TWI467737B - 發光二極體封裝結構、照明裝置及發光二極體封裝用基板 - Google Patents

發光二極體封裝結構、照明裝置及發光二極體封裝用基板 Download PDF

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Description

發光二極體封裝結構、照明裝置及發光二極體封裝用 基板
本發明是有關於一種發光二極體(Light-Emitting Diode，LED)封裝、照明裝置及發光二極體封裝用基板，且特別是有關於一種具有多個接墊的發光二極體封裝結構、照明裝置及發光二極體封裝用基板。
發光二極體(Light-Emitting Diode，LED)屬於半導體元件，其發光晶片之材料主要使用Ⅲ-V族化學元素之化合物，例如磷化鎵(GaP)或砷化鎵(GaAs)，而其發光原理是將電能轉換為光能。詳細而言，發光二極體藉由對化合物半導體施加電流，以透過電子與電洞的結合將過剩的能量以光的形式釋出。由於發光二極體的發光現象不是藉由加熱發光或放電發光，因此發光二極體的壽命長達十萬小時以上。此外，發光二極體更具有反應速度快、體積小、省電、低污染、高可靠度、適合量產等優點，所以發光二極體應用的領域十分廣泛，如大型看板、交通號誌燈、手機、掃描器、傳真機之光源以及發光二極體照明裝置等。
圖1繪示習知發光二極體封裝結構50，其具有多個垂直式(vertical type)發光二極體晶片52。由於垂直式發光二極體晶片的兩電極係分別配置於晶片的頂面及底面，因此固晶於接墊54這些的晶片52無法彼此串聯，而必須分別打線至接墊56以進行並聯，故需要較大的驅動電流。此 外，在如圖1的配置方式之下，連接於一晶片52的焊線58會越過另一晶片52的上方，而使發光二極體封裝結構50的發光效率有所降低，且具有較大長度的焊線58有可能發生斷裂及下塌的現象。
本發明提供一種發光二極體(Light-Emitting Diode，LED)封裝結構，具有較佳的可靠度及光學品質。
本發明提供一種照明裝置，其發光二極體封裝結構具有較佳的可靠度及光學品質。
本發明提供一種光二極體封裝用基板，使得其上設置之發光二極體封裝結構具有較佳的可靠度及光學品質。
本發明提出一種發光二極體封裝結構，包括發光二極體封裝用基板、多個第一發光二極體晶片、多個第二發光二極體晶片及多條焊線。發光二極體封裝用基板包括基底、第一接墊、多個第二接墊及第三接墊。第一接墊配置於基底上。第二接墊配置於基底上且排列於n×(n-1)陣列，其中n為正整數，且第一接墊鄰近排列於陣列的第1行的第二接墊。第三接墊配置於基底上且鄰近排列於陣列的第n-1行的第二接墊，其中第二接墊配置於第一接墊與第三接墊之間。第一發光二極體晶片固晶於第一接墊且分別對位於排列於陣列的第1行的第二接墊。第二發光二極體晶片分別固晶於第二接墊。各第一發光二極體晶片透過一焊線打線至排列於陣列的第1行的對應之第二接墊，排 列於陣列的第n-1行的各第二接墊所對應的第二發光二極體晶片透過一焊線打線至第三接墊，且排列於陣列的第i行及第j列的第二接墊所對應的第二發光二極體晶片透過一焊線打線至排列於陣列的第i+1行及第j列的第二接墊，其中1≦i≦n-2且1≦j≦n。
本發明提出一種照明裝置，包括基座及發光二極體封裝結構。發光二極體封裝結構包括發光二極體封裝用基板、多個第一發光二極體晶片、多個第二發光二極體晶片及多條焊線。發光二極體封裝用基板包括基底、第一接墊、多個第二接墊及第三接墊。基底配置於基座上。第一接墊配置於基底上。第二接墊配置於基底上且排列於n×(n-1)陣列，其中n為正整數，且第一接墊鄰近排列於陣列的第1行的第二接墊。第三接墊配置於基底上且鄰近排列於陣列的第n-1行的第二接墊，其中第二接墊配置於第一接墊與第三接墊之間。第一發光二極體晶片固晶於第一接墊且分別對位於排列於陣列的第1行的第二接墊。第二發光二極體晶片分別固晶於第二接墊。各第一發光二極體晶片透過一焊線打線至排列於陣列的第1行的對應之第二接墊，排列於陣列的第n-1行的各第二接墊所對應的第二發光二極體晶片透過一焊線打線至第三接墊，且排列於陣列的第i行及第j列的第二接墊所對應的第二發光二極體晶片透過一焊線打線至排列於陣列的第i+1行及第j列的第二接墊，其中1≦i≦n-2且1≦j≦n。
本發明提出一種發光二極體封裝用基板，包括基底、 第一接墊、多個第二接墊及第三接墊。第一接墊配置於基底上。第二接墊配置於基底上且排列於n×(n-1)陣列，其中n為正整數，且第一接墊鄰近排列於陣列的第1行的第二接墊。第三接墊配置於基底上且鄰近排列於陣列的第n-1行的第二接墊，其中第二接墊配置於第一接墊與第二接墊之間。
在本發明之一實施例中，上述之排列於陣列的第2列至第n-1列的各第二接墊具有供對應之第二發光二極體晶片進行固晶的固晶區、供對應之焊線進行打線的打線區及位於固晶區與打線區之間的溝槽，其中排列於陣列的第i+1行及第j列的第二接墊的打線區位於排列於陣列的第i+1行及第j列的第二接墊的固晶區與排列於陣列的第i行及第j列的第二接墊的固晶區之間。
在本發明之一實施例中，上述之排列於該陣列的第1列的各第二接墊具有供對應之第二發光二極體晶片進行固晶的固晶區、供對應之焊線進行打線的打線區及位於固晶區與打線區之間的溝槽，其中固晶區位於打線區與排列於陣列的第2列的第二接墊之間。
在本發明之一實施例中，上述之排列於陣列的第n列的各第二接墊具有供對應之第二發光二極體晶片進行固晶的固晶區、供對應之焊線進行打線的打線區及位於固晶區與打線區之間的溝槽，其中固晶區位於打線區與排列於陣列的第n-1列的第二接墊之間。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特 舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖2為本發明一實施例之發光二極體封裝結構的俯視圖。圖3為圖2之發光二極體封裝結構的局部立體圖。圖4為圖2之發光二極體封裝用基板的俯視圖。請參考圖2至圖4，本實施例的發光二極體封裝結構100包括發光二極體封裝用基板110、多個第一發光二極體晶片120(繪示為三個)、多個第二發光二極體晶片130(繪示為六個)及多條焊線140(繪示為九個)。發光二極體封裝用基板110包括基底112、第一接墊114、多個第二接墊116(繪示為六個)及第三接墊118。在一實施例中，基底112具有頂面，且第一接墊114配置於基底112的頂面的左邊區域。第三接墊118配置於基底112的頂面的右邊區域。第二接墊116配置於基底112的頂面的中間區域。第二接墊116配置於第一接墊114與第三接墊118之間。在另一實施例中，接墊可為導電電極。在其它實施例中，焊線可為導電線材。基底可為底板(submount)、載座(carrier)或電路板。
第一接墊114配置於基底112上。第二接墊116配置於基底112上且排列於3×2接墊陣列(繪示於圖4)。第一接墊114鄰近排列於陣列的第1行的第二接墊116。第三接墊118配置於基底112上且鄰近排列於陣列的第2行的第二接墊116。第一發光二極體晶片120固晶於或電性配置於第一接墊114上且分別對位於排列於陣列的第1行的 第二接墊116。第二發光二極體晶片130分別固晶於或電性配置於第二接墊116上。在一實施例中，發光二極體晶片如圖2所示分別配置於接墊上且排列於3×3晶片陣列。
固晶於第一接墊114上的各第一發光二極體晶片120透過焊線140打線或電性連接至排列於接墊陣列的第1行之對應的第二接墊116。排列於接墊陣列的第2行的各第二接墊116所對應的第二發光二極體晶片130透過焊線140打線或電性連接至第三接墊118。排列於接墊陣列的第1行及第j列的第二接墊116所對應的第二發光二極體晶片130透過焊線140打線或電性連接至排列於陣列的第2行及第j列的第二接墊116。所述j的範圍被定為1≦j≦3。
在如發光二極體封裝結構100的配置方式之下，即使第一發光二極體晶片120及第二發光二極體晶片130為垂直式(繪示為垂直式)，排列於晶片陣列的同一列的第二發光二極體晶片130及對應的第一發光二極體晶片120可透過焊線140及接墊串聯，以降低發光二極體封裝結構100所需的驅動電流。第一發光二極體晶片120與第二發光二極體晶片130以串聯的方式電性連接。此外，焊線140的長度可因此縮短以避免焊線140斷裂、下塌及越過第一發光二極體晶片120及第二發光二極體晶片130上方，以提升發光二極體封裝結構100的可靠度及光學品質。在一實施例中，發光二極體封裝用基板110用於承載水平式 (horizontal type)發光二極體晶片。所述水平式發光二極體晶片包括位於其同一表面的兩電極。
詳細而言，各第二接墊116具有供對應的第二發光二極體晶片130進行固晶的固晶區116a(繪示於圖4)、供對應的焊線140進行打線的打線區116b及位於固晶區116a與打線區116b之間的溝槽116c。藉由在固晶區116a與打線區116b之間形成溝槽116c，可避免用於各第二發光二極體晶片130的封膠溢膠至對應的打線區116b，以使各打線區116b確實地電性連接於對應的焊線140。
排列於接墊陣列的第2行及第2列的第二接墊116的打線區116b位於排列於接墊陣列的第2行及第2列的第二接墊116的固晶區116b與排列於接墊陣列的第1行及第2列的第二接墊116的固晶區116b之間。排列於接墊陣列的第1列的第二接墊116的固晶區116a位於排列於接墊陣列的第1列的第二接墊116的打線區116b與排列於接墊陣列的第2列的第二接墊116之間。排列於接墊陣列的第3列的第二接墊116的固晶區116a位於排列於接墊陣列的第3列的第二接墊116的打線區116b與排列於接墊陣列的第2列的第二接墊116之間。藉此，可確使各焊線140不會越過第一發光二極體晶片120及第二發光二極體晶片130上方。
此外，由於位於接墊陣列的第1列及第3列的第二接墊116的固晶區116a與打線區116b的相對位置不同於位於接墊陣列的第2列的第二接墊116的固晶區116a與打線 區116b的相對位置，因此排列於接墊陣列的第1列及第3列的各第二接墊116的打線區116b不會位於兩發光二極體晶片之間，且排列於接墊陣列的第2列的各第二接墊116的打線區116b會位於兩發光二極體晶片之間。藉此，第一發光二極體晶片120及第二發光二極體晶片130被集中於基底112的中央區域，而可縮小對發光二極體封裝結構100進行的螢光粉塗佈的範圍，以節省製造成本。在接墊陣列的第1列中，打線區116b位於固晶區116a的上側。在接墊陣列的第3列中，打線區116b位於固晶區116a的下側。在接墊陣列的第2列中，打線區116b位於固晶區116a的左側。在一實施例中，在接墊陣列的第2列中，打線區116b可被配置於固晶區116a的右側。
請參考圖2及圖3，發光二極體封裝結構100更包括透鏡150，透境150覆蓋第一發光二極體晶片120及第二發光二極體晶片130，且排列於接墊陣列的第1行及第2列的第二接墊116所對應的第二發光二極體晶片130的光軸對位於透鏡150的光軸。換言之，排列於晶片陣列的第2行及第2列而位於中央的發光二極體晶片的光軸對位於透鏡150的光軸，以使發光二極體封裝結構100具有更佳的光學品質。在一實施例中，透鏡150可為透過壓模製程(molding process)而形成的封裝膠體。透鏡150的材質可為矽(silicon)。在一實施例中，發光二極體封裝結構100更包括螢光粉層(phosphor layer)135，螢光粉層135配置於發光二極體晶片與透鏡150之間，以覆蓋第一發光二極體晶片 120及第二發光二極體晶片130。螢光粉層135可包括黃色螢光粉、紅色螢光粉、綠色螢光粉或選自黃色螢光粉、紅色螢光粉與綠色螢光粉至少其中之二的組合。
圖5為圖2之發光二極體封裝結構的側視圖。圖6為圖2之發光二極體封裝結構的仰視圖。請參考圖3、圖5及圖6，發光二極體封裝結構100更包括導熱墊160、至少一第一電極170(繪示為兩個)及至少一第二電極180(繪示為兩個)。基底112具有相對的第一表面112a及第二表面112b。在一實施例中，第一表面112a及第二表面112b可分別為頂面及底面。導熱墊160配置於第二表面112b。第一電極170配置於第二表面112b且透過基底112的內部電路、引腳插入(pin through hole)或插塞(plug)電性連接於第一接墊114。第二電極180配置於第二表面112b且透過基底112的內部電路、引腳插入(pin through hole)或插塞(plug)電性連接於第三接墊118。
在本實施例中，基底112的材質為陶瓷或其它具有高導熱性的電性絕緣材料，以避免導熱墊160電性連接至第一接墊160及第二接墊170，並提升發光二極體100的散熱效率。藉由將導熱墊160、第一電極170及第二電極180一併配置於基底112的第二表面112b，可縮小發光二極體封裝結構100的體積並簡化其製程。導熱墊160、第一電極170及第二電極180的形成方法例如為電鍍(electroplating)、無電電鍍(electroless plating)、印刷(printing)或其它適當方法。
請參考圖5，發光二極體封裝結構100配置於基座200上以構成包含發光二極體封裝結構100及基座200的照明裝置60。導熱墊160接觸基座60以將發光二極體封裝結構100產生的熱傳導至基座200。舉例來說，基底112及導熱墊160是透過表面黏著式封裝(surface-mount technology，SMT)配置於基座200。在一實施例中，基座200可為軟性電路板(flexible circuit board，FCB)或印刷電路板(printed circuit board，PCB)。
在本實施例中，第一發光二極體晶片120及第二發光二極體晶片130包括白光發光二極體晶片、藍光發光二極體晶片、紅光發光二極體晶片、綠光發光二極體晶片或白光發光二極體晶片、藍光發光二極體晶片、紅光發光二極體晶片與綠光發光二極體晶片至少其中之二的組合，以使照明裝置60適於發出白光或彩色光。
本發明不限制第一發光二極體晶片120及第二發光二極體晶片130的數量。圖7為本發明另一實施例之發光二極體封裝結構的俯視圖。圖8為圖7之發光二極體封裝用基板的俯視圖。請參考圖7及圖8，本實施例的發光二極體封裝結構300包括發光二極體封裝用基板310、多個第一發光二極體晶片320、多個第二發光二極體晶片330及多條焊線340。發光二極體封裝用基板310包括基底312、第一接墊314、多個第二接墊316及一第三接墊318。在一實施例中，基底312具有頂面，且第一接墊314配置於基底312的頂面的左邊區域。第三接墊118配置於基底 312的頂面的右邊區域。第二接墊316配置於基底312的頂面的中間區域。第二接墊316配置於第一接墊314與第三接墊318之間。在另一實施例中，接墊可為導電電極。在其它實施例中，焊線可為導電線材。基底可為底板(submount)、載座(carrier)或電路板。
第一接墊314配置於基底312。第二接墊316配置於基底312且排列於n×(n-1)接墊陣列(繪示於圖8)，其中n為正整數。第一接墊314鄰近排列於接墊陣列的第1行的第二接墊316。第三接墊318配置於基底312上且鄰近排列於接墊陣列的第n-1行的第二接墊316。第一發光二極體晶片320固晶於第一接墊314且分別對位於排列於接墊陣列的第1行的第二接墊316。第二發光二極體晶片330分別固晶於第二接墊316。在一實施例中，發光二極體晶片分別配置於接墊且排列於圖7的n×n晶片陣列。
各第一發光二極體晶片320透過焊線340打線或電性連接至排列於接墊陣列的第1行之對應的第二接墊316。排列於接墊陣列的第n-1行的各第二接墊316所對應的第二發光二極體晶片330透過焊線340打線或電性連接至第三接墊318。排列於接墊陣列的第i行及第j列的第二接墊316所對應的第二發光二極體晶片330透過焊線340打線或電性連接至排列於接墊陣列的第i+1行及第j列的第二接墊316。所述i及j的範圍被定為1≦i≦n-2且1≦j≦n。
在如發光二極體封裝結構300的配置方式之下，即使 第一發光二極體晶片320及第二發光二極體晶片330為垂直式(繪示為垂直式)，排列於晶片陣列的同一列的第二發光二極體晶片330及對應的第一發光二極體晶片320可透過焊線340及接墊串聯，以降低發光二極體封裝結構300所需的驅動電流。第一發光二極體晶片320與第二發光二極體晶片330以串聯的方式電性連接。此外，焊線340的長度可因此縮短以避免焊線340斷裂、下塌及越過第一發光二極體晶片320及第二發光二極體晶片330上方，以提升發光二極體封裝結構300的可靠度及光學品質。在一實施例中，發光二極體封裝用基板310用於承載水平式(horizontal type)發光二極體晶片。所述水平式發光二極體晶片包括位於其同一表面的兩電極。
詳細而言，各第二接墊316具有供對應的第二發光二極體晶片330進行固晶的固晶區316a(繪示於圖8)、供對應的焊線340進行打線的打線區316b及位於固晶區316a與打線區316b之間的溝槽316c。藉由在固晶區316a與打線區316b之間形成溝槽316c，可避免用於各第二發光二極體晶片330的封膠溢膠至對應的打線區316b，以使各打線區316b確實地電性連接於對應的焊線340。
排列於接墊陣列的第i+1行及第j列的第二接墊316的打線區316b位於排列於接墊陣列的第i+1行及第j列的第二接墊316的固晶區316b與排列於接墊陣列的第i行及第j列的第二接墊316的固晶區316b之間，其中1≦i≦n-2且1≦j≦n。排列於接墊陣列的第1列的第二接墊 316的固晶區316a位於排列於接墊陣列的第1列的打線區316b與排列於接墊陣列的第2列的第二接墊316之間。排列於接墊陣列的第n列的第二接墊316的固晶區316a位於排列於接墊陣列的第n列的打線區316b與排列於接墊陣列的第n-1列的第二接墊316之間。藉此，可確使各焊線340不會越過第一發光二極體晶片320及第二發光二極體晶片330上方。
此外，由於位於接墊陣列的第1列及第n列的第二接墊316的固晶區316a與打線區316b的相對位置不同於位於接墊陣列的第2列至第n-1列的第二接墊316的固晶區316a與打線區316b的相對位置，因此排列於接墊陣列的第1列及第n列的各第二接墊316的打線區316b不會位於兩發光二極體晶片之間，且排列於接墊陣列的第2列至第n-1列的各第二接墊316的打線區316b會位於兩發光二極體晶片之間。藉此，第一發光二極體晶片320及第二發光二極體晶片330被集中於基底312的中央區域，而可縮小對發光二極體封裝結構300進行的螢光粉塗佈的範圍，以節省製造成本。在接墊陣列的第1列中，打線區316b位於固晶區316a的上側。在接墊陣列的第n列中，打線區316b位於固晶區316a的下側。在接墊陣列的第2列至第n-1列中，打線區316b位於固晶區316a的左側。在一實施例中，在接墊陣列的第2列至第n-1列中，打線區316b可被配置於固晶區316a的右側。
請參考圖7，發光二極體封裝結構300更包括透鏡 350，透境350覆蓋第一發光二極體晶片320及第二發光二極體晶片330，且排列於接墊陣列的第(n-1)/2行及第(n+1)/2列的第二接墊316所對應的第二發光二極體晶片330的光軸對位於透鏡350的光軸。換言之，排列於晶片陣列的第(n-1)/2行及第(n+1)/2列而位於中央的發光二極體晶片的光軸對位於透鏡350的光軸，以使發光二極體封裝結構300具有更佳的光學品質。在一實施例中，透鏡350可為透過壓模製程(molding process)而形成的封裝膠體。透鏡350的材質可為矽(silicon)。在一實施例中，發光二極體封裝結構300更包括螢光粉層(phosphor layer)，螢光粉層配置於發光二極體晶片與透鏡之間，以覆蓋第一發光二極體晶片320及第二發光二極體晶片330。螢光粉層可包括黃色螢光粉、紅色螢光粉、綠色螢光粉或選自黃色螢光粉、紅色螢光粉與綠色螢光粉至少其中之二的組合。
發光二極體封裝結構300更包括導熱墊、至少一第一電極及至少一第二電極。基底312具有相對的第一表面及第二表面。在一實施例中，第一表面及第二表面可分別為頂面及底面。導熱墊配置於第二表面。第一電極配置於第二表面且透過基底312的內部電路、引腳插入(pin through hole)或插塞(plug)電性連接於第一接墊314。第二電極配置於第二表面且透過基底312的內部電路、引腳插入(pin through hole)或插塞(plug)電性連接於第三接墊318。
在本實施例中，基底312的材質為陶瓷或其它具有高導熱性的電性絕緣材料，以避免導熱墊電性連接至第一接 墊及第二接墊，並提升發光二極體300的散熱效率。藉由將導熱墊、第一電極及第二電極一併配置於基底312的第二表面，可縮小發光二極體封裝結構300的體積並簡化其製程。導熱墊、第一電極及第二電極的形成方法例如為電鍍(electroplating)、無電電鍍(electroless plating)、印刷(printing)或其它適當方法。
發光二極體封裝結構300可配置於基座上以構成包含發光二極體封裝結構及基座的照明裝置。導熱墊接觸基座以將發光二極體封裝結構300產生的熱傳導至基座。舉例來說，基底312及導熱墊是透過表面黏著式封裝(surface-mount technology，SMT)配置於基座。在一實施例中，基座可為軟性電路板(flexible circuit board，FCB)或印刷電路板(printed circuit board，PCB)。
在本實施例中，第一發光二極體晶片320及第二發光二極體晶片330包括白光發光二極體晶片、藍光發光二極體晶片、紅光發光二極體晶片、綠光發光二極體晶片或白光發光二極體晶片、藍光發光二極體晶片、紅光發光二極體晶片與綠光發光二極體晶片至少其中之二的組合，以使照明裝置適於發出白光或彩色光。
在一實施例中，上述發光二極體封裝結構更可以應用於車用照明、電視及顯示器背光模組、室內照明、室外照明和戶外看板等產品上。
在一實施例中，除了第n行以外，在位於第2列至第n-1列的發光二極體晶片中，左邊的發光二極體晶片打線 至小電極區域的左側打線區，小電極區域具有右側固晶區，右側的發光二極體晶片固晶於右側固晶區。溝槽形成於小電極區域的左側打線區及右側固晶區之間。
在一實施例中，除了第n行以外，在位於第1列的發光二極體晶片中，左邊的發光二極體晶片打線至小電極區域的上側打線區，小電極區域具有下側固晶區，右側的發光二極體晶片固晶於下側固晶區。溝槽形成於小電極區域的上側打線區及下側固晶區之間。
在一實施例中，除了第n行以外，在位於第n列的發光二極體晶片中，左邊的發光二極體晶片打線至小電極區域的下側打線區，小電極區域具有上側固晶區，右側的發光二極體晶片固晶於上側固晶區。溝槽形成於小電極區域的下側打線區及上側固晶區之間。
綜上所述，本發明的發光二極體封裝結構具有多個第二接墊，第二接墊排列於陣列且位於第一與第三接墊之間。即使第一及第二發光二極體晶片為垂直式，排列於陣列的同一列的第二發光二極體晶片及對應的第一發光二極體晶片可透過焊線串聯，以降低發光二極體封裝結構所需的驅動電流。此外，焊線的長度可因此縮短以避免焊線斷裂、下塌及越過發光二極體晶片上方，以提升發光二極體封裝結構的可靠度及光學品質。另外，藉由形成溝槽於固晶區及打線區之間，可避免用於各第二發光二極體晶片的封膠溢膠至對應的打線區，以使各打線區確實地電性連接於對應的焊線。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
52‧‧‧發光二極體晶片
54、56‧‧‧接墊
58、140、340‧‧‧焊線
60‧‧‧照明裝置
50、100、300‧‧‧發光二極體封裝結構
110、310‧‧‧發光二極體封裝用基板
112、312‧‧‧基底
112a‧‧‧第一表面
112b‧‧‧第二表面
114、314‧‧‧第一接墊
116、316‧‧‧第二接墊
116a、316a‧‧‧固晶區
116b、316b‧‧‧打線區
116c、316c‧‧‧溝槽
118、318‧‧‧第三接墊
120、320‧‧‧第一發光二極體晶片
130、330‧‧‧第二發光二極體晶片
135‧‧‧螢光粉層
150、350‧‧‧透鏡
160‧‧‧導熱墊
170‧‧‧第一電極
180‧‧‧第二電極
200‧‧‧基座
圖1是習知一種發光二極體封裝結構的俯視圖。
圖2為本發明一實施例之發光二極體封裝結構的俯視圖。
圖3為圖2之發光二極體封裝結構的局部立體圖。
圖4為圖2之發光二極體封裝用基板的俯視圖。
圖5為圖2之發光二極體封裝結構的側視圖。
圖6為圖2之發光二極體封裝結構的仰視圖。
圖7為本發明另一實施例之發光二極體封裝結構的俯視圖。
圖8為圖7之發光二極體封裝用基板的俯視圖。
100‧‧‧發光二極體封裝結構
110‧‧‧發光二極體封裝用基板
112‧‧‧基底
114‧‧‧第一接墊
116‧‧‧第二接墊
116c‧‧‧溝槽
118‧‧‧第三接墊
120‧‧‧第一發光二極體晶片
130‧‧‧第二發光二極體晶片
140‧‧‧焊線
150‧‧‧透鏡

Claims (9)

  1. 一種發光二極體封裝結構，包括：一發光二極體封裝用基板，包括：一基底；一第一接墊，配置於該基底上；複數個第二接墊，配置於該基底上且排列於一n×(n-1)陣列，其中n為正整數，且該第一接墊鄰近排列於該陣列的第1行的該些第二接墊；及一第三接墊，配置於該基底上且鄰近排列於該陣列的第n-1行的該些第二接墊，其中該些第二接墊配置於該第一接墊與該第三接墊之間；複數個第一發光二極體晶片，固晶於該第一接墊且分別對位於排列於該陣列的第1行的該些第二接墊；複數個第二發光二極體晶片，分別固晶於該些第二接墊；以及複數個焊線，各該第一發光二極體晶片透過一焊線打線至排列於該陣列的第1行的該對應之第二接墊，排列於該陣列的第n-1行的各該第二接墊所對應的該第二發光二極體晶片透過一焊線打線至該第三接墊，且排列於該陣列的第i行及第j列的該第二接墊所對應的該第二發光二極體晶片透過一焊線打線至排列於該陣列的第i+1行及第j列的該第二接墊，其中1≦i≦n-2且1≦j≦n，其中排列於該陣列的第2列至第n-1列的各該第二接墊具有供該對應之第二發光二極體晶片進行固晶的一第一 固晶區、供該對應之焊線進行打線的一第一打線區及位於該第一固晶區與該第一打線區之間的一第一溝槽，其中排列於該陣列的第i+1行及第j列的該第二接墊的該第一打線區位於排列於該陣列的第i+1行及第j列的該第二接墊的該第一固晶區與排列於該陣列的第i行及第j列的該第二接墊的該第一固晶區之間，其中排列於該陣列的第1列的各該第二接墊具有供該對應之第二發光二極體晶片進行固晶的一第二固晶區、供該對應之焊線進行打線的一第二打線區及位於該第二固晶區與該第二打線區之間的一第二溝槽，其中該些第二固晶區位於該些第二打線區與排列於該陣列的第2列的該些第二接墊之間，其中排列於該陣列的第n列的各該第二接墊具有供該對應之第二發光二極體晶片進行固晶的一第三固晶區、供該對應之焊線進行打線的一第三打線區及位於該第三固晶區與該第三打線區之間的一第三溝槽，其中該些第三固晶區位於該些第三打線區與排列於該陣列的第n-1列的該些第二接墊之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構，更包括一透鏡，覆蓋該些第一發光二極體晶片及該些第二發光二極體晶片，其中n為奇數，且排列於該陣列的第(n-1)/2行及第(n+1)/2列的該第二接墊所對應的該第二發光二極體晶片的一光軸對位於該透鏡的一光軸。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結 構，更包括一螢光粉層，覆蓋該些第一發光二極體晶片及該些第二發光二極體晶片。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構，其中該基底具有相對的一第一表面及一第二表面，該第一接墊、該些第二接墊及該第三接墊配置於該基底的該第一表面，其中該發光二極體封裝結構更包括：一導熱墊，配置於該第二表面；至少一第一電極，配置於該第二表面且電性連接於該第一接墊；以及至少一第二電極，配置於該第二表面且電性連接於該第三接墊。
  5. 一種照明裝置，包括：一基座；以及一發光二極體封裝結構，包括：一發光二極體封裝用基板，包括：一基底，配置於該基座上；一第一接墊，配置於該基底上；複數個第二接墊，配置於該基底上且排列於一n×(n-1)陣列，其中n為正整數，且該第一接墊鄰近排列於該陣列的第1行的該些第二接墊；及一第三接墊，配置於該基底上且鄰近排列於該陣列的第n-1行的該些第二接墊，其中該些第二接墊配置於該第一接墊與該第三接墊之間； 複數個第一發光二極體晶片，固晶於該第一接墊且分別對位於排列於該陣列的第1行的該些第二接墊複數個第二發光二極體晶片，分別固晶於該些第二接墊；以及複數個焊線，各該第一發光二極體晶片透過一焊線打線至排列於該陣列的第1行的該對應之第二接墊，排列於該陣列的第n-1行的各該第二接墊所對應的該第二發光二極體晶片透過一焊線打線至該第三接墊，且排列於該陣列的第i行及第j列的該第二接墊所對應的該第二發光二極體晶片透過一焊線打線至排列於該陣列的第i+1行及第j列的該第二接墊，其中1≦i≦n-2且1≦j≦n，其中排列於該陣列的第2列至第n-1列的各該第二接墊具有供該對應之第二發光二極體晶片進行固晶的一第一固晶區、供該對應之焊線進行打線的一第一打線區及位於該第一固晶區與該第一打線區之間的一第一溝槽，其中排列於該陣列的第i+1行及第j列的該第二接墊的該第一打線區位於排列於該陣列的第i+1行及第j列的該第二接墊的該第一固晶區與排列於該陣列的第i行及第j列的該第二接墊的該第一固晶區之間，其中排列於該陣列的第1列的各該第二接墊具有供該對應之第二發光二極體晶片進行固晶的一第二固晶區、供該對應之焊線進行打線的一第二打線區 及位於該第二固晶區與該第二打線區之間的一第二溝槽，其中該些第二固晶區位於該些第二打線區與排列於該陣列的第2列的該些第二接墊之間，其中排列於該陣列的第n列的各該第二接墊具有供該對應之第二發光二極體晶片進行固晶的一第三固晶區、供該對應之焊線進行打線的一第三打線區及位於該第三固晶區與該第三打線區之間的一第三溝槽，其中該些第三固晶區位於該些第三打線區與排列於該陣列的第n-1列的該些第二接墊之間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之照明裝置，其中該發光二極體封裝結構更包括一透鏡，覆蓋該些第一發光二極體晶片及該些第二發光二極體晶片，其中n為奇數，且排列於該陣列的第(n-1)/2行及第(n+1)/2列的該第二接墊所對應的該第二發光二極體晶片的一光軸對位於該透鏡的一光軸。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之照明裝置，其中該發光二極體封裝結構更包括一螢光粉層，覆蓋該些第一發光二極體晶片及該些第二發光二極體晶片。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之照明裝置，其中該基底具有相對的一第一表面及一第二表面，該第一接墊、該些第二接墊及該第三接墊配置於該基底的該第一表面，其中該發光二極體封裝結構更包括：一導熱墊，配置於該第二表面且接觸該基座；一第一電極，配置於該第二表面且電性連接於該第一 接墊；以及一第二電極，配置於該第二表面且電性連接於該第三接墊。
  9. 一種發光二極體封裝用基板，包括：一基底；一第一接墊，配置於該基底上；複數個第二接墊，配置於該基底上且排列於一n×(n-1)陣列，其中n為正整數，且該第一接墊鄰近排列於該陣列的第1行的該些第二接墊；以及一第三接墊，配置於該基底上且鄰近排列於該陣列的第n-1行的該些第二接墊，其中該些第二接墊位於該第一接墊與該第三接墊之間；其中排列於該陣列的第2列至第n-1列的各該第二接墊具有一第一固晶區、一第一打線區及位於該第一固晶區與該第一打線區之間的一第一溝槽，其中排列於該陣列的第i+1行及第j列的該第二接墊的該第一打線區位於排列於該陣列的第i+1行及第j列的該第二接墊的該第一固晶區與排列於該陣列的第i行及第j列的該第二接墊的該第一固晶區之間；其中排列於該陣列的第1列的各該第二接墊具有一第二固晶區、一第二打線區及位於該第二固晶區與該第二打線區之間的一第二溝槽，其中該些第二固晶區位於該些第二打線區與排列於該陣列的第2列的該些第二接墊之間； 其中排列於該陣列的第n列的各該第二接墊具有一第三固晶區、一第三打線區及位於該第三固晶區與該第三打線區之間的一第三溝槽，其中該些第三固晶區位於該些第三打線區與排列於該陣列的第n-1列的該些第二接墊之間。
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