以安装在较大尺寸的基本体上，其使得处理容易，尤其是使得将发射面垂直于底座定向的处理容易。
该衬底可以包含附加功能譬如保护二极管。该衬底可以以此方式形成功能基本体，在其中可以单片地集成有保护二极管，尤其是例如在由硅构成的带有不同掺杂的区域的衬底中，其中保护二极管的特性曲线通过金属接触部的距离和位置来调节。
根据在此所描述的LED模块的至少一个实施形式，衬底和/或基本体的、其上设置有无衬底LED的安装面是无空腔的。也就是说，无衬底的LED并非设置在空腔中。
根据至少一个实施形式，LED模块包括接触坡道，在该接触坡道上设置有用于接触无衬底LED的连接线路。接触坡道包括倾斜的表面，其消除了由衬底预先给出的高度差。接触坡道例如由电绝缘的材料形成。接触坡道例如可以具有楔形物的形式。
此外，还提出了一种用于制造LED模块的制造方法。例如，在此可以制造这里所描述的LED模块。也就是说，所有针对LED模块公开的特征也针对该方法而公开，反之亦然。
根据至少一个实施形式，该方法是一种制造方法，其中：
-将具有电端子的无衬底LED安装在晶片的上侧上，
-在晶片中制造带有壁的开口，
-在壁上设置电导体，
-电导体与LED的端子通过设置在晶片的上侧上的连接线路导电连接，以及
-晶片分割为衬底，使得这些衬底具有与上侧邻接的侧面，在侧面上设置有电导体。
以下借助所附的附图详细地描述了LED模块和制造方法的例子。
图1示出了在衬底上的带有无衬底LED的LED模块的单个结构形式的透视图。
图2在俯视图中示出了单个结构形式的一个可替选的扩展方案。
图3示出了LED在晶片上的矩阵布置的俯视图。
图4示出了晶片行的一部分。
图5在侧视图中示出了根据图4的布置。
图6示出了安装在印刷电路板上的LED模块的一个实施例的透视图。
图7示出了安装在印刷电路板上的LED模块的另一实施例的透视图。
图8示出了LED模块的另一实施例的上侧的俯视图。
图9示出了图8的实施例的背侧的俯视图。
图10示出了LED模块的另一实施例的上侧的根据图8的俯视图。
图11示出了基本体的透视图。
图12相应于图11示出了带有安装在其上的LED模块的基本体的透视图。
图1示出了在带有侧向接触面的衬底上的、带有无衬底LED的LED模块的单个结构形式的透视图。该LED包括层堆叠1，其并未设置在半导体衬底上，所以该LED称作无衬底LED。层堆叠1设置有上部的连接接触部2和下部的连接接触部3。上部的连接接触部2由对于要发射的光可透射的材料构成，或者如在图1中所示的实施例中那样框架状地构建，使得发射面9保持暴露。该布置位于衬底4上，衬底例如可以是陶瓷材料、硅或者其他绝缘体。在衬底4的相对于设置有层堆叠1的上侧垂直的边缘上存在焊接槽5，这些焊接槽在所示的例子中以四分之一空心圆柱体的形式分别设置有导体层6、优选设置有金属层。这些导体层6在衬底的相关的侧面14上形成针对LED模块的外部电连接而设置的接触面。
这种焊接槽例如可以通过在原始衬底(晶片)中制造接触孔并且接着以导电材料、优选以金属填充来制造。在此情况下足够的是，导电材料仅仅在接触孔的壁上形成薄的导体层。在将晶片分割成LED模块的衬底4之后，在设置有接触孔填充物的边缘上分别保留图1中可看到的四分之一圆柱体形式的凹处，该凹处带有其上存在的薄的导体层6。而当接触孔已经以导电材料完全填充时，在分割晶片之后将图1中所示的焊接槽5以四分之一圆柱体形式的导电材料来填充，使得衬底4朝着侧向边缘是方形的。
为了在下部的连接接触部3和相关的侧向接触面之间的导电连接，设置有第一连接线路10，而为了在上部的连接接触部2和相关的侧向接触面之间的导电连接，设置有第二连接线路20，其在本例子中通过接触坡道26来引导，该接触坡道优选由半导体技术中常规的可结构化的绝缘材料构成。图1中所绘制的衬底的高度h典型可以为大约0.2mm至1.0mm。单个器件的长度l典型可以为大约300μm到3mm。借助与连接线路10、20相连的导体层6，可以将LED模块焊接到电路板等上，其中建立至电路板的对应的印制导线的导电连接。设置用于发射光的层堆叠1的上侧尤其是可以设置有转换覆盖物或者用于改变光发射的类似装置。
图2在衬底4的设置有LED的层堆叠1的上侧的俯视图中示出了LED模块的单个结构形式的另一实施例。图2中所绘制的衬底的宽度b典型地可以为大约50μm到1mm。与图1的实施形式不同，在图2的实施形式中在衬底4的侧面上存在多个焊接槽5。焊接槽5的导电层6因此允许连接多个连接线路。这能够实现如下实施形式：其设计用于不同颜色尤其是红色、绿色和蓝色(RGB实施形式)的光发射。为此目的，在层堆叠1中针对不同的颜色设置有层，优选地，其方式是将针对不同颜色分离生长的外延层相叠地安装。这些层分别设置有上部的连接接触部和下部的连接接触部，并且这些连接接触部通过图2中所绘制的连接线路与相应的接触面导电连接，其中这些接触面通过焊接槽5中的导电层6形成。为了针对第一颜色而设置的层的电连接，存在第一连接线路11和第二连接线路21，它们在所示的例子中引导至距层堆叠1最近地设置的焊接槽。为了针对第二颜色而设置的层的连接，相应地设置有另外的第一连接线路12和另外的第二连接线路22，并且为了针对第三颜色而设置的层的连接，同样设置有另外的第一连接线路13和另外的第二连接线路23。相应的连接线路的布置在此仅仅作为例子示出并且可以根据相应的要求而改变。尤其可能的是，连接线路分别与设置在电路板的相关端子上的接触面相连。LED的连接线路例如可以在使用多层陶瓷的情况下以本身已知的方式在衬底的不同平面中引导至电路板的焊接垫。
图3示出了晶片的上侧的俯视图，该晶片带有成行布置和成列布置的LED的层堆叠1。在图3的例子中，针对每个LED设置有第一连接线路10和第二连接线路20。替代地，针对每个LED可以根据图2的实施例设置多层的层结构。连接线路10、20分别引导至相关的穿通接触部25。穿通接触部25可以通过在晶片中制造接触孔并且以导电材料至少部分填充的方式来制造。在图3所示的俯视图中，绘制了平行切割线的第一集合7和与其垂直走向的平行切割线的第二集合8。在晶片并未完全分割成LED模块的单个结构形式而是仅仅沿着切割线的第一集合7或者第二集合8分割时，获得在条状的长形衬底上的带有多个LED的LED模块，其可以用作侧向发射的LED模块。通过沿着切割线的第一集合7分隔晶片，得到如下布置：其中各个LED以其层堆叠1的纵向侧彼此相邻地设置。与沿着切割线的第二集合8分割晶片的情况相比，晶片的形成LED模块的条因此更短。也可以制造具有在两个方向上彼此相继设置的LED的LED模块，其方式是晶片并不沿着集合7、8的所有切割线分割，而是仅仅以更大的距离分割。
在根据图3的布置沿着平行切割线的第二集合8分割时，得到了条状的LED模块，其在俯视图中大致对应于图4中所示的例子。
图4示出了一个实施形式，其中针对每个LED的每个连接线路存在带有导体层6的单独的侧向接触面。LED的相应第一连接线路10和与其相邻的LED的相应第二连接线路20因此彼此电分离并且例如可以在电路板上彼此分离地连接。这能够实现各个LED的单独的激励。
图5在侧视图中示出了根据图4的LED模块。在图5中示出了衬底4和垂直的焊接槽5。在衬底4的上侧上存在层堆叠1，这些层堆叠在该例子中由光分布板29覆盖。
借助光分布板29将由LED发射的光均匀分布，使得形成均匀的光发射，其中LED不被或者几乎不被感知为单个的光源。以此方式可能的是，借助具有小的结构高度且根据需要可构建为非常窄的条的LED模块实现了大面积的均匀光发射。
图6示出了在所示的实施例中又作为单个结构形式示出的LED模块如何能够安装在印刷电路板24上。为了电连接导体(这些导体在印刷电路板24上或必要时在其中以已知的方式存在并且未示出)，使用焊料15，其在焊接槽中建立在印刷电路板24的导体上的焊接接触部16和导体层6并且由此和连接线路10、20之间的电连接。如从图6中可看到的那样，从层堆叠1的在印刷电路板24的上侧上垂直竖立的发射面的平面进行光发射，光于是相对于印刷电路板24在侧向方向上发射。
图7示出了根据图6的针对另一实施形式的视图。在此情况下，在LED模块上未设置焊接槽。替代地，在衬底4的朝着印刷电路板24的侧面上存在导体条，其形成接触面并且与连接线路10、20相连。接触面例如可以通过在晶片中制造沟槽并且其侧壁设置有印制导线的方式来制造。这种侧壁的区域在晶片分割之后形成衬底4的在安装LED模块之后朝着印刷电路板24的侧面。例如可以借助丝网印刷方法施加到印刷电路板24上的焊料17将衬底4的相应的接触面与印刷电路板24的相关的导体相连。
图8示出了LED模块的另一实施例的上侧的俯视图，其中层堆叠1如在图1的实施例中那样设置在衬底4上并且设置有第一连接线路10和第二连接线路20。然而连接线路10、20在此并不引导至衬底的边缘，而是设置有穿过衬底4的穿通接触部18。穿通接触部18形成衬底的背侧接触部与连接线路10、20之间的导电连接。在图8中，为了阐明而绘制了穿通接触部18的位置，尽管其在连接线路10、20下方不一定能被看到。
图9示出了图8的实施例的与上侧对置的背侧的俯视图。在背侧上施加有背侧接触部19，其与穿通接触部18连接并且以此方式能够实现从背侧电连接LED。在图9中为了阐明而绘制了穿通接触部18的位置，尽管其在背侧接触部19下方不一定能被看到。
图10示出了LED模块的另一实施例的上侧的根据图8的俯视图，其中连接线路10、20引导至衬底4的侧面并且在那里与穿通接触部28的侧壁上的导体层27连接。穿通接触部28可以根据参照图3所描述的方法来制造，其方式是：在晶片中在设计用于穿通接触的位置刻蚀接触孔，并且至少在接触孔的侧壁上施加有导电材料。晶片于是以此方式分割，使得穿通接触部仅仅在一个方向上分开，从而使得导体层27接着单个器件的侧面例如位于半圆柱体形的凹处中，如图10中可看到的那样。在背侧上可以存在如图9的实施例的情况那样的背侧接触部，其通过另外的连接导体与侧面上的导体层27相连。然而，当根据图10的LED模块的接触面以导体层形式设置在衬底4的侧面上时，可以省去衬底4的背侧接触部19。
图11在透视图中示出了基本体30。在所示的实施例中，基本体30是方形的，但这并非是必需的。基本体30在一个表面上设置有第一连接线路31和第二连接线路32。连接线路31、32分别具有设置在该表面上的接触面33、34。接触面33、34通过连接线路31、32分别导电地与如下接触面连接：这些接触面存在于基本体的侧面14’上。在所示的实施例中，侧面14’的接触面通过金属化的焊接槽35形成，其存在于基本体30的形成侧面14’的边界的边缘上。基本体30设计用于例如图8至10的实施形式之一中的LED模块的安装。
基本体30的设置有连接线路31、32的表面可以具有平行于侧面14’所测量的典型为大约1mm到3mm的长度lG。基本体30可以具有垂直于该表面所测量的典型为大约0.5mm至2mm的深度dG和垂直于侧面14’所测量的典型为大约0.2mm至2mm的高度hG。在使用这种基本体30时，即使在单个器件具有典型为大约50μm到100μm的小的宽度b(图2)的情况下，也可以简单地安装具有典型为大约100μm至400μm的小的高度h(图1)的衬底4的LED模块。
LED模块可以安装在根据图12的视图的基本体30上。背侧接触部19例如借助传统的焊接方法或粘合方法导电地与接触面33、34连接，使得LED模块的第一连接线路10与第一接触面33并且第二连接线路20与第二接触面34通过穿通接触部18、28的导体连接。在未设置背侧接触部时，在根据图10的实施例中相应地进行处理，其中基本体30的连接线路构建为使得其能够实现侧向地接触LED模块。通过基本体30的第一连接线路31和第二连接线路32，因此形成在LED的端子与基本体30的焊接槽35的金属化物之间的导电连接。
基本体30于是可以代替在图6的实施例中的衬底4以相应的方式安装在任意的印刷电路板24上。通过使用该基本体，尽管衬底薄，但由于与此相比增大的基本体的尺寸使LED模块的处理容易。
在图12的实施例中，将焊料引入基本体30的焊接槽35中，以便建立与印刷电路板24的导体的电连接。替代地，基本体30可以类似于图7中所示的衬底4地构建，使得例如借助丝网印刷方法施加的由焊料17构成的轨建立在基本体30的侧面14’上的接触面与印刷电路板24的相关的接触面之间的连接。
基本体可以如同衬底一样包含附加功能，譬如保护二极管或者齐纳二极管。在基本体中可以单片地集成相关的器件，尤其是例如在硅构成的基本体中。
本专利申请要求德国专利申请102008049535.2的优先权，其公开内容通过引用结合于此。
本发明并未通过借助实施例的描述而局限于此。更确切地说，本发明包括任意新的特征和特征的任意组合，尤其是包含在权利要求中的特征的任意组合，即使该特征或者该组合本身并未明确地在权利要求或者实施例中说明。
Claims (15)
1.一种发光二极管模块，具有：
-无衬底发光二极管的层堆叠(1)，
-所述层堆叠的设计用于发射光的发射面(9)，
-带有上侧的衬底(4)，在所述上侧上设置有无衬底发光二极管，
-接触面，其设置在所述衬底的侧面(14)上，其中所述侧面(14)垂直于发射面，和/或具有基本体(30)，所述基本体在侧面(14’)上具有接触面并且在所述基本体上安装有衬底，使得侧面(14’)垂直于发射面，
-在所述发光二极管和所述接触面的一个之间的第一连接线路(10)，以及
-在所述发光二极管和所述接触面的另一个之间的第二连接线路(20)。
2.根据上一权利要求所述的发光二极管模块，其中所述层堆叠(1)包括设计用于产生不同颜色的光的层，以及在所述发光二极管上针对每个颜色设置有两个连接线路(11，21；12，22；13，23)，它们与彼此分离的连接面相连。
3.根据上述权利要求之一所述的发光二极管模块，具有：
多个无衬底的发光二极管，其设置在衬底(4)的上侧上，以及
多个接触面，其设置在所述衬底(4)的侧面(14)上和/或在基本体(30)的安装所述衬底的侧面(14’)上并且与发光二极管的相关的连接线路(10，20；11，12，13，21，22，23)相连。
4.根据上述权利要求之一所述的发光二极管模块，其中发光二极管成单个列地设置在所述衬底(4)的上侧上。
5.根据上述权利要求之一所述的发光二极管模块，其中与连接线路(10，20；11，12，13，21，22，23)相连的接触面是垂直于所述上侧定向的印制导线。
6.根据上述权利要求之一所述的发光二极管模块，其中所述接触面中的至少一些设置在焊接槽(5)中并且分别通过四分之一空心圆柱体形式的薄的导体层(6)形成。
7.根据上述权利要求之一所述的发光二极管模块，其中所述衬底(4)或者所述基本体(30)借助侧面(14，14’)设置在印刷电路板(24)上，其中所述印刷电路板设置有电端子。
8.根据上述权利要求之一所述的发光二极管模块，其中存在方形的基本体(30)，所述基本体具有设置有衬底(4)的上侧和设置有接触面的侧面(14’)，所述衬底具有垂直于所述上侧所测定的100μm到400μm的高度(h)，所述基本体的上侧具有平行于所述侧面(14’)所测定的1mm到3mm的长度(1G)，以及
所述基本体具有垂直于所述侧面(14’)所测定的典型为大约0.2mm到2mm的高度(hG)和垂直于所述上侧所测定的0.5mm到2mm的深度(dG)。
9.一种用于制造根据上述权利要求之一所述的发光二极管模块的方法，其中
-将具有电端子的无衬底发光二极管安装在晶片的上侧上，
-在所述晶片中制造带有壁的开口，
-在所述壁上设置电导体，
-所述电导体与所述发光二极管的端子通过设置在所述晶片的上侧上的连接线路(10，20；11，12，13，21，22，23)导电连接，以及
-所述晶片分割为衬底(4)，使得所述衬底(4)具有与所述上侧邻接的侧面(14)，在所述侧面上设置有电导体。
10.根据权利要求9所述的方法，其中
-按照穿通接触部(25)的方式在晶片的开口中制造电导体，
-在所述发光二极管与所述穿通接触部(25)之间制造连接线路(10，20；11，12，13，21，22，23)，以及
-将所述晶片分割为衬底(4)，使得所述穿通接触部(25)形成设置有电导体的焊接槽(5)。
11.根据权利要求10所述的方法，其中
通过在晶片中形成接触孔并且在接触孔的壁上施加薄的导体层(6)的方式来制造所述穿通接触部(25)。
12.根据权利要求10或11所述的方法，其中
将所述晶片分割为衬底(4)，使得所述焊接槽(5)在所述衬底(4)的边缘上，其中所述边缘分别垂直于设置有发光二极管的上侧走向。
13.根据权利要求9所述的方法，其中
-在所述晶片中形成带有侧壁的沟槽，用于制造开口，
-在所述侧壁上形成相对于所述晶片的上侧垂直走向的印制导线，
-在所述发光二极管与所述印制导线之间制造连接线路(10，20；11，12，13，21，22，23)，以及
-将所述晶片分割为衬底(4)，使得所述衬底(4)具有与所述上侧邻接的侧面，在所述侧面上设置有在沟槽的侧壁上形成的印制导线。
14.根据权利要求9至13之一所述的方法，其中分别仅仅将设置在衬底(4)的相同侧面上的电导体与连接线路(10，20；11，12，13，21，22，23)相连。
15.一种用于制造发光二极管模块的方法，其中
-在衬底(4)的上侧上设置无衬底发光二极管的层堆叠(1)，所述层堆叠带有设计用于发射光的发射面(9)，并且所述衬底在与所述上侧对置的背侧上设置有在所述发光二极管的端子和接触面之间的导电连接，以及
-将所述衬底以所述背侧安装在设置有接触面和连接导体(31，32)的基本体(30)上，使得接触面在所述基本体的垂直于发射面的侧面(14’)上并且通过连接导体与所述衬底的接触面导电连接。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102008049535.2 | 2008-09-29 | ||
| DE102008049535A DE102008049535A1 (de) | 2008-09-29 | 2008-09-29 | LED-Modul und Herstellungsverfahren |
| PCT/DE2009/001207 WO2010034277A1 (de) | 2008-09-29 | 2009-08-26 | Led-modul und herstellungsverfahren |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102165612A true CN102165612A (zh) | 2011-08-24 |
Family
ID=41611100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009801385210A Pending CN102165612A (zh) | 2008-09-29 | 2009-08-26 | 发光二极管模块和制造方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110227103A1 (zh) |
| EP (1) | EP2332186A1 (zh) |
| JP (1) | JP5717636B2 (zh) |
| KR (1) | KR20110070975A (zh) |
| CN (1) | CN102165612A (zh) |
| DE (1) | DE102008049535A1 (zh) |
| TW (1) | TW201013999A (zh) |
| WO (1) | WO2010034277A1 (zh) |
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| CN104681690A (zh) * | 2013-12-03 | 2015-06-03 | 复盛精密工业股份有限公司 | 侧向型发光二极管的支架结构 |
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| JP6405697B2 (ja) | 2014-05-21 | 2018-10-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| DE102017115780A1 (de) * | 2017-07-13 | 2019-01-17 | Tdk Electronics Ag | Leuchtdiodenbauteil, Leuchtdiodenanordnung und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenbauteils |
| JP6822455B2 (ja) * | 2018-09-19 | 2021-01-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
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2008
- 2008-09-29 DE DE102008049535A patent/DE102008049535A1/de not_active Ceased
-
2009
- 2009-08-26 WO PCT/DE2009/001207 patent/WO2010034277A1/de active Application Filing
- 2009-08-26 EP EP09744315A patent/EP2332186A1/de not_active Withdrawn
- 2009-08-26 US US13/121,017 patent/US20110227103A1/en not_active Abandoned
- 2009-08-26 JP JP2011528180A patent/JP5717636B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-26 KR KR1020117003394A patent/KR20110070975A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-08-26 CN CN2009801385210A patent/CN102165612A/zh active Pending
- 2009-09-08 TW TW098130158A patent/TW201013999A/zh unknown
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| KR20110070975A (ko) | 2011-06-27 |
| DE102008049535A1 (de) | 2010-04-08 |
| TW201013999A (en) | 2010-04-01 |
| JP2012504318A (ja) | 2012-02-16 |
| WO2010034277A1 (de) | 2010-04-01 |
| EP2332186A1 (de) | 2011-06-15 |
| US20110227103A1 (en) | 2011-09-22 |
| JP5717636B2 (ja) | 2015-05-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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