JP2012142382A - 照明装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体発光素子の発熱を効率よく放熱できるとともに、安価に製造できる照明装置を提供する。
【解決手段】照明装置１０は、一方の表面に、長手方向に連続する一体成型された凸部２１ａを備えた表面形状が矩形の熱伝導性基板２１と、凸部２１ａの表面２１ｂ上に搭載された複数の半導体発光素子チップ６４−１〜６４−９と、熱伝導性基板２１の表面２１ｃ上に、凸部に隣接して設けられ、半導体発光素子チップに電力を供給するための配線が設けられた配線基板２２ａ、２２ｂとを備えている。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体発光素子を用いた照明装置に関する。

半導体発光素子（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）は、輝度および発光効率の向上に伴って、照明装置への適用がなされるようになってきた。

特許文献１および２には、素子取付け部を一体に有する放熱基板と；この放熱基板に前記素子取付け部を除いて積層された絶縁層と；この絶縁層上に設けられた導体と；前記素子取付け部にダイボンドされた半導体発光素子と；この半導体発光素子と前記導体とを接続したボンディングワイヤと；前記半導体発光素子を封止して設けた透光性の封止部材と；を具備した照明装置が記載されている。

特開２００８−１８２１８６号公報 特開２００９−２３１３９７号公報

半導体発光素子は、電流に比例して高輝度になるが、半導体発光素子に流れる電流（電力）が大きくなって、半導体発光素子の発熱量が大きくなる。一般的に、発熱による温度上昇で、発光効率が低下する。このため、照明装置では、半導体発光素子から発生する熱を効率よく放熱できることが、小型の照明装置を実現する上で重要である。
特に、植物育成用の小型の照明装置の性能向上が強く求められている。
さらに、照明装置が安価に製造できる構造を有することが重要である。
本発明の目的は、半導体発光素子の発熱を効率よく放熱できるとともに、安価に製造できる照明装置を提供することにある。

かかる目的のもと、本発明が適用される照明装置は、一方の表面に、長手方向に連続する一体成型された凸部を備えた矩形の熱伝導性基板と、凸部上に搭載された複数の半導体発光部品と、熱伝導性基板の一方の表面上に、凸部に隣接して設けられ、半導体発光部品に電力を供給するための配線が設けられた配線基板とを備えている。
熱伝導性基板は、凸部の側面に、配線基板の一部が挿入しうる隙間を備えていることを特徴とすることができる。
さらに、熱伝導性基板の凸部の表面は、熱伝導性基板上に設けられた配線基板の表面を含む面と同じまたは配線基板の表面を含む面から突出していることを特徴とすることができる。
そして、複数の半導体発光部品のそれぞれは、配線基板に設けられた配線と電気的に接続されていることを特徴とすることができる。

このような照明装置において、複数の半導体発光部品は、複数の半導体発光素子チップであって、複数の半導体発光素子チップの配列に沿って、半導体発光素子チップが、封止樹脂で覆われていることを特徴とすることができる。
また、複数の半導体発光素子チップのそれぞれは、ボンディングワイヤによって、配線基板に設けられた配線と接続され、封止樹脂はボンディングワイヤを含んで半導体発光素子を個別に覆う第１の封止樹脂と、半導体発光素子チップ間を覆う第１の封止樹脂に比べ軟質な第２の封止樹脂とを備えることを特徴とすることができる。
さらにまた、熱伝導性基板は、金属であることを特徴とすることができる。そして、配線基板は、ガラスエポキシ板に配線を設けたものであることを特徴とすることができる。さらに、配線基板は、熱伝導性の接着剤によって、熱伝導性基板の一方の表面に接着固定されていることを特徴とすることができる。

本発明によれば、半導体発光素子の発熱を効率よく放熱できるとともに、安価に製造できる照明装置を提供できる。

第１の本実施の形態が適用される照明装置の一例を示す図である。 熱伝導性基板の形状を示す斜視図である。 配線基板の上面および断面を示す図である。 半導体発光素子チップの構成の一例を説明する断面図である。 半導体発光素子チップの上面図である。 ２個の照明装置から構成される照明装置を示す図である。 第２の実施の形態が適用される照明装置の一例を示す図である。 発光素子パッケージの一例を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
（第１の実施の形態）
図１は第１の本実施の形態が適用される照明装置１０の一例を示す図である。図１（ａ）は、照明装置１０を上面から見た平面図を示し、図１（ｂ）は、照明装置１０のＩＢ−ＩＢ線での断面図を示している。
照明装置１０は、図１（ｂ）に示すように、一方の表面に、一体に形成された凸部２１ａを有する表面形状が矩形の熱伝導性基板２１と、凸部２１ａの表面２１ｂに設けられた複数の半導体発光部品の一例としての半導体発光素子チップ６４（半導体発光素子チップ６４−１〜６４−９をそれぞれ区別しないときは半導体発光素子チップ６４と表記する。）と、熱伝導性基板２１の凸部２１ａ以外の表面２１ｃに接着層２４を介して設けられた配線基板２２ａおよび２２ｂとを備えている。配線基板２２ａおよび２２ｂには、半導体発光素子チップ６４に電流を供給する配線が設けられている。
第１の実施の形態は、ベアチップである半導体発光素子チップ６４を熱伝導性基板２１の凸部２１ａに搭載された、いわゆるＣＯＢ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｂｏａｒｄ）実装である。
ここでは、半導体発光素子チップ６４と半導体発光素子とを区別しないで用いる。

熱伝導性基板２１は、例えば上面から見た形状が矩形の板状であって、熱伝導性に優れた材料により構成されている。そして、熱伝導性基板２１と一体に形成された凸部２１ａは、熱伝導性基板２１の長手方向に連続して構成され、その表面２１ｂは、半導体発光素子チップ６４が搭載可能な幅を有している。

配線基板２２ａおよび２２ｂは、例えば短冊状である。本実施の形態においては、配線基板２２ａおよび２２ｂは、後述するように同じ構成であるので、以下では配線基板２２ａについて説明する。
配線基板２２ａは、基体２５と基体２５の一方の表面に設けられた導体パターン２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄと、導体パターン２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄの表面および基体２５の一方の表面の導体パターン２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄが設けられていない表面を覆うレジスト膜２６とを備えている。
配線基板２２ａの基体２５の他方の面が接着層２４を介して熱伝導性基板２１の表面２１ｃに接着されている。なお、配線基板２２ａの一部は、熱伝導性基板２１の凸部２１ａの側面に設けられたスリット（隙間）２１ｄにはめ込まれている。

配線基板２２ａの導体パターン２３ａは、帯状であって、配線基板２２ａの長手方向に沿って、配線基板２２ａの一端部から他端部まで繋がって設けられている。一方、短冊状の導体パターン２３ｂが、導体パターン２３ａと並行するように、相互に接続されることなく、列状に複数設けられている。そして、列状に設けられた複数の導体パターン２３ｂの両端部に、それぞれが短冊状の導体パターン２３ｃおよび２３ｄが設けられている。導体パターン２３ｃおよび２３ｄも長手方向が、導体パターン２３ａに並行するように、設けられている。
すなわち、配線基板２２ａの長辺側に沿って、複数の導体パターン２３ｂが列状に並ぶとともに、その両端は導体パターン２３ｃおよび２３ｄで挟まれている。

配線基板２２ａの導体パターン２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄの表面および配線基板２２ａの導体パターン２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄが設けられていない部分を覆うレジスト膜２６には、導体パターン２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄの表面の一部を露出させるための開口２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄ、２６ｅ、２６ｆ、２６ｇが設けられている。
具体的に説明すると、導体パターン２３ａの両端部には、開口２６ａおよび２６ｂが設けられている。導体パターン２３ｂには、長手方向に沿って、配線基板２２ａの一長辺に近い側に、開口２６ｅが設けられている。
導体パターン２３ｃの長手方向の一方の端部（配線基板２２ａの長手方向の一端部）に開口２６ｃが設けられ、長手方向に沿って、配線基板２２ａの一長辺に近い側に、開口２６ｆが設けられている。
導体パターン２３ｄの長手方向の一方の端部（配線基板２２ａの長手方向の一端部）に開口２６ｄが設けられ、長手方向に沿って、配線基板２２ａの一長辺に近い側に、開口２６ｇが設けられている。

そして、配線基板２２ａは、開口２６ｅ、２６ｆ、２６ｇが設けられた側が、熱伝導性基板２１の凸部２１ａ側になるように、熱伝導性基板２１の表面２１ｃ上に接着層２４を介して接着固定されている。

配線基板２２ｂは、配線基板２２ａを１８０°回転させた構成である。そして、配線基板２２ｂは、配線基板２２ａと同様に、熱伝導性基板２１の表面２１ｃ上に接着固定されている。

配線基板２２ａおよび２２ｂでは、開口２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄにおいて、導体パターン２３ａ、２３ｃ、２３ｄが、外部に設けられた電流源や他の照明装置１０の配線基板２２ａおよび２２ｂなどと接続される。
また、配線基板２２ａおよび２２ｂでは、開口２６ｅ、２６ｆ、２６ｇにおいて、導体パターン２３ｂ、２３ｃ、２３ｄと半導体発光素子チップ６４とが接続される。すなわち、ｐ電極２１０およびｎ電極２４０（後述する図４、５参照）と、配線基板２２ａおよび２２ｂの導体パターン２３ｂ、２３ｃ、２３ｄとが、ボンディングワイヤ６５により接続されている。

そして、第１の実施の形態では、図１（ａ）に示すように、複数（図１では９個）の半導体発光素子チップ６４（半導体発光素子チップ６４−１〜６４−９）が、ｐ電極２１０（図１（ａ）では「ｐ」と表記する。）およびｎ電極２４０（同じく「ｎ」と表記する。）の向きを、隣接する半導体発光素子チップ６４間で互い違いになるように配列されている。

そして、照明装置１０は、半導体発光素子チップ６４およびボンディングワイヤ６５を覆うように、第１の封止樹脂３１が設けられている。さらに、第１の封止樹脂３１と開口２６ｅ、２６ｆ、２６ｇとを覆うように、第２の封止樹脂３２が設けられている。
第１の封止樹脂３１は、半導体発光素子チップ６４の表面を覆って、外気および湿気等の侵入により半導体発光素子チップ６４が劣化することを防止するとともに、ボンディングワイヤ６５を覆って、ボンディングワイヤ６５を固定し、半導体発光素子チップ６４のｐ電極２１０およびｎ電極２４０から剥れるのを防止する。
一方、第２の封止樹脂３２は開口２６ｅ、２６ｆ、２６ｇを覆って、外気および湿気等との接触により、導体パターン２３ｂ、２３ｃ、２３ｄが腐食するのを防止する。
なお、第２の封止樹脂３２は、開口２６ｅ、２６ｆ、２６ｇが露出しないように覆えば、第１の封止樹脂３１を覆わなくともよく、隣接する第１の封止樹脂３１の間にあってもよい。
また、第１の封止樹脂３１が、開口２６ｅ、２６ｆ、２６ｇが露出しないように覆えば、第２の封止樹脂３２を省略してもよい。
なお、第１の封止樹脂３１と第２の封止樹脂３２をまとめて示すとき、第１の封止樹脂３１と第２の封止樹脂３２のいずれか一方を示すとき、または、第１の封止樹脂３１と第２の封止樹脂を区別しないときは封止樹脂と表記する。

以下では、熱伝導性基板２１および配線基板２２ａ（２２ｂ）をより詳細に説明する。
図２は、熱伝導性基板２１の形状を示す斜視図である。熱伝導性基板２１には、熱伝導性に優れた金属、例えば銅、アルミニウムなどを用いることができる。また、剛性、熱膨張などを考慮して、これらの金属の合金を用いることも望ましい。アルミニウムの場合には、表面がアルマイト加工されていてもよい。
熱伝導性基板２１は、例えば銅であって、長さが１５０ｍｍ、幅が１０ｍｍとすることができる。そして、凸部２１ａの表面２１ｂの幅は、半導体発光素子チップ６４を搭載することができればよい。例えば、半導体発光素子チップ６４が２４０μｍ×４００μｍであれば、凸部２１ａの表面２１ｂの幅（熱伝導性基板２１の短手方向に計測した長さ）が半導体発光素子チップ６４の一辺長である２４０μｍより長い８００μｍとすることができる。半導体発光素子チップ６４の形状は、正方形でもよい。電気的接続の容易性から、半導体発光素子チップ６４の表面から、２本のボンディングワイヤで接続する構造が望ましい。
また、熱伝導性基板２１の厚さは、凸部２１ａの部分で、例えば０．３ｍｍとすることができる。また、凸部２１ａの高さは、例えば０．１５ｍｍとすることができる。
凸部２１ａの上面は、半導体発光素子チップ６４が安定に固定できれば良い。凸部２１ａの上面に、半導体発光素子チップ６４を固定するためのペーストが溜まり易いように窪みを設けてもよく、半導体発光素子チップ６４を固定する位置（ダイボンド位置）を分かりやすくする印をつけてもよい。半導体発光素子チップ６４が搭載される部分以外に溝や階段状の突起を形成し、それらからの反射を利用するようにしてもよい。
そして、凸部２１ａの両側面に、熱伝導性基板２１の長手方向に連なってスリット２１ｄが設けられている。このスリット２１ｄに、配線基板２２ａおよび２２ｂがはめ込まれる。よって、スリット２１ｄの幅は、配線基板２２ａおよび２２ｂの厚さと同程度であって、スリット２１ｄに配線基板２２ａおよび２２ｂをはめ込めればよい。よって、後述するように、例えば配線基板２２ａおよび２２ｂの厚さを０．１５ｍｍとした場合、スリット２１ｄの幅は、０．１７ｍｍとすることができる。
また、スリット２１ｄの深さは、半導体発光素子チップ６４が発生する熱の熱伝導性基板２１への熱伝導による放熱を妨げなければよく、例えば０．２ｍｍとできる。
なお、図１に示したように、配線基板２２ａおよび２２ｂは、熱伝導性基板２１の表面２１ｃに接着層２４で固定される。このことから、配線基板２２ａおよび２２ｂがスリット２１ｄに嵌合して、固定されることを要しない。よって、スリット２１ｄを設けなくともよい。
なお、熱伝導性基板２１が柔軟性を有する銅、アルミニウムなどで構成されていると、照明装置１０を熱伝導性基板２１の厚さ方向に変形させて（曲げて）使用することができる。また、熱伝導性基板２１に強度が必要な場合は、鉄合金、銅合金、アルミニウム合金を用いて硬くすることもできる。反射率、熱伝導率の高い銀合金などの利用も望ましい。

熱伝導性基板２１の製造方法について説明する。
熱伝導性基板２１は、銅を圧延することにより、長手方向に連続的に、いわゆるロールツーロールで形成できる。これにより、照明装置１０が安価に構成できる。
また、凸部２１ａを備えた熱伝導性基板２１、いわゆるロールツーロールで形成できれば、熱伝導性基板２１の長さを、可変として、照明装置１０を要求に合わせて構成しうる。
その後、熱伝導性基板２１の凸部２１ａの両側面にスリット２１ｄを形成する。
さらに、熱伝導性基板２１は、照明装置１０を他の装置に固定するため、ボルトを貫通させるための穴が設けられてもよい。

次に、配線基板２２ａ（２２ｂ）について説明する。
配線基板２２ｂは、前述したように、配線基板２２ａと同じ構成とし、向きを変えて用いる。よって、配線基板２２ａについて説明する。
図３は、配線基板２２ａの上面および断面を示す図である。図３（ａ）は、配線基板２２ａの上面、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線での断面図である。
配線基板２２ａの構成は、図１において詳述したので、説明を省略する。なお、導体パターン２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄは、照明装置１０および半導体発光素子チップ６４との接続関係に基づいて定めればよく、図３に示したパターンに限定されない。

次に、配線基板２２ａの製造方法を説明する。
配線基板２２ａの基体２５は、例えば半導体発光素子チップ６４からの光を反射させることができる白色のガラスエポキシ板を用いることができる。ガラスエポキシ板の基体２５の厚さは、０．１ｍｍとすることができる。このように薄い基体２５を用いることで、照明装置１０を厚さ方向に曲げて使用することができる。

基体２５には、一方の表面には銅箔が貼り付けられている。そして、銅箔は、従来公知のフォトリソグラフィにより、導体パターン２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄに加工される。そして、導体パターン２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄおよび基体２５の導体パターン２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ以外の表面がソルダレジストで覆われる。その後、従来公知のフォトリソグラフィにより、導体パターン２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ上の一部に、導体パターン２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄを露出させるように開口２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄ、２６ｅ、２６ｆ、２６ｇが形成される。

次に、熱伝導性基板２１の凸部２１ａに搭載される半導体発光素子チップ６４について説明する。第１の実施の形態では、半導体発光素子チップ６４を直接、熱伝導性基板２１の凸部２１ａにＣＯＢ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｂｏａｒｄ）実装する。
半導体発光素子チップ６４は、赤、緑、青または赤外、紫外のいずれの光を発するものであってよい。また、照明装置１０において、複数の半導体発光素子チップ６４として、発光波長が異なるものを混合して用いてもよい。

図４は半導体発光素子チップ６４の構成の一例を説明する断面図である。図５は半導体発光素子チップ６４の上面図である。
半導体発光素子チップ６４は化合物半導体にて構成されている。なお、半導体発光素子チップ６４を構成する化合物半導体としては、特に限定されるものではなく、例えば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体、ＩＶ−ＩＶ族化合物半導体等が挙げられる。本実施の形態では、発光効率の良好なＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体が好ましく、中でも、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体が好ましい。そして、以下では、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体を有する半導体発光素子チップ６４を例として説明する。なお、例として図４に示す半導体発光素子チップ６４は青色光を出力する。

基板１１０は、基板１１０上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶がエピタキシャル成長される。基板１１０を構成する材料としては、例えば、サファイア、炭化珪素（シリコンカーバイド：ＳｉＣ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、シリコン、ゲルマニウム、窒化ガリウム等が挙げられる。ここでは、基板１１０は、最も好適な例として、透明で絶縁性を有し、良好な結晶が得られるサファイアであるとして説明する。
また、基板にエピタキシャル成長後、他の材質の基板に貼り付け、エピタキシャル成長させた基板を除去した構造の半導体発光素子チップ６４も利用できる。

この半導体発光素子チップ６４は、サファイア製の基板１１０と、基板１１０上に積層される中間層１２０と、中間層１２０上に積層される下地層１３０と、下地層１３０上に積層されるｎ型半導体層１４０と、ｎ型半導体層１４０上に積層される発光層１５０と、発光層１５０上に積層されるｐ型半導体層１６０とを備えている。
ここで、ｎ型半導体層１４０は、下地層１３０側に設けられるｎ型コンタクト層１４０ａと発光層１５０側に設けられるｎ型クラッド層１４０ｂとを有している。また、発光層１５０は、障壁層１５０ａと井戸層１５０ｂとが交互に積層され、２つの障壁層１５０ａによって１つの井戸層１５０ｂを挟み込んだ構造を有している。さらに、ｐ型半導体層１６０は、発光層１５０側に設けられるｐ型クラッド層１６０ａと最上層に設けられるｐ型コンタクト層１６０ｂとを有する。なお、以下の説明においては、ｎ型半導体層１４０、発光層１５０およびｐ型半導体層１６０を、まとめて積層半導体層１００と表記する。

半導体発光素子チップ６４においては、ｐ型半導体層１６０のｐ型コンタクト層１６０ｂ上に透明正極１７０が積層され、さらにその表面１７０ｃ上にｐ電極２１０が形成されている。さらに、ｎ型半導体層１４０のｎ型コンタクト層１４０ａに形成された半導体層露出面１４０ｃにｎ電極２４０が積層されている。
さらにまた、半導体発光素子チップ６４は、ｐ電極２１０およびｎ電極２４０のそれぞれの表面の一部を除いて、透明正極１７０の表面１７０ｃ、積層半導体層１００の表面および側面、下地層１３０および中間層１２０の側面を覆う保護層１８０を備える。

この半導体発光素子チップ６４においては、ｐ電極２１０とｎ電極２４０とを介して積層半導体層１００（より具体的にはｐ型半導体層１６０、発光層１５０およびｎ型半導体層１４０）に電流を流すことで、発光層１５０が青色光を出射するようになっている。なお、発光層１５０は、透明正極１７０側に加えて、基板１１０側および半導体発光素子チップ６４の側方（発光層１５０の層方向）にも青色光を発する。また、発光層１５０の組成を選択することで、紫外、緑の発光も可能である。

その他の半導体発光素子チップ６４として、黄緑〜赤の発光が可能なＡｌＧａＩｎＰを発光層１５０とする半導体発光素子、赤〜赤外の発光が可能なＡｌＧａＡｓを発光層１５０とする半導体発光素子など、公知の半導体発光素子を利用できる。

次に、図１を参照しつつ、照明装置１０の製造方法を説明する。
凸部２１ａが設けられた熱伝導性基板２１の表面２１ｃ上に、配線基板２２ａおよび２２ｂが接着層２４を介して接着される。このとき、配線基板２２ａおよび２２ｂの一部が、熱伝導性基板２１のスリット２１ｄにはめ込まれる。

接着層２４としては、熱伝導性にすぐれた接着剤であるのが好ましい。また、熱伝導性基板２１は、金属等であれば、熱伝導性を有すると同時に、電気伝導性も有する。配線基板２２ａおよび２２ｂの基体２５がガラスエポキシ板であれば、絶縁性を有している。よって、接着層２４が絶縁性を有しなくとも配線基板２２ａおよび２２ｂの導体パターン２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄと、熱伝導性基板２１とが短絡することはない。しかし、接着層２４が絶縁性を有しているのが好ましい。

次に、熱伝導性基板２１の凸部２１ａの表面２１ｂに、半導体発光素子チップ６４が接着固定される。半導体発光素子チップ６４の凸部２１ａへの接着固定には、エポキシ樹脂系またはシリコーン樹脂系の接着剤や銀ペーストなどのダイボンド剤を用いうる。
そして、半導体発光素子チップ６４のｐ電極２１０およびｎ電極２４０は、ボンディングワイヤ６５により、配線基板２２ａおよび２２ｂの開口２６ｅ、２６ｆ、２６ｇを介して導体パターン２３ｂ、２３ｃ、２３ｄと接続される。このため、半導体発光素子チップ６４は、配線基板２２ａおよび２２ｂの開口２６ｅ、２６ｆ、２６ｇに対応して、熱伝導性基板２１の凸部２１ａの予め定められた位置に接着固定される。

その後、第１の封止樹脂３１により半導体発光素子チップ６４およびボンディングワイヤ６５が封止される。さらに、第２の封止樹脂３２で開口２６ｅ、２６ｆ、２６ｇが封止される。
第１の封止樹脂３１および第２の封止樹脂３２は、半導体発光素子チップ６４の発光波長に対して透明な各種樹脂を適用して差し支えない。
また、第１の封止樹脂３１および第２の封止樹脂３２は、半導体発光素子チップ６４が発する光を吸収してより長波長の光を発する蛍光体を均一に分散させた透明樹脂であってもよい。例えば、半導体発光素子チップ６４が発する青色光を吸収して緑色光を発する緑色蛍光体と、半導体発光素子チップ６４が発する青色光を吸収して赤色光を発する赤色蛍光体とを含んでもよい。半導体発光素子チップ６４が発する青色光と、透明樹脂に含まれる緑色蛍光体が発する緑色光と、同じく透明樹脂に含まれる赤色蛍光体が発する赤色光とによって、青、緑、赤の３原色が揃う。これにより、第１の封止樹脂３１または第２の封止樹脂３２の上面から、白色光が出射されるようになっていてもよい。また、上記赤色蛍光体と緑色蛍光体との代わりに黄色蛍光体を使っても良い。

第１の封止樹脂３１は、未硬化状態の透明樹脂ペースト（蛍光体を含んでもよい）を、吐出装置を用いたポッティング法で、熱伝導性基板２１の凸部２１ａの半導体発光素子チップ６４が接着固定された位置に、半導体発光素子チップ６４およびボンディングワイヤ６５を覆うようにポッティング（滴下）される。次に、未硬化状態の透明樹脂ペーストを硬化させて第１の封止樹脂３１を形成する。硬化の処理は、例えば、加熱または紫外線照射等で行えばよい。第１の封止樹脂３１としては、剛性に優れたエポキシ樹脂系の封止材料を用いることができる。
さらに、第２の封止樹脂３２で、第１の封止樹脂３１で覆われなかった開口２６ｅ、２６ｆ、２６ｇを封止する。第２の封止樹脂３２としては、柔軟性に優れたシリコーン樹脂系の封止材料を用いることができる。
第２の封止樹脂３２は、第１の封止樹脂３１と同様に形成すればよい。なお、未硬化の第１の封止樹脂３１と、未硬化の第２の封止樹脂３２とが混合するのを抑制するため、第２の封止樹脂３２の形成は、第１の封止樹脂３１を硬化させたのちに行うのが好ましい。

ここで、第１の封止樹脂３１と第２の封止樹脂３２とを用いる理由を説明する。
熱伝導性基板２１は、例えば厚さが１ｍｍの銅であれば、容易に厚さ方向に曲げることができる。このため、照明装置１０の使用状況によっては、熱伝導性基板２１を変形させて用いてもよい。
そこで、熱伝導性基板２１を変形させた場合でも、硬質で、剛性に優れた第１の封止樹脂３１で、半導体発光素子チップ６４およびボンディングワイヤ６５を固定しているので、半導体発光素子チップ６４およびボンディングワイヤ６５に応力がかかることが抑制される。一方、第１の封止樹脂３２に比べ軟質で、柔軟性に優れた第２の封止樹脂３２で封止された半導体発光素子チップ６４間は、熱伝導性基板２１の変形に追随して、変形することができる。
すなわち、熱伝導性基板２１を変形して（曲げて）使用しても、硬質で、剛性に優れた第１の封止樹脂３１で覆われている半導体発光素子チップ６４およびボンディングワイヤ６５の部分は変形せず、半導体発光素子チップ６４は安定に動作する。一方、第１の封止樹脂３１に比べ軟質である第２の封止樹脂３２は、熱伝導性基板２１の変形（曲げ）に柔軟に追随し、熱伝導性基板２１を曲げることに対する妨げにならない。
このように、熱伝導性基板２１を柔軟に曲げて使用することができる。
なお、熱伝導性基板２１を曲げて使用することがない場合は、第２の封止樹脂３２を使用することなく、第１の封止樹脂３１のみで、半導体発光素子チップ６４、ボンディングワイヤ６５および開口２６ｅ、２６ｆ、２６ｇを封止してもよい。

図１（ｂ）に示したように、本実施の形態において、半導体発光素子チップ６４は、熱伝導性基板２１の凸部２１ａ上にある。そして、配線基板２２ａおよび２２ｂの厚さは、凸部２１ａの高さより小さい。よって、凸部２１ａ上に設けられた半導体発光素子チップ６４が発光層１５０から側方に発する光は、配線基板２２ａおよび２２ｂによって妨げられない。すなわち、凸部２１ａの表面は、配線基板２２ａおよび２２ｂの表面を含む面と同じまたは配線基板２２ａおよび２２ｂの表面を含む面から突出していることが好ましい。

次に、図１を参照しつつ、照明装置１０の動作を説明する。
照明装置１０において、熱伝導性基板２１の凸部２１ａの表面２１ｂ上に搭載された複数の半導体発光素子チップ６４は、配線基板２２ａおよび２２ｂの導体パターン２３ｂ、２３ｃ、２３ｄを介して直列に接続されている。例えば、図１において、半導体発光素子チップ６４−１のｐ電極２１０（「ｐ」）は、配線基板２２ａの導体パターン２３ｃに接続され、ｎ電極２４０（「ｎ」）は、配線基板２２ｂの導体パターン２３ｄに接続されている。そして、配線基板２２ｂの導体パターン２３ｄには、半導体発光素子チップ６４−２のｐ電極２１０（「ｐ」）が接続されている。半導体発光素子チップ６４−２のｎ電極２４０（「ｎ」）は導体パターン２３ｂに接続されている。導体パターン２３ｂには、半導体発光素子チップ６４−３のｐ電極２１０（「ｐ」）が接続されている。このように、半導体発光素子チップ６４−１〜６４−９は、ｐ電極２１０とｎ電極２４０とを互いに接続されている。すなわち、半導体発光素子チップ６４−１〜６４−９は直列に接続されている。
これにより、配線基板２２ａの導体パターン２３ｃの開口２６ｃを正とし、配線基板２２ｂの開口２６ｃを負として、電流源（不図示）に接続すると、半導体発光素子チップ６４−１〜６４−９に対して同じ値の順方向電流が流れる。
ここでは、照明装置１０の複数の半導体発光素子チップ６４が直列に接続されているとしたが、複数の半導体発光素子チップ６４がそれぞれ、半導体発光素子チップ６４を並列に複数設けたものであってもよい。このとき、各半導体発光素子チップ６４に流れる電流は、配線基板２２ａの開口２６ｃから、配線基板２２ｂの開口２６ｃへと流れる電流値を、並列に設けた半導体発光素子チップ６４の数で割った値となる。

上述したように、半導体発光素子チップ６４は、熱伝導性に優れた熱伝導性基板２１上に接着固定されている。これにより、半導体発光素子チップ６４が発する熱は、熱伝導性基板２１に熱伝導により放熱される。よって、本実施の形態では、半導体発光素子チップ６４の発熱を効率よく放熱できる。また、熱伝導性基板２１は連続して製造することができるので、安価な照明装置１０とすることができる。

次に、配線基板２２ａおよび２２ｂの使用方法についてさらに説明する。
熱伝導性基板２１の長手方向の大きさは、例えば１５０ｍｍである。すると、１５０ｍｍを超える大きさの照明装置１１を実現するには、図１に示した照明装置１０を複数用いることになる。このとき、複数の照明装置１０により容易に照明装置１１が構成できることが好ましい。これには、照明装置１１を構成するそれぞれの照明装置１０の配線基板２２ａおよび２２ｂが、簡易な方法で電気的に接続されることが好ましい。

図６は、２個の照明装置１０から構成される照明装置１１を示す図である。ここでは、図中右側を照明装置１０ａとし、左側を照明装置１０ｂとする。照明装置１０ａおよび１０ｂは、図１に示した照明装置１０であるとする。よって、照明装置１０ａおよび１０ｂについては詳細な説明を省略し、照明装置１０ａおよび１０ｂの電気的な接続関係を説明する。

まず、照明装置１０ａおよび１０ｂの配線基板２２ａおよび２２ｂについて説明する。
照明装置１０ａの配線基板２２ａの導体パターン２３ａと導体パターン２３ｃとは、開口２６ａと開口２６ｃとを介して接続配線２７ａで接続されている。照明装置１０ａの配線基板２２ｂについても同様である。さらに、照明装置１０ｂの配線基板２２ａおよび２２ｂにおいても同様である。
次に、照明装置１０ａと照明装置１０ｂとの接続について説明する。
照明装置１０ａの配線基板２２ａの導体パターン２３ａと照明装置１０ｂの配線基板２２ａの導体パターン２３ａとは、照明装置１０ａの配線基板２２ａの開口２６ｂと、照明装置１０ｂの配線基板２２ａの開口２６ａとを介して、接続配線２７ｂで接続されている。
同様に、照明装置１０ａの配線基板２２ｂの導体パターン２３ａと照明装置１０ｂの配線基板２２ｂの導体パターン２３ａとは、照明装置１０ａの配線基板２２ｂの開口２６ａと、照明装置１０ｂの配線基板２２ｂの開口２６ｂとを介して、接続配線２７ｃで接続されている。
すなわち、照明装置１０ａおよび照明装置１０ｂのそれぞれの配線基板２２ａの導体パターン２３ａは同電位になるように接続されている。同様に、照明装置１０ａおよび照明装置１０ｂのそれぞれの配線基板２２ｂの導体パターン２３ａも同電位になるように接続されている。

接続配線２７ａ、２７ｂ、２７ｃは、開口２６ａ、２６ｂ、２６ｃにおいて、導体パターン２３ａ、２３ｃに、銅などの板状または棒状の金属片をハンダなどで固定したものであってよい。また、接続配線２７ａ、２７ｂ、２７ｃは、ボンディングワイヤであってもよい。

照明装置１０ａの配線基板２２ａの導体パターン２３ａに、開口２６ａを介して電流源（不図示）の正の端子を接続し、照明装置１０ｂの配線基板２２ｂの導体パターン２３ａに、開口２６ａを介して電流源の負の端子を接続する。電流源から、照明装置１０ａに搭載された複数の半導体発光素子チップ６４に直列に電流が供給される。同時に、電流源から照明装置１０ｂに搭載された複数の半導体発光素子チップ６４に直列に電流が供給される。すなわち、照明装置１０ａおよび照明装置１０ｂは並列に駆動される。
なお、照明装置１１は照明装置１０ａおよび照明装置１０ｂの２個で構成されるとしたが、３個以上であってもよい。
また、照明装置１０ａおよび照明装置１０ｂは並列に駆動されるとしたが、複数の照明装置１０の一部を直列に接続してもよい。導体パターン２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄの接続の関係を変えることにより、多様な組み合わせに対応できる。

例えば、半導体発光素子チップ６４の順方向電位Ｖｆが２Ｖであって、直列に接続した半導体発光素子チップ６４の数を２３とすれば、電流源は４６Ｖを供給すればよい。
電流源が供給する電流は、半導体発光素子チップ６４に流す電流による。例えば、１個の半導体発光素子チップ６４に流れる電流が１００ｍＡであって、照明装置１１が並列に駆動される２個の照明装置１０からなる場合は、２００ｍＡとなる。４個の照明装置１０からなる場合は、電流源が供給する電流は４００ｍＡとなる。
また、図６に示した半導体発光素子チップ６４が並列に配置された複数の半導体発光素子チップ６４からなる場合には、並列に配置された半導体発光素子チップ６４の個数に比例して、電流源が供給する電流を増加させればよい。

本実施の形態に示す配線基板２２ａおよび２２ｂは、図３に示したように、配線基板２２ａおよび２２ｂの長手方向に沿って設けられた導体パターン２３ａを有することから、複数の照明装置１０を簡易に接続することができる。

（第２の実施の形態）
第１の実施の形態では、ベアチップである半導体発光素子チップ６４を熱伝導性基板２１の凸部２１ａに搭載した。第２の実施の形態では、それぞれが半導体発光素子チップ６４を搭載した複数の発光素子パッケージ２０を熱伝導性基板２１の凸部２１ａに搭載する。
図７は、第２の実施の形態が適用される照明装置１０の一例を示す図である。照明装置１０は、第１の実施の形態における照明装置１０と同様に、一方の表面に、一体に形成された凸部２１ａを有する熱伝導性基板２１と、凸部２１ａの表面２１ｂに設けられた複数の半導体発光部品の一例としての発光素子パッケージ２０と、熱伝導性基板２１の凸部２１ａ以外の表面２１ｃに接着層２４（図１（ｂ）参照）を介して設けられた配線基板２２ａおよび２２ｂとを備えている。発光素子パッケージ２０は、後述する図８に示すように複数の半導体発光素子チップ６４（半導体発光素子チップ６４ａ、６４ｂ、６４ｃ、６４ｄをそれぞれ区別しないときは半導体発光素子チップ６４と表記する。）を搭載している。そして、熱伝導性基板２１と一体に形成された凸部２１ａは、熱伝導性基板２１の長手方向に連続して構成され、その表面２１ｂは、発光素子パッケージ２０が搭載可能な幅を有している。なお、本実施の形態における熱伝導性基板２１では、凸部２１ａの側面にスリットを設けていない。
以下では、第２の実施の形態が適用される照明装置１０において、第１の実施の形態と異なる部分を中心に説明し、同様な部分は、同じ符号を付して、詳細な説明を省略する。

熱伝導性基板２１は、例えば上面から見た形状が矩形の板状であって、熱伝導性に優れた材料により構成されている。そして、熱伝導性基板２１と一体に形成された凸部２１ａの表面２１ｂは、発光素子パッケージ２０が搭載可能な幅を有している。他の構成は、第１の実施の形態における熱伝導性基板２１と同様である。

配線基板２２ａおよび２２ｂは、第１の実施の形態における配線基板２２ａおよび２２ｂと同様に、例えば短冊状である。本実施の形態でも、配線基板２２ａおよび配線基板２２ｂは、同じ構成であるので、以下では配線基板２２ａについて説明する。
配線基板２２ａは、導体パターン２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ、２３ｅを備えている。
導体パターン２３ａは、帯状であって、配線基板２２ａの長辺側に沿って、配線基板２２ａの一端部から他端部まで繋がって設けられている。一方、Ｅ字状の導体パターン２３ｂと２３ｅとが、横にした「Ｅ」が互いにかみ合うように交互に、相互に接続されることなく、導体パターン２３ａの長手方向と並行するように、列状に複数設けられている。なお、列状に設けられた複数の導体パターン２３ｂおよび２３ｅの列の両端部は、ともに導体パターン２３ｂとなっている。
さらに、複数の導体パターン２３ｂおよび２３ｅの列を挟むように、それぞれの一端部がコ字状となった短冊状の導体パターン２３ｃおよび２３ｄが設けられている。導体パターン２３ｃおよび２３ｄも長手方向が、導体パターン２３ａの長手方向に並行するように、設けられている。

配線基板２２ａの導体パターン２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ、２３ｅの表面および配線基板２２ａの導体パターン２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ、２３ｅが設けられていない部分は、図示しないレジスト膜２６で覆われている。
そして、レジスト膜２６には、導体パターン２３ａ、２３ｃ、２３ｄの一部を露出させた開口２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄが設けられている。さらに、レジスト膜２６には、発光素子パッケージ２０のリード部６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ、６２ｅ、６２ｆ（後述する図８参照）と、導体パターン２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ、２３ｅとを接続するために、図示しない開口が設けられている。
具体的に説明すると、導体パターン２３ａの両端部に開口２６ａおよび２６ｂが設けられている。導体パターン２３ｃの長手方向の一端部に開口２６ｃが設けられ、導体パターン２３ｄの長手方向の一端部に開口２６ｄが設けられている。

発光素子パッケージ２０は、半導体発光素子チップ６４を搭載する搭載部６３（後述する図８参照）において、熱伝導性基板２１の凸部２１ａに接着固定されている。
そして、発光素子パッケージ２０のリード部６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ、６２ｅ、６２ｆは、導体パターン２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ、２３ｅと接続されている。
発光素子パッケージ２０のリード部６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ、６２ｅ、６２ｆは、搭載された半導体発光素子チップ６４のｐ電極２１０およびｎ電極２４０との接続関係により、ｐ側（図７では「ｐ」と記載する。）、ｎ側（図７では「ｎ」と記載する。）が定められている。

図８は、発光素子パッケージ２０の一例を示す図である。図８（ａ）は発光素子パッケージ２０の上面図、図８（ｂ）は発光素子パッケージ２０の図８（ａ）のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線での断面図を示している。

この発光素子パッケージ２０は、平面状に形成された開口部７１に凹部６１ａが形成された樹脂容器６１、樹脂容器６１と一体化した６個のリード部６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ、６２ｅ、６２ｆおよび搭載部６３と、搭載部６３に搭載された４個の半導体発光素子チップ６４ａ、６４ｂ、６４ｃ、６４ｄとを備えている。

樹脂容器６１は、リード部６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ、６２ｅ、６２ｆおよび搭載部６３に、白色顔料が含有された熱可塑性樹脂（以下の説明では白色樹脂と呼ぶ）を射出成型することによって形成されている。
また、ハンダリフローなどの温度がかかる工程に対応できるよう、白色樹脂は、耐熱性が十分考慮された材質が選定されている。基材となる樹脂としてはＰＰＡ（ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ）が最も一般的であるが、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、ポリスチレンなどでもよい。中でも、本実施の形態では、ＰＰＡとして、ジアミンとイソフタル酸またはテレフタル酸との共重合体であるナイロン４Ｔ、ナイロン６Ｔ、ナイロン６Ｉ、ナイロン９Ｔ、ナイロンＭ５Ｔが特に好ましく用いることができる。

樹脂容器６１に設けられる凹部６１ａは、矩形を有する底面７０と、同じく矩形状を有する開口部７１と、底面７０の周縁から開口部７１に向けて立ち上がる壁面８０とを備えている。ここで、底面７０は、凹部６１ａに露出するリード部６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ、６２ｅ、６２ｆおよび搭載部６３との間の隙間の樹脂容器６１の白色樹脂とによって構成されている。一方、壁面８０は、樹脂容器６１を構成する白色樹脂によって構成されている。なお、底面７０の形状については、円形、矩形、楕円形、多角形のいずれでもよい。また、開口部７１の形状については、円形、矩形、楕円形、多角形のいずれでもよく、底面形状と同一でもよい。

半導体発光素子チップ６４ａ、６４ｂ、６４ｃ、６４ｄは、凹部６１ａの底面７０に配設された搭載部６３に、シリコーン樹脂またはエポキシ樹脂からなるダイボンド剤で接着され、固定されている。
そして、発光素子パッケージ２０は、図８（ａ）に示すように、半導体発光素子チップ６４ａのｐ電極２１０が、「ｐ」と記載するリード部６２ａに、半導体発光素子チップ６４ａのｎ電極２４０が、「ｎ」と記載するリード部６２ｂに、ボンディングワイヤ６５により接続されている。同様に、半導体発光素子チップ６４ｂのｐ電極２１０が、「ｐ」と記載するリード部６２ｃに、半導体発光素子チップ６４ｂのｎ電極２４０が、「ｎ」と記載するリード部６２ｂに、ボンディングワイヤ６５により接続されている。半導体発光素子チップ６４ｃのｐ電極２１０が、「ｐ」と記載するリード部６２ｅに、半導体発光素子チップ６４ｃのｎ電極２４０が、「ｎ」と記載するリード部６２ｄに、ボンディングワイヤ６５により接続されている。半導体発光素子チップ６４ｄのｐ電極２１０が、「ｐ」と記載するリード部６２ｅに、半導体発光素子チップ６４ｄのｎ電極２４０が、「ｎ」と記載するリード部６２ｆに、ボンディングワイヤ６５により接続されている。
すなわち、リード部６２ｂは、半導体発光素子チップ６４ａ、６４ｂのｎ電極２４０が共通に接続される。リード部６２ｅは、半導体発光素子チップ６４ｃ、６４ｄのｐ電極２１０が共通に接続される。そして、発光素子パッケージ２０は、図８（ａ）の左側に示すリード部６２ａ、６２ｂ、６２ｃが「ｐ」「ｎ」「ｐ」の順になっているのに対し、図８（ａ）の右側のリード部６２ｄ、６２ｅ、６２ｆが、「ｎ」「ｐ」「ｎ」の順になっていて、「ｐ」と「ｎ」との関係が逆になっている。

ここで、リード部６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ、６２ｅ、６２ｆおよび搭載部６３は、０．１〜０．５ｍｍ程度の厚みをもつ金属板であり、銅合金等の金属をベースとし、その表面には銀メッキが施されることによって銀メッキ層が形成されている。すなわち、搭載部６３は熱伝導性に優れた金属で構成されている。

なお、４個の半導体発光素子チップ６４は、図４および図５に示した半導体発光素子チップ６４と同様なものであって、すべてが同じ波長領域の光を発するものであってもよい。また、４個の半導体発光素子チップ６４は、異なる波長領域の光を発するものであってもよい。
さらに、半導体発光素子チップ６４の数は、４個に限定されることなく、４個より少ない数でもよく、４個より多い数でもよい。

発光素子パッケージ２０の樹脂容器６１の開口部７１は、樹脂容器６１の表面６１ｂに設けたシール層６６に接着された透明部材６７で覆われている。透明部材６７は、半導体発光素子チップ６４の発する光の透過性が高いものであればよく、ガラス、アクリル樹脂などを用いることができる。
なお、シール層６６を介して透明部材６７で開口部７１を覆う代わりに、第１の実施の形態における第１の封止樹脂３１または／および第２の封止樹脂３２により、半導体発光素子チップ６４およびボンディングワイヤ６５を覆って封止してもよい。

ここで、図７および図８により、照明装置１０の動作を説明する。
配線基板２２ａの開口２６ｃを正に、開口２６ｄを負に設定することで、複数の発光素子パッケージ２０に搭載された半導体発光素子チップ６４に直列に電流が流れるようになっている。
以下では、具体的に説明する。
第２の実施の形態では、図７に示すように、複数（図７では８個）の発光素子パッケージ２０が、隣接する発光素子パッケージ２０間で向きが互い違いになるように配列されている。なお、以下において、８個の発光素子パッケージ２０を区別するときは、発光素子パッケージ２０−１〜２０−８と表記する。
すなわち、図７に示すように、照明装置１０の８個の発光素子パッケージ２０−１〜２０−８は、図７中右から順に、リード部６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ、６２ｅ、６２ｆの向きを交互に変えて配列されている。
これにより、配線基板２２ａの導体パターン２３ｃは、発光素子パッケージ２０−１のリード部６２ｅ（「ｐ」）に接続され、半導体発光素子チップ６４ｃおよび６４ｄのそれぞれのｐ電極２１０に接続される。半導体発光素子チップ６４ｃおよび６４ｄのそれぞれのｎ電極２４０は、リード部６２ｄおよび６２ｆ（「ｎ」）に接続され、配線基板２２ａの導体パターン２３ｂを介して、発光素子パッケージ２０−２のリード部６２ａおよび６２ｃ（「ｐ」）に接続され、発光素子パッケージ２０−２の半導体発光素子チップ６４ａおよび６４ｂのｐ電極２１０に接続されている。そして、発光素子パッケージ２０−２の半導体発光素子チップ６４ａおよび６４ｂのｎ電極２４０が、配線基板２２ａの導体パターン２３ｅを介して、発光素子パッケージ２０−３の半導体発光素子チップ６４ｃおよび６４ｄのｐ電極２１０に接続されている。
そして、発光素子パッケージ２０−８の半導体発光素子チップ６４ａおよび６４ｂのｎ電極２４０が接続されたリード部６２ｂが、配線基板２２ａの導体パターン２３ｄに接続される。
よって、配線基板２２ａの導体パターン２３ｃを正とし、配線基板２２ａの導体パターン２３ｄを負とするように電流源（不図示）に接続すれば、発光素子パッケージ２０−１〜２０−８の半導体発光素子チップ６４を順方向に電流が流れ、半導体発光素子チップ６４が発光する。

すなわち、発光素子パッケージ２０−１の半導体発光素子チップ６４ｃと６４ｄとが並列に接続され、発光素子パッケージ２０−２の半導体発光素子チップ６４ａと６４ｂとが並列に接続されている。そして、発光素子パッケージ２０−１の並列に接続された半導体発光素子チップ６４ｃと６４ｄと、発光素子パッケージ２０−２の並列に接続された半導体発光素子チップ６４ａと６４ｂとが、直列に接続されている。
このようにして、発光素子パッケージ２０−１〜２０−８のそれぞれの並列に接続された半導体発光素子チップ６４ａと６４ｂとのペアまたは半導体発光素子チップ６４ｃと６４ｄとのペアが、直列に接続されている。２個の半導体発光素子チップ６４ａおよび６４ｂ（半導体発光素子チップ６４ｃおよび６４ｄ）のペアが８段直列に接続されていることになる。

配線基板２２ｂにおいても同様であって、発光素子パッケージ２０−１の半導体発光素子チップ６４ａと６４ｂとが並列に接続され、発光素子パッケージ２０−２の半導体発光素子チップ６４ｃと６４ｄとが並列に接続されている。そして、発光素子パッケージ２０−１の並列に接続された半導体発光素子チップ６４ａと６４ｂと、発光素子パッケージ２０−２の並列に接続された半導体発光素子チップ６４ｃと６４ｄとが、直列に接続されている。

上述したように、半導体発光素子チップ６４ａ、６４ｂ、６４ｃ、６４ｄは、熱伝導性に優れた発光素子パッケージ２０の搭載部６３に搭載され、搭載部６３は熱伝導性基板２１上に接着固定されている。これにより、半導体発光素子チップ６４が発する熱は、搭載部６３を介して熱伝導性基板２１に熱伝導により放熱される。よって、本実施の形態では、半導体発光素子チップ６４の発熱を効率よく放熱できる。また、熱伝導性基板２１は連続して製造することができるので、安価な照明装置１０とすることができる。

第２の実施の形態においても、複数の照明装置１０を、第１の実施の形態において示したと同様、相互に接続することにより、熱伝導性基板２１の長手方向の大きさによって制限を受けない照明装置を構成することができる。

なお、配線基板２２ａおよび２２ｂの導体パターン２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ、２３ｅの形状は、図７に示した形状に限定されず、変更して用いることができる。
さらに、照明装置１０に搭載する発光素子パッケージ２０の個数は８個に限定されず、変更して用いることができる。

１０、１１…照明装置、２０…発光素子パッケージ、２１…熱伝導性基板、２１ａ…凸部、２２ａ、２２ｂ…配線基板、２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ、２３ｅ…導体パターン、２４…接着層、２６…レジスト膜、２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄ、２６ｅ…開口、２７ａ、２７ｂ、２７ｃ…接続配線、３１…第１の封止樹脂、３２…第２の封止樹脂、６１…樹脂容器、６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ、６２ｅ、６２ｆ…リード部、６４、６４−１〜６４−９、６４ａ、６４ｂ、６４ｃ、６４ｄ…半導体発光素子チップ、６５…ボンディングワイヤ、１１０…基板、１２０…中間層、１３０…下地層、１４０…ｎ型半導体層、１４０ｃ…半導体層露出面、１５０…発光層、１６０…ｐ型半導体層、１７０…透明正極、１８０…保護層、２１０…ｐ電極、２４０…ｎ電極

Claims (9)

1. 一方の表面に、長手方向に連続する一体成型された凸部を備えた矩形の熱伝導性基板と、
   前記凸部上に搭載された複数の半導体発光部品と、
   前記熱伝導性基板の前記一方の表面上に、前記凸部に隣接して設けられ、前記半導体発光部品に電力を供給するための配線が設けられた配線基板と
   を備えた照明装置。
2. 前記熱伝導性基板は、前記凸部の側面に、前記配線基板の一部が挿入しうる隙間を備えていることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
3. 前記熱伝導性基板の前記凸部の表面は、当該熱伝導性基板上に設けられた前記配線基板の表面を含む面と同じまたは当該配線基板の表面を含む面から突出していることを特徴とする請求項１または２に記載の照明装置。
4. 前記複数の半導体発光部品のそれぞれは、前記配線基板に設けられた前記配線と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の照明装置。
5. 前記複数の半導体発光部品は、複数の半導体発光素子チップであって、当該複数の半導体発光素子チップの配列に沿って、当該半導体発光素子チップが、封止樹脂で覆われていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の照明装置。
6. 前記複数の半導体発光素子チップのそれぞれは、ボンディングワイヤによって、前記配線基板に設けられた配線と接続され、前記封止樹脂は当該ボンディングワイヤを含んで当該半導体発光素子チップを個別に覆う第１の封止樹脂と、当該半導体発光素子チップ間を覆う当該第１の封止樹脂に比べ軟質の第２の封止樹脂とを備えることを特徴とする請求項５に記載の照明装置。
7. 前記熱伝導性基板は、金属であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の照明装置。
8. 前記配線基板は、ガラスエポキシ板に配線を設けたものであることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の照明装置。
9. 前記配線基板は、熱伝導性の接着剤によって、前記熱伝導性基板の前記一方の表面に接着固定されていることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の照明装置。

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