KR20110096601A - 다수의 이미터가 정렬된 구성을 갖는 패키지 - Google Patents

다수의 이미터가 정렬된 구성을 갖는 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR20110096601A
KR20110096601A KR1020117018868A KR20117018868A KR20110096601A KR 20110096601 A KR20110096601 A KR 20110096601A KR 1020117018868 A KR1020117018868 A KR 1020117018868A KR 20117018868 A KR20117018868 A KR 20117018868A KR 20110096601 A KR20110096601 A KR 20110096601A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lead frame
light emitting
casing
led
emitter
Prior art date
Application number
KR1020117018868A
Other languages
English (en)
Inventor
치 킁 알렉스 챈
유에 콩 빅토르 라우
수안 왕
데이비드 에머슨
Original Assignee
크리 후이저우 옵토 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 크리 후이저우 옵토 리미티드 filed Critical 크리 후이저우 옵토 리미티드
Publication of KR20110096601A publication Critical patent/KR20110096601A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

컬러 재현성 및 방열 기능을 높이고, 전류 제어를 향상시키며, 패키지 어셈블리의 견고성을 향상시킨 다수 요소 이미터 패키지를 제공한다. 일실시예에서, 이미터 패키지는 면 실장 소자를 포함하며, 케이싱은 제1 주 면으로부터 케이싱의 안쪽으로 연장하는 캐비티를 포함한다. 리드 프레임이 케이싱에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸여 있고, 리드 프레임은 발광 소자(LED)의 선형 어레이를 유지하는 다수의 전기 전도성 부분을 포함한다. 전기 전도성 부분은 연결 패드를 갖는 LED를 유지하는 부분과 분리되어 있다. LED는 와이어 본드 등에 의해 연결 패드에 전기적으로 결합된다. 이러한 리드 프레임 구성에 의해, 각각의 전기적 신호가 LED의 각각에 인가될 수 있다. 이미터 패키지는 실질적으로 방수가 될 수 있으며, 이미터 패키지의 어레이는 실내 및/또는 실외 LED 스크린과 같은 LED 디스플레이에 사용될 수 있다.

Description

다수의 이미터가 정렬된 구성을 갖는 패키지{ALIGNED MULTIPLE EMITTER PACKAGE}
본 발명은 멀티 이미터 패키지에 관한 것으로서, 구체적으로는 발광의 균일성(emission uniformity)을 향상시키도록 정렬된 다수의 이미터를 갖는 면 실장 패키지(surface mount package)에 관한 것이다.
최근, 발광 다이오드(LED) 기술에서 큰 진보가 이루어짐에 따라, 휘도 및 컬러 재현성을 향상시킨 LED가 출시되고 있다. 이처럼 LED 기술이 향상되고 이미지 처리 기술이 개선됨에 따라, 대형의 풀 컬러 LED 비디오 스크린이 시판되어, 현재는 일반적으로 사용되고 있다. 대형의 LED 디스플레이는 전형적으로 인접하는 픽셀 간의 거리, 즉 "픽셀 간격"(pixel pitch)에 의해 정해지는 이미지 해상도를 제공하는 개별의 LED 패널의 조합을 포함한다.
더 먼 거리에서 볼 수 있도록 한 실외 디스플레이는 상대적으로 큰 픽셀 간격을 가질 수 있으며, 이산적인 LED 어레이를 포함하는 것이 일반적이다. 이산적인 LED 어레이에서, 개별적으로 설치된 적색, 녹색 및 청색 LED의 클러스터를 구동시켜서, 풀 컬러 픽셀로서 시청자에게 보이는 화면을 형성할 수 있다. 한편, 3밀리미터(mm) 이하의 더 짧은 픽셀 간격을 요구하는 실내 스크린은, 각각 픽셀을 형성하는, 다수의 면 실장 소자(surface mount device)(예를 들어, 하나 또는 둘 이상의 SMD) 또는 다른 유형의 이미터 패키지(emitter package)를 갖는 패널을 포함할 수 있다. 각각의 이미터 패키지는 발광된 광이 조합되어 원하는 파장 또는 컬러의 광을 생성하는 적색, 녹색 및 청색 LED를 포함할 수 있다.
실내 디스플레이와 실외 디스플레이 모두 상당한 범위의 축이탈 각도(off-axis angle), 예를 들어 최대 145°또는 그 이상의 각도로 볼 수 있도록 된 것이 전형적이다. 종래의 일부 이미터 패키지에 있는 LED는 상이한 시야각에서 상이한 발광 특징을 나타낸다. 이러한 패키지의 LED는 패키지의 중심 또는 그 부근에서 클러스터(cluster) 형태로 정렬될 수 있기 때문에, 상이한 시야각이라면, 시청자에 가장 가까이 있는 특정의 LED가 더 현저하게 발광을 할 수 있다. 예를 들어, 적색 LED가 시청자에 가장 근접하게 되는 각도로 패키지를 시청한다면, 이 적색 LED는 패키지가 똑바로 보일 때보다 더 현저하게 발광을 할 것이다. 이와 똑같은 일이 청색 LED와 녹색 LED에도 발생한다. 따라서, 패키지에 의해 생성된 컬러는 시야각에 따라 다른 것으로 인식될 수 있다.
종래의 이미터 패키지는 또한 시야각에 증가함에 따라 컬러 재현성이 인지가능한 정도도 손상을 받을 수 있다. 게다가, 각 이미터 패키지의 재료 및/또는 LED를 패키지 내에 실장하는 데에 사용되는 재료는 반사 특성을 가질 수 있는데, 이러한 반사 특성은 바람직하지 않은 광 반사 및/또는 섬광(glare)에 의해 컬러 재현성을 더 감소시킬 수 있다.
면 실장 소자(SMD) 등의 이미터 패키지는, 집적 회로를 포함하는지 여부와 다이오드 또는 파워 트랜지스터 등의 개별 부품을 포함하는지 여부에 따라, 특히 고전력의 장치 내에서 상당한 열을 발생시킬 수 있다. 이러한 열은 전형적으로 부품이 조기에 고장이 나는 것(premature failure)을 방지하기 위해 방열(dissipate)시킬 필요가 있다. 이것은 능동 회로 또는 부품의 접합 면의 동작 온도를 목표로 하는 온도(예를 들어, 110℃) 이하로 유지하기에 충분한 열을 방열시키기 위해 추가의 열 관리 부품을 필요로 한다. 전도 열 전달(conduction heat transfer)을 포함하는 다양한 열 관리 전략이 일반적으로 사용된다. 전자 패키지 내의 열을 방열하기 위한 전도 열 전달을 구현하기 위한 한가지 종래의 방법은 열을 소자의 리드(lead)를 따라 전도되도록 하는 것이다. 그러나, 리드는 효과적인 열 방출을 제공하기에 충분한 용적 또는 노출된 표면 면적을 갖지 못한다. 예를 들어, 주로 전자기 스펙트럼의 가시 부분에서 광을 방출하는 고밀도의 LED는, 이러한 종래의 기술을 사용해서 방열하기 어려운 많은 양의 열을 발생시킬 수 있다.
본 발명은 상이한 시야각에서도 컬러 발광 균일성을 향상시킨, 이미터 패키지의 리드 프레임, 이미터 패키지 및 LED 스크린을 제공한다. 본 발명은 또한 패키지 내의 이미터의 전류 제어, 패키지 어셈블리의 견고성(rigidity), 및 방수 패키지 작동을 향상시킨 이미터 패키지를 제공한다.
본 발명의 일실시예는, 하나 이상의 발광 소자(emitting device)에 전기적으로 결합되어 하나 이상의 발광 소자를 유지하는 부착 패드(attach pad)를 각각 갖는 다수의 전기 전도성의 캐소드 부분(electrically conductive cathode part)을 포함하는 다수의 이미터 패키지(emitter package)를 위한 전기 전도성 리드 프레임(electrically conductive lead frame)을 제공한다. 본 발명의 리드 프레임은 또한 하나 이상의 발광 소자에 전기적으로 연결되도록 배치된 연결 패드(connection pad)를 각각 구비하며, 캐소드 부분과 분리되어 있고 캐소드 부분에 대응하는 다수의 전기 전도성의 애노드 부분(electrically conductive anode part)을 포함한다. 부착 패드와 연결 패드는 발광 소자를 선형으로 정렬되도록 유지하도록 배치된다.
본 발명에 의한 이미터 패키지의 일실시예는, 케이싱과, 케이싱의 상면으로부터 케이싱의 안쪽으로 연장하는 캐비티를 구비한다. 또한, 본 발명의 이미터 패키지는 케이싱과 일체로 형성된 리드 프레임을 제공하며, 리드 프레임은 캐비티로부터 발광하는 다수의 발광 소자가 선형으로 정렬되도록 유지하는 전도성 부분을 포함한다. 리드 프레임은 또한 리드 프레임을 통해 발광 소자에 전기적 신호가 인가되도록 한다.
본 발명에 의한 발광 소자 디스플레이의 일실시예는 이미터 패키지의 어레이를 유지하는 기판을 포함한다. 각각의 이미터 패키지는 선형으로 정렬된 발광 소자와 케이싱을 포함한다. 발광 소자 디스플레이는 이미터 패키지의 어레이에 전원을 선택적으로 공급하여 디스플레이 상에 가시 이미지를 생성하도록 전기적으로 연결된 구동 회로를 포함한다.
본 발명의 이들 및 다른 특징과 장점에 대해서는, 첨부 도면과 이하의 상세한 설명으로부터 당업자에게 명백할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 면 실장 소자의 사시도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 실시예의 평면도이다.
도 3은 도 1의 실시예를, 도 2의 라인 3-3을 따라 절취한 단면도이다.
도 4는 도 1에 나타낸 실시예의 저면도이다.
도 5는 도 1에 나타낸 실시예의 좌측면도로서, 오른쪽은 실질적으로 유사하다.
도 6은 도 1에 나타낸 실시예의 정면도로서, 뒷면은 실질적으로 유사하다.
도 7은 도 1의 소자에 사용될 수 있는, 본 발명의 실시예에 의한 리드 프레임을 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7에 나타낸 리드 프레임의 측면도이다.
도 9는 도 8의 리드 프레임을, 라인 9-9를 따라 절취하고 리드 프레임 관통 구멍을 나타내는 단면도이다.
도 10은 도 8의 리드 프레임을, 라인 10-10을 따라 절취하고 리드 프레임 V자형 홈을 나타내는 단면도이다.
도 11은 도 3에 나타낸 라인을 따라, 본 발명에 의한 면 실장 소자의 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 12는 도 11에 나타낸 실시예의 저면도이다.
도 13은 도 11에 나타낸 실시예의 단부 입면도이다.
도 14는 본 발명에 의한 면 실장 소자의 실시예의 치수를 나타낸 상면도이다.
도 15는 도 1에 나타낸 실시예의 정면도로서, 뒷면은 실질적으로 유사하다.
도 16은 도 15에 나타낸 실시예의 치수를 나타낸 정면도이다.
도 17은 본 발명의 실시예에 의한 면 실장 소자를 포함하는 LED 디스플레이 스크린의 일부를 나타내는 정면도이다.
본 발명은 패키지 내에 이미터(emitter)를 선형으로 정렬시킴으로써, 패키지가 상이한 시야각(viewing angle)에서도 컬러 균일성(color uniformity)을 향상시킨 광을 발광할 수 있는 멀티 이미터 패키지(multi emitter package)용의 구조체를 제공한다. 일실시예에서, 이미터는 수직 방향으로 정렬되는데, 다른 응용 예에서는 이미터를 수평 방향으로 정렬시키거나 각도를 두고 정렬시키는 것도 가능하다는 것을 알 수 있을 것이다. 일부 실시예에서, 패키지는 패키지 내의 이미터의 각각이 자신의 전기적 신호(electrical signal)에 의해 구동될 수 있는 리드 프레임 구조체(lead frame structure)를 포함할 수 있다. 이에 의하면, 이미터 패키지에 의해 발광되는 광의 컬러 및 세기에 대한 제어를 향상시킬 수 있다.
본 발명에 의한 이미터 패키지의 일실시예에서, 이미터는 수직 방향으로 정렬되거나 또는 패키지의 중심선 부근에 정렬된 적색, 녹색 및 청색 이미터를 포함함으로써, 적색, 녹색 및 청색 컬러의 시야각이 서로 일치(coincide)하도록 할 수 있다. 이에 의하면, 이미터 패키지의 컬러가, 이미터를 클러스터 형태로 포함하는 종래의 패키지에 비해, 상이한 시야각에서도 더 균일하게 보이게 된다. 본 발명에 의한 이미터 패키지는 또한 패키지의 방수 기능을 유지할 수 있도록 하는 리드 프레임(lead frame) 및 케이싱(casing)을 포함할 수 있으며, 관통 구멍(through hole) 등과 같이 패키지의 견고성을 향상시키는 요소를 포함할 수 있다.
본 발명은 발광 다이오드(LED) 컬러 스크린이나 장식용 조명(decorative lighting) 및 방수(waterproof) 장치를 필요로 하는 많은 상이한 조명 용도로 사용될 수 있는 면 실장 소자(SMD: surface mount device) 등의 여러 타입의 이미터 패키지에도 적용할 수 있다. 발광 다이오드를 이미터로서 사용하는 이미터 패키지의 다른 실시예에 대해서 아래에 설명하고 있지만, 다른 이미터 패키지 실시예에서는 다른 타입의 이미터를 사용할 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다.
어느 요소가 다른 요소의 "위에 있다"거나 "연결되어 있다"거나 "결합되어 있다"거나 "접촉되어 있다"는 것은, 다른 요소와 직접 그렇게 되어 있다는 것뿐만 아니라 또 다른 요소가 개재되어 있는 의미도 포함한다는 것을 이해하여야 한다. 하지만, 어느 요소가 다른 요소의 "직접 위에 있다"거나 "직접 연결되어 있다"거나 "직접 결합되어 있다"거나 "직접 접촉되어 있다"는 것은, 다른 개재의 요소가 존재하지 않는다는 것을 의미한다. 마찬가지로, 제1 요소가 제2 요소와 "전기적으로 접촉되어 있다" 또는 "전기적으로 연결되어 있다"는 것은, 제1 요소와 제2 요소의 사이에 전류의 흐름을 가능하게 하는 전기적 경로가 존재한다는 것을 의미한다. 이러한 전기적 경로는 전도성 요소들 사이에서의 직접적인 접촉이 없어도 전류를 흐를 수 있도록 하는 커패시터, 결합 인덕터 및/또는 그외 다른 요소를 포함할 수 있다.
본 명세서에서, 제1, 제2 라는 용어는 다양한 요소, 부품, 영역 및/또는 섹션을 설명하는 데에 사용하고 있지만, 이러한 요소, 부품, 영역 및/또는 섹션은 이들 용어의 의미로만 제한되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 이들 용어는 하나의 요소, 부품, 영역 또는 섹션을 다른 요소, 부품, 영역 또는 섹션과 구분하기 위한 것일 뿐이다. 따라서, 제1 요소, 부품, 영역 또는 섹션은 본 발명의 범위를 벗어남이 없이, 제2 요소, 부품, 영역 또는 섹션이라고 설명되기도 한다.
본 발명의 실시예는 본 발명의 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도에 관하여 본 명세서에 개시되어 있다. 이와 같이, 부품의 실제 두께는 다를 수 있으며, 제조 기술 및/또는 허용도의 결과로서의 실시예의 형태로부터 변형 예가 가능하다. 본 발명의 실시예는 본 명세서에서 설명하는 영역의 특정의 형태에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 되며, 예를 들어 제조 과정에서 형태의 편차를 포함하는 것에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 정사각형 또는 직사각형으로 도시되거나 설명된 영역은 전형적으로 정상적인 제조 허용 범위에 의해 둥근 또는 만곡된 형태를 가질 수 있다. 따라서, 도면에 나타낸 영역은 그 특성상 개략적이며, 이들의 형태는 소자의 영역의 정확한 형태를 나타내는 것을 의도하고 있지 않으며, 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것이 아니다.
이하의 설명은 바람직한 실시예를 나타낸다. 이하의 설명은 한정의 의미로 해석되어서는 안 되며, 본 발명의 일반적인 원리, 즉 청구범위에 의해 이해될 수 있는 범위를 설명하기 위한 것이다.
도 1 내지 도 8은 면 실장 소자(SMD: surface mount device)(10)를 포함하는 본 발명에 의한 멀티 이미터 패키지(10)의 실시예를 나타낸다. 상기 설명한 바와 같이, 본 발명은 SMD 이외의 다른 타입의 이미터 패키지에도 사용될 수 있다는 것을 알 수 있다. 패키지(10)는 일체형의 리드 프레임(14)을 유지하는 케이싱(casing)(12)을 포함한다. 리드 프레임(lead frame)(14)은 전기적 신호를 패키지의 광 이미터로 전달하고, 이미터에 의해 생성된 열을 방열시키는 데에 사용되는 전기 전도성의 다수의 접속 부분을 포함한다.
리드 프레임(14)은 많은 여러 방식으로 정렬될 수 있으며, 여러 많은 부품이 상이한 패키지 실시예에서 사용될 수 있다. 3개의 이미터를 사용하는 패키지(10)에 대하여 설명한다. 도시한 실시예에서, 리드 프레임은 각각의 이미터가 각각의 전기적 신호에 의해 구동되도록 정렬되어 있다. 따라서, 본 실시예에서는 이미터를 위한 쌍을 이루는 전도성 부분을 포함하는 6개의 전도성 부분이 도시되어 있는데, 이러한 쌍을 이루는 전도성 부분을 통해 각각의 이미터에 전기적 신호가 인가된다. 패키지(10)에 대하여, 이러한 전도성 부분은, 이미터 부착 패드(emitter attach pad)를 각각 갖는 제1 애노드 부분(16), 제2 애노드 부분(18) 및 제3 애노드 부분(20)과 제1 캐소드 부분(22), 제2 캐소드 부분(24) 및 제3 캐소드 부분(26)(도 7에 잘 도시되어 있음)을 포함한다.
케이싱(12)은 여러 가지 많은 형태와 사이즈를 가질 수 있으며, 도시된 실시예에서는 전체적으로 정사각형 또는 직사각형으로 되어 있으며, 상면(28), 하면(30), 측면(32, 34) 및 단부 면(36, 38)을 포함한다. 케이스의 상부는 케이싱(12)의 본체 내의 상면(28)으로부터 리드 프레임(14)까지 연장하는 리세스(recess) 또는 캐비티(cavity)(40)를 더 포함한다. 이미터는 리드 프레임 상에 정렬되는데, 이미터로부터의 광이 패키지(10)로부터 캐비티(40)를 통해 발광되도록 정렬된다. 일부 실시예에서는, 캐비티(40)의 측면 또는 측벽(44)의 적어도 일부를 따라 반사성의 인서트(insert) 또는 링(ring)(42: 도 1 내지 도 3에 도시됨)이 위치하고 고정된다. 링(42)의 반사 효율 및 패키지의 발광 각(emission angle)은, 케이싱의 내부를 향해 안쪽에 유지된 캐비티(40) 및 링(42)을 테이퍼링함으로써 향상될 수 있다. 예를 들어, 도 15에 나타낸 바와 같이, 적절한 반사율 및 시야각을 위해 50°이하의 반사체 각도(46)를 제공할 수 있다.
일부 실시예에서, 캐비티(40)는 리드 프레임(14) 및 리드 프레임에 의해 유지되는 이미터를 보호하고 위치적으로 안정화할 수 있는 충전 재료(fill material)(48)로 적어도 부분적으로 채워질 수 있다. 일례로, 충전 재료(48)는 캐비티(40)를 통해 노출된 리드 프레임(14)의 일부분과 이미터를 피복할 수 있다. 충전 재료(48)는 LED로부터의 광의 방출을 향상시키기 위해, 미리 정해진 광학적 특성을 갖도록 선택해도 된다. 일부 실시예에서는, 충전 재료가 패키지의 이미터에 의해 방출되는 광에 대해 실질적으로 투명, 즉 투과성을 가진다. 충전 재료(48)는 반구형 또는 총알 모양의 형태를 가질 수 있으며, 또는 캐비티(40) 내에서 전체적으로 또는 부분적으로 오목하게 될 수 있다. 충전 재료(48)는 수지, 에폭시, 열가소성 축합 중합체, 유리, 및/또는 다른 적절한 물질이나 이러한 물질의 조합으로 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, LED에 입사하거나 이로부터 나오는 광의 방출, 흡광 및/또는 확산을 향상시키기 위한 재료를 충전 재료(48)에 첨가해도 된다.
케이싱(12)은 바람직하게는 전기적 절연성 및 열적 전도성을 모두 갖는 재료로 형성할 수 있다. 이러한 재료는 본 기술분야에 잘 알려져 있으며, 소정의 세라믹, 수지, 에폭시, 열가소성 축합 중합체[예를 들어, 폴리프탈아미드(PPA)], 및 유리를 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직한 실시예에서, 케이싱(12)은 비디오 디스플레이에 채택된 SMD와 같이 이미지 생성 SMD 패키지에서의 콘트라스트(contrast)를 향상시키는 것으로 알려진, 검은 또는 블랙 세라믹 재료로 형성해도 된다. 패키지(10) 및 케이싱(12)은 본 기술분야에 알려진 다양한 공지의 방법 중 임의의 것을 사용해서 형성 및/또는 조립될 수 있다. 예를 들어, 케이싱(12)은 애노드 부분(16, 18, 20) 및 캐소드 부분(22, 24, 26)의 주위에, 예를 들어 사출 성형에 의해 형성하거나 성형될 수 있다. 이와 달리, 케이싱은 상부 섹션과 하부 섹션 등의 섹션으로 형성해도 되는데, 예를 들어 애노드 부분(16, 18, 20)과 캐소드 부분(22, 24, 26)을 하부 섹션에 형성해도 된다. 상부 및 하부 섹션을 에폭시, 접착제 또는 다른 적절한 결합 재료와 공지의 방법을 사용해서 서로 접합시킬 수 있다.
도시된 실시예에서, 패키지(10)는 제1 LED(50), 제2 LED(52), 및 제3 LED(54)를 사용한다. 이들 LED는 각각 동일한 또는 상이한 광의 컬러를 방출할 수 있다. 일실시예로서, LED(50, 52, 54)는 각각 청색, 녹색 및 적색 컬러를 방출하며, 적절하게 전원이 공급되면, LED는 실질적으로 풀 레인지(full range)의 컬러의 조합을 생성할 수 있다. 또한, LED(50, 52, 54)는, 전원이 공급되면, 상이한 컬러 온도(color temperature)를 조합한 백색광을 방출한다.
LED의 구조 및 특징과 LED의 제조 및 동작은 본 기술분야에 잘 알려져 있으므로, 본 명세서에서는 간단하게 설명한다. LED는 다양한 방식으로 정렬된 많은 상이한 반도체 층을 가질 수 있으며, 상이한 컬러를 발광할 수 있다. LED의 층은 금속 유기 화학 기상 증착(MOVCD: metal organic chemical vapor deposition) 등의 적절한 공지의 공정을 사용하여 제조될 수 있다. LED 칩의 층은 일반적으로, 서로 반대로 불순물이 첨가된(oppositely doped) 제1 및 제2 에피택셜 층 사이에 개재된 활성 층/ 활성 영역을 포함하며, 이러한 에피택셜 층은 성장 기판 또는 웨이퍼 상에서 연속으로 형성된다. 웨이퍼 상에 형성된 LED 칩은 개별화(singulate)되고, 패키지에의 실장과 같은 여러 용도에 사용된다. 성장 기판/웨이퍼는 최종적으로 개별화된 LED의 일부분으로 유지되거나 성장 기판이 완전히 또는 부분적으로 제거될 수 있다는 것을 알 수 있다.
광 추출층 및 요소뿐만 아니라, 버퍼, 핵생성, 콘택 및 전류 확산층과 같은 추가의 층 및 요소를 LED에 포함시킬 수 있다. 활성 영역(active region)은 단일 양자 우물(single quantum well: SQW), 다중 양자 우물(MQW), 이중 이종접합구조(double heterostructure) 또는 초격자 구조(super lattice structure)를 포함할 수 있다.
활성 영역 및 불순물이 주입된 층은 물질 체계를 달리해서 제조될 수 있는데, 이러한 체계 중의 하나는 3족 질화물 체계이다. 3족 질화물이란, 일반적으로 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 및 인듐(In) 등의 주기율표에서 3족에 속하는 원소와 질소 사이에 형성된 반도체 화합물을 의미한다. 이 용어는 알루미늄 갈륨 니트라이드(AlGaN) 및 알루미늄 인듐 갈륨 니트라이드(AlInGaN) 등의 3원소 화합물 및 4원소 화합물을 의미한다. 바람직한 실시예에서, 불순물이 첨가된 층은 갈륨 니트라이드(GaN)이고, 활성 영역은 InGaN이다. 다른 예에서, 불순물이 첨가된 층은 AlGaN, 알루미늄 갈륨 아세나이드(AlGaAs), 알루미늄 갈륨 인듐 아세나이드 포스파이드(AlGaInAsP), 알루미늄 인듐 갈륨 포스파이드(AlInGaP) 또는 징크 옥사이드(ZnO)가 될 수 있다.
성장 기판/웨이퍼는 실리콘, 유리, 사파이어, 실리콘 카바이드, 알루미늄 니트라이드(AlN), 갈륨 니트라이드(GaN) 등의 많은 재료로 형성될 수 있으며, 적절한 기판으로는 4H 폴리타입의 실리콘 카바이드가 될 수 있으며, 3C, 6H 및 15R의 폴리타입을 포함하는 다른 실리콘 카바이드 폴리타입을 사용해도 된다. 실리콘 카바이드는 사파이어보다 3족 니트라이드에 더 가까운 결정 격자 매칭 등과 같은 장점을 가지며, 더 높은 품질의 3족 질화 막을 가질 수 있다. 실리콘 카바이드는 또한 매우 높은 열 전도율을 가지기 때문에, 실리콘 카이브드 상의 3족 질화물 소자의 총 출력 파워가 기판의 방열에 의해 제한되지 않는다(사파이어 상에 형성된 일부 소자를 가진 경우가 될 수 있음). SiC 기판은 노스 캐롤라이나 주의 더함(Durham)에 소재한 Cree Research에서 만든 제품을 사용할 수 있으며, 이들을 제조하는 방법에 대해서는 미국특허 Re. 34,861, 4,946,547, 및 5,200,022뿐만 아니라 과학 문헌에도 개시되어 있다.
LED는 전도성 전류 확산 구조체, 전류 확산층 및 와이어 본드 패드 등과 같은 추가의 요소를 포함할 수 있다. 이들 요소는 공지의 방법을 사용하여 증착된 공지의 재료로 형성될 수 있다. LED 중의 일부 또는 모두는 하나 이상의 인광체(phosphor)로 피복될 수 있는데, 이러한 인광체는 LED 광의 적어도 일부를 흡수하고, 상이한 파장의 광을 방출하며, 이에 의해 LED는 LED와 인광체로부터의 광의 조합을 방출한다. LED 칩은 많은 상이한 방법을 사용하여 인광체로 피복될 수 있다. 그 중 하나의 적절한 방법이 "Wafer Level Phosphor Coating Method and Devices Fabricated Utilizing Method"라는 명칭의, 미국특허출원 제11/656,759호 및 제11/899,790호에 개시되어 있으며, 상기 특허문헌의 내용을 본 명세서에 참조에 의해 원용한다. 이와 달리, LED는 전기영동 증착(electrophoretic deposition: EPD) 등의 다른 방법을 사용해서 피복될 수도 있다. 적절한 EPD 방법은 "Closed Loop Electrophoretic Deposition of Semiconductor Devices"라는 명칭의 미국특허출원 제11/473,089호에 개시되어 있으며, 그 전체 내용을 본 명세서에 참조에 의해 포함한다. 또한, LED는 본 기술분야에 알려져 있는 바와 같은 수직 방향 또는 측면 방향의 형상을 가질 수 있다. 수직 방향의 형상을 갖는 LED는 기판 상에 위치하는 제1 콘택(contact)과 p형 층상에 위치하는 제2 콘택을 포함할 수 있다. 제1 콘택에 인가되는 전기적 신호는 n형 층으로 확산되고, 제2 콘택에 인가되는 신호는 p형 층으로 확산된다. 3족 질화물 소자의 경우에, 얇은 반투명체가 p형 층의 일부 또는 전체를 피복하는 것이 알려져 있다. 제2 콘택은 전형적으로 플래티넘(Pt) 등의 금속이나 인듐 주석 옥사이드(ITO) 등의 투명한 전도성 산화물의 층을 포함할 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다.
LED는 2개의 콘택이 LED의 상단에 위치하는 측면 방향의 형상을 가질 수 있다. P형 층의 일부와 활성 영역을, 에칭 등에 의해 제거하여, n형 층상에 콘택 메사(contact mesa)를 노출시킬 수 있다. n형 층의 메사의 위에는 측면 방향의 제2 n형 콘택을 제공한다. 이들 콘택은 공지의 증착 기술을 사용하여 증착되는 공지의 재료를 포함할 수 있다.
도시된 실시예에서, 리드 프레임의 애노드 부분(16, 18, 20) 및 캐소드 부분(22, 24, 26)은 케이싱(12)의 서로 반대 방향을 향하는 면(36, 38)을 통해 외측으로 돌출되어 있다. 도 4에 잘 도시되어 있는 바와 같이, 애노드 부분(16, 18, 20)은 면(36)으로부터 연장되며, 캐소드 부분(22, 24, 26)은 면(38)으로부터 연장되어 있다. 애노드 부분 및 캐소드 부분은 패키지(10)가 동작을 위해 면 실장된 경우에 이들 각각의 광 이미터에 전기적 신호를 전달하기 위해 쌍으로 동작하도록 정렬된다. 도시한 실시예에서, 애노드 부분 및 캐소드 부분(16, 18, 20, 22, 24, 26)은 케이싱의 단부 면(36, 38)의 외측으로 그리고 이들을 따라 아래로 연장하도록 직각 방향으로 구부러져 있으며, 케이싱(12)의 하면(30)을 따라 연장하는 단부 부분(end portion)(82, 84, 86, 88, 90, 92)을 형성하도록 한번 더 직각 방향으로 구부러져 있다. 리드의 단부 부분(82, 84, 86, 88, 90, 92)의 외측을 향하는 면은 하부 기판에의 연결을 위해 실질적으로 동일한 높이로 형성되어 있다. 도 3에 잘 나타나 있는 바와 같이, 리드의 단부 부분(82, 84, 86, 88, 90, 92)[도면에서는 단부 부분 중에서 단부 부분(86, 88)만 보임]은, 땜납(soldering)을 포함한 공지의 다수의 연결 기술 중의 임의의 기술을 사용하여, 기판(94)상의 트레이스 또는 패드에 전기적으로 접속 또는 접착될 수 있다. 다른 실시예에서는, 단부 부분(82, 84, 86, 88, 90, 92) 중의 일부 또는 모두가 면 실장이 가능하도록 하면서 반대 방향으로 구부려지게 할 수 있다.
캐소드 부분(22, 24, 26)은 측면(32, 34)에 직각 방향(74)으로 연장하는 선형 배열된 LED 칩(50, 52, 54)을 유지하기 위한 중앙의 면 또는 실장 패드(68, 70, 72)를 포함하며, LED(50, 52, 54)는 케이싱(12)의 실질적으로 중앙 축을 따라 정렬된다. 이러한 배치에 의하면, 클러스터 등의 다른 방식으로 정렬된 LED를 갖는 패키지에 비해, 상이한 시야각에서의 컬러 균일성을 향상시킬 수 있다.
실장 패드(mounting pad)(68, 78)는 케이싱(12)의 중심을 향해 연장됨으로써, LED(50, 52, 54)가 케이싱(12)의 중앙에 더 가깝게 실장될 수 있어서, LED가 캐비티(40)의 외부로 발광할 수 있게 된다. 애노드 부분(16, 18, 20)은 실장 패드(68, 70, 72)에 인접하지만 실장 패드로부터 간격을 두고 위치한 전기적 연결 패드(76, 78, 80)를 포함한다. 연결 패드(76, 80)는 케이싱(12)의 중앙을 향해 연장함으로써, LED(50, 54)에 대한 전기적 연결이 실장 패드(68, 70)의 연장에 의해 케이싱(12)의 중앙에 더 가깝게 된다.
애노드 부분(16, 18, 20)은 실질적으로 서로 평행하고, 캐소드 부분(22, 24, 26)은 실질적으로 서로 평행하며, 이들 모두는 선형의 LED 어레이의 방향(74)에 직각의 방향으로 연장한다. 리드는 상이한 폭(width)을 가질 수 있으며, 패키지(10)를 위에서 볼 때, 충분히 소형으로 될 수 있어서, 최소로 보이거나 또는 보이지 않는다. 이에 추가로 및/또는 이와 달리, 리드는 케이싱(12) 때문에 위에서 볼 때는 보이지 않을 수 있다. 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 캐비티(40)는 케이싱의 내부로 연결 패드(68, 70, 72, 76, 78, 80)를 노출시키기에 충분한 깊이로 연장된다. 바람직한 실시예에서, 각각의 LED(50, 52, 54)는 전기적 신호가 콘택의 양단에 인가되도록 하고 LED가 발광하도록 정렬된 각자 자신의 쌍을 이루는 콘택 또는 전극을 갖는다. LED의 콘택은 쌍을 이루는 애노드 부분 및 캐소드 부분에 전기적으로 연결된다. LED(50, 52, 54)의 각각이 각자 자신의 쌍을 이루는 캐소드 부분 및 애노드 부분을 포함하는 것은, 각각의 LED의 전기적 제어를 더 용이하게 할 수 있다는 등의 많은 장점이 있다. 도시된 실시예의 전형적인 예에 의하면, LED(50, 52, 54)의 콘택 중의 하나가 칩 캐리어 패드(68, 70, 72)에 결합되고, LED의 다른 콘택은 패드(76, 78, 80)에 각각 결합된다. 이러한 연결을 형성하기 위해 다른 공지된 구조와 방법을 사용할 수 있으며, 이러한 구조 중의 하나는 공지된 방법을 사용하여 도포된 와이어 본드(95, 97, 99)이다.
애노드 부분(16, 18, 20) 및 캐소드 부분(22, 24, 26)은 구리, 구리 합금 및/또는 저항이 낮고 내부식성을 갖는 다른 적절한 재료 또는 재료의 조합 등과 같은 전기 전도성 금속 또는 금속 합금으로 형성될 수 있다. 중요한 것은, 리드의 열 전도율은 열을, 화살표(98)로 나타낸 것과 같은 SMD에 의해 유지되는 LED(50, 52, 54)의 외부로 방열시키는 데에 어느 정도 도움이 된다는 점이다. 도 7에 나타낸 바와 같이, 열 방출에 더 도움이 되기 위해, 애노드 부분(18)과 캐소드 부분(24)은 케이싱의 에지 부근에 확장된 부분을 포함할 수 있다. 이러한 확장된 부분은 LED(50, 52, 54)에서 생기는 열을 확산시키기 위한 표면적을 증가시킨다.
LED(50, 52, 54)는 땜납, 접착제, 코팅, 필름, 봉지재, 페이스트, 그리스 및/또는 다른 적절한 재료 등의 전기 전도성이면서 열 전동성인 접착 재료(100)에 의해, 패드(68, 70, 72)에 각각 전기적으로 결합될 수 있다. 바람직한 실시예에서, LED는 LED의 바닥에 땜납 패드를 사용해서 땜납이 위에서는 보이지 않도록 하여 각자의 패드에 전기적으로 결합되고 고정될 수 있다. 커넥터 부분(connector part)(16, 18, 20)과 캐리어 부분(carrier part)(22, 24, 26)의 제조는 스탬핑(stamping), 사출성형, 커팅, 에칭, 벤딩(bending), 또는 다른 공지된 방법 및/도는 이러한 방법의 조합에 의해 바람직한 구성을 달성될 수 있다. 예를 들어, 커넥터 부분 및/또는 캐리어 부분은 부분적으로 금속 스탬핑될 수 있으며(예를 들어, 관련 재료의 단일의 시트에 의해 동시에 스탬핑됨), 적절하고 구부린 다음, 완전히 분리시키거나 케이싱의 일부 또는 전부의 형성을 따라 완전히 분리시킬 수 있다.
일부 제조 방법에서, 연결 패드의 주위로 케이싱(12)을 성형 및/또는 조립하기 전에, 패드(68, 70, 72)에 LED를 결합해도 된다. 이와 달리, 애노드 부분 및 캐소드 부분을 케이싱 내에 부분적으로 둘러싼 이후에, LED를 패드(68, 70, 72)에 결합해도 된다. 케이싱 안으로 연장하는 캐비티(40)는, 패드(68, 70, 72)의 상당한 부분을 노출시켜서, LED 및 관련 와이어 본드를 수용하고, LED가 캐비티(40)를 통해 발광할 수 있도록 하는 구성을 가질 수 있다.
종래의 패키지에서, 리드 프레임의 애노드 부분(16, 18, 20) 및 캐소드 부분(22, 24, 26)과 케이싱(12)의 상부 및 하부 사이의 평탄한 면(smooth surface)은 신뢰성 있는 접착을 어렵게 한다. 이처럼 짝을 이루는 평탄한 면은 케이싱을 리드 프레임으로부터 분리되어 있는 것에 의해, 이미터 패키지의 견고성(rigidity)을 낮추고, 부품에 고장이 생길 가능성이 높아진다. 이 평탄한 면은 또한 케이싱 안으로의 습기의 침투 경로가 될 수 있어서, 부품에 고장이 생길 수 있으며, 이미터 패키지를 방수 작동을 필요로 하는 용도로는 사용할 수 없게 한다. 접착의 신뢰성 및 견고성을 높이고, 방수 작동이 가능하도록 하기 위해, 애노드 부분(16, 18, 20) 및 캐소드 부분(22, 24, 26) 중의 하나 이상이 만입부(indentation), 관통 구멍(through-hole), 틈새 구멍(aperture), 신장부(extension) 및/또는 SMD 패키지의 안정화, 완전성 및/또는 견고성에 기여하는 하나 이상의 다른 요소를 더 포함할 수 있다. 이러한 요소에 의해, 케이싱(12) 및/또는 충전 재료(48)가 리드 프레임(14)에 더 양호하게 접착될 수 있으며, 습기가 소자에 침투하는 것을 방지하고, 방수 기능을 이용할 수 있다.
도 7 및 도 9에 도시되어 있는 바와 같이, 애노드 부분(16, 18, 20) 및 캐소드 부분(22, 24, 26)은 각각 리드 프레임의 상면 상에 위치된 관통 구멍(102, 104, 106, 108, 110, 112)을 포함할 수 있다. 도 7 및 도 10에 도시되어 있는 바와 같이, 애노드 부분 및 캐소드 부분은 관통 구멍에 인접하는 위치에 형성된 V자형 홈(V-cut)(114) 등의 요소를 포함할 수 있다. V자형 홈(114)은 애노드 부분(16, 18, 20) 및 캐소드 부분(22, 24, 26)의 상면 및 하면 상에 형성될 수 있다. 관통 구멍(102, 104, 106, 108, 110, 112), V자형 홈(114), 만입부 및/또는 이와 같은 리드의 다른 요소는, 패키지의 구조적 안정성과 완전성을 향상시키기 위해 케이싱 재료 및/또는 충전 재료와 적어도 부분적으로 협력 구조를 갖는다. 일례로서, 케이싱 재료 및/또는 충전 재료는 견고성을 높이기 위해, 리드에 형성된 관통 구멍(102, 104, 106, 108, 110, 112) 중의 하나 이상의 관통 구멍 안으로 및/또는 이를 통해 적어도 부분적으로 연장한다. 케이싱 및/또는 충전 재료는 V자형 홈을 채워서, 견고성을 높이고 패키지(10)의 내부로 액체가 스며드는 것을 차단할 수 있다.
도 7을 참조하면, 패키지(10)의 견고성을 향상시키고, 케이싱(12)과 리드 프레임(14) 간의 접착의 신뢰성을 더 높이기 위해, 애노드 부분(16, 20) 및 캐소드 부분(22, 26)은 파형을 갖는 측면 만입부(side indentation)를 포함할 수 있다. 패키지(10)를 제조할 때에, 케이싱 재료를 만입부에 채우면, 경화된 케이싱 재료가 만입부와 상호 협력함으로써, 케이싱(12)을 리드 페리임에 유지할 수 있다. 마찬가지로, 애노드 부분(18) 및 캐소드 부분(24)이 경화된 케이싱 또는 충전 재료와 상호 협력하는 측면 탭(side tab)(117)을 구비함으로써, 케이싱(12)을 리드 프레임(14)에 유지할 수 있다.
도 11 내지 도 13은 면 실장될 수 있는, 본 발명에 의한 이미터 패키지(200)의 다른 실시예를 나타낸다. 이 패키지(200)는 도 1 내지 도 8에 나타낸 패키지(10)와 거의 유사하며, 열 전도성 본체(202, 204, 206)를 포함한다는 것을 제외하고는 앞서 설명한 것과 유사하다. 이 열 전도성 본체(thermally conductive body)(202, 204, 206)는 케이싱(208) 내에, LED로부터 케이싱의 하면까지의 열 전도성 경로를 제공하도록 정렬된다. 이 열 전도성 본체는 LED로부터의 열을 효과적으로 방출하도록 하나 이상의 히트 스프레더(heat spreader)와 열적으로 연결되도록 정렬될 수 있다. 패키지(200)는 많은 상이한 방식으로 배치된 많은 상이한 히트 스프레더와 함께 사용될 수 있다.
열 전도성 본체(202, 204, 206)는 많은 형태와 크기를 가질 수 있으며, 케이싱(208)을 적어도 부분적으로 통해 수직 방향으로 연장하는 원통형 또는 사각형의 블록을 포함할 수 있다. 도시된 실시예에서, 열 전도성 본체(202, 204, 206)는 LED를 포함하는 면으로부터 케이싱(208)을 통해 케이싱의 하면(212)까지 연장된다. 도 11에 잘 나타나 있는 바와 같이, 열 전도성 본체(204)의 바닥 면(bottom surface)은 하면(212)의 틈새 구멍(210)을 통해 하면(212)에 노출되고, 하면(212)과 실질적으로 동일한 높이로 배치된다. 열 전도성 본체(202, 206)는 도 12에 나타낸 바와 같이, 바닥 면에 노출될 수 있다. 이들 열 전도성 본체의 바닥 면은, 인쇄 배선 또는 인쇄 기판 등의 기판(216)에 의해 유지되는 히트 스프레더 또는 방열기(dissipater)(214)와 열이 전달될 수 있도록 배치된다. 열 전도성 본체는, 이들이 상대적으로 크고 열 흐름의 방향에 직각인 단면 영역을 갖는다면, 히트 스프레더(214)와 캐리어 패드에 의해 유지되는 LED 사이에 낮은 열 저항성 경로[화살표(218)]를 제공하는 효과적인 히트 싱크로서 작용할 수 있다.
패키지(10)와 마찬가지로, 도 11 내지 도 13에 나타낸 패키지(200)는 서로 반대 방향을 향하는 상면(222) 및 하면(212)과, 측면(208), 및 단부 면(226, 228)을 포함하는, 검은 또는 블랙 세라믹 케이싱(208)을 포함하는 것이 바람직하다. SMD(200)는 앞서 설명한 바와 같이, 3개의 애노드 부분과 3개의 캐소드 부분을 갖는 리드 프레임(230)을 포함한다. 그러나, 앞서 설명한 바람직한 실시예에서와 같이, 연결 부분, 캐리어 부분 및 다른 리드 프레임 부분 중의 임의의 일부는, 본 발명의 범위를 벗어남이 없이, 원하는 용도로 사용될 수 있다. 칩 캐리어 부분(218)은 전형적으로 적색, 녹색 및 청색 LED를 구비하는 LED 칩을 수용하기 위한 면 또는 패드를 포함하며, 다른 LED 컬러를 사용해도 된다. 앞서 설명한 바와 같이, 연결 부분은 칩 캐리어 부분에 인접하지만 간격을 두고 배치된 확대된 와이어 본드 패드를 포함한다.
앞서 설명한 바와 같이, 리드는 이들 각각의 케이싱 단부 면을 따라 그 외측으로 직각 방향으로 구부러져 연장하고, 리드의 단부 부분(232, 234, 236, 238, 240, 242)이 케이싱의 바닥 면(212)을 따라 연장하도록, 다시 직각 방향으로 구부러져 연장되어 있다. 리드의 단부 부분(232, 234, 236, 238, 240, 242)의 외측을 향하는 면은, 공지된 다수의 연결 기술 중의 임의의 것을 사용해서, 전형적으로는 인쇄 회로 기판인 기판(216) 상의 트레이스 또는 패드에 전기적으로 연결되거나 접착된다. 앞서 설명한 바와 같이, 케이싱은 연결 부분과 캐리어 부분의 패드를 노출시키기에 충분한 깊이로 연장하는 캐비티(244)를 포함한다. 연결 부분과 캐리어 부분은 펀치 프레스 동작에 의해 시트 금속 적층체로부터 절단되고, 리드 프레임의 주위로 케이싱을 형성하기 전 또는 후에 이들의 최종적인 구성을 위해 구부리는 시트 금속 합금 또는 전기 전도성의 시트 금속으로 이루어진다.
LED는 쌍을 이루는 전기적 단자 또는 전극을 각각 포함하며, LED의 캐소드는 캐리어 패드에 전기적으로 결합되고, LED의 애노드는 단일 와이어 본드에 의해 개별의 연결 부분의 패드에 결합된다.
도 14 내지 도 16을 참조하면, SMD(10 또는 200)의 다양한 부품의 치수 특성의 몇가지 예를 나타낸다. SMD(10 또는 200)는 전체 길이가 5.50 밀리미터(mm) 이하가 될 수 있으며, 전체 폭이 5.50mm 이하가 될 수 있으며, 높이가 2.50mm가 될 수 있다.
도 17을 참조하면, LED 디스플레이 스크린(300)의 일부분이 개략적으로 도시되어 있다. 일반적인 용어로서, 실내 스크린 및/또는 실외 스크린은, 픽셀을 형성하는, 행과 열로 정렬된 다수의 면 실장 소자(SMD)(304)를 포함하는 구동 PCB(302)를 구비한다. SMD(304)는 도 1-8, 11-13에 나타낸 실시예 등의 소자를 포함할 수 있다. SMD 소자(304)는 적절한 전기 신호 처리 회로 및 구동 회로(도시 안 됨)에 응답하도록 접속된 PCB(302) 상의 트레이스 또는 패드에 전기적으로 연결된다. 앞서 설명한 바와 같이, SMD는 수직 방향으로 배향된 적색, 녹색 및 청색 LED의 선형 어레이(306)를 각각 유지한다. 이러한 LED의 선형 배향은 넓은 시야각에서도 양호한 컬러 재현성을 갖는 것으로 알려져 있다.
본 발명에 대하여 몇 가지 실시예를 들어 설명하였지만, 당업자라면 LED 장식용 조명 등에 본 발명을 이용하는 것과 같은 다양한 변형 예 및 대체 실시예가 가능하다는 것을 알 수 있을 것이다. 이러한 다양한 변형 예와 대체 실시예는 청구범위에서 규정하는 본 발명의 정신과 범위를 벗어남이 없이 실시될 수 있다.

Claims (33)

  1. 다수의 이미터 패키지(emitter package)를 위한 전기 전도성의 리드 프레임(electrically conductive lead frame)으로서,
    하나 이상의 발광 소자(emitting device)에 전기적으로 결합되어 상기 하나 이상의 발광 소자를 유지하기 위한 부착 패드(attach pad)를 각각 구비하는 다수의 전기 전도성의 캐소드 부분(cathode part); 및
    상기 하나 이상의 발광 소자에 전기적으로 연결되도록 배치된 연결 패드(connection pad)를 각각 구비하며, 상기 캐소드 부분과 분리되어 있고 상기 캐소드 부분에 대응하는 다수의 전기 전도성의 애노드 부분(anode part)
    을 포함하며,
    상기 부착 패드와 상기 연결 패드는 상기 발광 소자가 선형으로 정렬되도록 상기 발광 소자를 유지하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 발광 소자는 전원이 공급되면 실질적으로 풀 레인지(full range)의 컬러의 조합을 생성하도록 된, 리드 프레임.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 발광 소자는 발광 다이오드(LED)를 포함하여 이루어진, 리드 프레임.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 발광 다이오드(LED)는 2개 이상의 콘택(contact)을 포함하며,
    상기 콘택 중의 하나는 상기 부착 패드 중의 하나에 전기적으로 결합되고, 상기 콘택 중의 다른 하나는 상기 연결 패드 중의 하나에 전기적으로 결합된, 리드 프레임.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 발광 소자의 선형 어레이는 제1 방향으로 연장되고, 상기 애노드 부분은 서로 평행하게 배치되며, 상기 캐소드 부분은 서로 평행하게 배치되고, 상기 애노드 부분과 상기 캐소드 부분은 상기 제1 방향에 대하여 직교하는 방향으로 연장된, 리드 프레임.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 애노드 부분과 상기 캐소드 부분은 시트 금속(sheet metal)을 포함하여 이루어진, 리드 프레임.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 발광 다이오드(LED)는 적색, 녹색 및 청색 LED를 포함하는, 리드 프레임.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 LED는 와이어 본드(wire bond)에 의해 연결 패드에 전기적으로 결합된, 리드 프레임.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 발광 다이오드는 땜납(solder)에 의해 부착 패드에 결합된, 리드 프레임.
  10. 제1항에 있어서,
    검은 및/또는 블랙 세라믹으로 된 케이싱(casing)을 더 포함하는 리드 프레임.
  11. 제1항에 있어서,
    관통 구멍(through-hole)을 더 포함하는 리드 프레임.
  12. 제1항에 있어서,
    V자형 홈(V-cut)을 더 포함하는 리드 프레임.
  13. 캐비티(cavity)를 포함하는 케이싱(casing); 및
    상기 케이싱에 일체로 형성된 리드 프레임(lead frame)
    을 포함하며,
    상기 캐비티는 상기 케이싱의 상면으로부터 내부로 연장되어 있고,
    상기 리드 프레임은 상기 캐비티로부터 발광하는 다수의 발광 소자(emitting device)가 선형으로 정렬되도록 유지하는 전도성 부분을 포함하고, 상기 리드 프레임은 상기 리드 프레임을 통해 상기 발광 소자에 전기적 신호(electrical signal)가 인가되도록 하는 것을 특징으로 하는 이미터 패키지.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 리드 프레임은, 상기 발광 소자에 각각 전기적으로 결합되어 상기 발광 소자를 유지하기 위한 부착 패드(attach pad)를 각각 구비하는 다수의 전기 전도성의 캐소드 부분(electrically conductive cathode part); 및 상기 하나 이상의 발광 소자에 전기적으로 연결되도록 배치된 연결 패드(connection pad)를 각각 구비하며, 상기 캐소드 부분과 분리되어 있고 상기 캐소드 부분에 대응하는 다수의 전기 전도성의 애노드 부분(electrically conductive anode part)을 포함하며, 상기 부착 패드와 상기 연결 패드는 상기 발광 소자를 선형으로 정렬되도록 유지하도록 배치된, 이미터 패키지.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 발광 소자는 전원이 공급되면 실질적으로 풀 레인지의 컬러의 조합을 생성하도록 된 발광 다이오드(LED)를 포함하는, 이미터 패키지.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 리드 프레임은 상기 이미터 패키지의 면 실장(surface mount)이 가능하도록 배치된, 이미터 패키지.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 리드 프레임은 관통 구멍 및/또는 V자형 홈을 더 포함하고,
    상기 관통 구멍 및 상기 V자형 홈에 의해 면 실장 소자의 전체적인 안정성이 향상되고 실질적으로 방수가 되도록 할 수 있는, 소자.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 캐리어를 적어도 부분적으로 통해 연장하는 열 전도성 본체(thermally conductive body)를 더 포함하는 소자.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 LED는 적색, 녹색 및 청색 LED를 포함하는, 소자.
  20. 제13항에 있어서,
    상기 광 이미터의 각각의 제2 전기 단자는 와이어 본드에 의해 연결 패드에 전기적으로 접속된, 소자.
  21. 발광 소자 디스플레이에 있어서,
    선형으로 정렬된 발광 다이오드(LED)를 포함하는 케이싱을 갖는 이미터 패키지의 어레이를 유지하는 기판; 및
    상기 어레이에 전원을 선택적으로 공급하여 상기 디스플레이 상에 가시 이미지를 생성하도록 전기적으로 연결된 구동 회로
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 디스플레이.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 이미터 패키지는 수직 방향의 열 및 수평 방향의 행으로 정렬된, 발광 디스플레이.
  23. 제21항에 있어서,
    상기 이미터 패키지 내의 상기 LED의 각각은 각각의 전기적 신호에 의해 구동되는, 발광 디스플레이.
  24. 제21항에 있어서,
    상기 LED는 전원이 공급되면 실질적으로 풀 레인지의 컬러의 조합을 생성하고 상기 디스플레이의 픽셀을 규정하도록 된, 디스플레이.
  25. 제21항에 있어서,
    상기 이미터 패키지의 각각은 각 이미터 패키지의 바닥면에 땜납 패드에 의해 상기 기판에 결합된, 디스플레이.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 땜납 패드는 상기 디스플레이를 볼 때에는 보이지 않도록 된, 디스플레이.
  27. 제21항에 있어서,
    상기 이미터 패키지의 각각은 실질적으로 방수 기능이 있어서, 상기 디스플레이를 실내용 및 실외용 모두에 사용할 수 있도록 하는, 디스플레이.
  28. 제21항에 있어서,
    상기 이미터 패키지의 적어도 일부의 LED는 수직 방향으로 정렬된, 디스플레이
  29. 케이싱(casing);
    상기 케이싱의 상면으로부터 내부로 연장하도록 상기 케이싱 내에 형성된 캐비티(cavity); 및
    상기 케이싱에 접착되고 일체로 형성된 리드 프레임(lead frame)
    을 포함하며,
    상기 리드 프레임은 상기 캐비티로부터 발광하는 다수의 발광 소자(emitting device)가 선형으로 정렬되도록 유지하는 전도성 부분을 포함하고, 상기 리드 프레임은 상기 케이싱과 서로 협력하는 요소 또는 형상을 더 포함함으로써, 상기 요소 및 형상을 포함하지 않는 리드 프레임을 갖는 패키지에 비해, 상기 리드 프레임 및 케이싱 간의 방수 기능을 갖춘 견고한 연결이 가능한 것을 특징으로 하는 이미터 패키지.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 요소 또는 형상은 상기 리드 프레임 내에 관통 구멍을 포함하는, 이미터 패키지.
  31. 제29항에 있어서,
    상기 요소 또는 형상은 상기 리드 프레임에 V자형 홈을 포함하는, 이미터 패키지.
  32. 제29항에 있어서,
    상기 요소 또는 형상은 측면 만입부(side indentation)를 포함하는, 이미터 패키지.
  33. 제29항에 있어서,
    상기 요소 또는 형상은 측면 탭(side tab)을 포함하는, 이미터 패키지.
KR1020117018868A 2009-01-14 2010-01-08 다수의 이미터가 정렬된 구성을 갖는 패키지 KR20110096601A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/321,059 2009-01-14
US12/321,059 US8368112B2 (en) 2009-01-14 2009-01-14 Aligned multiple emitter package

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110096601A true KR20110096601A (ko) 2011-08-30

Family

ID=42264721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117018868A KR20110096601A (ko) 2009-01-14 2010-01-08 다수의 이미터가 정렬된 구성을 갖는 패키지

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8368112B2 (ko)
EP (1) EP2377173A4 (ko)
JP (1) JP2012515440A (ko)
KR (1) KR20110096601A (ko)
CN (1) CN102084509A (ko)
WO (1) WO2010081403A1 (ko)

Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
JP5416975B2 (ja) 2008-03-11 2014-02-12 ローム株式会社 半導体発光装置
JP5464825B2 (ja) * 2008-07-23 2014-04-09 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP2010171379A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Seiko Instruments Inc 発光デバイス
US7923739B2 (en) * 2009-06-05 2011-04-12 Cree, Inc. Solid state lighting device
US8598602B2 (en) * 2009-01-12 2013-12-03 Cree, Inc. Light emitting device packages with improved heat transfer
US10431567B2 (en) 2010-11-03 2019-10-01 Cree, Inc. White ceramic LED package
US9685592B2 (en) 2009-01-14 2017-06-20 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Miniature surface mount device with large pin pads
CN101925998B (zh) * 2009-01-22 2012-06-27 京瓷株式会社 元件搭载用基板及利用该基板的元件容纳用封装件
JP5340763B2 (ja) * 2009-02-25 2013-11-13 ローム株式会社 Ｌｅｄランプ
US8610156B2 (en) * 2009-03-10 2013-12-17 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
US8860043B2 (en) * 2009-06-05 2014-10-14 Cree, Inc. Light emitting device packages, systems and methods
US9111778B2 (en) 2009-06-05 2015-08-18 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods
US8686445B1 (en) 2009-06-05 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods
BR112012005826A2 (pt) * 2009-09-17 2016-08-09 Koninkl Philips Electronics Nv módulo emissor de luz, dispositivo emissor de luz e dispositivo de iluminação
USD661262S1 (en) * 2009-10-26 2012-06-05 Nichia Corporation Light emitting diode
US7888852B1 (en) * 2010-02-22 2011-02-15 Wen-Kung Sung LED heat dissipation structure
US8901583B2 (en) 2010-04-12 2014-12-02 Cree Huizhou Opto Limited Surface mount device thin package
US8269244B2 (en) 2010-06-28 2012-09-18 Cree, Inc. LED package with efficient, isolated thermal path
US8648359B2 (en) 2010-06-28 2014-02-11 Cree, Inc. Light emitting devices and methods
USD643819S1 (en) 2010-07-16 2011-08-23 Cree, Inc. Package for light emitting diode (LED) lighting
US9831393B2 (en) * 2010-07-30 2017-11-28 Cree Hong Kong Limited Water resistant surface mount device package
TWM400099U (en) 2010-09-27 2011-03-11 Silitek Electronic Guangzhou Lead frame, package structure and lighting device thereof
FI20106001A0 (fi) * 2010-09-28 2010-09-28 Kruunutekniikka Oy Menetelmä sähköisen toimilaitteen valmistukseen
KR101766720B1 (ko) * 2010-11-25 2017-08-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US9240395B2 (en) * 2010-11-30 2016-01-19 Cree Huizhou Opto Limited Waterproof surface mount device package and method
USD679842S1 (en) 2011-01-03 2013-04-09 Cree, Inc. High brightness LED package
US8610140B2 (en) 2010-12-15 2013-12-17 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages, systems, devices and related methods
EP2656700B8 (en) * 2010-12-22 2022-03-02 Linxens Holding Circuit for a light emitting component and method of manufacturing the same
TWI472423B (zh) * 2010-12-23 2015-02-11 Compal Electronics Inc 殼體結構及電子裝置殼體結構製造方法
US10522518B2 (en) * 2010-12-23 2019-12-31 Bench Walk Lighting, LLC Light source with tunable CRI
CN102130112A (zh) * 2010-12-28 2011-07-20 惠州雷曼光电科技有限公司 Led支架和具有该支架的led灯及封装方法
TW201251140A (en) 2011-01-31 2012-12-16 Cree Inc High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion
WO2012109225A1 (en) * 2011-02-07 2012-08-16 Cree, Inc. Components and methods for light emitting diode (led) lighting
US8737073B2 (en) * 2011-02-09 2014-05-27 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Systems and methods providing thermal spreading for an LED module
CN102155686A (zh) * 2011-02-23 2011-08-17 浙江英特来光电科技有限公司 一种高亮高灰度全彩led发光二极管
WO2012151270A1 (en) * 2011-05-03 2012-11-08 Cree, Inc. Light emitting diode (led) packages, systems, devices and related methods
US20120314419A1 (en) * 2011-06-08 2012-12-13 Wen-Kung Sung Heat dissipation structure of light-emitting diode
JP2013016723A (ja) * 2011-07-06 2013-01-24 Panasonic Corp 撮影用照明装置
WO2013059298A1 (en) 2011-10-17 2013-04-25 Ecosense Lighting Inc. Linear led light housing
US8692282B2 (en) 2011-10-27 2014-04-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting module comprising the same
US8823041B2 (en) * 2011-10-27 2014-09-02 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting module comprising the same
KR101933189B1 (ko) * 2012-01-31 2019-04-05 서울반도체 주식회사 발광다이오드 패키지
KR101908656B1 (ko) * 2012-04-09 2018-10-16 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
USD749051S1 (en) 2012-05-31 2016-02-09 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) package
US10439112B2 (en) * 2012-05-31 2019-10-08 Cree, Inc. Light emitter packages, systems, and methods having improved performance
US9349929B2 (en) 2012-05-31 2016-05-24 Cree, Inc. Light emitter packages, systems, and methods
KR101944409B1 (ko) 2012-06-08 2019-04-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US20140022623A1 (en) * 2012-07-17 2014-01-23 Chih-Chien YEN Water proof display device consisting of epd and led matrix
US8974077B2 (en) 2012-07-30 2015-03-10 Ultravision Technologies, Llc Heat sink for LED light source
CN103775845A (zh) * 2012-10-17 2014-05-07 欧司朗股份有限公司 Led发光装置及灯具
JP2016503968A (ja) * 2013-01-10 2016-02-08 モレックス エルエルシー Ｌｅｄアセンブリ
TWI538263B (zh) * 2013-04-30 2016-06-11 億光電子工業股份有限公司 承載結構及發光裝置
JP6170724B2 (ja) * 2013-05-15 2017-07-26 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
US9711489B2 (en) 2013-05-29 2017-07-18 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Multiple pixel surface mount device package
US9976710B2 (en) 2013-10-30 2018-05-22 Lilibrand Llc Flexible strip lighting apparatus and methods
US9582237B2 (en) 2013-12-31 2017-02-28 Ultravision Technologies, Llc Modular display panels with different pitches
US9195281B2 (en) 2013-12-31 2015-11-24 Ultravision Technologies, Llc System and method for a modular multi-panel display
JP6225812B2 (ja) 2014-04-18 2017-11-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10706770B2 (en) 2014-07-16 2020-07-07 Ultravision Technologies, Llc Display system having module display panel with circuitry for bidirectional communication
KR102290753B1 (ko) 2014-09-19 2021-08-19 삼성디스플레이 주식회사 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 표시 패널의 제조 방법
KR102606852B1 (ko) * 2015-01-19 2023-11-29 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자
CN106571383B (zh) 2015-10-08 2020-04-28 联华电子股份有限公司 半导体元件及其制作方法
US11060702B2 (en) 2016-03-08 2021-07-13 Ecosense Lighting Inc. Lighting system with lens assembly
JP1563810S (ko) * 2016-03-24 2016-11-21
CN105591013B (zh) * 2016-03-25 2018-11-13 深圳市九洲光电科技有限公司 一种smd外封装式led
US10243107B2 (en) 2016-09-28 2019-03-26 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing thereof
US10429014B2 (en) 2017-01-19 2019-10-01 William Chester Jenks Lighting system with glare reducing light array
WO2018140727A1 (en) 2017-01-27 2018-08-02 Lilibrand Llc Lighting systems with high color rendering index and uniform planar illumination
US20180328552A1 (en) 2017-03-09 2018-11-15 Lilibrand Llc Fixtures and lighting accessories for lighting devices
US11545471B2 (en) * 2017-07-07 2023-01-03 Creeled, Inc. RGB LED package with BSY emitter
CN114981592B (zh) 2018-05-01 2024-08-09 克鲁斯有限公司 具有中央硅酮模块的照明系统及装置
CN109037173A (zh) * 2018-07-31 2018-12-18 上海源微电子科技有限公司 一种led线性驱动芯片的贴片式封装结构
TWI713237B (zh) * 2018-08-01 2020-12-11 大陸商光寶光電（常州）有限公司 發光二極體封裝結構
JP6975916B2 (ja) 2018-08-09 2021-12-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN114364913A (zh) 2018-12-17 2022-04-15 生态照明公司 符合ac驱动功率的条带照明系统
WO2020142656A1 (en) 2019-01-04 2020-07-09 Engent, Inc. Systems and methods for precision placement of components
CN110265378B (zh) * 2019-06-19 2020-10-23 福建福顺半导体制造有限公司 一种电子元件
US11438991B2 (en) 2020-01-21 2022-09-06 Brightlogic, Inc. Light emitting diode package and electronic display
KR20210116828A (ko) 2020-03-17 2021-09-28 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 이용한 디스플레이 패널
CN114241936B (zh) * 2021-12-22 2023-04-28 江西瑞晟光电科技有限公司 多合一倒装全彩smd led

Family Cites Families (301)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3760237A (en) * 1972-06-21 1973-09-18 Gen Electric Solid state lamp assembly having conical light director
JPS5932039B2 (ja) 1977-03-24 1984-08-06 松下電器産業株式会社 高分子圧電トランスデユ−サ
JPS53126570A (en) 1977-04-13 1978-11-04 Saburou Sakakibara Mechanism for opening and closing filter medium in filter press
JPS5479985A (en) 1977-12-09 1979-06-26 Tokyo Shibaura Electric Co Ultrasonic scanning device
FR2436505A1 (fr) * 1978-09-12 1980-04-11 Radiotechnique Compelec Dispositif optoelectronique a emetteur et recepteur couples
JPS604991B2 (ja) 1979-05-11 1985-02-07 株式会社東芝 ディスプレイ装置
USD272210S (en) * 1981-08-07 1984-01-17 Simmons Universal Corporation Chest of drawers
JPS5927559A (ja) * 1982-08-07 1984-02-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置パツケ−ジ
US4511425A (en) * 1983-06-13 1985-04-16 Dennison Manufacturing Company Heated pad decorator
JPS6148951A (ja) * 1984-08-16 1986-03-10 Toshiba Corp 半導体装置
JPS6247156A (ja) 1985-08-26 1987-02-28 Toshiba Corp 絶縁ゲ−ト型半導体装置
JPS6247156U (ko) * 1985-09-12 1987-03-23
JPS62140758A (ja) 1985-12-16 1987-06-24 Kobe Steel Ltd メカニカルワイヤカツトソー
JPS62160564A (ja) 1986-01-09 1987-07-16 Fujitsu Ltd パイプライン制御方式
US4866005A (en) * 1987-10-26 1989-09-12 North Carolina State University Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide
DE58909888C5 (de) 1989-05-31 2017-03-02 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Opto-Bauelements und oberflächenmontierbares Opto-Bauelement
JPH038459A (ja) 1989-06-05 1991-01-16 Geinzu:Kk シャワーヘッド
US4946547A (en) * 1989-10-13 1990-08-07 Cree Research, Inc. Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth
US5042048A (en) 1990-03-02 1991-08-20 Meyer Brad E Target illuminators and systems employing same
US5167556A (en) * 1990-07-03 1992-12-01 Siemens Aktiengesellschaft Method for manufacturing a light emitting diode display means
US5130761A (en) * 1990-07-17 1992-07-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Led array with reflector and printed circuit board
US5200022A (en) * 1990-10-03 1993-04-06 Cree Research, Inc. Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product
US5122943A (en) * 1991-04-15 1992-06-16 Miles Inc. Encapsulated light emitting diode and method for encapsulation
US5351106A (en) * 1991-07-01 1994-09-27 Amergraph Corporation Exposure system
KR100209457B1 (ko) * 1992-07-24 1999-07-15 토마스 디스테파노 반도체 접속 부품과 그 제조 방법 및 반도체 칩 접속 방법
JP3227295B2 (ja) 1993-12-28 2001-11-12 松下電工株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP3431038B2 (ja) 1994-02-18 2003-07-28 ローム株式会社 発光装置とその製造方法およびｌｅｄヘッドの製造方法
US5790298A (en) * 1994-05-03 1998-08-04 Gentex Corporation Method of forming optically transparent seal and seal formed by said method
JP2994219B2 (ja) 1994-05-24 1999-12-27 シャープ株式会社 半導体デバイスの製造方法
JPH0832120A (ja) 1994-07-19 1996-02-02 Rohm Co Ltd 面発光表示器
JPH08139257A (ja) 1994-11-07 1996-05-31 Hitachi Ltd 面実装型半導体装置
DE4446566A1 (de) * 1994-12-24 1996-06-27 Telefunken Microelectron Mehrpoliges, oberflächenmontierbares, elektronisches Bauelement
KR100372136B1 (ko) * 1995-05-10 2003-03-15 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 반도체디바이스및그제조에적합한캐리어로드
DE19549818B4 (de) * 1995-09-29 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement
EP0897347B1 (en) 1996-03-19 2002-01-23 Donnelly Mirrors Limited Electro-optic rearview mirror system
US6600175B1 (en) 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
DE19621124A1 (de) * 1996-05-24 1997-11-27 Siemens Ag Optoelektronischer Wandler und dessen Herstellungsverfahren
JPH09321343A (ja) * 1996-05-31 1997-12-12 Dowa Mining Co Ltd 光通信用の部品装置
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP3672280B2 (ja) 1996-10-29 2005-07-20 株式会社シチズン電子 スルーホール電極付き電子部品の製造方法
JP3741512B2 (ja) 1997-04-14 2006-02-01 ローム株式会社 Ｌｅｄチップ部品
JP3882266B2 (ja) 1997-05-19 2007-02-14 日亜化学工業株式会社 半導体装置
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
JPH118405A (ja) 1997-06-17 1999-01-12 Oki Electric Ind Co Ltd 発光ダイオードアレイおよび発光ダイオード
EP2267798B1 (de) * 1997-07-29 2015-09-30 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches Bauelement
JPH1154802A (ja) 1997-07-30 1999-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置およびそれを用いて作製されたディスプレイ装置
GB2329238A (en) 1997-09-12 1999-03-17 Hassan Paddy Abdel Salam LED light source
US6183100B1 (en) * 1997-10-17 2001-02-06 Truck-Lite Co., Inc. Light emitting diode 360° warning lamp
DE19755734A1 (de) 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
DE19829197C2 (de) * 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
US7253445B2 (en) 1998-07-28 2007-08-07 Paul Heremans High-efficiency radiating device
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6274924B1 (en) * 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
JP3334864B2 (ja) 1998-11-19 2002-10-15 松下電器産業株式会社 電子装置
JP2000223751A (ja) 1998-11-25 2000-08-11 Nichia Chem Ind Ltd Ｌｅｄランプ及びそれを用いた表示装置
JP3784976B2 (ja) 1998-12-22 2006-06-14 ローム株式会社 半導体装置
JPH11261113A (ja) 1999-01-14 1999-09-24 Rohm Co Ltd 面実装型発光器
JP4279388B2 (ja) 1999-01-29 2009-06-17 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその形成方法
JP3349109B2 (ja) 1999-03-04 2002-11-20 株式会社シチズン電子 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
US6259608B1 (en) * 1999-04-05 2001-07-10 Delphi Technologies, Inc. Conductor pattern for surface mount devices and method therefor
JP2001042792A (ja) 1999-05-24 2001-02-16 Sony Corp Ｌｅｄ表示装置
JP2001044506A (ja) 1999-07-26 2001-02-16 Ichikoh Ind Ltd 発光ダイオードの固定構造
EP1072884A3 (en) * 1999-07-28 2002-01-23 KELLY, William, M. Improvements in and relating to ring lighting
US6710373B2 (en) * 1999-09-27 2004-03-23 Shih-Yi Wang Means for mounting photoelectric sensing elements, light emitting diodes, or the like
US6296367B1 (en) * 1999-10-15 2001-10-02 Armament Systems And Procedures, Inc. Rechargeable flashlight with step-up voltage converter and recharger therefor
JP2001168400A (ja) 1999-12-09 2001-06-22 Rohm Co Ltd ケース付チップ型発光装置およびその製造方法
US6486499B1 (en) 1999-12-22 2002-11-26 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
DE19964252A1 (de) * 1999-12-30 2002-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Bauelement für eine LED-Weißlichtquelle
DE10002521A1 (de) 2000-01-21 2001-08-09 Infineon Technologies Ag Elektrooptisches Datenübertragungsmodul
CN1225801C (zh) 2000-02-09 2005-11-02 日本光源股份有限公司 光源装置
US6224216B1 (en) * 2000-02-18 2001-05-01 Infocus Corporation System and method employing LED light sources for a projection display
JP3729012B2 (ja) 2000-02-24 2005-12-21 松下電工株式会社 Ｌｅｄモジュール
US6517218B2 (en) * 2000-03-31 2003-02-11 Relume Corporation LED integrated heat sink
WO2001075954A1 (fr) 2000-03-31 2001-10-11 Toyoda Gosei Co., Ltd. Procede de decoupage d'une plaquette de semi-conducteur en puces
WO2001082386A1 (fr) * 2000-04-24 2001-11-01 Rohm Co., Ltd. Dispositif semi-conducteur electroluminescent a emission laterale et son procede de production
US20020066905A1 (en) * 2000-06-20 2002-06-06 Bily Wang Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes
JP4431756B2 (ja) 2000-06-23 2010-03-17 富士電機システムズ株式会社 樹脂封止型半導体装置
JP2002033058A (ja) 2000-07-14 2002-01-31 Sony Corp 電界放出型表示装置用の前面板
DE10041328B4 (de) 2000-08-23 2018-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verpackungseinheit für Halbleiterchips
US6614103B1 (en) 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
US6345903B1 (en) 2000-09-01 2002-02-12 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same
EP1187226B1 (en) 2000-09-01 2012-12-26 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type light emitting diode and method of manufacturing same
US7064355B2 (en) 2000-09-12 2006-06-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
AT410266B (de) 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
US6940704B2 (en) * 2001-01-24 2005-09-06 Gelcore, Llc Semiconductor light emitting device
JP2002223005A (ja) 2001-01-26 2002-08-09 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード及びディスプレイ装置
JP2002280479A (ja) 2001-03-22 2002-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表面実装型の半導体装置
JP3659635B2 (ja) 2001-04-10 2005-06-15 株式会社東芝 光半導体装置
IE20020300A1 (en) 2001-04-23 2003-03-19 Plasma Ireland Ltd An Illuminator
US20020163001A1 (en) * 2001-05-04 2002-11-07 Shaddock David Mulford Surface mount light emitting device package and fabrication method
JP3844196B2 (ja) 2001-06-12 2006-11-08 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP2002374007A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2003007946A (ja) 2001-06-27 2003-01-10 Enomoto Co Ltd 表面実装型ｌｅｄ用リードフレーム及びその製造方法
DE10131698A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
TW543128B (en) * 2001-07-12 2003-07-21 Highlink Technology Corp Surface mounted and flip chip type LED package
US6700136B2 (en) 2001-07-30 2004-03-02 General Electric Company Light emitting device package
US6812481B2 (en) * 2001-09-03 2004-11-02 Toyoda Gosei Co., Ltd. LED device and manufacturing method thereof
ATE525755T1 (de) 2001-10-12 2011-10-15 Nichia Corp Lichtemittierendes bauelement und verfahren zu seiner herstellung
CN1417868A (zh) 2001-10-29 2003-05-14 银河光电股份有限公司 发光二极管芯片的多芯片封装结构
CN1265338C (zh) * 2001-11-21 2006-07-19 佳能株式会社 显示装置、其图像信号处理装置及驱动控制装置
DE10241989A1 (de) 2001-11-30 2003-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP4009097B2 (ja) * 2001-12-07 2007-11-14 日立電線株式会社 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム
KR100439402B1 (ko) 2001-12-24 2004-07-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
US6480389B1 (en) * 2002-01-04 2002-11-12 Opto Tech Corporation Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package
JP2003218405A (ja) 2002-01-22 2003-07-31 Alps Electric Co Ltd 電子部品の実装構造及び実装方法
JP3973082B2 (ja) * 2002-01-31 2007-09-05 シチズン電子株式会社 両面発光ｌｅｄパッケージ
US6924514B2 (en) 2002-02-19 2005-08-02 Nichia Corporation Light-emitting device and process for producing thereof
JP2003258305A (ja) 2002-02-27 2003-09-12 Oki Degital Imaging:Kk 半導体素子アレイ
US7242033B2 (en) * 2002-03-08 2007-07-10 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device using LED chip
JP3924481B2 (ja) 2002-03-08 2007-06-06 ローム株式会社 半導体チップを使用した半導体装置
JP3939177B2 (ja) 2002-03-20 2007-07-04 シャープ株式会社 発光装置の製造方法
WO2004044877A2 (en) 2002-11-11 2004-05-27 Cotco International Limited A display device and method for making same
CN2549313Y (zh) 2002-04-17 2003-05-07 杨英琪 大厦风扇夜光灯
JP2003324214A (ja) 2002-04-30 2003-11-14 Omron Corp 発光モジュール
JP3707688B2 (ja) 2002-05-31 2005-10-19 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
JP4002476B2 (ja) 2002-06-18 2007-10-31 ローム株式会社 半導体装置
WO2004001862A1 (ja) 2002-06-19 2003-12-31 Sanken Electric Co., Ltd. 半導体発光装置及びその製法並びに半導体発光装置用リフレクタ
TW546799B (en) * 2002-06-26 2003-08-11 Lingsen Precision Ind Ltd Packaged formation method of LED and product structure
DE10229067B4 (de) * 2002-06-28 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
NO317228B1 (no) 2002-07-01 2004-09-20 Bard Eker Ind Design As Projektor
JP2004047748A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
JP4118742B2 (ja) 2002-07-17 2008-07-16 シャープ株式会社 発光ダイオードランプおよび発光ダイオード表示装置
WO2004038759A2 (en) 2002-08-23 2004-05-06 Dahm Jonathan S Method and apparatus for using light emitting diodes
JP4407204B2 (ja) 2002-08-30 2010-02-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
US7224000B2 (en) * 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
KR200299491Y1 (ko) 2002-09-02 2003-01-03 코리아옵토 주식회사 표면실장형 발광다이오드
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
JP2004103775A (ja) 2002-09-09 2004-04-02 Eeshikku Kk チップｌｅｄ発光体の製造方法およびチップｌｅｄ発光体
DE10243247A1 (de) * 2002-09-17 2004-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leadframe-basiertes Bauelement-Gehäuse, Leadframe-Band, oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
JP2004146815A (ja) 2002-09-30 2004-05-20 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子
US6686609B1 (en) * 2002-10-01 2004-02-03 Ultrastar Limited Package structure of surface mounting led and method of manufacturing the same
US6717353B1 (en) 2002-10-14 2004-04-06 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor converted light emitting device
TW200414572A (en) 2002-11-07 2004-08-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd LED lamp
DE10255932A1 (de) * 2002-11-29 2004-06-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US7692206B2 (en) 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
JP4299535B2 (ja) 2002-12-16 2009-07-22 パナソニック株式会社 発光ダイオード表示装置
JP4633333B2 (ja) * 2003-01-23 2011-02-16 株式会社光波 発光装置
CN2617039Y (zh) 2003-02-21 2004-05-19 游尚桦 粘着型led引线架
KR101025234B1 (ko) * 2003-02-28 2011-04-01 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 구조화 방식으로 금속화된 하우징 바디를 갖는 광전자소자,상기 광전자소자의 제조 방법 및 플라스틱을 포함하는하우징 바디를 구조화 방식으로 금속화하기 위한 방법
JP4182783B2 (ja) 2003-03-14 2008-11-19 豊田合成株式会社 Ｌｅｄパッケージ
USD517025S1 (en) 2003-03-17 2006-03-14 Nichia Corporation Light emitting diode
US20040188696A1 (en) 2003-03-28 2004-09-30 Gelcore, Llc LED power package
JP4504662B2 (ja) * 2003-04-09 2010-07-14 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄランプ
KR101148332B1 (ko) 2003-04-30 2012-05-25 크리, 인코포레이티드 콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지
US7095053B2 (en) 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
JP4341951B2 (ja) 2003-05-07 2009-10-14 シチズン電子株式会社 発光ダイオード及びそのパッケージ構造
JP2004335880A (ja) 2003-05-09 2004-11-25 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
US7021797B2 (en) * 2003-05-13 2006-04-04 Light Prescriptions Innovators, Llc Optical device for repositioning and redistributing an LED's light
JP2004342870A (ja) 2003-05-16 2004-12-02 Stanley Electric Co Ltd 大電流駆動用発光ダイオード
JP4030463B2 (ja) 2003-05-20 2008-01-09 三洋電機株式会社 Ｌｅｄ光源及びその製造方法
JP2004356506A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Stanley Electric Co Ltd ガラス封止型発光ダイオード
JP3977774B2 (ja) 2003-06-03 2007-09-19 ローム株式会社 光半導体装置
JP4120813B2 (ja) * 2003-06-12 2008-07-16 セイコーエプソン株式会社 光学部品およびその製造方法
JP4645071B2 (ja) 2003-06-20 2011-03-09 日亜化学工業株式会社 パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
JP4034241B2 (ja) 2003-06-27 2008-01-16 日本ライツ株式会社 光源装置および光源装置の製造方法
DE102004001312B4 (de) 2003-07-25 2010-09-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Chip-Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP4360858B2 (ja) 2003-07-29 2009-11-11 シチズン電子株式会社 表面実装型ｌｅｄ及びそれを用いた発光装置
US6876008B2 (en) * 2003-07-31 2005-04-05 Lumileds Lighting U.S., Llc Mount for semiconductor light emitting device
JP2005064047A (ja) 2003-08-13 2005-03-10 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2005079167A (ja) 2003-08-28 2005-03-24 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
US6995402B2 (en) 2003-10-03 2006-02-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Integrated reflector cup for a light emitting device mount
US20050077535A1 (en) 2003-10-08 2005-04-14 Joinscan Electronics Co., Ltd LED and its manufacturing process
TWI291770B (en) 2003-11-14 2007-12-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Surface light source device and light emitting diode
JP4231391B2 (ja) 2003-11-19 2009-02-25 パナソニック株式会社 半導体装置用リードフレームとそれを用いた面発光装置
JP2005191530A (ja) 2003-12-03 2005-07-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
JP2005183531A (ja) * 2003-12-17 2005-07-07 Sharp Corp 半導体発光装置
US7321161B2 (en) 2003-12-19 2008-01-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LED package assembly with datum reference feature
JP4442216B2 (ja) 2003-12-19 2010-03-31 豊田合成株式会社 Ｌｅｄランプ装置
JP2005197329A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造
JP2005223222A (ja) 2004-02-06 2005-08-18 Toyoda Gosei Co Ltd 固体素子パッケージ
US7675231B2 (en) 2004-02-13 2010-03-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting diode display device comprising a high temperature resistant overlay
US20050179041A1 (en) 2004-02-18 2005-08-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Illumination system with LEDs
JP2005259754A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi 静電破壊防止可能な発光ダイオード装置
JP2005259972A (ja) 2004-03-11 2005-09-22 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型ｌｅｄ
US20050199899A1 (en) 2004-03-11 2005-09-15 Ming-Der Lin Package array and package unit of flip chip LED
US7009285B2 (en) * 2004-03-19 2006-03-07 Lite-On Technology Corporation Optoelectronic semiconductor component
JP2005310756A (ja) 2004-03-26 2005-11-04 Koito Mfg Co Ltd 光源モジュールおよび車両用前照灯
US7514867B2 (en) 2004-04-19 2009-04-07 Panasonic Corporation LED lamp provided with optical diffusion layer having increased thickness and method of manufacturing thereof
JP2005310935A (ja) 2004-04-20 2005-11-04 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子収納用パッケージ
EP2113549B1 (en) 2004-04-27 2011-12-28 Panasonic Corporation Phosphor composition and light-emitting device using the same
JP2005347401A (ja) 2004-06-01 2005-12-15 Meiko:Kk 光素子チップ部品
TWM258416U (en) * 2004-06-04 2005-03-01 Lite On Technology Corp Power LED package module
JPWO2006001352A1 (ja) * 2004-06-25 2008-07-31 三洋電機株式会社 発光素子
JP2006019557A (ja) 2004-07-02 2006-01-19 Fujikura Ltd 発光装置とその実装方法、照明器具及びディスプレイ
WO2006016398A1 (ja) 2004-08-10 2006-02-16 Renesas Technology Corp. 発光装置および発光装置の製造方法
JP4547569B2 (ja) 2004-08-31 2010-09-22 スタンレー電気株式会社 表面実装型ｌｅｄ
JP4747726B2 (ja) 2004-09-09 2011-08-17 豊田合成株式会社 発光装置
JP5192811B2 (ja) 2004-09-10 2013-05-08 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ
JP2006108517A (ja) 2004-10-08 2006-04-20 Citizen Watch Co Ltd Ｌｅｄ接続用基板及びそれを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置
KR101080355B1 (ko) 2004-10-18 2011-11-04 삼성전자주식회사 발광다이오드와 그 렌즈
JP2006114854A (ja) 2004-10-18 2006-04-27 Sharp Corp 半導体発光装置、液晶表示装置用のバックライト装置
JP2006119357A (ja) 2004-10-21 2006-05-11 Koha Co Ltd 表示装置
US20060097385A1 (en) 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US8816369B2 (en) 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
JP4796293B2 (ja) * 2004-11-04 2011-10-19 株式会社 日立ディスプレイズ 照明装置の製造方法
US7303315B2 (en) 2004-11-05 2007-12-04 3M Innovative Properties Company Illumination assembly using circuitized strips
JP2006140281A (ja) 2004-11-11 2006-06-01 Stanley Electric Co Ltd パワーｌｅｄ及びその製造方法
GB2420221B (en) 2004-11-12 2009-09-09 Unity Opto Technology Co Ltd Solid-state semiconductor light emitting device
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US7344902B2 (en) 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
US7119422B2 (en) * 2004-11-15 2006-10-10 Unity Opto Technology Co., Ltd. Solid-state semiconductor light emitting device
US8541797B2 (en) 2004-11-18 2013-09-24 Koninklijke Philips N.V. Illuminator and method for producing such illuminator
JP4902114B2 (ja) * 2004-12-16 2012-03-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2006065007A1 (en) 2004-12-16 2006-06-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Leadframe having a heat sink supporting ring, fabricating method of a light emitting diodepackage using the same and light emitting diodepackage fabbricated by the method
JP4591071B2 (ja) 2004-12-20 2010-12-01 日亜化学工業株式会社 半導体装置
US7285802B2 (en) * 2004-12-21 2007-10-23 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and method of making same
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
CN1679768A (zh) 2005-02-05 2005-10-12 黄益明 生姜提取物制剂及在防治胆石症中的作用
KR100665117B1 (ko) 2005-02-17 2007-01-09 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 하우징 및 그 제조 방법
TWI521748B (zh) 2005-02-18 2016-02-11 日亞化學工業股份有限公司 具備控制配光特性用之透鏡之發光裝置
TWI255566B (en) 2005-03-04 2006-05-21 Jemitek Electronics Corp Led
US7262438B2 (en) 2005-03-08 2007-08-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED mounting having increased heat dissipation
JP4915052B2 (ja) 2005-04-01 2012-04-11 パナソニック株式会社 Ｌｅｄ部品およびその製造方法
US7994702B2 (en) 2005-04-27 2011-08-09 Prysm, Inc. Scanning beams displays based on light-emitting screens having phosphors
JP2006324589A (ja) 2005-05-20 2006-11-30 Sharp Corp Ｌｅｄ装置およびその製造方法
JP2006332234A (ja) 2005-05-25 2006-12-07 Hitachi Aic Inc 反射機能を有するｌｅｄ装置
CN1874011A (zh) 2005-06-03 2006-12-06 邢陈震仑 一种发光二极管装置
JP4064412B2 (ja) 2005-06-07 2008-03-19 株式会社フジクラ 発光素子実装用基板および発光素子モジュール
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
US9412926B2 (en) 2005-06-10 2016-08-09 Cree, Inc. High power solid-state lamp
KR100638868B1 (ko) 2005-06-20 2006-10-27 삼성전기주식회사 금속 반사 층을 형성한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR101463375B1 (ko) * 2005-06-24 2014-11-18 구글 인코포레이티드 집적 메모리 코어 및 메모리 인터페이스 회로
JP2007012323A (ja) 2005-06-28 2007-01-18 Cheil Ind Co Ltd 面光源装置及び液晶表示装置
KR100757196B1 (ko) 2005-08-01 2007-09-07 서울반도체 주식회사 실리콘 렌즈를 구비하는 발광소자
US20070034886A1 (en) 2005-08-11 2007-02-15 Wong Boon S PLCC package with integrated lens and method for making the package
JP3948488B2 (ja) 2005-09-09 2007-07-25 松下電工株式会社 発光装置
JP2007095797A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置
US8911160B2 (en) 2005-09-27 2014-12-16 Lg Electronics Inc. Light emitting device package and backlight unit using the same
JP2007094088A (ja) 2005-09-29 2007-04-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示装置
JP2007109836A (ja) 2005-10-13 2007-04-26 Fuji Electric Holdings Co Ltd プリント配線板
US20070096139A1 (en) 2005-11-02 2007-05-03 3M Innovative Properties Company Light emitting diode encapsulation shape control
JP4724618B2 (ja) * 2005-11-11 2011-07-13 株式会社 日立ディスプレイズ 照明装置及びそれを用いた液晶表示装置
JP3992059B2 (ja) 2005-11-21 2007-10-17 松下電工株式会社 発光装置の製造方法
JP2007184542A (ja) 2005-12-09 2007-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置
JP2007165029A (ja) 2005-12-12 2007-06-28 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP2007201420A (ja) 2005-12-27 2007-08-09 Sharp Corp 半導体発光装置、半導体発光素子、および半導体発光装置の製造方法
JP2007189150A (ja) 2006-01-16 2007-07-26 Enomoto Co Ltd 低背ｌｅｄデバイス用リードフレーム及びその製造方法
US20070170449A1 (en) 2006-01-24 2007-07-26 Munisamy Anandan Color sensor integrated light emitting diode for LED backlight
KR100703218B1 (ko) 2006-03-14 2007-04-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
USD572670S1 (en) * 2006-03-30 2008-07-08 Nichia Corporation Light emitting diode
JP2007273763A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2007281323A (ja) 2006-04-11 2007-10-25 Toyoda Gosei Co Ltd Ｌｅｄデバイス
EP2013909A4 (en) 2006-04-18 2011-07-06 Lamina Lighting Inc OPTICAL DEVICES FOR CONTROLLED COLOR MIXTURE
CN102800786B (zh) 2006-04-24 2015-09-16 克利公司 发光二极管和显示元件
US7635915B2 (en) 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
JP4830768B2 (ja) * 2006-05-10 2011-12-07 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
US20070269586A1 (en) 2006-05-17 2007-11-22 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing composition
JP5119610B2 (ja) * 2006-05-26 2013-01-16 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
KR100789951B1 (ko) 2006-06-09 2008-01-03 엘지전자 주식회사 발광 유닛 제작 장치 및 방법
US20070294975A1 (en) 2006-06-22 2007-12-27 Paul Nadar Support panel for removable brackets and the like
KR100904152B1 (ko) 2006-06-30 2009-06-25 서울반도체 주식회사 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지
US7960819B2 (en) 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
TWM303325U (en) 2006-07-13 2006-12-21 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting diode package
US7804147B2 (en) 2006-07-31 2010-09-28 Cree, Inc. Light emitting diode package element with internal meniscus for bubble free lens placement
US8367945B2 (en) 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
JP5564162B2 (ja) 2006-09-29 2014-07-30 フューチャー ライト リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光ダイオード装置
TWI313943B (en) 2006-10-24 2009-08-21 Chipmos Technologies Inc Light emitting chip package and manufacturing thereof
USD572210S1 (en) 2006-11-01 2008-07-01 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting diode (LED)
KR101329413B1 (ko) 2006-12-19 2013-11-14 엘지디스플레이 주식회사 광학 렌즈, 이를 구비하는 광학 모듈 및 이를 구비하는백라이트 유닛
US7687823B2 (en) * 2006-12-26 2010-03-30 Nichia Corporation Light-emitting apparatus and method of producing the same
KR100788265B1 (ko) 2006-12-28 2007-12-27 서울반도체 주식회사 다수의 수직형 발광소자를 구비하는 발광 다이오드 패키지
JP5168152B2 (ja) 2006-12-28 2013-03-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5277960B2 (ja) 2006-12-28 2013-08-28 日亜化学工業株式会社 発光装置、パッケージ、発光装置の製造方法及びパッケージの製造方法
US7800304B2 (en) 2007-01-12 2010-09-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multi-chip packaged LED light source
JP5106862B2 (ja) 2007-01-15 2012-12-26 昭和電工株式会社 発光ダイオードパッケージ
CN100550374C (zh) 2007-01-30 2009-10-14 深圳市联众达光电有限公司 Led封装结构及封装方法
US7777412B2 (en) * 2007-03-22 2010-08-17 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Phosphor converted LED with improved uniformity and having lower phosphor requirements
JP4689637B2 (ja) * 2007-03-23 2011-05-25 シャープ株式会社 半導体発光装置
US7622795B2 (en) 2007-05-15 2009-11-24 Nichepac Technology Inc. Light emitting diode package
US7923831B2 (en) 2007-05-31 2011-04-12 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED-based light source having improved thermal dissipation
DE202007012162U1 (de) * 2007-06-05 2008-03-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED-Gehäuse
JP4107349B2 (ja) 2007-06-20 2008-06-25 ソニー株式会社 光源装置、表示装置
USD576574S1 (en) * 2007-07-17 2008-09-09 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode module
CN100574543C (zh) 2007-07-30 2009-12-23 深圳莱特光电有限公司 一种暖白光led封装过程中隔离银层的方法
US7968899B2 (en) 2007-08-27 2011-06-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED light source having improved resistance to thermal cycling
DE102007041136A1 (de) 2007-08-30 2009-03-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Gehäuse
JP2007329516A (ja) * 2007-09-14 2007-12-20 Sharp Corp 半導体発光装置
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
US9012937B2 (en) 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
US7524087B1 (en) * 2007-11-16 2009-04-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical device
US8049230B2 (en) * 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
NL2003027C (nl) 2008-06-15 2010-04-12 Stichting Administratiekantoor Vomgroup Werkwijze voor het vervaardigen van een aan een led toe te voegen lens, alsmede met de werkwijze verkregen lens.
GB2458972B (en) 2008-08-05 2010-09-01 Photonstar Led Ltd Thermally optimised led chip-on-board module
JP5284006B2 (ja) 2008-08-25 2013-09-11 シチズン電子株式会社 発光装置
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
GB2466633A (en) 2008-12-12 2010-07-07 Glory Science Co Ltd Method of manufacturing a light emitting unit
JP2010199547A (ja) 2009-01-30 2010-09-09 Nichia Corp 発光装置及びその製造方法
US20110049545A1 (en) 2009-09-02 2011-03-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led package with phosphor plate and reflective substrate
KR101630491B1 (ko) 2009-11-05 2016-06-24 루미니트 엘엘씨 캡슐화된 고-휘도 ｌｅｄ 칩을 위한 마이크로스트럭처 제공 방법
JP5678629B2 (ja) 2010-02-09 2015-03-04 ソニー株式会社 発光装置の製造方法
KR101659357B1 (ko) 2010-05-12 2016-09-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자패키지
US8789744B2 (en) 2010-10-19 2014-07-29 Philip Premysler Reflow solderable, surface mount optic mounting
WO2012099145A1 (ja) 2011-01-20 2012-07-26 シャープ株式会社 発光装置、照明装置、表示装置及び発光装置の製造方法
US20120257386A1 (en) 2011-06-24 2012-10-11 Xicato, Inc. Led based illumination module with a reflective mask
US20130056774A1 (en) 2011-09-02 2013-03-07 Phostek, Inc. Lens, package and packaging method for semiconductor light-emitting device
JP2013077798A (ja) 2011-09-14 2013-04-25 Toyoda Gosei Co Ltd ガラス封止ｌｅｄランプ及びその製造方法
US8889517B2 (en) 2012-04-02 2014-11-18 Jds Uniphase Corporation Broadband dielectric reflectors for LED with varying thickness
US9034672B2 (en) 2012-06-19 2015-05-19 Epistar Corporation Method for manufacturing light-emitting devices
DE102012213343B4 (de) 2012-07-30 2023-08-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEILs MIT SAPHIR-FLIP-CHIP
JP6148951B2 (ja) 2013-09-26 2017-06-14 住友理工株式会社 流体封入式筒形防振装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20130038644A1 (en) 2013-02-14
EP2377173A4 (en) 2014-01-08
US8368112B2 (en) 2013-02-05
US20100155748A1 (en) 2010-06-24
EP2377173A1 (en) 2011-10-19
JP2012515440A (ja) 2012-07-05
CN102084509A (zh) 2011-06-01
WO2010081403A1 (en) 2010-07-22
US9722158B2 (en) 2017-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9722158B2 (en) Aligned multiple emitter package
US10679973B2 (en) Multiple pixel surface mount device package
US10431567B2 (en) White ceramic LED package
US8901583B2 (en) Surface mount device thin package
US9831393B2 (en) Water resistant surface mount device package
US8791471B2 (en) Multi-chip light emitting diode modules
US8648359B2 (en) Light emitting devices and methods
US9240395B2 (en) Waterproof surface mount device package and method
US7821023B2 (en) Solid state lighting component
KR101768720B1 (ko) 표면 실장 ｌｅｄ 모듈 및 표면 실장 ｌｅｄ 모듈의 제조 방법
US10163870B2 (en) Light emitting device package and light emitting device package module
US20110037083A1 (en) Led package with contrasting face
CN105702832A (zh) 用于发光器件的载体
CN202585525U (zh) 发光器封装体和发光器件显示器
KR102624115B1 (ko) 발광 장치
KR20140095887A (ko) 발광 다이오드 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application