JPH01266771A - 発光ダイオードランプ - Google Patents
発光ダイオードランプInfo
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- JPH01266771A JPH01266771A JP63094831A JP9483188A JPH01266771A JP H01266771 A JPH01266771 A JP H01266771A JP 63094831 A JP63094831 A JP 63094831A JP 9483188 A JP9483188 A JP 9483188A JP H01266771 A JPH01266771 A JP H01266771A
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- JP
- Japan
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- light
- emitting diode
- light emitting
- resin
- diode chip
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- Pending
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 6
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は発光ダイオード(LED)を用いたLEDラ
ンプに関するものである。
ンプに関するものである。
従来の技術
発光ダイオードを用いた従来のLEDランプの構造を第
3図に示す。このLEDランプは、一方のリードフレー
ム1に発光ダイオードチップ2がダイスボンディングさ
れ、発光ダイオードチップ2と他方のリードフレーム1
1が金線3でワイヤボンディングされ、リードフレーム
1と11の外部リード部分を除いて透明な樹脂4で封止
された構造である。なお、このタイプのLEDランプを
載置したリードフレーム1は光を効率よく取り出すため
に、ダイスボンディング周辺部を凹部にし、発光ダイオ
ードチップ2の側面及び下面からの光を反射し、LED
ランプの天面方向へできるだけ放出するような構造にな
っている。また、LEDランプの天面は樹脂4を半球状
にして樹脂レンズ5を形成している。
3図に示す。このLEDランプは、一方のリードフレー
ム1に発光ダイオードチップ2がダイスボンディングさ
れ、発光ダイオードチップ2と他方のリードフレーム1
1が金線3でワイヤボンディングされ、リードフレーム
1と11の外部リード部分を除いて透明な樹脂4で封止
された構造である。なお、このタイプのLEDランプを
載置したリードフレーム1は光を効率よく取り出すため
に、ダイスボンディング周辺部を凹部にし、発光ダイオ
ードチップ2の側面及び下面からの光を反射し、LED
ランプの天面方向へできるだけ放出するような構造にな
っている。また、LEDランプの天面は樹脂4を半球状
にして樹脂レンズ5を形成している。
発明が解決しようとする課題
リードフレーム1に凹部の反射面を設けてLEDランプ
の天面方向へ反射させても必ずしも、樹脂レンズ5を経
由して放出される有効な光となりえず、樹脂4の側面へ
散逸する光が相当量あった。
の天面方向へ反射させても必ずしも、樹脂レンズ5を経
由して放出される有効な光となりえず、樹脂4の側面へ
散逸する光が相当量あった。
特にこの形状のLEDランプにおいて、天面から放射さ
れる光の指向性を狭(するためには、発光ダイオードチ
ップ2の位置と封止樹脂4の天面間の距離dを長(する
必要がある。この場合、樹脂レンズ5へ発光ダイオード
チップ2からの有効な光が直接入射する範囲θ1に対し
て、LEDランプの側面への無効な光となる範囲θ2の
割合が増加し、ますます有効な光量が減少していた。
れる光の指向性を狭(するためには、発光ダイオードチ
ップ2の位置と封止樹脂4の天面間の距離dを長(する
必要がある。この場合、樹脂レンズ5へ発光ダイオード
チップ2からの有効な光が直接入射する範囲θ1に対し
て、LEDランプの側面への無効な光となる範囲θ2の
割合が増加し、ますます有効な光量が減少していた。
課題を解決するための手段
本発明のLEDランプは発光グイボードを封止した樹脂
中に天面方向が開いた樹脂製の光反射板(リフレクタ)
を具備するものである。
中に天面方向が開いた樹脂製の光反射板(リフレクタ)
を具備するものである。
作用
本発明のLEDランプによれば、発光ダイオードから側
面に放射された光は、リフレクタに反射されながら天面
方向への光束に変えることができ、すべての光が天面か
ら放射され、有効な光とすることができる。
面に放射された光は、リフレクタに反射されながら天面
方向への光束に変えることができ、すべての光が天面か
ら放射され、有効な光とすることができる。
実施例
本発明のLEDランプの第1の実施例を第1図に示した
断面図を参照して説明する。
断面図を参照して説明する。
このLEDランプは、一方のリードフレーム1には発光
ダイオードチップ2が搭載され、発光ダイオードチップ
2と他方のリードフレーム11が金線3でボンディング
され、図示するようなりフレフタ6がインサート成形に
より取り付けられ、リードフレームの外部リードを除い
て透明な樹脂4(例えばエポキシ樹脂)で封止された構
造である。なお、LEDランプの天面は樹脂4を半球状
にして樹脂レンズ5を形成している。
ダイオードチップ2が搭載され、発光ダイオードチップ
2と他方のリードフレーム11が金線3でボンディング
され、図示するようなりフレフタ6がインサート成形に
より取り付けられ、リードフレームの外部リードを除い
て透明な樹脂4(例えばエポキシ樹脂)で封止された構
造である。なお、LEDランプの天面は樹脂4を半球状
にして樹脂レンズ5を形成している。
上記リードフレーム1と11の間に電圧を加えると発光
ダイオードチップ2が発光し、範囲θ1の光は、直接樹
脂レンズ5を経由して放射される。また、範囲θ2内の
光は、リフレクタ6によって反射された後、樹脂レンズ
5を経由して放出される。このため、LEDランプの指
向特性を狭くするために発光ダイオードチップ2の位置
と樹脂4の天面間の距離dを長<シ、範囲θ2へ放射さ
れる光が多くなっても、リフレクタ6に反射されて範囲
θ1内へ導かれ、有効な光として利用することができる
。
ダイオードチップ2が発光し、範囲θ1の光は、直接樹
脂レンズ5を経由して放射される。また、範囲θ2内の
光は、リフレクタ6によって反射された後、樹脂レンズ
5を経由して放出される。このため、LEDランプの指
向特性を狭くするために発光ダイオードチップ2の位置
と樹脂4の天面間の距離dを長<シ、範囲θ2へ放射さ
れる光が多くなっても、リフレクタ6に反射されて範囲
θ1内へ導かれ、有効な光として利用することができる
。
次に、以上のLEDランプの製造方法について述べる。
リードフレーム1と11にインサート成形で反射率の高
い白樹脂によるリフレクタ6を装着する。次にリードフ
レーム1に発光ダイオードチップ2をダイスボンディン
グしたのち、発光ダイオードチップ2とリードフレーム
11を金線3でワイヤボンディングを行い、リフレクタ
6内に透明エポキシ樹脂を予備充填する。次にキャステ
ィング用の型に、透明エポキシ樹脂を注入した後、前記
リードフレーム1と11を挿入して、しかる後加熱硬化
させて樹脂4で封止し、天面に樹脂レンズ5を形成する
。リフレクタ6の形状は光線軌跡シュミレーションによ
り決定した。なお、樹脂4の封止方法は、キャスティン
グ法によるだけではなく、封止成形専用機(トランスフ
ァ成形機)により成形することによっても可能である。
い白樹脂によるリフレクタ6を装着する。次にリードフ
レーム1に発光ダイオードチップ2をダイスボンディン
グしたのち、発光ダイオードチップ2とリードフレーム
11を金線3でワイヤボンディングを行い、リフレクタ
6内に透明エポキシ樹脂を予備充填する。次にキャステ
ィング用の型に、透明エポキシ樹脂を注入した後、前記
リードフレーム1と11を挿入して、しかる後加熱硬化
させて樹脂4で封止し、天面に樹脂レンズ5を形成する
。リフレクタ6の形状は光線軌跡シュミレーションによ
り決定した。なお、樹脂4の封止方法は、キャスティン
グ法によるだけではなく、封止成形専用機(トランスフ
ァ成形機)により成形することによっても可能である。
次に、本発明のLEDランプの第2の実施例を第2図に
示した断面図を参照して説明する。
示した断面図を参照して説明する。
このLEDランプは、リードフレーム1と11にはイン
サート成形により図示するようなりフレフタ6が取り付
けられ、リードフレーム1には発光ダイオードチップ2
が搭載され、リードフレーム11と発光ダイオードチッ
プ2が金線3で結線され、このリフレクタ6付リードフ
レームを光分散剤7入りの樹脂41(例えばエポキシ樹
脂)で封止された構造である。この実施例においては光
分散剤7の効果により封止樹脂天面を均一に発光させる
効果があるとともに、リフレクタ付きリードフレームを
用いることにより効率よ(光を天面より取り出すことが
できる。
サート成形により図示するようなりフレフタ6が取り付
けられ、リードフレーム1には発光ダイオードチップ2
が搭載され、リードフレーム11と発光ダイオードチッ
プ2が金線3で結線され、このリフレクタ6付リードフ
レームを光分散剤7入りの樹脂41(例えばエポキシ樹
脂)で封止された構造である。この実施例においては光
分散剤7の効果により封止樹脂天面を均一に発光させる
効果があるとともに、リフレクタ付きリードフレームを
用いることにより効率よ(光を天面より取り出すことが
できる。
発明の効果
本発明によれば、インサート成形等によりリードフレー
ムに反射率の高い白樹脂リフレクタを取り付けて樹脂封
止を行うことにより、従来有効に利用されていなかった
光を有効に取り出すことができる。この結果、発光効率
が非常に良(なる効果がある。
ムに反射率の高い白樹脂リフレクタを取り付けて樹脂封
止を行うことにより、従来有効に利用されていなかった
光を有効に取り出すことができる。この結果、発光効率
が非常に良(なる効果がある。
第1図と第2図は本発明のLEDランプの実施例の断面
図、第3図は従来のLEDランプの断面図である。 1.11・・・・・・リードフレーム、2・・・・・・
発光ダイオードチップ、3・・・・・・金線、4・・・
・・・樹脂、5・・・・・・樹脂レンズ、6・・・・・
・光反射板(リフレクタ)、7・・・・・・光分散剤、
41・・・・・・光分散剤入りの樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名1、tt−
リードフレー・ム 2・−売先ダイオード+ツブ 3−金 線 4・−尉脂 1、N−一一ゾードフレーム 2− 奏光タイオートチ・ツブ 3−金 線 41− 九今散別入りの樹、詣 第2図 //′
図、第3図は従来のLEDランプの断面図である。 1.11・・・・・・リードフレーム、2・・・・・・
発光ダイオードチップ、3・・・・・・金線、4・・・
・・・樹脂、5・・・・・・樹脂レンズ、6・・・・・
・光反射板(リフレクタ)、7・・・・・・光分散剤、
41・・・・・・光分散剤入りの樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名1、tt−
リードフレー・ム 2・−売先ダイオード+ツブ 3−金 線 4・−尉脂 1、N−一一ゾードフレーム 2− 奏光タイオートチ・ツブ 3−金 線 41− 九今散別入りの樹、詣 第2図 //′
Claims (1)
- 発光ダイオードを封止した樹脂中に天面方向が開いた
樹脂製の光反射板を設けたことを特徴とする発光ダイオ
ードランプ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63094831A JPH01266771A (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 発光ダイオードランプ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63094831A JPH01266771A (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 発光ダイオードランプ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01266771A true JPH01266771A (ja) | 1989-10-24 |
Family
ID=14120993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63094831A Pending JPH01266771A (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 発光ダイオードランプ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01266771A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6677614B1 (en) * | 1992-12-17 | 2004-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
US6808950B2 (en) * | 1992-12-17 | 2004-10-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
US6940704B2 (en) | 2001-01-24 | 2005-09-06 | Gelcore, Llc | Semiconductor light emitting device |
-
1988
- 1988-04-18 JP JP63094831A patent/JPH01266771A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6677614B1 (en) * | 1992-12-17 | 2004-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
US6808950B2 (en) * | 1992-12-17 | 2004-10-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
US7094619B2 (en) | 1992-12-17 | 2006-08-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of fabricating a light emitting device |
US7288795B2 (en) | 1992-12-17 | 2007-10-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
US7297984B2 (en) | 1992-12-17 | 2007-11-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
US7315046B2 (en) | 1992-12-17 | 2008-01-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
US6940704B2 (en) | 2001-01-24 | 2005-09-06 | Gelcore, Llc | Semiconductor light emitting device |
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