JP5408414B2 - 発光モジュール - Google Patents

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Description

本発明は、ベアチップからなるLED(発光ダイオード)等の発光素子を複数一斉に発光させて、例えば電球型照明装置やこれ以外のダウンライトその他の一般照明用照明装置の光源部等に使用されるCOB(chip on board)型の発光モジュールに関する。
ベアチップからなる片面電極型のLEDを、装置基板の一面に列をなして配設するとともに、これらLEDの第1、第2の素子電極が並ぶ方向を前記列が延びる方向に一致させ、かつ、前記列が延びる方向に隣接されたLEDの第1の素子電極と第2の素子電極をボンディングワイヤで直列に接続し、LED列の両端に配置されたLEDの素子電極を夫々装置基板上の給電導体に端部ボンディングワイヤで接続し、かつ、黄色の蛍光体が混ぜられた透光性の封止部材で各LEDを封止したCOB型の照明装置(発光モジュール)が、従来技術として知られている(例えば、特許文献1参照。)。
この照明装置で、複数のLEDは通電により一斉に青色の光を放出し、それに伴い一部の青色光により封止部材に含まれた蛍光体が励起されて、青色に対して補色の関係にある黄色の光を放射する。そのため、これら青色と黄色の光が混ざることにより生成される白色の光で、照明をすることができる。
特開2008−277561号公報
特許文献1に記載の照明装置で代表される従来技術において、装置基板(モジュール基板)上に搭載されたLEDの数は、この照明装置に給電される入力電圧に適合して定められている。しかし、入力電圧は、照明装置が使用される地域によって異なるとともに、給電を担う駆動装置の回路効率等によっても異なる。そして、特許文献1に記載の照明装置は、以上のような様々に異なる入力電圧に適合して使用することはできなかった。
このため、従来は、様々な入力電圧毎に、それに応じた数のLEDが搭載された専用のモジュール基板を開発する必要があった。LEDの数が異なると、モジュール基板に対するLEDの配置パターンが異なるので、このパターンに応じてモジュール基板にLEDをダイボンドする必要がある。
以上のように従来技術は、異なる大きさの入力電圧に共通して使用するのに適していない、という課題があり、その製造においては、モジュール基板に対するLEDの配置パターンを異ならせて、異なる大きさの入力電圧に適合させる必要があり、部品の共通化を図り難い、という課題がある。
前記の課題を解決するために、請求項1に係る発明の発光モジュールは、モジュール基板と;前記モジュール基板に積層され素子配設領域を兼ねる反射層と:前記モジュール基板に前記素子配設領域を隔てて対をなして配設された給電導体と;平面視形状が長方形状であって、片面の前記長方形の長手方向に平行となる方向に一対の素子電極を有し、これら素子電極の並び方向を、対をなした前記給電導体の並び方向に直交させるとともに、前記素子電極の並び方向にずれ量Xでずらされ、かつ、対をなした前記給電導体の並び方向にずれ量Yでずらされた千鳥状の配置で、前記素子配設領域に実装された複数の発光素子であって、前記千鳥状に配置された複数の前記発光素子がなした第1素子群とこの第1素子群に対し前記素子電極の並び方向にずれて隣接した第2素子群との間の間隙により、前記第1素子群と前記第2素子群とが隔てられ、対をなした前記給電導体の並び方向に隣接された前記発光素子が、前記両素子群の並び方向に隣接された前記発光素子間の前記隙間に対向するように、前記ずれ量Xを設定し、かつ、前記ずれ量Yを前記ずれ量Xより大きく形成して配設された前記各発光素子と;これら発光素子の内の少なくとも一部の発光素子の素子電極同士を接続して前記少なくとも一部の発光素子を直列接続したボンディングワイヤと;このボンディングワイヤで直列に接続されてなる発光素子列の両端に配置された発光素子の素子電極と対をなした前記給電導体を接続した端部ボンディングワイヤと;前記反射層、前記給電導体、前記発光素子、前記ボンディングワイヤ、及び前記端部ボンディングワイヤを埋めて、前記モジュール基板上に設けられた透光性の封止部材と;を具備したことを特徴としている。
この発明で、モジュール基板には、単層の絶縁板からなるモジュール基板、又は複数枚の絶縁板を積層してなるモジュール基板、或いは鉄やアルミニウム等の金属製ベース板にモジュール基板の表面をなす絶縁材製の層を積層してなる金属ベース型のモジュール基板等を用いることができる。この発明で、モジュール基板が単層の絶縁板からなる場合、このモジュール基板の表層部位が絶縁層を形成する。この発明で、素子配設領域は、単一であっても、或いは複数設けられていてもよい。
この発明で、給電導体は通常素子配設領域を挟むようにその両側に設けられる。これらの給電導体は、そこでの光の反射性能を高めるためにモジュール基板の表面よりも高い反射率を有したAg製等の金属製表層部位を有することが好ましい。
この発明で、発光素子は、ベアチップからなるLED(発光ダイオード)、又はEL(エレクトロルミネッセンス)素子等の半導体発光素子を指しており、その片面に正極側と負極側の素子電極を有しているので片面電極型の発光素子と通称されている。LEDを発光素子として用いる場合、青色の光を発するLEDを用いることが好ましい。
この発明で、ボンディングワイヤ及び端部ボンディングワイヤは、素子電極又は給電導体との接合性を確保するために、例えばAuの細線を用いることが好ましいが、これ以外の金属細線を用いることも可能である。
請求項1の発明の発光モジュールは、その製造においてワイヤボンディングにより発光素子列を形成する過程で、モジュール基板の素子配設領域に実装された各発光素子の内の少なくとも一部の発光素子を入力電圧の大きさに合わせて選択して、この選択された発光素子の素子電極同士をボンディングワイヤで直列に接続することが可能である。そのため、モジュール基板に対する発光素子の配置パターンを変えることなく、これら発光素子を直列に接続するためのボンディングワイヤのボンディングパターンを変更することで、異なる数の発光素子を有した発光素子列を備えることができる。したがって、請求項1の発明によれば、異なる大きさの入力電圧に共通して使用するのに好適な発光モジュールを提供できる。
請求項2に係る発明の発光モジュールは、請求項1の発明において、前記素子配設領域に設けられた前記発光素子列が第1、第2の発光素子列であって、前記第1の発光素子列をなすとともに対をなした前記給電導体の並び方向に沿って間隔的に配設された複数の前記発光素子と、前記第2の発光素子列をなすとともに対をなした前記給電導体の並び方向に沿って間隔的に配設された複数の前記発光素子とが、前記千鳥状の配置で設けられていて、前記第1の発光素子列が有した複数の前記発光素子同士が前記第1の発光素子列用の前記ボンディングワイヤで直列接続されているとともに、前記第2の発光素子列が有した複数の前記発光素子同士が前記第2の発光素子列用の前記ボンディングワイヤで直列接続されていて、これら第1、第2の発光素子列が電気的に並列であることを特徴としている。
この発明では、発光素子列が電気的に並列な第1、第2の発光素子列で形成されていることに伴い、ボンディングワイヤで直列接続された発光素子の数が少なく設定されるので、低い入力電圧に適合して使用できる。
請求項3に係る発明の発光モジュールは、請求項1の発明において、前記素子配設領域に設けられた前記発光素子列が有した複数の前記発光素子が前記千鳥状に配置されていて、これら千鳥状配置の前記発光素子同士が前記千鳥状配置に沿って配線された前記ボンディングワイヤで直列接続されていることを特徴としている。
この発明によれば、発光素子列が有した各発光素子をそれらの千鳥状配置に沿って配線されたボンディングワイヤで直列接続したので、直列接続された発光素子の数が請求項2の発明で実施する場合より増える。したがって、高い入力電圧に適合して使用できる。
請求項4に係る発明の発光モジュールは、請求項1の発明において、前記素子配設領域に設けられた前記発光素子列が、前記千鳥状に配置された複数の発光素子からなる第1素子群と、前記千鳥状に配置された複数の発光素子からなるとともに前記第1素子群に対して前記素子電極の並び方向に平行にずれて設けられた第2素子群とを備えていて、これら第1、第2の素子群が有した全ての前記発光素子同士が前記ボンディングワイヤで直列接続されていることを特徴としている。
この発明では、平行に並べられた第1素子群と第2素子群とからなる発光素子列が有した全ての発光素子をボンディングワイヤで直列接続したので、直列接続された発光素子の数が請求項3の発明で実施する場合より更に増える。したがって、より高い入力電圧に適合して使用できる。
請求項1の発明によれば、ボンディングワイヤのボンディングパターンを変更することにより、異なる大きさの入力電圧に共通して使用するのに好適な発光モジュールを提供できる、という効果がある。
請求項2の発明によれば、請求項1の発明において、ボンディングワイヤで直列接続された発光素子数が少ないので、低い入力電圧に適合して使用できる発光モジュールを提供できる、という効果がある。
請求項3の発明によれば、請求項1の発明において、ボンディングワイヤで直列接続された発光素子数が請求項2の発明で実施する場合より増えるので、高い入力電圧に適合して使用できる発光モジュールを提供できる、という効果がある。
請求項4の発明によれば、請求項1の発明において、ボンディングワイヤで直列接続された発光素子数が請求項3の発明で実施する場合より更に増えるので、より高い入力電圧に適合して使用できる発光モジュールを提供できる、という効果がある。
本発明の一実施の形態に係る発光モジュールを一部切欠いた状態で示す平面図である。 図1中矢印F2−F2線に沿って示す断面図である。 第1のボンディングパターンで配線されたボンディングワイヤにより図1の発光モジュールが備えた発光素子が接続された状態を示す平面図である。 図3において第1、第2の発光素子列を識別させるための説明図である。 第2のボンディングパターンで配線されたボンディングワイヤにより図1の発光モジュールが備えた発光素子が接続された状態を示す平面図である。 第3のボンディングパターンで配線されたボンディングワイヤにより図1の発光モジュールが備えた発光素子が接続された状態を示す平面図である。 図5及び図6において第1、第2の素子群等を識別させるための説明図である。
以下、図1〜図7を参照して本発明の一実施の形態について、詳細に説明する。
図1中符号1は照明装置例えばE26型の口金を備えた電球の光源部として使用されるCOB(chip on board)型の発光モジュールを示している。この発光モジュール1は、モジュール基板5と、例えば複数の反射層11a〜11dと、給電導体12〜16と、複数の発光素子21と、直列接続用のボンディングワイヤ23と、給電用の端部ボンディングワイヤ24と、枠部材25と、封止部材26を具備している。
モジュール基板5は所定形状例えば図2に示すように略四角形である。このモジュール基板5には、各発光素子の放熱性を高める上で例えば金属ベース基板を用いることが好ましい。こうしたモジュール基板5として、金属製のベース板6の一面にこのベース板6より薄い絶縁材製の層からなる絶縁層7が積層された金属ベース基板が、図2に例示されている。ベース板6は例えばアルミニウム製である。絶縁層7は、電気絶縁性の合成樹脂例えばエポキシ樹脂製で、モジュール基板5の実装面をなしている。
モジュール基板5はねじ止め等で前記電球の光源取付け部9(図2参照)に固定されている。光源取付け部9は金属製であり、その外周面は大気中に露出する放熱面をなしている。この光源取付け部9にモジュール基板5のベース板6が密接されていて、この接触部を通ってモジュール基板5の熱が光源取付け部6に放出されるようになっている。
図1に示すように反射層11a〜11d及び給電導体12〜16は、いずれもモジュール基板5の中央部を占める円形の領域に位置して絶縁層7に積層されている。
反射層11a〜11dはモジュール基板5の素子配設領域を兼ねている。つまり、反射層11a〜11dはモジュール基板5に設定された四つの素子配設領域の全域に個別に積層されている。反射層11a〜11dは、例えばモジュール基板5の幅方向(図1において左右方向)に並べられていて、いずれも図1等において上下方向に長く延びている。モジュール基板5の幅方向中央部に並べられた反射層11b,11cは、これらをモジュール基板5の幅方向から挟むように設けられた反射層11a,11dよりも図1において上下方向に長い。
給電導体12は反射層11aの長手方向一端(図3〜図7では反射層11aの下端)に隣接して設けられている。この給電導体12は前記円形の領域から外れて絶縁層7に積層された給電端子17に一体に接続されている。給電端子17は正極用である。給電導体16は反射層11dの長手方向一端(図3〜図7では反射層11dの下端)に隣接して設けられている。給電導体16は、前記円形の領域から外れて絶縁層7に積層された給電端子18に一体に接続されている。給電端子18は負極用である。給電端子17,18にはモジュール基板5に直流を給電するための駆動装置(図示しない)が接続される。
給電導体13は、給電導体12,16間に位置されていて、反射層11b,11cの長手方向一端(図3〜図7において反射層11b,11cの下端)の夫々に隣接して設けられている。給電導体13は中継用であり、その給電導体12側の部位が反射層11bの一端に隣接し、かつ、給電導体16側の部位が反射層11cの一端に隣接している。
給電導体14は、反射層11a,11bの長手方向他端(図3〜図7において反射層11a,11bの上端)の夫々に隣接して設けられている。給電導体14は中継用であり、その一端部(図3〜図7において下部)が反射層11aの他端に隣接し、かつ、他端部(図3〜図7において上部)が反射層11bの他端に隣接している。
給電導体15は、給電導体14と並べられていて、反射層11c,11dの長手方向他端(図3〜図7において反射層11c,11dの上端)の夫々に隣接して設けられている。給電導体15は中継用であり、その一端部(図3〜図7において下部)が反射層11dの他端に隣接し、かつ、他端部(図3〜図7において上部)が反射層11cの他端に隣接している。
したがって、給電導体12,14は、対をなしていて、素子配設領域を兼ねた反射層11aを隔てて、この反射層11aを図3〜図7において上下方向に挟むように反射層11aの上下に配設されている。同様に、給電導体13,14は、対をなしていて、素子配設領域を兼ねた反射層11bを隔てて、この反射層11bを図3〜図7において上下方向に挟むように反射層11bの上下に配設されている。同様に、給電導体13,15は、対をなしていて、素子配設領域を兼ねた反射層11cを隔てて、この反射層11cを図3〜図7において上下方向に挟むように反射層11cの上下に配設されている。同様に、給電導体15,16は、対をなしていて、素子配設領域を兼ねた反射層11dを隔てて、この反射層11dを図3〜図7において上下方向に挟むように反射層11dの上下に配設されている。
反射層11a〜11d、給電導体12〜16、及び給電端子17,18の表層部位は、いずれも光反射率が絶縁層7の光反射率より高いAgからなる。これらの部材は、図2に示した反射層11a,11dで代表して示すようにベース層部位Aと、中間層部位Bと、表層部位Cの三層構造である。ベース層部位Aは、Cu製で、モジュール基板5の絶縁層7上にエッチングにより設けられている。中間層部位Bは、Ni製で、ベース層部位A上にめっきされている。Ag製の表層部位Cは、中間層部位B上に無電解めっきされている。
各発光素子21はLED(発光ダイオード)のベアチップからなる。このベアチップには、図2に示すように半導体基板例えばサファイア等の上に窒化物系化合物半導体例えば窒化ガリウム系化合物半導体を形成してなる半導体ウエハーを、例えばダイシングカッター等によりカットして略直方体形に形成され、かつ、片面に正極側及び負極側の素子電極21aを有した片面電極型のものである。このLED製の発光素子21の平面視形状は長方形状であり、その長手方向に正極側及び負極側の素子電極21aが並べられている。各発光素子21には、例えば白色系の光を発光部で発光させるために、青色の光を発するLEDが用いられている。
図2に示すように各発光素子21は、その直下での反射ができるように好ましくは透光性のダイボンド材22を用いて、前記半導体基板をモジュール基板5の素子配設領域を兼ねた反射層11a〜11dに夫々接着止めして実装されている。
各素子配設領域に実装される発光素子21の数は、素子配設領域の面積によって異なり、例えば、図3等に示すように反射層11a,11dに対しては夫々12個の発光素子21が実装され、反射層11b,11cに対しては夫々20個の発光素子21が実装されている。そのため、モジュール基板5に対して64個の発光素子21が実装されている。
各反射層11a〜11dに実装された複数の発光素子21の配置パターンは同じであるので、ここでは図4を参照して反射層11aに実装された発光素子21の配置パターンについて代表して説明する。
各発光素子21は、その素子電極21aの並び方向を、反射層(素子実装領域)11aの長手方向、言い換えれば、この反射層11aの両側に配置された給電導体12,14の並び方向(図4では上下方向)に直交させて反射層11aに実装されている。それだけではなく、これらの発光素子21は、千鳥状に配置された複数の発光素子21からなる1以上例えば二つの素子群、つまり、図4に示した第1素子群Gと第2素子群Hに分けられている。これら第1素子群Gと第2素子群Hは、各発光素子21の素子電極21aの並び方向にずれていて、平行である。
夫々の素子群をなした複数の発光素子21の千鳥状に配置について説明する。つまり、給電導体12,14の並び方向に隣接した各発光素子21は、それらが有した正極側及び負極側の素子電極21aの並び方向(図4では左右方向)にずらされている。このずれ量を図4に符号Xで示す。これとともに、給電導体12,14の並び方向に隣接した各発光素子21は、対をなした給電導体12,14の並び方向(図4では上下方向)にも夫々ずらされている。このずれ量を図4に符号Yで示す。
このように千鳥状に配置された第1素子群Gの各発光素子21の内の略半数は、給電導体12,14の並び方向に沿って一定間隔でかつ一直線上に並べられている。こうして配置された略半数の発光素子21と残りの略半数の発光素子21との識別を容易にするために、図4では前記略半数の発光素子21を黒く塗って記載した。これら黒塗りの発光素子21によって第1の発光素子列L1が形成されている。この第1の発光素子列L1を図4では便宜上黒塗りの発光素子21を通って描いた直線で示す。
同様に、前記のように千鳥状に配置された第1素子群Gの各発光素子21の内の前記残りの略半数は、前記黒塗の発光素子が並んだ列に対してずれた位置で、給電導体12,14の並び方向に沿って一定間隔でかつ一直線上に並べられている。こうした配置された前記略半数の発光素子21と前記黒塗の発光素子21との識別を容易にするために、図4では前記残りの略半数の発光素子21を白抜きで記載した。これら白抜きの発光素子21によって第2の発光素子列L2が形成されている。この第2の発光素子列L2を図4では便宜上白抜きの発光素子21を通って描いた直線で示す。
したがって、第1の発光素子列L1をなした複数の発光素子21と第2の発光素子列L2をなした複数の発光素子21とが、既述のように千鳥状に配置されている。更に、第1素子群Gと第2素子群Hの並び方向に隣接された発光素子21同士の間隙gに、この間隙gに対して給電導体12,14の並び方向に隣接された発光素子21が、図4において上下方向から対向されている。
以上のようにモジュール基板5上に千鳥状に実装された各発光素子21の内の少なくとも一部が選択されて、ボンディングパターンをプログラムの変更により変えることができるボンディングマシンを用いてワイヤボンディングが施されて、前記選択された発光素子21同士がボンディングワイヤ23により電気的に直列接続されている。
こうして接続された一例を図3に示すとともに、他の例を図5に示し、更に他の例を図7に示す。次に、これら各例でのボンディングパターンを以下に説明する。なお、各反射層11a〜11dに実装された発光素子21に対するボンディングパターンは同じであるので、ここでは反射層11aに実装された発光素子21に対するボンディングパターンについて代表して説明する。
図3の電気的接続例では、第1素子群Gが有した第1の発光素子列L1に含まれる複数の発光素子21同士が、それらの正極側と負極側の素子電極21aに両端を接続した第1の発光素子列用のボンディングワイヤ23で直列接続されている。これとともに、第1素子群Gが有した第2の発光素子列L2に含まれる複数の発光素子21同士が、それらの正極側と負極側の素子電極21aに両端を接続した第2の発光素子列用のボンディングワイヤ23で直列接続されている。第1の発光素子列L1と第2の発光素子列L2とは電気的に並列である。更に、各発光素子列L1,L2の一端に配置された発光素子21とそれに隣接した給電導体12とは、これらに両端が接続された端部ボンディングワイヤ24で接続されているとともに、各発光素子列L1,L2の他端に配置された発光素子21とそれに隣接した給電導体14とは、これらに両端が接続された端部ボンディングワイヤ24で接続されている。
こうした電気的接続は、第2素子群Hが有した第1の発光素子列L1と第2の発光素子列L2及びこれら素子列と給電導体12,14との接続についても同様であるとともに、反射層11b〜11dの夫々に搭載された複数の発光素子21の電気的接続及び反射層11b〜11d上の発光素子列と給電導体13,14、13,15、15,16との接続についても同様である。図3の電気的接続をした発光モジュール1の各発光素子21は通電状態で一斉に発光されるようになっている。
そして、図3に示されたボンディングパターンによれば、合計64個の発光素子21の内で、16個ずつ発光素子21が直列に接続されているとともに、これら16個の発光素子21を有した4系統の直列回路が電気的に並列に接続されている。そのため、一個の発光素子21を発光させるのに必要なチップ電圧が例えば約3Vであるとすれば、図3の電気的接続をした発光モジュール1に対する入力電圧は、約48Vである。
図5の電気的接続例では、図中上下方向に隣接した発光素子21同士を、それらの正極側と負極側の素子電極21aに両端が接続されたボンディングワイヤ23で接続することによって、素子群G(図7参照)をなすとともに千鳥状に配置された複数の発光素子21同士が直列接続されている。これにより、各ボンディングワイヤ23は図5に示すように前記千鳥状の配置に沿って配線されている。したがって、ボンディングワイヤ23はジグザグ状に配線されている。更に、千鳥状に配置された各発光素子21がなす列の一端に配置された発光素子21とそれに隣接した給電導体12とは、これらに両端が接続された端部ボンディングワイヤ24で接続されているとともに、前記千鳥状に配置された各発光素子がなす列の他端に配置された発光素子21とそれに隣接した給電導体14とは、これらに両端が接続された端部ボンディングワイヤ24で接続されている。
こうした電気的接続は、第2素子群Hをなすとともに千鳥状に配置された複数の発光素子21同士の接続及び千鳥状の発光素子列と給電導体12,14との接続についても同様であるとともに、反射層11b〜11dの夫々に搭載された複数の発光素子21の電気的接続及び反射層11b〜11d上の千鳥状の発光素子列と給電導体13,14、13,15、15,16との接続についても同様である。図5の電気的接続をした発光モジュール1の各発光素子は通電状態で一斉に発光されるようになっている。
そして、図5に示されたボンディングパターンによれば、合計64個の発光素子21の内で、32個ずつ発光素子21が直列に接続されているとともに、これら32個の発光素子21を有した2系統の直列回路が電気的に並列に接続されている。そのため、一個の発光素子21を発光させるのに必要なチップ電圧が既述のように例えば約3Vであるとすれば、図5に示された電気的接続をした発光モジュール1に対する入力電圧は、約96Vである。
図6の電気的接続例では、モジュール基板5に搭載された各発光素子21が有する素子電極21aの並び方向に平行にずれている第1素子群G及び第2素子群H(図7参照)の正極側と負極側の素子電極21a同士が、これらに両端を接続されたボンディングワイヤ23で直列接続されている。
具体的には、素子電極21aの並び方向(図6において左右方向)に隣接した発光素子21同士が、その正極側と負極側の素子電極21aにボンディングワイヤ23を接続することによって接続されている。したがって、このボンディングワイヤ23は素子電極21aの並び方向に延びるように配線されている。これとともに、給電導体12,14の並び方向(図6において上下方向)に隣接した発光素子21同士が、その正極側と負極側の素子電極21aにボンディングワイヤ23を接続することによって接続されている。このボンディングワイヤ23は斜めに配線されている。これにより、各ボンディングワイヤ23は図6に示すように反射層11aに実装された全ての発光素子を直列に接続して配線されている。したがって、各ボンディングワイヤ23はジグザグ状に配線されている。
更に、反射層11a上の全ての発光素子21よりなる発光素子列の一端に配置された発光素子21とそれに隣接した給電導体12とは、これらに両端が接続された端部ボンディングワイヤ24で接続されているとともに、前記全ての発光素子21よりなる列の他端に配置された発光素子21とそれに隣接した給電導体13とは、これらに両端が接続された端部ボンディングワイヤ24で接続されている。
こうした電気的接続は、反射層11b〜11dの夫々に搭載された全ての発光素子21の電気的接続及び反射層11b〜11d上の千鳥状の発光素子列と給電導体13,14、13,15、15,16との接続についても同様である。それにより、図6に示された電気的接続をした発光モジュール1の各発光素子は通電状態で一斉に発光されるようになっている。
そして、図6に示されたボンディングパターンによれば、合計64個の発光素子21の全てが直列に接続されている。そのため、一個の発光素子21を発光させるのに必要なチップ電圧が既述のように例えば約3Vであるとすれば、図6の電気的接続をした発光モジュール1に対する入力電圧は、約192Vである。
図1及び図2に示した枠部材25は、合成樹脂等からなり、モジュール基板5上に接着止めされている。この枠部材25は例えば円形の封止用孔25aを有している。封止用孔25a内に、反射層11a〜11d、及び給電導体12〜16が収められている。この封止用孔25aの大きさは、反射層11a〜11d、及び給電導体12〜16が占める領域の大きさより少し大きい。
封止部材26は、封止用孔25aに充填されてモジュール基板5上に設けられていて、反射層11a〜11d、及び給電導体12〜16、各発光素子21、ボンディングワイヤ23、及び端部ボンディングワイヤ24を埋めている。封止部材26は透光性材料、例えば透光性合成樹脂、具体的には透明シリコーン樹脂で作られている。この封止部材26は、未硬化の状態で封止用孔25aに所定量注入された後に加熱硬化させて設けられている。
封止部材26には図示しない適量の蛍光体が混ぜられている。蛍光体は、発光素子21が発する光で励起されて、発光素子21が発する光の色とは異なる色の光を放射する。発光素子21が青色光を発する本実施形態では、白色光を出射できるようにするために、蛍光体には青色の光とは補色の関係にある黄色系の光を放射する黄色蛍光体が使用されている。このように蛍光体が混ぜられた封止部材26は、その蛍光体が発光するので、発光モジュール1の発光部をなす。
次に、前記構成の発光モジュール1の製造方法を説明する。この製造方法は、導体装着工程、素子実装工程、ワイヤボンディング工程、枠装着工程、封止工程を具備し、これらの工程は前記記載に実行される。
導体装着工程では、モジュール基板5の一面をなした絶縁層7上に、モジュール基板5の一部領域からなる素子配設領域を兼ねる反射層11a〜11dとともに、これらを隔てて対をなす給電導体12〜16及び給電端子17,18を積層する。これら反射層11a〜11d、給電導体12〜16及び給電端子17,18は、既述のようにCu製のベース層部位Aを絶縁層7上にエッチングにより設けた後、このベース層部位A上にNi製の中間層部位Bをめっきし、更に、中間層部位B上にAg製の表層部位Cを無電解めっきすることにより設ける。
素子実装工程では、素子配設領域を兼ねる反射層11a〜11dの夫々に、所定数の発光素子21を千鳥状の配置に配置する。これらの配置はチップマウンターを用いて行う。千鳥状の配置とは、反射層11aへの発光素21子の実装で代表すれば、個々の発光素子21が有した一対の素子電極21aの並び方向及び対をなした給電導体12,14の並び方向の夫々に、発光素子21相互をずらした配置を指している。そして、この配置において、片面電極型の各発光素子21の正極側及び負極側の素子電極21aの並び方向を、対をなした給電導体12.14の並び方向に直交させる。なお、他の反射層11b〜11dに対する実装において、これら反射層1b〜11dで隔てられた給電導体13,14、給電導体13,15、給電導体15,16との関係も同様である。
ワイヤボンディング工程では、入力電圧の大きさに合わせて各発光素子21の内の少なくとも一部の発光素子21を選択し、この選択された発光素子21の素子電極21a同士をボンディングワイヤ23で直列に接続する。この接続により、ボンディングワイヤ23で直列に接続された発光素子列が形成され、この素子列は、対をなした給電導体12,14(又は給電導体13,14、給電導体13,15、給電導体15,16)の並び方向に延びている。
このワイヤボンディング工程での前記選択により、例えば図3、図5、図6に示したいずれかのボンディングパターンでボンディングワイヤ23が配線されるので、そのボンディングパターンに応じて発光素子21の数が異なる発光素子列を形成できる。こうしたワイヤボンディングにおいては、同時に発光素子列の両端に配置された発光素子21の素子電極21aと給電導体12,14(又は給電導体13,14、給電導体13,15、給電導体15,16)を端部ボンディングワイヤ24で接続する。以上のボンディングパターンの変更は、ボンディングマシンの動作を制御するプログラムを変更するだけで実現可能であり、各発光素子21が実装されたモジュール基板5は共通して使用できる。
枠装着工程では、反射層11a〜11d及び給電導体12〜16を囲んで枠部材25をモジュール基板5上に接着する。なお、この工程は、導体積層工程の後でかつ素子実装工程の前の時点、又は、素子実装工程の後でかつワイヤボンディング工程の前の時点で実施することもできる。
最後の封止工程では、蛍光体が混ぜられた未硬化の封止部材26を枠部材25内に注入し充填した後に、この封止部材26を加熱して硬化させる。それにより、硬化された封止部材26で、反射層11a〜11d、給電導体12〜16、ボンディングワイヤ23、及び端部ボンディングワイヤ24等が埋設される。
以上の製造方法により製造された発光モジュール1は、その製造においてワイヤボンディングにより発光素子列を形成する過程で、モジュール基板5の素子配設領域を兼ねた反射層11a〜11dに実装された各発光素子21の内の少なくとも一部の発光素子21を入力電圧の大きさに合わせて選択して、この選択された発光素子21の素子電極21a同士をボンディングワイヤ23で直列に接続することが可能である。
それにより、低い入力電圧で発光するのに適した発光モジュール、例えば図3に示すように48Vの入力電圧に適合する発光モジュール1、又は、高い入力電圧で圧抗するのに適した発光モジュール、例えば図7に示すように192Vの入力電圧に適合する発光モジュール1、或いは、前記両例の中間の入力電圧で発光するのに適した発光モジュール、例えば図5に示すように96Vの入力電圧に適合する発光モジュール1を形成できる。
この場合、モジュール基板5に対する各発光素子21の配置パターンを変えることなく、これら発光素子21を直列に接続するためのボンディングワイヤ23のボンディングパターンを変更することで、異なる数の発光素子21を有した発光素子列を備えた発光モジュール1を形成できる。
そして、以上のように異なる大きさの入力電圧に共通して使用するのに好適な種々の発光モジュールを提供する上で、その製造上、モジュール基板5に対する各発光素子21の配置パターンを異ならせて、異なる大きさの入力電圧に適合させる必要がないので、複数の発光素子21が搭載されたモジュール基板5を共通化できるに伴い、生産ラインの複雑化を招くことなく、製造コストを低減できる
1…発光モジュール、5…モジュール基板、11a〜11d…反射層(素子配設領域)、12〜16…給電導体、21…発光素子、21a…素子電極、23…ボンディングワイヤ、24…端部ボンディングワイヤ、G…第1素子群、H…第2素子群、L1…第1の発光素子列、L2…第2の発光素子列

Claims (4)

  1. モジュール基板と;
    前記モジュール基板に積層され素子配設領域を兼ねる反射層と:
    前記モジュール基板に前記素子配設領域を隔てて対をなして配設された給電導体と;
    平面視形状が長方形状であって、片面の前記長方形の長手方向に平行となる方向に一対の素子電極を有し、これら素子電極の並び方向を、対をなした前記給電導体の並び方向に直交させるとともに、前記素子電極の並び方向にずれ量Xでずらされ、かつ、対をなした前記給電導体の並び方向にずれ量Yでずらされた千鳥状の配置で、前記素子配設領域に実装された複数の発光素子であって、前記千鳥状に配置された複数の前記発光素子がなした第1素子群とこの第1素子群に対し前記素子電極の並び方向にずれて隣接した第2素子群との間の間隙により、前記第1素子群と前記第2素子群とが隔てられ、対をなした前記給電導体の並び方向に隣接された前記発光素子が、前記両素子群の並び方向に隣接された前記発光素子間の前記隙間に対向するように、前記ずれ量Xを設定し、かつ、前記ずれ量Yを前記ずれ量Xより大きく形成して配設された前記各発光素子と;
    これら発光素子の内の少なくとも一部の発光素子の素子電極同士を接続して前記少なくとも一部の発光素子を直列接続したボンディングワイヤと;
    このボンディングワイヤで直列に接続されてなる発光素子列の両端に配置された発光素子の素子電極と対をなした前記給電導体を接続した端部ボンディングワイヤと;
    前記反射層、前記給電導体、前記発光素子、前記ボンディングワイヤ、及び前記端部ボンディングワイヤを埋めて、前記モジュール基板上に設けられた透光性の封止部材と;
    を具備したことを特徴とする発光モジュール。
  2. 前記素子配設領域に設けられた前記発光素子列が第1、第2の発光素子列であって、前
    記第1の発光素子列をなすとともに対をなした前記給電導体の並び方向に沿って間隔的に
    配設された複数の前記発光素子と、前記第2の発光素子列をなすとともに対をなした前記
    給電導体の並び方向に沿って間隔的に配設された複数の前記発光素子とが、前記千鳥状の
    配置で設けられていて、前記第1の発光素子列が有した複数の前記発光素子同士が前記第
    1の発光素子列用の前記ボンディングワイヤで直列接続されているとともに、前記第2の
    発光素子列が有した複数の前記発光素子同士が前記第2の発光素子列用の前記ボンディン
    グワイヤで直列接続されていて、これら第1、第2の発光素子列が電気的に並列であるこ
    とを特徴とする請求項1に記載の発光モジュール。
  3. 前記素子配設領域に設けられた前記発光素子列が有した複数の前記発光素子が前記千鳥
    状に配置されていて、これら千鳥状配置の前記発光素子同士が前記千鳥状配置に沿って配
    線された前記ボンディングワイヤで直列接続されていることを特徴とする請求項1に記載
    の発光モジュール。
  4. 前記素子配設領域に設けられた前記発光素子列が、前記千鳥状に配置された複数の発光
    素子からなる第1素子群と、前記千鳥状に配置された複数の発光素子からなるとともに前
    記第1素子群に対して前記素子電極の並び方向に平行にずれて設けられた第2素子群とを
    備えていて、これら第1、第2の素子群が有した全ての前記発光素子同士が前記ボンディ
    ングワイヤで直列接続されていることを特徴とする請求項1に記載の発光モジュール。
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