CN111405777B - 发光装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光装置的制造方法，包括：第一工序，准备设置有布线的第一基板；第二工序，在第一基板上设置反射构件，以使得在第一基板上设置布线的一部分露出的多个开口部；第三工序，在多个开口部分别配置第一发光元件，并将第一发光元件电连接于布线；第四工序，判定第一发光元件的良或不良；第五工序，将配置有被判定为不良的第一发光元件的所述第一基板上的区域从第一基板分离，而在第一基板上形成贯通孔；第六工序，将配置有第二发光元件的第二基板安装于第一基板的上表面及/或下表面来堵塞第一基板的所述贯通孔，将第二发光元件电连接于第一基板的布线；和第七工序，利用密封构件将第二发光元件与被判定为良的第一发光元件密封。

Description

发光装置的制造方法
本申请是申请日为2013年12月19日、申请号为201310703903.1、发明名称为“发光装置及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及发光装置及其制造方法。
背景技术
目前，提出有在基板上安装有多个发光元件的发光装置(参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2005-322937号公报
然而，在该现有的发光装置中，存在如下问题：若在多个发光元件中含有不良元件，则不得不废弃发光装置整体。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供即使在多个发光元件中含有不良元件也无需废弃而仍能利用的发光装置及其制造方法。
根据本发明，上述的课题通过如下的方案得以解决。即，本发明涉及的发光装置具备：具有贯通孔的第一基板；配置在所述第一基板上的多个第一发光元件；以堵塞所述第一基板的贯通孔的方式安装于所述第一基板的第二基板；配置在所述第二基板上，与所述第一基板的配线电连接的第二发光元件。
本发明涉及的发光装置的制造方法包括：在第一基板上配置多个第一发光元件的工序；将配置有不良元件的所述第一基板上的区域从所述第一基板分离而在所述第一基板上形成贯通孔的工序；将配置有第二发光元件的第二基板安装于所述第一基板来堵塞所述第一基板的贯通孔的工序；将所述第二发光元件与所述第一基板的配线电连接的工序。
本发明涉及的发光装置的制造方法，包括：
第一工序，准备设置有布线的第一基板；
第二工序，在所述第一基板上设置反射构件，以使得在所述第一基板上设置所述布线的一部分露出的多个开口部；
第三工序，在所述多个开口部分别配置第一发光元件，并将所述第一发光元件电连接于所述布线；
第四工序，判定所述第一发光元件的良或不良；
第五工序，将配置有被判定为不良的所述第一发光元件的所述第一基板上的区域从所述第一基板分离，而在所述第一基板上形成贯通孔；
第六工序，将配置有第二发光元件的第二基板安装于所述第一基板的上表面及/或下表面来堵塞所述第一基板的所述贯通孔，将所述第二发光元件电连接于所述第一基板的布线；和
第七工序，利用密封构件将所述第二发光元件与被判定为良的所述第一发光元件密封。
附图说明
图1是本发明的实施方式涉及的发光装置的简要结构图。
图2是说明本发明的实施方式涉及的突出部的图。
图3A是表示本发明的实施方式涉及的发光装置的制造方法的图。
图3B是表示本发明的实施方式涉及的发光装置的制造方法的图。
图3C是表示本发明的实施方式涉及的发光装置的制造方法的图。
图3D是表示本发明的实施方式涉及的发光装置的制造方法的图。
图3E是表示本发明的实施方式涉及的发光装置的制造方法的图。
图3F是表示本发明的实施方式涉及的发光装置的制造方法的图。
符号说明
1 发光装置
2 贯通孔
4 第一基板
4a 突出部
6 第二基板
6a 突出部
8 第一发光元件
8a 第一发光元件
8b 第一发光元件
8c 第一发光元件
8d 第一发光元件
10 第二发光元件
12 配线
14 配线
16 连接构件
18 反射构件
20 密封构件
22 粘接构件
具体实施方式
以下，参照附图对用于实施本发明的方式进行说明。
图1是本发明的实施方式涉及的发光装置的简要结构图，图1的(a)是俯视图，图1的(b)是图1的(a)中的A-A剖视图。
如图1所示，本发明的实施方式涉及的发光装置1具备：具有贯通孔2的第一基板4；配置在第一基板4上的多个第一发光元件8；以堵塞第一基板4的贯通孔2的方式安装在第一基板4上的第二基板6；配置在第二基板6上，与第一基板4的配线12电连接的第二发光元件10。
在本发明的实施方式中，将配置有不良元件的第一基板4上的区域从第一基板4分离，并将因该分离而形成的第一基板4的贯通孔2用与第一基板4不同的基板即第二基板6堵塞。
这样，通过将配置在第一基板4上的不良元件利用配置在第二基板6上的第二发光元件10来替代，由此无需废弃在多个第一发光元件8中含有不良元件的发光装置1而仍能利用该发光装置1。
在本发明的实施方式涉及的发光装置1中，在配置有不良元件的第一基板4上的区域配置新的发光元件(第二发光元件10)，因此第二发光元件10以与第一发光元件8的排列规则相同的排列规则如第一发光元件8那样配置。因而，根据本发明的实施方式，即使在元件替代后也能够维持元件代替前的发光元件的配置规则。
需要说明的是，就利用第二基板6堵塞第一基板4的贯通孔2的形态而言，除了利用第二基板6本身直接堵塞第一基板4的贯通孔2的形态(直接堵塞：参照图1中的B)以外，还包括利用直接设于第二基板6的构件(例如反射构件18等)堵塞第一基板4的贯通孔2的形态(间接堵塞：参照图1中的C)。
以下，对各构件进行说明。
[第一基板、第二基板]
(材料)
第一基板4、第二基板6的材料可以考虑第一发光元件8、第二发光元件10的安装、光反射率及与其它构件之间的密接性等来适当选择。
例如，在将第一发光元件8、第二发光元件10向配线12、14安装时使用焊料的情况下，作为第一基板4、第二基板6的材料，优选使用耐热性高、且容易将基板的局部区域分离出来的材料，其中优选使用聚酰亚胺等薄的材料。
另外，第一基板4、第二基板6例如也可以使用利用绝缘性材料覆盖细长的带状的铜箔或铝箔而成的构件。作为这样的绝缘性材料，可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺等绝缘性树脂作为一例。
然而，第一基板4、第二基板6优选由绝缘性材料构成，而不是利用绝缘性构件覆盖导电性构件而成的构件。这样的话，与将在导电性构件的表面设置绝缘性材料而成的构件用作第一基板4、第二基板6的情况相比，在将第一基板4上的区域从第一基板4分离时，导电性的碎屑等不易向周围飞散，因此能够防止因该碎屑等导致周围的第一发光元件8等产生不良化的情况。由此，能够不废弃而利用更多的发光装置。
另外，作为第一基板4、第二基板6，若使用例如以薄膜状的树脂或金属为基体的基板，则第一基板4、第二基板6变薄且具有挠性，因此能够利用辊到辊方法容易地制造发光装置1。
第一基板4和第二基板6的材料可以不同。然而，若为相同材料，则线膨胀系数等物理性质会相同，因此能够抑制因温度变化等引起的对安装部的应变。
(厚度)
第一基板4的厚度并没有特别限定，但若例如为10μm～200μm左右，则能够利用辊到辊方法容易地制造发光装置1。需要说明的是，在将第二基板6安装于第一基板4的上表面的情况下，优选通过使用膜状的基板作为第二基板6等来使第二基板6的厚度比第一基板4的厚度薄。这样的话，由于第一发光元件8和第二发光元件10接近相同的高度，因此能够抑制光学特性的变化。
另外，如图1所示，优选第二基板6的高度比第一发光元件8或对第一发光元件8进行密封的密封构件20的高度薄。由此，第一发光元件8和第二发光元件10接近相同的高度，因此能够抑制光学特性的变化。
(形状、面积)
第一基板4、第二基板6的形状、面积等没有特别限定。作为形状的一例，例如可以举出方形形状、圆形形状等。其中，第二基板6具有足以对形成在第一基板4上的贯通孔2进行堵塞的形状、面积等。这里，在第一基板4的下表面安装第二基板6的情况下，期望第二基板的配线14比第二基板6的外形小，即，第二基板6的配线14的端部位于比第二基板6靠内侧的位置。由此，配线14没有到达第二基板6的端部，因此能够容易地确保发光装置1的外部与配线12的绝缘。
另外，如图1所示，在将第二基板6安装于第一基板4的下表面的情况下，优选第一基板4的厚度比后述的第二发光元件10或对第二发光元件10进行密封的密封构件20的高度薄。由此，能够设为第二发光元件10或对第二发光元件10进行密封的密封构件20从贯通孔2在第一基板4上表面突出，从而能够进一步抑制光学特性的变化。此时，如图1所示，优选贯通孔2比第二发光元件10或对第二发光元件10进行密封的密封构件20大。由此，容易设为第二发光元件10或对第二发光元件10进行密封的密封构件20从贯通孔2在第一基板4上表面突出，能够进一步抑制光学特性的变化。
另外，在将第二基板6安装于设有后述的反射构件18的第一基板4的下表面的情况下，除了能够设为第二发光元件10或对第二发光元件10进行密封的密封构件20不比设在第一基板4上的反射构件18向上方突出的以外(参照图1的C)，还能够设为第二发光元件10或对第二发光元件10进行密封的密封构件20比设在第一基板4上的反射构件18向上方突出(未图示)。设为不突出的前者的形态相较于设为突出的后者的形态，后者的形态能更进一步抑制光学特性的变化，因此优选。考虑到这一点，优选反射构件18和第一基板4的合计厚度比第二发光元件10或对第二发光元件10进行密封的密封构件20的高度薄。
优选贯通孔2被第二基板6无间隙地堵塞(即，以使贯通的部分消除的方式堵塞)。这样，能弥补因形成贯通孔2而引起的第一基板4的反射率的降低(在形成有贯通孔2的部位无法使光反射)。
(突出部)
图2是说明本发明的实施方式涉及的突出部的图，图2的(a)是第二基板6的简要俯视图，图2的(b)是第一基板4的简要部分俯视图。
如图2的(a)所示，优选第二基板6具备一部分从周围突出而成的突出部6a。这样，例如通过在突出部6a设置粘接剂等粘接构件，能够将第二基板6容易地安装于第一基板4，能够进一步实现不废弃而利用发光装置1。
另一方面，如图2的(b)所示，也可以在第一基板4侧设置突出部4a。这样的突出部4a例如可以在设置贯通孔2时形成。与第二基板6的突出部6a同样，利用第一基板4的突出部4a也能够将第二基板6容易地安装于第一基板4，能够进一步实现不废弃而利用发光装置1。
(贯通孔2)
贯通孔2的形状、开口面积等没有特别限定，优选考虑第一基板4上的配线12的图案、是否容易利用第二基板6堵塞等情况来设定。
作为考虑了上述情况而设定的形状、开口面积，例如可以举出以与第二基板6相似的形状且比第二基板6面积小的矩形作为一例。这样，例如能够在第二基板6上的区域以包围贯通孔2的方式设置粘接剂等粘接构件22，因此能够容易地安装第二基板6。
贯通孔2的形成方法可以根据第一基板4的性质(例如：第一基板4不因形成贯通孔2时被施加的负载而折断或者变形等性质)多种选择。例如可以举出冲孔、切去等。
(第一基板4和第二基板6的位置关系)
第二基板6可以安装在第一基板4的上表面(参照图1的(b)的符号B所示的部位)，也可以安装在第一基板4的下表面(参照图1的(b)的符号C所示的部位)。在安装于上表面的情况下，由于第二基板6不在发光装置1的下表面侧突出，因此发光装置1的操作容易，发光装置1的安装(向照明装置的固定等)容易。另一方面，在安装于下表面的情况下，由于能够容易地将在贯通孔2的端部暴露出的配线12用反射构件18覆盖，因此能够容易地确保发光装置1的外部与配线12的绝缘。
在将第二基板6安装于第一基板4的上表面的情况下，可以使第二基板6的一部分(例如上述的突出部)在贯通孔2内折弯而向第一基板4的下表面侧延伸，安装于第一基板4的下表面(第二基板6的配置有第二发光元件10的部分位于第一基板4的上表面)。这种情况下，优选第二基板6具有挠性。由此，能够容易地确保发光装置1的外部与配线12的绝缘。
另一方面，在将第二基板6安装于第一基板4的下表面的情况下，可以使第二基板6的一部分(例如突出部)在贯通孔2内折弯而向第一基板4的上表面侧延伸，安装于第一基板4的上表面(第二基板6的配置有第二发光元件10的部分位于第一基板4的下表面)。这种情况下，也优选第二基板6具有挠性。
第一基板4的上表面是指第一基板4的主面中的安装有第一发光元件8这一侧，下表面是指与上表面相反侧的面。
需要说明的是，如图1所示，第二基板6可以安装在第一基板4的上表面和下表面。即，如图1所示，第二基板6可以安装在第一基板4的上表面，也可以安装在第一基板4的下表面，还可以安装在第一基板4的上表面和下表面。
将第二基板6安装于第一基板4的方法可以使用基于绝缘性粘接剂的粘接、基于导电性粘接剂的粘接、基于焊料的接合、热压接、使第二基板6与第一基板4啮合或者将上述方法组合等各种各样的方法。
[反射构件18]
可以在第一基板4上设置反射构件18。这样，能够提高第一基板4的反射率。尤其是若反射构件18覆盖配线12的至少一部分，则能够进一步提高第一基板4的反射率。
反射构件18可以还设置在第二基板6上。这样，能够弥补形成有贯通孔2的第一基板4上的区域的反射率。
优选反射构件18在第一基板4上和第二基板6上连续地覆盖。由此，能够覆盖在第一基板4与第二基板6之间形成的高低差而使高低差平稳。
(材料)
反射构件18可以使用例如在环氧树脂、硅酮树脂及它们的改性类型等树脂中混合有SiO2、Al2O3、BaSO4、TiO2等而得到的白色树脂、白色抗蚀剂等。
设置在第一基板4上的反射构件18优选使用比第一基板4硬的树脂(例如在第一基板4使用聚酰亚胺的情况下，反射构件18使用环氧树脂等)。这样，在连同反射构件18一起对第一基板4上的区域进行冲孔等情况下，能够高精度地形成贯通孔2。
优选在第一基板4上和第二基板6上以覆盖的方式设置的反射构件18的硬化前的粘度·触变性高，例如优选在反射构件18中含有以SiO2的微粒子等为代表的粘度调整剂。这样，容易在第一基板4与第二基板6之间配置反射构件18，且能够容易地使第一基板4与第二基板6的高低差平稳。
需要说明的是，在反射构件18具有绝缘性且在第一基板4上和第二基板6上连续覆盖的情况下，反射构件18覆盖因分离而暴露出的第一基板4的配线12的端部而对其进行保护。
(设置反射构件的方法)
反射构件18可以通过例如印刷、涂敷、旋涂、喷涂等方法设置。
[第一发光元件、第二发光元件]
第一发光元件8、第二发光元件10可以使用表面安装型LED、LED芯片、芯片级封装LED等各种发光二极管。若使用上述的元件，则可以通过使用了各种接合构件的各种方法(例如：使用了凸块或焊料的倒装芯片安装、使用了引线的引线接合安装)将第一发光元件8、第二发光元件10与配线图案4电连接。需要说明的是，若使用LED芯片作为第一发光元件8、第二发光元件10，则能够实现低成本化。
第二发光元件10与第一基板4的配线12电连接。具体来说明，在本发明的实施方式中，第二发光元件10通过倒装芯片方式与第二基板6的配线14连接，第二基板6的配线14通过焊料等连接构件16与第一基板4的配线12连接，由此第二发光元件10与第一基板4的配线12电连接。需要说明的是，在本发明的实施方式中，第一发光元件8通过倒装芯片方式与第一基板4的配线12连接。
需要说明的是，上述的结构为一例，第一发光元件8例如也可以通过芯片接合及引线接合等与第一基板4的配线12连接。另外，例如也可以将第二发光元件10通过引线接合等与第一基板4的配线12连接，由此将第二发光元件10与第一基板4的配线12电连接。另外，第二基板6的配线14例如电可以通过导电性粘接剂等与第一基板4的配线12连接。
不良元件是指在用于发光装置的方面具有不优选的特性的发光元件，例如可以举出具有电压异常、光度异常、发光波长异常等的发光元件。不优选的特性还包括由密封构件20引起的特性，例如配光的异常，波长转换构件所导致的颜色不均或颜色偏差等。
[配线]
配线12、14可以使用例如铜或铝等金属。然而，设于第一基板4的配线12优选使用延展性低的材料(即，就上述例来说，与铜相比，优选使用铝)。其原因在于，若使用延展性高的材料，则对第一基板4进行冲孔来形成贯通孔2时，配线12会从第一基板4的上表面穿过贯通孔2而延伸至第一基板4的下表面，可能无法在第一基板4的上表面和下表面之间确保绝缘性。另外，可以在延展性低的材料的表面通过镀敷等设置比该材料延展性高的不同的材料。由此，能够同时实现绝缘性的確保和其它配线所要求的特性(例如芯片接合性、光反射率)。
优选配线12、14在第一基板4、第二基板6的表面上以尽可能大的面积设置。由此，能够提高散热性。
[密封构件]
优选第一发光元件8、第二发光元件10由密封构件20密封。
密封构件20优选使用透光性的树脂(例如环氧树脂、尿素树脂、硅酮树脂或它们的改性类型等)。
优选在密封树脂20中包含以荧光体、量子点等为代表的波长转换构件、用于使光扩散的光扩散构件等。
作为波长转换构件，例如可以使用氧化物系、硫化物系或氮化物系等的荧光体等。另外，在发光元件使用发出蓝色光的氮化镓系发光元件的情况下，优选单独或组合使用吸收蓝色光且发出黄色光～绿色光的YAG系或LAG系的荧光体、发出绿色光的SiAlON系的荧光体及发出红色光的SCASN系或CASN系的荧光体。
尤其在用于液晶显示器或电视机的背光灯等显示装置的发光装置中，优选将SiAlON系荧光体和SCASN荧光体组合而成的构件作为波长转换构件。另外，在照明用途的发光装置中，优选将YAG系或LAG系的荧光体和SCASN系或CASN系的荧光体组合而成的构件用作波长转换构件。
作为光扩散构件，例如可以使用SiO2、Al2O3、BaSO4。
需要说明的是，上述的波长转换构件或光扩散构件也可以含在与密封构件20不同的构件中。作为该不同的构件，例如可以举出发光装置1中的与密封构件20分开设置的构件、与发光装置1分别独立地设置的构件(例如：附属于照明装置或液晶显示器等的罩或片材等)等作为一例。
需要说明的是，在本发明的实施方式中，图示出多个密封构件20各自分别密封一个发光元件8、10的例子。然而，一个密封构件也可以将两个以上的发光元件一起密封。
[底层填料]
在对第一发光元件8、第二发光元件10进行倒装芯片安装的情况下，优选在第一发光元件8与第一基板4之间、第二发光元件10与第二基板6之间设置底层填料。
底层填料例如可以使用硅酮树脂、环氧树脂或者它们的改性类型等。
底层填料优选含有光反射性，具体而言，优选含有白色的TiO2、SiO2等。由此，能够提高发光装置1的光取出效率。
[制造方法]
图3A～3F是表示本发明的实施方式涉及的发光装置的制造方法的图。在各图中，(a)是俯视图，(b)是(a)中的A-A剖视图。
(第一工序)
首先，如图3A所示，准备设有配线12的第一基板4。
(第二工序)
接着，如图3B所示，在第一基板4上设置反射构件18。在第一基板4上的多处设置开口部(没有反射构件18的部分)。由此，使配线12的一部分暴露出。
需要说明的是，第一基板4上的反射构件18可以在后述的第五工序中的分离之后设置，但优选像上述那样在第五工序中的分离之前设置第一基板4上的反射构件18。
这样，利用具有一定程度的硬度或厚度的反射构件18能增强第一基板4，因此能够连同反射构件18一起将第一基板4上的区域分离，从而能够将第一基板4上的区域容易地分离(参照图3D)。
因而，即使在将具有挠性的带状的基板用作第一基板4的情况等那样会因一点力而对基板施加大的负载的情况下，也不会使第一基板4产生损伤等(例如：第一基板4折断、弯曲)，能够在该第一基板4上形成贯通孔2。
(第三工序)
接着，如图3C所示，在暴露出的配线12上配置多个第一发光元件8a、8b、8c、8d而将它们与配线12连接。
(第四工序)
接着，判定多个第一发光元件8a、8b、8c、8d的良·不良。
(第五工序)
接着，如图3D所示，将配置有不良元件的第一基板4上的区域从第一基板4分离(例如：冲孔、切去)而在第一基板4上形成贯通孔2。这里，将多个发光元件8a、8b、8c、8d中的发光元件8a、8c设为不良元件。需要说明的是，如上所述，第一基板4上的区域连同反射构件18一起分离。
(第六工序)
接着，如图3E所示，将配置有第二发光元件10的第二基板6安装于第一基板4的上表面(参照图3E的(b)的符号B所示的部位)、下表面(参照图3E的(b)的符号C所示的部位)堵塞第一基板4的贯通孔2，将第二发光元件10与第一基板4的配线12电连接。具体而言，将第二发光元件10与第二基板6的配线14连接，使用连接构件16将第二基板6的配线14与第一基板4的配线12电连接(在将第一基板4的配线12与第二基板6的配线14连接时，第一基板4的配线12通过将反射构件18的一部分除去而暴露出)。此时，第二发光元件10配置在与第一发光元件8b、8d大致相同的位置处。
需要说明的是，在本发明的实施方式中，说明了在将第二基板6安装于第一基板4之前设置第二基板6上的反射构件18的例子，但也可以在将第二基板6安装于第一基板4之后设置第二基板6上的反射构件18。
另外，在本发明的实施方式中，说明了将第二基板6安装于第一基板4的上表面和下表面的例子，但第二基板6可以安装在第一基板4的上表面，也可以安装在第一基板4的下表面，还可以安装在第一基板4的上表面和下表面。
(第七工序)
然后，如图3F所示，利用密封构件20分别密封第一发光元件8b、8d和第二发光元件10，所述密封构件20使用含有YAG系荧光体的具有透光性的硅酮树脂，且形成为半球形状。需要说明的是，第一发光元件8b、8d的密封只要在第三工序之后进行即可，可以在第四工序前或第五工序前进行。由此，能够除去由密封构件20引起的不良。另外，第二发光元件10的密封也可以在将第二基板6安装于第一基板4之前进行。由此，能够在安装于第一基板4之前判定第二发光元件10和密封构件20的特性，因此能够防止在安装于第一基板4之后第二发光元件10产生由密封构件20引起的不良。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但上述的说明涉及的是本发明的一例，本发明并不限定于上述的说明。

Claims (8)

1.一种发光装置的制造方法，使用厚度处于10μm～200μm的范围的薄膜状的第一基板，由此通过辊到辊方法来制造发光装置，
该发光装置的制造方法的特征在于，包括：
第一工序，准备设置有布线的所述第一基板；
第二工序，在所述第一基板上设置反射构件，以使得在所述第一基板上设置所述布线的一部分露出的多个开口部；
第三工序，在所述多个开口部分别配置第一发光元件，并将所述第一发光元件电连接于所述布线；
第四工序，判定所述第一发光元件的良或不良；
第五工序，将配置有被判定为不良的所述第一发光元件的所述第一基板上的区域从所述第一基板分离，而在所述第一基板上形成贯通孔；
第六工序，通过在配置有第二发光元件的第二基板上的区域包围所述贯通孔地设置粘接构件而将所述第二基板安装于所述第一基板的上表面，其中该第二基板为比所述第一基板薄的薄膜状，与所述贯通孔为相似形且面积大于所述贯通孔，在该第二基板的上表面设置有反射构件，通过所述第二基板无间隙地堵塞所述第一基板的所述贯通孔，以使得将所述第一基板的贯通孔贯通的部分消除，由此将所述第二发光元件电连接于所述第一基板的布线；和
第七工序，利用密封构件将所述第二发光元件与被判定为良的所述第一发光元件密封，
所述第一基板及/或所述第二基板具备有可挠性的带状的形状，
所述第二工序是在所述第五工序之前执行，
在所述第五工序中，所述第一基板上的区域按每个所述反射构件从所述第一基板分离，
所述第一基板及所述第二基板由绝缘性材料构成，而不是用绝缘性构件来覆盖导电性构件而成，
所述反射构件在所述第一基板上和所述第二基板上连续地覆盖，并且由比所述第一基板硬的树脂构成，所述反射构件的硬化前的粘度·触变性高。
2.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在所述第一工序中，所述第一基板的布线具有金属材料，该金属材料具有在所述第五工序中所述第一基板的布线不会从所述第一基板的上表面穿通所述贯通孔并延伸至所述第一基板的下表面的程度的延展性。
3.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在所述第一工序中，所述第一基板的布线具有第一金属材料和第二金属材料，所述第一金属材料具有在所述第五工序中所述第一基板的布线不会从所述第一基板的上表面穿通所述贯通孔并延伸至所述第一基板的下表面的程度的延展性，所述第二金属材料设置于所述第一金属材料的表面并且延展性比所述第一金属材料高。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在所述第六工序中，通过将所述反射构件的一部分除去而使所述第一基板的布线的一部分在所述贯通孔的内壁露出，在通过将所述反射构件的一部分除去而在所述贯通孔的内壁露出的所述第一基板的一部分区域，使用连接构件对所述第二基板的布线进行电连接。
5.根据权利要求4所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述连接构件穿通所述贯通孔的内侧，并将所述第一基板的布线与所述第二基板的布线电连接。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述第七工序是在所述第六工序之后执行。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述第七工序是在所述第三工序之后且所述第四工序或所述第五工序之前执行。
8.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述第七工序是在所述第三工序之后且所述第六工序之前执行。
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