JPS63300578A - 発光ダイオード - Google Patents

発光ダイオード

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Publication number
JPS63300578A
JPS63300578A JP62137263A JP13726387A JPS63300578A JP S63300578 A JPS63300578 A JP S63300578A JP 62137263 A JP62137263 A JP 62137263A JP 13726387 A JP13726387 A JP 13726387A JP S63300578 A JPS63300578 A JP S63300578A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pellet
emitting diode
light
light emitting
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62137263A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Iwashima
岩島 治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS63300578A publication Critical patent/JPS63300578A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂成形によりパッケージングされた発光ダイ
オードに関する。
〔従来の技術〕
可視光の発光ダイオードはGaP、GaAsP等の結晶
を用いて作られ、赤・緑、黄色等に発光するので各種装
置のパイロットランプ等に広く用いられ、また赤外発光
ダイオードはテレビ等に用いられているリモコン装置の
発信源として使用されている。
従来の樹脂モールドされた発光ダイオードは、第3図に
示すような構造を有している。すなわち、発光ダイオー
ドペレット33は上面のみでなく側面からも光が出る為
にその光を効率良く前方に案内する様に、リード32の
ペレットマウント部には反射鏡35が形成されている。
この反射鏡はリードフレームの製造工程中に作られる。
第4図(a)に示す様なパターンが形成されたリードフ
レーム41のペレットマウント部43を、先端が凸面に
なったポンチ42でつぶして、第4図(b)のように凹
面を形成し反射鏡44としている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
前述の従来の発光ダイオードは金属であるリードフレー
ムで反射鏡を形成していたので大きな反射鏡を作れない
という欠点があった。すなわち多くの光を前方に案内で
きるためには、反射鏡は大きな方が望ましいことは言う
までもない。しかしリードフレームは鉄、銅等の金属で
あり、それをポンチでつぶして加工するので大きな反射
鏡を形成することは不可能で比較的小さな反射鏡しか実
現していない。従って、発光ダイオードペレットの側面
から出た光は、その1部分しか前方に案内できず、その
大部分は側面方向に逃げてしまい、有効に前方に進行せ
ず無駄な光となってしまった。
本発明の目的は、発光ダイオードペレットの側面から出
た光をすべて前方に案内できるような大きな反射鏡を備
えた発光ダイオードを提供することである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明によれば、発光ダイオードペレットと、この発光
ダイオードペレットから放射された光を前方に案内する
ための表面反射率の高い樹脂で成形された反射鏡を樹脂
成形パッケージ内に具備する発光ダイオードが得られる
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の発光ダイオードの構造を示
す断面図である。発光ダイオードペレット14は一方の
リード12の上端に固着され、このペレット14から放
射された光を前方へ導くための樹脂により形成された反
射鏡13がペレット14の後方に設けられている。そし
てこれら全体が樹脂成形パッケージ11内に収められ固
定されている9本実施例の反射鏡は表面反射率の高い樹
脂で作られているので、従来のリードフレームの加工に
よって形成された反射鏡よりもはるかに大きくすること
ができ、発光ダイオードペレットの側面から出た光を従
来よりもはるかに有効に前方に案内することができる。
また、インジェクションモールド等により成形された本
実施例の反射鏡は、従来のポンチでつぶして形成した反
射鏡に比べて反射面の大きさや曲率半径等を設計どおり
に実現でき、従って、完成後の発光ダイオードの光の指
向性を所望どおりに設計できるという利点を有する。
第2図は第1図の発光ダイオードの製作方法を示す。説
明の便宜の為に反射鏡の一部を切り欠いである。反射鏡
13にその中心部を1端とするL字状の穴21を形成し
、その1部に穴をうめる方向に突出した爪部22を設け
る0発光ダイオードペレット14をリード12にマウン
トしワイヤボンディングを行なった後この反射鏡13を
発光ダイオードペレットが反射鏡の中心に位置する様に
設置し、次に矢印の方向に反射鏡13を回転させリード
12を爪部22ではさむ様にして固定する。次に通常の
方法であるキャスティングモールドあるいはトランスフ
ァーモールドを行なってパッケージングを施こし、本発
明による発光ダイオードが完成する。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は表面反射率の高い樹脂で成
形された大きな反射鏡を有するので、側面から出た光も
すべて有効に前方に案内され、所望の強さの光を前方に
放出するのに従来よりも流す電流を少なくすることがで
きるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の発光ダイオードの断面図、
第2図は樹脂成形された反射鏡をリードに装着する方法
を示す斜視図、第3図は従来の発光ダイオードの断面図
、第4図(a)、(b)はリードフレームを加工して反
射鏡を形成する工程を示す図である。 11・・・樹脂成形パッケージ、12・・・リード、1
3・・・樹脂成形された反射鏡、14・・・発光ダイオ
ードペレット、15・・・ボンディングワイヤ、21・
・・L字形の穴、22・・・爪部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 発光ダイオードペレットと、該ペレットから放射される
    光を前方に案内するための樹脂で成形された光反射鏡と
    を樹脂成形パッケージ内に有することを特徴とする発光
    ダイオード。
JP62137263A 1987-05-29 1987-05-29 発光ダイオード Pending JPS63300578A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62137263A JPS63300578A (ja) 1987-05-29 1987-05-29 発光ダイオード

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JP62137263A JPS63300578A (ja) 1987-05-29 1987-05-29 発光ダイオード

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Publication Number Publication Date
JPS63300578A true JPS63300578A (ja) 1988-12-07

Family

ID=15194577

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JP62137263A Pending JPS63300578A (ja) 1987-05-29 1987-05-29 発光ダイオード

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JP (1) JPS63300578A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0450560A2 (en) * 1990-04-03 1991-10-09 Sumitomo Electric Industries, Ltd. An optical device
US6004046A (en) * 1996-11-29 1999-12-21 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical module and method of making the same
JP2001148515A (ja) * 1999-11-22 2001-05-29 Sharp Corp 発光装置、その製造方法、及び発光装置を搭載した電子機器

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0450560A2 (en) * 1990-04-03 1991-10-09 Sumitomo Electric Industries, Ltd. An optical device
US6004046A (en) * 1996-11-29 1999-12-21 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical module and method of making the same
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