JPH02266584A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPH02266584A JPH02266584A JP8896289A JP8896289A JPH02266584A JP H02266584 A JPH02266584 A JP H02266584A JP 8896289 A JP8896289 A JP 8896289A JP 8896289 A JP8896289 A JP 8896289A JP H02266584 A JPH02266584 A JP H02266584A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- photodetector
- lead frame
- mold resin
- diode chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光半導体装置、特に半導体レーザ装置に関す
る。
る。
従来、この種の半導体レーザ装置は、第３図に示すよう
に、ヒートシンク２上にマウントされたレーザダイオー
ドチップ１は、Ｔｏ−８，Ｔｏ−１８等のパッケージ１
７の良導体ブロック上にマウントされ、受光素子３はモ
ニター側レーザビーム１３に対向するようにパッケージ
１７にマウントされ、レーザダイオードチップ１とリー
ド１５、受光素子３とリード１６はそれぞれ金線８゜９
により電気的に接続される。その後ハーメチックキャッ
プ１８により封止し、半導体レーザ装置が作製されてい
た。
に、ヒートシンク２上にマウントされたレーザダイオー
ドチップ１は、Ｔｏ−８，Ｔｏ−１８等のパッケージ１
７の良導体ブロック上にマウントされ、受光素子３はモ
ニター側レーザビーム１３に対向するようにパッケージ
１７にマウントされ、レーザダイオードチップ１とリー
ド１５、受光素子３とリード１６はそれぞれ金線８゜９
により電気的に接続される。その後ハーメチックキャッ
プ１８により封止し、半導体レーザ装置が作製されてい
た。
上述した従来のパッケージは、他のパッケージ間との機
械的つながりがなく、個々のパッケージがそれぞれ分離
・独立した形状となっているので大量生産に対応しにく
いこと、およびパッケージの価格が極めて高いという欠
点がある。さらに、従来のパッケージによるモニター内
蔵型の場合、モニタ用レーザビームがモニター用受光素
子で反射し、主レーザビームを乱すという欠点がある。
械的つながりがなく、個々のパッケージがそれぞれ分離
・独立した形状となっているので大量生産に対応しにく
いこと、およびパッケージの価格が極めて高いという欠
点がある。さらに、従来のパッケージによるモニター内
蔵型の場合、モニタ用レーザビームがモニター用受光素
子で反射し、主レーザビームを乱すという欠点がある。
本発明の光半導体装置は、レーザダイオードとモニター
用受光素子をＳＩＰ型リード上にマウントし、受光素子
を光散乱剤を含んだモールド樹脂で封止し、さらにレー
ザダイオードとともにモールド成形により封止したこと
を特徴とする。
用受光素子をＳＩＰ型リード上にマウントし、受光素子
を光散乱剤を含んだモールド樹脂で封止し、さらにレー
ザダイオードとともにモールド成形により封止したこと
を特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は、本発明による第１の実施例の縦断面図である。ヒー
トシンク２にマウントされたレーザダイオードチップ１
と受光素子３はリードフレーム４にマウントされ、レー
ザダイオードチップ１よりリードフレーム５に、受光素
子３よりリードフレーム６に金線８．９を用いて電気的
配線がなされる。受光素子３は散乱剤を含んだ透明モー
ルド樹脂１０で封止されたのちレーザダイオードチップ
１．ヒートシンク２．リードフレーム４．５．６ととも
に透明モールド樹脂で封止される。リードフレーム４よ
り印加される電流はレーザダイオードチップ１を流れ、
これにより主ビーム１２．モニター用ビーム１３が放射
される。モニター用レーザビーム１３は光散乱剤を含ん
だモールド樹脂内で散乱し受光素子３に入射する。
は、本発明による第１の実施例の縦断面図である。ヒー
トシンク２にマウントされたレーザダイオードチップ１
と受光素子３はリードフレーム４にマウントされ、レー
ザダイオードチップ１よりリードフレーム５に、受光素
子３よりリードフレーム６に金線８．９を用いて電気的
配線がなされる。受光素子３は散乱剤を含んだ透明モー
ルド樹脂１０で封止されたのちレーザダイオードチップ
１．ヒートシンク２．リードフレーム４．５．６ととも
に透明モールド樹脂で封止される。リードフレーム４よ
り印加される電流はレーザダイオードチップ１を流れ、
これにより主ビーム１２．モニター用ビーム１３が放射
される。モニター用レーザビーム１３は光散乱剤を含ん
だモールド樹脂内で散乱し受光素子３に入射する。
第２図は本発明による第２の実施例の縦断面図である。
本実施例においては、レーザダイオードチップ１と受光
素子３はそれぞれ別のリードフレーム４，７にマウント
されるが、受光素子３は散乱剤を含んだ透明モールド樹
脂１０で封止され、さらに透明モールド樹脂１１で封止
されるのは第１の実施例と同様である。本実施例は第１
の実施例と異なり、共通リードがなく４端子構造を有し
ていることを特徴とする。
素子３はそれぞれ別のリードフレーム４，７にマウント
されるが、受光素子３は散乱剤を含んだ透明モールド樹
脂１０で封止され、さらに透明モールド樹脂１１で封止
されるのは第１の実施例と同様である。本実施例は第１
の実施例と異なり、共通リードがなく４端子構造を有し
ていることを特徴とする。
以上説明したように本発明は、Ｔｏ−８，ＴＯ−１８等
のパッケージをリードフレームに置きかえることにより
、またハーメチックキャップの代りに透明樹脂によりモ
ールドすることにより、モニター内蔵半導体レーザ素子
の大量生産の実現および大幅な原価低減を実現できる。
のパッケージをリードフレームに置きかえることにより
、またハーメチックキャップの代りに透明樹脂によりモ
ールドすることにより、モニター内蔵半導体レーザ素子
の大量生産の実現および大幅な原価低減を実現できる。
第１図は本発明のレーザダイオードの第１の実施例の縦
断面図、第２図は本発明の第２の実施例の縦断面図、第
３図は従来のレーザダイオードの斜視図である。 １・・・レーザダイオードチップ、２・・・ヒートシン
ク、３・・・受光素子、４，５，６．７・・・リードフ
レーム、８．９・・・金線、１０・・・光散乱剤の入っ
た透明モールド樹脂、１１・・・透明モールド樹脂、１
２・・・主レーザビーム、１３・・・モニター用レーザ
ビーム、１４・・・レンズ、１５．１６・・・リード、
１７・・・パッケージ、１８・・・キャップ。
断面図、第２図は本発明の第２の実施例の縦断面図、第
３図は従来のレーザダイオードの斜視図である。 １・・・レーザダイオードチップ、２・・・ヒートシン
ク、３・・・受光素子、４，５，６．７・・・リードフ
レーム、８．９・・・金線、１０・・・光散乱剤の入っ
た透明モールド樹脂、１１・・・透明モールド樹脂、１
２・・・主レーザビーム、１３・・・モニター用レーザ
ビーム、１４・・・レンズ、１５．１６・・・リード、
１７・・・パッケージ、１８・・・キャップ。
Claims (1)
- レーザダイオードとモニター用受光素子をＳＩＰ（ＳＩ
ＮＧＬＥＩＮＬＩＮＥＰＡＣＫＡＧＥ）リードフレーム
上にマウントし、受光素子を光散乱剤を含んだモールド
樹脂で封止し、さらにレーザダイオードとともにモール
ド成形により封止したことを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8896289A JPH02266584A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8896289A JPH02266584A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02266584A true JPH02266584A (ja) | 1990-10-31 |
Family
ID=13957456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8896289A Pending JPH02266584A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02266584A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0523563U (ja) * | 1991-07-17 | 1993-03-26 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| US5367530A (en) * | 1992-05-29 | 1994-11-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus |
| JPH09205251A (ja) * | 1995-12-29 | 1997-08-05 | Ind Technol Res Inst | 半導体レーザーのプラスチックモールド装置 |
| US6862305B2 (en) | 2000-12-07 | 2005-03-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP8896289A patent/JPH02266584A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0523563U (ja) * | 1991-07-17 | 1993-03-26 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| US5367530A (en) * | 1992-05-29 | 1994-11-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus |
| JPH09205251A (ja) * | 1995-12-29 | 1997-08-05 | Ind Technol Res Inst | 半導体レーザーのプラスチックモールド装置 |
| US6862305B2 (en) | 2000-12-07 | 2005-03-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
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