JP2001148515A - 発光装置、その製造方法、及び発光装置を搭載した電子機器 - Google Patents
発光装置、その製造方法、及び発光装置を搭載した電子機器Info
- Publication number
- JP2001148515A JP2001148515A JP33086199A JP33086199A JP2001148515A JP 2001148515 A JP2001148515 A JP 2001148515A JP 33086199 A JP33086199 A JP 33086199A JP 33086199 A JP33086199 A JP 33086199A JP 2001148515 A JP2001148515 A JP 2001148515A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- emitting device
- resin
- light emitting
- lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】
【課題】 狭い放射角と大きな発光径という相矛盾する
要件を共に満たしたワイヤレス光通信用の発光装置を提
供する。 【解決手段】 発光素子と、該発光素子をモールドする
樹脂とを、少なくとも備えた発光装置であって、前記樹
脂が、レンズ機能と、光拡散機能とを備えて、これらに
よって発光装置からの光の放射角度を決定する際、前記
レンズ機能による放射角度の大きさが、前記光拡散機能
による放射角度の大きさよりも小さくてなることを特徴
とする。
要件を共に満たしたワイヤレス光通信用の発光装置を提
供する。 【解決手段】 発光素子と、該発光素子をモールドする
樹脂とを、少なくとも備えた発光装置であって、前記樹
脂が、レンズ機能と、光拡散機能とを備えて、これらに
よって発光装置からの光の放射角度を決定する際、前記
レンズ機能による放射角度の大きさが、前記光拡散機能
による放射角度の大きさよりも小さくてなることを特徴
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はワイヤレス光通信分
野など、使用する光源に人体とりわけ目に対する安全性
を必要とする分野で用いられ得る、樹脂モールドを施し
た発光装置とその製造方法及びそれを搭載した電子機器
に関する。
野など、使用する光源に人体とりわけ目に対する安全性
を必要とする分野で用いられ得る、樹脂モールドを施し
た発光装置とその製造方法及びそれを搭載した電子機器
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、比較的近い距離の間で情報の送受
信を行う各種のワイヤレス光通信システムの開発が進め
られている。当該システムの開発のなかでその中心を占
めているのは、情報の送信を行う発光装置である。
信を行う各種のワイヤレス光通信システムの開発が進め
られている。当該システムの開発のなかでその中心を占
めているのは、情報の送信を行う発光装置である。
【０００３】一般に光通信用の発光装置では、高速変
調、低消費電力、高い信頼性が必要とされるが、ワイヤ
レス光通信分野ではこれらに加え「目に対する安全性」
が特に求められる。「目に対する安全性」を確保するに
は、装置の発光径を拡大して網膜上での光の結像を大き
くし、単位面積あたりの光パワーを下げればよい。実
際、光の出射方向に拡散手段を設けて発光径を数mm程度
に拡大した発光装置が数多く存在する。この装置におい
て発光素子として用いられるのは発光ダイオードや半導
体レーザであるが、後者は前者よりも電流-光出力変換
効率が高く高速変調も可能なため、今後、ワイヤレス光
通信用光源の主流になると思われる。しかし半導体レー
ザは、発光面積が非常に小さい上に空間的コヒーレンシ
が高く、さらには発光ダイオードよりも高い光出力で駆
動するため、特に安全対策が重要となる。
調、低消費電力、高い信頼性が必要とされるが、ワイヤ
レス光通信分野ではこれらに加え「目に対する安全性」
が特に求められる。「目に対する安全性」を確保するに
は、装置の発光径を拡大して網膜上での光の結像を大き
くし、単位面積あたりの光パワーを下げればよい。実
際、光の出射方向に拡散手段を設けて発光径を数mm程度
に拡大した発光装置が数多く存在する。この装置におい
て発光素子として用いられるのは発光ダイオードや半導
体レーザであるが、後者は前者よりも電流-光出力変換
効率が高く高速変調も可能なため、今後、ワイヤレス光
通信用光源の主流になると思われる。しかし半導体レー
ザは、発光面積が非常に小さい上に空間的コヒーレンシ
が高く、さらには発光ダイオードよりも高い光出力で駆
動するため、特に安全対策が重要となる。
【０００４】発光素子に半導体レーザを用いたワイヤレ
ス通信用の発光装置の例を図１３に示す。(a)、(b)はそ
れぞれ装置の全体図、装置内での光の放射の様子を示す
断面図である。
ス通信用の発光装置の例を図１３に示す。(a)、(b)はそ
れぞれ装置の全体図、装置内での光の放射の様子を示す
断面図である。
【０００５】半導体レーザ601は、その出射方向が皿型
のリードフレーム基台612の底面に対し平行となるよ
う、その底面にマウントされ、その周囲に樹脂モールド
609が施されている。樹脂モールド609は装置の出射方向
にレンズ608をもち、その内部にはレーザ光を拡散する
ためのシリカ系微粒子が均一に混入されている。半導体
レーザから出た光は、皿型のリードフレーム基台612の
内面で反射され、装置の出射方向に放射の向きを変え
る。そして樹脂内のシリカ粒子で散乱されながらレンズ
608の外周部に達し、外部空間へ放射される。
のリードフレーム基台612の底面に対し平行となるよ
う、その底面にマウントされ、その周囲に樹脂モールド
609が施されている。樹脂モールド609は装置の出射方向
にレンズ608をもち、その内部にはレーザ光を拡散する
ためのシリカ系微粒子が均一に混入されている。半導体
レーザから出た光は、皿型のリードフレーム基台612の
内面で反射され、装置の出射方向に放射の向きを変え
る。そして樹脂内のシリカ粒子で散乱されながらレンズ
608の外周部に達し、外部空間へ放射される。
【０００６】この装置では、シリカ粒子で光を拡散させ
て装置の発光径を拡大することで、安全基準を満たして
いる。
て装置の発光径を拡大することで、安全基準を満たして
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに樹脂モールド内部に拡散粒子を混入すると、発光径
だけではなく外部空間への放射角も増大する。現に、図
１３の装置では放射角の値が40°以上という大きな値と
なった。ここで記載した放射角の値は、指向半値角、つ
まり光強度がピーク値の半分となる放射角の半値で示し
た。以後の放射角の記述もこれに倣うこととする。この
ように放射角が大きくなると、同じ光出力の下での放射
輝度（単位立体角あたりの光パワー）は逆に減少する。
例えば全光出力が10mWの場合、放射角15°での放射輝度
は33.4 mW/sr であるが、放射角が20°では15°のとき
の1／2すなわち16.7mW/sr、放射角40°では1／5.8（5.7
mW/sr）まで下がる。放射輝度が所望の値よりも小さい
場合、発光素子の光出力を上げてこれを補うため、装置
の消費電力が増大する。これは装置にとって好ましいこ
とではない。ワイヤレス光通信用の発光装置では放射輝
度が基準値の1／2未満（放射角にして20°以上）になる
と、この消費電力の増大が問題となる。先に示した発光
装置の放射角は40°以上であるため、ワイヤレス光通信
に用いるには不適当だといえる。なお、ここで基準とし
た放射角（〜15°）は、現存する赤外線ワイヤレス通信
の仕様に基づくものである。
うに樹脂モールド内部に拡散粒子を混入すると、発光径
だけではなく外部空間への放射角も増大する。現に、図
１３の装置では放射角の値が40°以上という大きな値と
なった。ここで記載した放射角の値は、指向半値角、つ
まり光強度がピーク値の半分となる放射角の半値で示し
た。以後の放射角の記述もこれに倣うこととする。この
ように放射角が大きくなると、同じ光出力の下での放射
輝度（単位立体角あたりの光パワー）は逆に減少する。
例えば全光出力が10mWの場合、放射角15°での放射輝度
は33.4 mW/sr であるが、放射角が20°では15°のとき
の1／2すなわち16.7mW/sr、放射角40°では1／5.8（5.7
mW/sr）まで下がる。放射輝度が所望の値よりも小さい
場合、発光素子の光出力を上げてこれを補うため、装置
の消費電力が増大する。これは装置にとって好ましいこ
とではない。ワイヤレス光通信用の発光装置では放射輝
度が基準値の1／2未満（放射角にして20°以上）になる
と、この消費電力の増大が問題となる。先に示した発光
装置の放射角は40°以上であるため、ワイヤレス光通信
に用いるには不適当だといえる。なお、ここで基準とし
た放射角（〜15°）は、現存する赤外線ワイヤレス通信
の仕様に基づくものである。
【０００８】さらに本例では発光素子に半導体レーザを
用いているが、この場合、先に述べた光出力の増大が装
置全体の寿命を大幅に縮めてしまう。これは一般に半導
体レーザの寿命が、高光出力であるほど短いからであ
る。
用いているが、この場合、先に述べた光出力の増大が装
置全体の寿命を大幅に縮めてしまう。これは一般に半導
体レーザの寿命が、高光出力であるほど短いからであ
る。
【０００９】結局、発光径は数mm程度で放射角は20°程
度以下という相矛盾する要求仕様を両立した発光装置は
いまだに実現できていない。
度以下という相矛盾する要求仕様を両立した発光装置は
いまだに実現できていない。
【００１０】本発明は上記事情を鑑みて樹脂モールドを
施した発光装置に対してなされたものであり、狭い放射
角と大きな発光径という条件をともに備えることで、消
費電力が小さく安全基準も満たしたワイヤレス光通信用
の発光装置を提供するものである。
施した発光装置に対してなされたものであり、狭い放射
角と大きな発光径という条件をともに備えることで、消
費電力が小さく安全基準も満たしたワイヤレス光通信用
の発光装置を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明に係る発光装置
は、発光素子と、該発光素子をモールドする樹脂とを、
少なくとも備えた発光装置であって、前記樹脂が、レン
ズ機能と、光拡散機能とを備えて、これらによって発光
装置からの光の放射角度を決定する際、前記レンズ機能
による放射角度の大きさが、前記光拡散機能による放射
角度の大きさよりも小さくてなることによって上記目的
を達成する。
は、発光素子と、該発光素子をモールドする樹脂とを、
少なくとも備えた発光装置であって、前記樹脂が、レン
ズ機能と、光拡散機能とを備えて、これらによって発光
装置からの光の放射角度を決定する際、前記レンズ機能
による放射角度の大きさが、前記光拡散機能による放射
角度の大きさよりも小さくてなることによって上記目的
を達成する。
【００１２】本発明において、発光素子が半導体レーザ
素子である場合、特に効果的である。
素子である場合、特に効果的である。
【００１３】また、樹脂による光拡散機能は、樹脂内に
フィラー粒子を混入することによって達成される。この
場合、フィラー粒子は、樹脂内に均一に分布するもので
あっても、また、部分的に分布させるものであってもよ
い。
フィラー粒子を混入することによって達成される。この
場合、フィラー粒子は、樹脂内に均一に分布するもので
あっても、また、部分的に分布させるものであってもよ
い。
【００１４】この発明に係る発光装置は、前記レンズ機
能による放射角度の大きさが、前記光拡散機能による放
射角度の大きさの１／３よりも小さくてなることによっ
て上記目的を達成する。
能による放射角度の大きさが、前記光拡散機能による放
射角度の大きさの１／３よりも小さくてなることによっ
て上記目的を達成する。
【００１５】この発明に係る発光装置は、発光素子と、
該発光素子をモールドする樹脂とを、少なくとも備えた
発光装置であって、前記樹脂端面がレンズ機能をなし、
該レンズ機能の持つ焦点距離位置近傍に、前記発光素子
の発光点を配置してなることによって上記目的を達成す
る。
該発光素子をモールドする樹脂とを、少なくとも備えた
発光装置であって、前記樹脂端面がレンズ機能をなし、
該レンズ機能の持つ焦点距離位置近傍に、前記発光素子
の発光点を配置してなることによって上記目的を達成す
る。
【００１６】この発明に係る発光装置は、光路長Ｘの焦
点位置からのずれの大きさを焦点距離で規格化したΔｆ
が、前記レンズ機能の開口数ＮＡを用いて、ｘ＞ｆでΔ
ｆ＜４／（ＮＡ−４）、ｘ＜ｆでΔｆ＜４／（ＮＡ＋
４）となる位置に、前記発光素子の発光点を配置してな
ることによって上記目的を達成する。
点位置からのずれの大きさを焦点距離で規格化したΔｆ
が、前記レンズ機能の開口数ＮＡを用いて、ｘ＞ｆでΔ
ｆ＜４／（ＮＡ−４）、ｘ＜ｆでΔｆ＜４／（ＮＡ＋
４）となる位置に、前記発光素子の発光点を配置してな
ることによって上記目的を達成する。
【００１７】この発明に係る発光装置は、前記発光装置
の放射角が指向半値角で２０°以下であることによって
上記目的を達成する。
の放射角が指向半値角で２０°以下であることによって
上記目的を達成する。
【００１８】この発明に係る発光装置は、前記レンズ機
能による放射角度の大きさが、指向半値角で４°以下で
あることによって上記目的を達成する。
能による放射角度の大きさが、指向半値角で４°以下で
あることによって上記目的を達成する。
【００１９】この発明に係る発光装置は、前記光拡散機
能が、樹脂に混入されたフィラー粒子によってなされ、
該フィラー粒子は前記モールド樹脂に部分的に分布して
なることによって上記目的を達成する。
能が、樹脂に混入されたフィラー粒子によってなされ、
該フィラー粒子は前記モールド樹脂に部分的に分布して
なることによって上記目的を達成する。
【００２０】この部分的に分布をさせる位置としては、
主に樹脂がなすレンズの外周部近辺にあってもよく、ま
た、発光素子の光出射部近辺にあってもよい。
主に樹脂がなすレンズの外周部近辺にあってもよく、ま
た、発光素子の光出射部近辺にあってもよい。
【００２１】このとき、光の拡散機能を有する手段（例
えば、フィラー粒子）は、発光素子の放射光の存在範囲
よりも広く分布させることが好ましい。
えば、フィラー粒子）は、発光素子の放射光の存在範囲
よりも広く分布させることが好ましい。
【００２２】この発明に係る発光装置は、発光素子と、
該発光素子をモールドし、レンズ機能と光拡散機能を有
する樹脂とを、少なくとも備えた発光装置を製造する
際、前記モールド樹脂を形成した後、その表面に、該樹
脂を溶かす作用を持つ溶液を用いてエッチングを施すこ
とにより、前記モールド樹脂の持つ光拡散機能を決定し
てなることによって上記の目的を達成する。
該発光素子をモールドし、レンズ機能と光拡散機能を有
する樹脂とを、少なくとも備えた発光装置を製造する
際、前記モールド樹脂を形成した後、その表面に、該樹
脂を溶かす作用を持つ溶液を用いてエッチングを施すこ
とにより、前記モールド樹脂の持つ光拡散機能を決定し
てなることによって上記の目的を達成する。
【００２３】この発明に係る発光装置の製造方法は、発
光素子と、該発光素子をモールドし、レンズ機能と光拡
散機能を有する樹脂とを、少なくとも備えた発光装置を
製造する際、前記モールド樹脂を形成した後、その少な
くともレンズ機能を有する表面に液状の樹脂を霧状に吹
き付けることにより、前記モールド樹脂の持つ光拡散機
能を決定してなることによって上記の目的を達成する。
光素子と、該発光素子をモールドし、レンズ機能と光拡
散機能を有する樹脂とを、少なくとも備えた発光装置を
製造する際、前記モールド樹脂を形成した後、その少な
くともレンズ機能を有する表面に液状の樹脂を霧状に吹
き付けることにより、前記モールド樹脂の持つ光拡散機
能を決定してなることによって上記の目的を達成する。
【００２４】この発明に係る発光装置の製造方法は、発
光素子と、該発光素子をモールドし、レンズ機能と光拡
散機能を有する樹脂とを、少なくとも備えた発光装置を
製造する際、前記モールド樹脂の成形金型の内面に凹凸
を施すことにより、前記モールド樹脂のもつ光拡散機能
を決定してなることによって上記の目的を達成する。
光素子と、該発光素子をモールドし、レンズ機能と光拡
散機能を有する樹脂とを、少なくとも備えた発光装置を
製造する際、前記モールド樹脂の成形金型の内面に凹凸
を施すことにより、前記モールド樹脂のもつ光拡散機能
を決定してなることによって上記の目的を達成する。
【００２５】この発明に係る電子機器は、前記請求項1
乃至７のいずれかに記載の発光装置を搭載してなること
によって、上記の目的を達成する。
乃至７のいずれかに記載の発光装置を搭載してなること
によって、上記の目的を達成する。
【００２６】
【発明の実施の形態】図１を用いて本発明第１の実施の
形態を説明する。図１(a)は本形態の全体図、図１(b)は
装置のモールド形状と光の放射の様子を示す断面図であ
る。
形態を説明する。図１(a)は本形態の全体図、図１(b)は
装置のモールド形状と光の放射の様子を示す断面図であ
る。
【００２７】水平／垂直方向の放射角が10／20°の半導
体レーザ素子101が、その電極の片面が ヒートシンク10
2に接するよう導電性ペースト（本形態ではIn）でダイ
ボンドされている。ヒートシンク102は直径5.6mmの円形
ステム103の略中心に位置している。半導体レーザ素子1
01の他方の電極は、リード線104を介して電極105に繋が
っている。電極105は絶縁体106によりステム103から絶
縁されており、この電極105とステム103を介して半導体
レーザ素子101に電流が供給される。半導体レーザ101の
酸化を防ぐため、キャップ107がステム103に固着され、
その内部にN2ガスが封入されている。ここまでは市販の
キャン型半導体レーザ装置と同じ構造である。
体レーザ素子101が、その電極の片面が ヒートシンク10
2に接するよう導電性ペースト（本形態ではIn）でダイ
ボンドされている。ヒートシンク102は直径5.6mmの円形
ステム103の略中心に位置している。半導体レーザ素子1
01の他方の電極は、リード線104を介して電極105に繋が
っている。電極105は絶縁体106によりステム103から絶
縁されており、この電極105とステム103を介して半導体
レーザ素子101に電流が供給される。半導体レーザ101の
酸化を防ぐため、キャップ107がステム103に固着され、
その内部にN2ガスが封入されている。ここまでは市販の
キャン型半導体レーザ装置と同じ構造である。
【００２８】本形態ではさらに、エポキシ系樹脂からな
り光の出射方向にレンズ部108をもつ樹脂モールド109が
このキャン型半導体レーザ装置の周囲を覆っている。樹
脂モールド109の断面は直径7.5mmの円形状であり、レン
ズ部108の先端とキャップ107の間の距離x は7.5mmとし
た。樹脂モールドの内部には、SiO2ペーストからなるフ
ィラー粒子がほぼ均一に混入されている。半導体レーザ
101の発振波長において、フィラー粒子の屈折率とエポ
キシ系樹脂のそれがわずかに異なるため、該フィラー粒
子は樹脂内で光の拡散材として機能する。フィラー粒子
の混入量は重量比にして3.5％程度である。
り光の出射方向にレンズ部108をもつ樹脂モールド109が
このキャン型半導体レーザ装置の周囲を覆っている。樹
脂モールド109の断面は直径7.5mmの円形状であり、レン
ズ部108の先端とキャップ107の間の距離x は7.5mmとし
た。樹脂モールドの内部には、SiO2ペーストからなるフ
ィラー粒子がほぼ均一に混入されている。半導体レーザ
101の発振波長において、フィラー粒子の屈折率とエポ
キシ系樹脂のそれがわずかに異なるため、該フィラー粒
子は樹脂内で光の拡散材として機能する。フィラー粒子
の混入量は重量比にして3.5％程度である。
【００２９】図１(b)に示すように、半導体レーザ101か
ら出た光はキャップ107のガラス窓110を通して樹脂モー
ルド109の内部に放射される。樹脂モールドの内部で
は、光はフィラー粒子で散乱されて発光径、放射角とも
に徐々に大きくなる。そして光がレンズ108の外周部に
達すると、レンズ面で屈折し外部空間へ放射される。
ら出た光はキャップ107のガラス窓110を通して樹脂モー
ルド109の内部に放射される。樹脂モールドの内部で
は、光はフィラー粒子で散乱されて発光径、放射角とも
に徐々に大きくなる。そして光がレンズ108の外周部に
達すると、レンズ面で屈折し外部空間へ放射される。
【００３０】ここで本形態の主な特徴である、樹脂レン
ズと光拡散手段をもつ発光装置において発光径を数mm程
度にするとともに放射角θを小さくする手段について説
明する。
ズと光拡散手段をもつ発光装置において発光径を数mm程
度にするとともに放射角θを小さくする手段について説
明する。
【００３１】装置の放射角θは光の拡散量やレンズによ
る屈折量に依存しθ＝（θd2＋θl2）1/2と書ける。θ
d、θl はそれぞれ光の拡散のみ、樹脂レンズでの光の
屈折のみがあると仮定したときの放射角である。この式
から、光の拡散量や樹脂レンズでの屈折量を変えること
で放射角θの大きさを制御できることがわかる。以下の
文章では、これらの放射角の各種パラメータ依存性を別
々に説明する。
る屈折量に依存しθ＝（θd2＋θl2）1/2と書ける。θ
d、θl はそれぞれ光の拡散のみ、樹脂レンズでの光の
屈折のみがあると仮定したときの放射角である。この式
から、光の拡散量や樹脂レンズでの屈折量を変えること
で放射角θの大きさを制御できることがわかる。以下の
文章では、これらの放射角の各種パラメータ依存性を別
々に説明する。
【００３２】まず、光の拡散量に由来する放射角θd
を、光拡散手段の中で最も簡略な拡散板をその例にとっ
て説明する（図２参照）。この拡散板は厚さがdで、内
部に密度ρのフィラー粒子を均一に含むもので、ここに
光が入射するとフィラー粒子に衝突し散乱される。この
ため平行光を表面に垂直に入射しても、外部空間へ放射
される際には放射角θdo（≠0）で放射されることとな
る。この放射角θdoは衝突時の散乱角度や衝突の回数に
依存し、ρ、dを用いて θdo2≒ρ×d×σo2とかける。
σoは拡散材の種類、例えば大きさや形状、屈折率に依
存する定数である。
を、光拡散手段の中で最も簡略な拡散板をその例にとっ
て説明する（図２参照）。この拡散板は厚さがdで、内
部に密度ρのフィラー粒子を均一に含むもので、ここに
光が入射するとフィラー粒子に衝突し散乱される。この
ため平行光を表面に垂直に入射しても、外部空間へ放射
される際には放射角θdo（≠0）で放射されることとな
る。この放射角θdoは衝突時の散乱角度や衝突の回数に
依存し、ρ、dを用いて θdo2≒ρ×d×σo2とかける。
σoは拡散材の種類、例えば大きさや形状、屈折率に依
存する定数である。
【００３３】現実の発光装置では、拡散手段の種類や設
置場所が上で述べた拡散板のケースよりはるかに複雑
で、各種のパラメータと放射角θdの関係はθdoのよう
な単純な式で表わすことはできない。しかしρ、d を適
宜設定すると、便宜上θdn≒ρ×d×σo2(1≦n≦2)とみ
なすことができる。現に、本形態の全放射角θが拡散材
の混入量や樹脂レンズ-光源間の距離 に比例するという
実験結果を我々は得ている。今後、これらのパラメータ
の総和を、”放射角θdを実現する「拡散量」”と呼ぶ
こととする。
置場所が上で述べた拡散板のケースよりはるかに複雑
で、各種のパラメータと放射角θdの関係はθdoのよう
な単純な式で表わすことはできない。しかしρ、d を適
宜設定すると、便宜上θdn≒ρ×d×σo2(1≦n≦2)とみ
なすことができる。現に、本形態の全放射角θが拡散材
の混入量や樹脂レンズ-光源間の距離 に比例するという
実験結果を我々は得ている。今後、これらのパラメータ
の総和を、”放射角θdを実現する「拡散量」”と呼ぶ
こととする。
【００３４】θdを制御して全放射角θを狭くするに
は、θdを小さくする、すなわち「拡散量」を減らせば
よいがこの場合、発光径も小さくなる。安全性を確保す
るため、ワイヤレス光通信用の発光装置の発光径は大き
いほうが好ましく、「拡散量」を減らして全放射角θを
狭くすることは現実的な手段とはいえない。
は、θdを小さくする、すなわち「拡散量」を減らせば
よいがこの場合、発光径も小さくなる。安全性を確保す
るため、ワイヤレス光通信用の発光装置の発光径は大き
いほうが好ましく、「拡散量」を減らして全放射角θを
狭くすることは現実的な手段とはいえない。
【００３５】他方、樹脂レンズでの屈折量で決まる放射
角θl であるが、これはレンズ-発光素子間の距離x（光
路長とよぶ）とレンズの焦点距離fとの関係で決まる。
両者の関係が x＜f、x＝f、x＞f となるよう作製した発
光装置の光の放射の様子を図３(a)〜(c) に示す。この
結果は、形態１と同形状でその内部が透明な樹脂モール
ドをもつ発光装置から、実際に得られたものである。こ
のとき焦点距離 f は光路長 xに換算して約9mmであっ
た。なお (c)では光線が一旦集光した後再度拡がるが、
この再拡大後の角度θlを放射角θlとしている。この結
果に基づき放射角θlと光路長 xの関係をグラフ化した
ものが図４の曲線(A)である。放射角θlは光路長xと焦
点距離fの差が小さいほど小さくなり、x＝fでほぼゼロ
となる。
角θl であるが、これはレンズ-発光素子間の距離x（光
路長とよぶ）とレンズの焦点距離fとの関係で決まる。
両者の関係が x＜f、x＝f、x＞f となるよう作製した発
光装置の光の放射の様子を図３(a)〜(c) に示す。この
結果は、形態１と同形状でその内部が透明な樹脂モール
ドをもつ発光装置から、実際に得られたものである。こ
のとき焦点距離 f は光路長 xに換算して約9mmであっ
た。なお (c)では光線が一旦集光した後再度拡がるが、
この再拡大後の角度θlを放射角θlとしている。この結
果に基づき放射角θlと光路長 xの関係をグラフ化した
ものが図４の曲線(A)である。放射角θlは光路長xと焦
点距離fの差が小さいほど小さくなり、x＝fでほぼゼロ
となる。
【００３６】曲線(A)の発光装置（拡散手段なし）に拡
散手段を設けたものが本形態である。このとき「拡散
量」は光路長に比例するため、曲線(A)に放射角θdの寄
与が加わり、全放射角θと光路長xの関係は x＝fを極小
値とする曲線(B)となる。なお発光径は光路長xが大きい
ほど大きくなるが、θlとxの関係が極小値をもつ曲線で
あるため、放射角θlを小さくしてもある程度の大きさ
の発光径を確保できる。
散手段を設けたものが本形態である。このとき「拡散
量」は光路長に比例するため、曲線(A)に放射角θdの寄
与が加わり、全放射角θと光路長xの関係は x＝fを極小
値とする曲線(B)となる。なお発光径は光路長xが大きい
ほど大きくなるが、θlとxの関係が極小値をもつ曲線で
あるため、放射角θlを小さくしてもある程度の大きさ
の発光径を確保できる。
【００３７】以上をまとめると、安全基準を満たした上
で全放射角θを狭くするには、発光径拡大とトレードオ
フとなるθdではなくθlを小さくするのが適当な手段と
いえる。つまり発光径をある程度の大きさに保ちつつ全
放射角θを狭くするには、θd＞θlとするのがよい。こ
れは、光路長xをレンズの焦点距離f近傍の値となるよう
設定することで実現できる。
で全放射角θを狭くするには、発光径拡大とトレードオ
フとなるθdではなくθlを小さくするのが適当な手段と
いえる。つまり発光径をある程度の大きさに保ちつつ全
放射角θを狭くするには、θd＞θlとするのがよい。こ
れは、光路長xをレンズの焦点距離f近傍の値となるよう
設定することで実現できる。
【００３８】実際、本形態では、光路長xをレンズの焦
点距離9mmに比較的近い値である7.5mmに設定すること
で、レンズ機能による放射角θlを拡散機能による放射
角θdよりも小さくしている。このため発光径が平均4.5
mm、放射角が縦横とも20°程度となり、発光径、放射角
ともにワイヤレス通信用光源の仕様を満たした発光装置
を実現した。なお本文中でいう発光径とは、安全規格で
の規定に基づき、その強度がピーク時の1/eになる範囲
で規定している。
点距離9mmに比較的近い値である7.5mmに設定すること
で、レンズ機能による放射角θlを拡散機能による放射
角θdよりも小さくしている。このため発光径が平均4.5
mm、放射角が縦横とも20°程度となり、発光径、放射角
ともにワイヤレス通信用光源の仕様を満たした発光装置
を実現した。なお本文中でいう発光径とは、安全規格で
の規定に基づき、その強度がピーク時の1/eになる範囲
で規定している。
【００３９】また本形態では、全放射角θが比較的狭く
発光素子の出力を上げなくとも所望の放射輝度が得られ
るため、発光素子に半導体レーザを用いることができ
た。そして数100MHz以上という高速通信が可能な発光装
置を実現した。
発光素子の出力を上げなくとも所望の放射輝度が得られ
るため、発光素子に半導体レーザを用いることができ
た。そして数100MHz以上という高速通信が可能な発光装
置を実現した。
【００４０】なお本形態の光拡散部（フィラー粒子）
は、樹脂モールド内でほぼ均一に分布しているが、その
分布に極端な片寄りがない限り、フィラーを混入する以
外の別の拡散手段を用いても本形態と同様の効果が得ら
れる。
は、樹脂モールド内でほぼ均一に分布しているが、その
分布に極端な片寄りがない限り、フィラーを混入する以
外の別の拡散手段を用いても本形態と同様の効果が得ら
れる。
【００４１】図５を用いて本発明第２の実施の形態を説
明する。図５(a)は本形態の全体図、図５(b)は装置のモ
ールド形状と光の放射の様子を示す断面図である。実施
形態１との主な違いは、1）光路長とレンズの焦点距離
が等しい、2）光拡散手段であるフィラーがレンズ外周
部にのみ分布、3）半導体レーザと樹脂の間を隔ててい
たキャップが存在しない点である。
明する。図５(a)は本形態の全体図、図５(b)は装置のモ
ールド形状と光の放射の様子を示す断面図である。実施
形態１との主な違いは、1）光路長とレンズの焦点距離
が等しい、2）光拡散手段であるフィラーがレンズ外周
部にのみ分布、3）半導体レーザと樹脂の間を隔ててい
たキャップが存在しない点である。
【００４２】水平／垂直方向の放射角が15／30°の半導
体レーザ素子201が、その電極の片面が ヒートシンク20
2に接するよう導電性ペーストでダイボンドされてい
る。該ヒートシンク202は直径5.6mmの円形ステム203の
略中心に位置している。半導体レーザ素子201の他方の
電極は、リード線204を介して電極205に繋がっている。
電極205は絶縁体206によりステム203から絶縁されてお
り、この電極205とステム203を介して半導体レーザ素子
201に電流が供給される。
体レーザ素子201が、その電極の片面が ヒートシンク20
2に接するよう導電性ペーストでダイボンドされてい
る。該ヒートシンク202は直径5.6mmの円形ステム203の
略中心に位置している。半導体レーザ素子201の他方の
電極は、リード線204を介して電極205に繋がっている。
電極205は絶縁体206によりステム203から絶縁されてお
り、この電極205とステム203を介して半導体レーザ素子
201に電流が供給される。
【００４３】これらを覆うように、エポキシ系樹脂から
なり光の出射方向にレンズ部208をもつ樹脂モールド209
が施されている。この樹脂モールド209の断面は直径7.5
mmの円形状である。レンズ部208の先端と半導体レーザ2
01の間の距離x は10mmで、レンズ部208の焦点距離f に
等しい。樹脂モールド内にはフィラー粒子が、主にレン
ズ外周部に厚さ2mmで分布しており（211(a)）、その混
入量は重量比で約5％である。
なり光の出射方向にレンズ部208をもつ樹脂モールド209
が施されている。この樹脂モールド209の断面は直径7.5
mmの円形状である。レンズ部208の先端と半導体レーザ2
01の間の距離x は10mmで、レンズ部208の焦点距離f に
等しい。樹脂モールド内にはフィラー粒子が、主にレン
ズ外周部に厚さ2mmで分布しており（211(a)）、その混
入量は重量比で約5％である。
【００４４】図５(b) に示すように、放射角θo＝15／3
0°の半導体レーザ201から出た光は、角度θoを保った
まま樹脂モールド内を進む。フィラー粒子が存在するレ
ンズ外周部211aに達すると、光は散乱されて発光径、放
射角ともに拡がる。その後、レンズ面で屈折して外部空
間へ放射される。
0°の半導体レーザ201から出た光は、角度θoを保った
まま樹脂モールド内を進む。フィラー粒子が存在するレ
ンズ外周部211aに達すると、光は散乱されて発光径、放
射角ともに拡がる。その後、レンズ面で屈折して外部空
間へ放射される。
【００４５】本形態では、光路長xをレンズの焦点距離
と同じ10mmに設定することで、レンズ機能による放射角
θlの値をほぼゼロとすることができた。形態1の説明で
述べたように、拡散による放射角をレンズによる放射角
よりも大きくする、すなわちθd＞θlとすると、発光径
をある程度の大きさに保ちつつ全放射角θを狭くするこ
とができるが、なかでも両者が θd＞3×θlという条件
を満たす場合、全放射角θ＝（θd2＋θl2）1/2に対す
るθlの寄与が1/10以下となり、特に狭い放射角が得ら
れる。
と同じ10mmに設定することで、レンズ機能による放射角
θlの値をほぼゼロとすることができた。形態1の説明で
述べたように、拡散による放射角をレンズによる放射角
よりも大きくする、すなわちθd＞θlとすると、発光径
をある程度の大きさに保ちつつ全放射角θを狭くするこ
とができるが、なかでも両者が θd＞3×θlという条件
を満たす場合、全放射角θ＝（θd2＋θl2）1/2に対す
るθlの寄与が1/10以下となり、特に狭い放射角が得ら
れる。
【００４６】この関係とワイヤレス通信用光源の仕様θ
≦20°から条件θl≦4°〜式（1）が得られる。実際の
装置でこの条件を満たすには、光路長xの焦点位置fから
のずれの大きさを焦点距離fで規格化したΔf（=｜x-f｜
／f）が、x＞fのときΔf＜4/(NA-4)、x＜fのときΔf＜4
/(NA+4)となるよう発光素子を設置すればよい。NAはレ
ンズの開口数である。この条件は以下の計算を行って得
られたものである。形態１で説明したθlと光路長の関
係（図４曲線(A)）は、x＝fの極く近傍ではθl＝-NA(x-
f)/ x〜式（2）と近似できる。この(2)式と(1)式から、
位置ずれΔf に関する先の条件が得られる。
≦20°から条件θl≦4°〜式（1）が得られる。実際の
装置でこの条件を満たすには、光路長xの焦点位置fから
のずれの大きさを焦点距離fで規格化したΔf（=｜x-f｜
／f）が、x＞fのときΔf＜4/(NA-4)、x＜fのときΔf＜4
/(NA+4)となるよう発光素子を設置すればよい。NAはレ
ンズの開口数である。この条件は以下の計算を行って得
られたものである。形態１で説明したθlと光路長の関
係（図４曲線(A)）は、x＝fの極く近傍ではθl＝-NA(x-
f)/ x〜式（2）と近似できる。この(2)式と(1)式から、
位置ずれΔf に関する先の条件が得られる。
【００４７】以上より、レンズの寄与θlを4°以下、す
なわち光路長xの焦点位置からのずれの割合Δfが x＞f
のときΔf＜4/(NA-4)、x＜fのとき Δf＜4/(NA+4)とな
るよう発光素子の位置を設定した場合、ワイヤレス通信
用の発光装置として理想的な発光径と放射角が得られ
る。実際、本形態ではθlをほぼゼロとしたため、形態
１とほぼ同じ大きさの発光径（約4.2mm）を実現しなが
ら、縦横とも8°という極めて狭い放射角が得られた。
そして安全対策を施したワイヤレス通信用の発光装置の
なかでも、消費電力が極めて低い装置を実現した。
なわち光路長xの焦点位置からのずれの割合Δfが x＞f
のときΔf＜4/(NA-4)、x＜fのとき Δf＜4/(NA+4)とな
るよう発光素子の位置を設定した場合、ワイヤレス通信
用の発光装置として理想的な発光径と放射角が得られ
る。実際、本形態ではθlをほぼゼロとしたため、形態
１とほぼ同じ大きさの発光径（約4.2mm）を実現しなが
ら、縦横とも8°という極めて狭い放射角が得られた。
そして安全対策を施したワイヤレス通信用の発光装置の
なかでも、消費電力が極めて低い装置を実現した。
【００４８】また本形態では、光拡散部が樹脂モールド
の一部分（ここではレンズ外周部）に片寄った分布をし
ており、仮に光路長がその設定からずれたとしても光の
拡散量に影響せず、設定通りの発光径を確実に得ること
ができた。特に本形態のように、拡散手段がレンズ外周
部のみに分布している場合、光はレンズ外周部に達する
まで拡散手段の影響を受けないため、装置の発光径はお
よそ2ytanθoとなる（図６参照）。この式から、発光素
子の放射角と光路長を設定すれば発光径の大きさが予測
できるため、発光径の設定やその制御が非常に容易とな
る。
の一部分（ここではレンズ外周部）に片寄った分布をし
ており、仮に光路長がその設定からずれたとしても光の
拡散量に影響せず、設定通りの発光径を確実に得ること
ができた。特に本形態のように、拡散手段がレンズ外周
部のみに分布している場合、光はレンズ外周部に達する
まで拡散手段の影響を受けないため、装置の発光径はお
よそ2ytanθoとなる（図６参照）。この式から、発光素
子の放射角と光路長を設定すれば発光径の大きさが予測
できるため、発光径の設定やその制御が非常に容易とな
る。
【００４９】なお、本形態と同じ効果が得られるなら
ば、光拡散手段は上で記したものに限定されるものでは
ない。例えば図７(a)、(b)に示した発光装置では、レン
ズ部208の表面に凹凸211bを施すことで、形態２と同じ
くレンズ外周部で光を拡散している。凹凸211bの作製方
法は例えば、 1）適当な薬液を用いて樹脂レンズの表面
をエッチングする。適当な薬液には、望みの光拡散が得
られる程度に樹脂モールド面を溶かす作用のあるものを
用いる。２）液状の樹脂を霧状にして、樹脂レンズの表
面に吹き付ける。３）樹脂レンズを作製する際に用いる
金型の内面に所望の凹凸を施す などの方法が考えられ
る。
ば、光拡散手段は上で記したものに限定されるものでは
ない。例えば図７(a)、(b)に示した発光装置では、レン
ズ部208の表面に凹凸211bを施すことで、形態２と同じ
くレンズ外周部で光を拡散している。凹凸211bの作製方
法は例えば、 1）適当な薬液を用いて樹脂レンズの表面
をエッチングする。適当な薬液には、望みの光拡散が得
られる程度に樹脂モールド面を溶かす作用のあるものを
用いる。２）液状の樹脂を霧状にして、樹脂レンズの表
面に吹き付ける。３）樹脂レンズを作製する際に用いる
金型の内面に所望の凹凸を施す などの方法が考えられ
る。
【００５０】図８、９を用いて本発明第３の実施の形態
を説明する。図８、９はそれぞれ本形態の構造、製法を
示す模式図である。実施形態１、２との構造上の主な違
いは、1）フィラー粒子が主にレンズ先端部に分布し、
その分布の境界が光の出射方向にほぼ垂直な面である
点、2）キャン型ステムのかわりにリードフレームを用
いた点である。
を説明する。図８、９はそれぞれ本形態の構造、製法を
示す模式図である。実施形態１、２との構造上の主な違
いは、1）フィラー粒子が主にレンズ先端部に分布し、
その分布の境界が光の出射方向にほぼ垂直な面である
点、2）キャン型ステムのかわりにリードフレームを用
いた点である。
【００５１】初めに図８を用いて本形態の構造を説明す
る。図８(a)は本形態の全体図、図８(b)は装置のモール
ド形状と光の放射の様子を示す断面図である。
る。図８(a)は本形態の全体図、図８(b)は装置のモール
ド形状と光の放射の様子を示す断面図である。
【００５２】水平／垂直方向の放射角が10／35°の半導
体レーザ素子301が、その電極の片面が リードフレーム
基台312に接するよう銀ペーストを用いてダイボンドさ
れている。半導体レーザ素子301の他方の電極は、リー
ド線304を介してリードフレーム電極313に繋がってい
る。これら2本のリードフレーム312、313を介して半導
体レーザ301に電流が供給される。これらを覆うよう
に、エポキシ系樹脂からなり光の出射方向にレンズ部30
8をもつ樹脂モールド309が施されている。樹脂モールド
309の断面は直径7.5mmの円形状であり、レンズ部308の
先端と半導体レーザ素子301との間の距離xは約10mmであ
る。樹脂モールド309の内部には主にレンズ先端部付近
にのみフィラーが混入されており、その境界面が光の出
射方向に対して垂直な平面となっている。境界面とレン
ズの先端との間の距離は約2.2mmであった。またフィラ
ー粒子の混入量は、重量比にして23％である。
体レーザ素子301が、その電極の片面が リードフレーム
基台312に接するよう銀ペーストを用いてダイボンドさ
れている。半導体レーザ素子301の他方の電極は、リー
ド線304を介してリードフレーム電極313に繋がってい
る。これら2本のリードフレーム312、313を介して半導
体レーザ301に電流が供給される。これらを覆うよう
に、エポキシ系樹脂からなり光の出射方向にレンズ部30
8をもつ樹脂モールド309が施されている。樹脂モールド
309の断面は直径7.5mmの円形状であり、レンズ部308の
先端と半導体レーザ素子301との間の距離xは約10mmであ
る。樹脂モールド309の内部には主にレンズ先端部付近
にのみフィラーが混入されており、その境界面が光の出
射方向に対して垂直な平面となっている。境界面とレン
ズの先端との間の距離は約2.2mmであった。またフィラ
ー粒子の混入量は、重量比にして23％である。
【００５３】次に図９を用いて本形態の製法を説明す
る。半導体レーザ素子301を銀ペーストを用いてリード
フレーム基台312にダイボンドし、逆側の電極を金線で
リードフレーム電極313に繋ぐ（図９(a)）。次に硬化材
とフィラー粒子を混入したエポキシ系樹脂を樹脂レンズ
用の金型に流し込む（図９(b)）。フィラー粒子には、
エポキシ系樹脂よりも比重の重いものを用いたため、そ
の大部分は金型の底へ沈み、その厚さは約2.2mmとなっ
た（図９(c)）。この中に図９(a)のリードフレームを所
望の光路長となるよう固定（図９(d)）した後、オーブ
ンで加熱し樹脂を硬化させる。最後に、樹脂レンズを金
型からとりはずし、所望の発光装置を得る。
る。半導体レーザ素子301を銀ペーストを用いてリード
フレーム基台312にダイボンドし、逆側の電極を金線で
リードフレーム電極313に繋ぐ（図９(a)）。次に硬化材
とフィラー粒子を混入したエポキシ系樹脂を樹脂レンズ
用の金型に流し込む（図９(b)）。フィラー粒子には、
エポキシ系樹脂よりも比重の重いものを用いたため、そ
の大部分は金型の底へ沈み、その厚さは約2.2mmとなっ
た（図９(c)）。この中に図９(a)のリードフレームを所
望の光路長となるよう固定（図９(d)）した後、オーブ
ンで加熱し樹脂を硬化させる。最後に、樹脂レンズを金
型からとりはずし、所望の発光装置を得る。
【００５４】図８(b) に示すように、放射角θo＝10／3
5°の半導体レーザ301から出た光は角度θoを保ったま
ま樹脂モールド内を進む。フィラー粒子が混入されたレ
ンズ外周部311aに達すると、ここで光は散乱されて、発
光径、放射角ともに拡大される。その後レンズ面で屈折
し、外部空間へ放射される。
5°の半導体レーザ301から出た光は角度θoを保ったま
ま樹脂モールド内を進む。フィラー粒子が混入されたレ
ンズ外周部311aに達すると、ここで光は散乱されて、発
光径、放射角ともに拡大される。その後レンズ面で屈折
し、外部空間へ放射される。
【００５５】本形態では、光路長xをレンズの焦点距離
である10mmに設定することで、レンズ機能による放射角
θlをほぼゼロとした。このため形態1、2よりも20〜30
％ほど大きい発光径（約5.5mm）でありながら、縦横と
も20°程度という比較的小さい放射角が得られた。そし
て消費電力を低く抑えつつ、より安全性の高めたワイヤ
レス通信用の発光装置を実現することができた。
である10mmに設定することで、レンズ機能による放射角
θlをほぼゼロとした。このため形態1、2よりも20〜30
％ほど大きい発光径（約5.5mm）でありながら、縦横と
も20°程度という比較的小さい放射角が得られた。そし
て消費電力を低く抑えつつ、より安全性の高めたワイヤ
レス通信用の発光装置を実現することができた。
【００５６】また本形態では、比較的アスペクト比が大
きな半導体レーザ素子を用いたが、発光素子の放射角θ
oに依存する放射角θlの寄与をほぼゼロとしたため、装
置の放射形状を全方向でほぼ均等にすることができた。
これにより装置を使用する際にその装着角度を考慮する
必要がなくなり、ワイヤレス通信用の装置として非常に
使いやすい発光装置が得られた。
きな半導体レーザ素子を用いたが、発光素子の放射角θ
oに依存する放射角θlの寄与をほぼゼロとしたため、装
置の放射形状を全方向でほぼ均等にすることができた。
これにより装置を使用する際にその装着角度を考慮する
必要がなくなり、ワイヤレス通信用の装置として非常に
使いやすい発光装置が得られた。
【００５７】本形態では形態２と同様、拡散手段である
フィラー粒子が主にレンズ外周部にのみ分布しているた
め、発光径の設定やその制御が容易となった。また、拡
散手段がレンズ外周部でのレーザ光の放射範囲よりも広
い範囲に分布しているため、外周部に到達した全てのレ
ーザ光を拡散させ大きな発光径を得ることができた。
フィラー粒子が主にレンズ外周部にのみ分布しているた
め、発光径の設定やその制御が容易となった。また、拡
散手段がレンズ外周部でのレーザ光の放射範囲よりも広
い範囲に分布しているため、外周部に到達した全てのレ
ーザ光を拡散させ大きな発光径を得ることができた。
【００５８】図１０を用いて本発明第４の実施の形態を
説明する。図１０(a)は本形態の全体図、図１０(b)は装
置のモールド形状と光の放射の様子を示す断面図であ
る。
説明する。図１０(a)は本形態の全体図、図１０(b)は装
置のモールド形状と光の放射の様子を示す断面図であ
る。
【００５９】構造上の主な特徴は、1）光路長とレンズ
の焦点距離がほぼ等しい、2）光の拡散手段であるフィ
ラー粒子が、発光素子の近傍のみに分布している点であ
る。なお本形態は、キャン型半導体レーザ装置部は形態
２と同じ構造であるためその説明は省略し、樹脂モール
ド部のみを説明する。
の焦点距離がほぼ等しい、2）光の拡散手段であるフィ
ラー粒子が、発光素子の近傍のみに分布している点であ
る。なお本形態は、キャン型半導体レーザ装置部は形態
２と同じ構造であるためその説明は省略し、樹脂モール
ド部のみを説明する。
【００６０】キャン型半導体レーザ装置を覆うように、
エポキシ系樹脂からなり光の出射方向にレンズ部408を
もつ樹脂モールド409が施されている。樹脂モールド409
の断面は直径7.5mmの円形状であり、レンズ部408の先端
とキャップ407との間の距離xはレンズの焦点距離（9m
m）に等しい。樹脂モールド内には、SiO2からなるフィ
ラー粒子が発光素子の近傍にのみ厚さ2mmで分布してお
り、その混入量は重量比にして5％である。
エポキシ系樹脂からなり光の出射方向にレンズ部408を
もつ樹脂モールド409が施されている。樹脂モールド409
の断面は直径7.5mmの円形状であり、レンズ部408の先端
とキャップ407との間の距離xはレンズの焦点距離（9m
m）に等しい。樹脂モールド内には、SiO2からなるフィ
ラー粒子が発光素子の近傍にのみ厚さ2mmで分布してお
り、その混入量は重量比にして5％である。
【００６１】図１０(b)に示すように半導体レーザ401か
ら出た光は、放射直後にフィラー粒子411で散乱され、
発光径、放射角ともに拡がる。そして、ここで得られた
放射角を保ったまま樹脂内（透明）を進む。光がレンズ
部408に達すると、ここで屈折して外部空間へ放射され
る。
ら出た光は、放射直後にフィラー粒子411で散乱され、
発光径、放射角ともに拡がる。そして、ここで得られた
放射角を保ったまま樹脂内（透明）を進む。光がレンズ
部408に達すると、ここで屈折して外部空間へ放射され
る。
【００６２】本形態では、光路長xをレンズの焦点距離
と同じ9mmにすることで、レンズ機能による放射角θlを
ほぼゼロとした。このため形態１とほぼ同じ大きさの発
光径（約4.5mm）を実現しながら、縦横とも8°という極
めて狭い放射角を得た。そして安全対策を施したワイヤ
レス通信用の発光装置のなかでも、消費電力が極めて低
い装置を実現した。
と同じ9mmにすることで、レンズ機能による放射角θlを
ほぼゼロとした。このため形態１とほぼ同じ大きさの発
光径（約4.5mm）を実現しながら、縦横とも8°という極
めて狭い放射角を得た。そして安全対策を施したワイヤ
レス通信用の発光装置のなかでも、消費電力が極めて低
い装置を実現した。
【００６３】また実施形態２、３では、拡散手段が外周
部のみに存在するため、装置の発光径が発光素子の放射
角θoに依存し、θoの値によっては所望の発光径が得ら
れない場合があった。これに対し本形態では、拡散手段
が発光素子に近い部分にのみ分布しているため、仮に発
光素子の放射角θoが狭くても、拡散量を調節すること
で所望の発光径を得ることが可能となった。
部のみに存在するため、装置の発光径が発光素子の放射
角θoに依存し、θoの値によっては所望の発光径が得ら
れない場合があった。これに対し本形態では、拡散手段
が発光素子に近い部分にのみ分布しているため、仮に発
光素子の放射角θoが狭くても、拡散量を調節すること
で所望の発光径を得ることが可能となった。
【００６４】なお、本形態ではその光拡散部を発光素子
近傍411のみとしたが、本発明の主旨は光をその出射直
後に拡散させることであるから、発光素子近傍411より
も拡散量が小さければ、樹脂モールド内外の他の部分も
拡散機能をもつほうがよい。
近傍411のみとしたが、本発明の主旨は光をその出射直
後に拡散させることであるから、発光素子近傍411より
も拡散量が小さければ、樹脂モールド内外の他の部分も
拡散機能をもつほうがよい。
【００６５】また実施形態１〜４では発光素子に半導体
レーザを用いているが、発光ダイオード、固体レーザな
ど発光径を拡大する必要のある別の発光素子を用いても
よい。
レーザを用いているが、発光ダイオード、固体レーザな
ど発光径を拡大する必要のある別の発光素子を用いても
よい。
【００６６】さらに実施形態１〜４で使用した樹脂や拡
散材の材料は、モールドLED装置を作製する際に頻繁に
使用されるものを記したが、発光素子の波長に対し前者
が透明、後者が不透明であれば、これに限定されるもの
ではない。
散材の材料は、モールドLED装置を作製する際に頻繁に
使用されるものを記したが、発光素子の波長に対し前者
が透明、後者が不透明であれば、これに限定されるもの
ではない。
【００６７】図１１、１２を用いて本発明第５の実施の
形態を説明する。
形態を説明する。
【００６８】図１１(a)は光信号を送信する手段に、本
形態1〜４のいずれかに記載の発光装置を用いた家庭用
ビデオカメラ、図１１(b)は該ビデオカメラとTVとの間
で行われるワイヤレス通信の該略を示す図である。また
図１２は本形態で示されるシステムの受光電流の概念図
である。ビデオカメラ501で撮影された音声信号と映像
信号はビデオカメラ501の内部でデジタル化され、ビデ
オカメラ外面にある光送信部502へ送られる。光送信部5
02には形態１〜4の何れかで示した発光装置が備えら
れ、デジタル化された電気信号を光信号に変換し、信号
光103として外部空間へ放出する。送信対象であるTV504
はその外部に光受信部505を備え、信号光503を受信す
る。そして受信した光変調信号は、光受信部505の内部
でフォトダイオードにより電気信号に変換される。
形態1〜４のいずれかに記載の発光装置を用いた家庭用
ビデオカメラ、図１１(b)は該ビデオカメラとTVとの間
で行われるワイヤレス通信の該略を示す図である。また
図１２は本形態で示されるシステムの受光電流の概念図
である。ビデオカメラ501で撮影された音声信号と映像
信号はビデオカメラ501の内部でデジタル化され、ビデ
オカメラ外面にある光送信部502へ送られる。光送信部5
02には形態１〜4の何れかで示した発光装置が備えら
れ、デジタル化された電気信号を光信号に変換し、信号
光103として外部空間へ放出する。送信対象であるTV504
はその外部に光受信部505を備え、信号光503を受信す
る。そして受信した光変調信号は、光受信部505の内部
でフォトダイオードにより電気信号に変換される。
【００６９】その後、TV504でこの電気信号を復調し、
映像および音声を得ることができる。さらに本形態で
は、受光側はの最大感度波長920nmのSiの受光素子を用
いた。発光側は、発振光の波長として、910nmの半導体
レーザを用いた。その理由を以下に述べる。Siの受光素
子では、半導体中に形成された空乏層で吸収された光
は、電子とホールのペアを形成し、空乏層中の電界によ
り電流として外部へ取り出される。受光素子に最大感度
波長より長波長の光が入射すると、光のエネルギーが低
いため空乏層にて十分に吸収されない。空乏層外部で発
生した電子とホールのペアは、ゆっくりとした拡散現象
により空乏層に達するから、これは信号の時間遅れにな
ってしまう。
映像および音声を得ることができる。さらに本形態で
は、受光側はの最大感度波長920nmのSiの受光素子を用
いた。発光側は、発振光の波長として、910nmの半導体
レーザを用いた。その理由を以下に述べる。Siの受光素
子では、半導体中に形成された空乏層で吸収された光
は、電子とホールのペアを形成し、空乏層中の電界によ
り電流として外部へ取り出される。受光素子に最大感度
波長より長波長の光が入射すると、光のエネルギーが低
いため空乏層にて十分に吸収されない。空乏層外部で発
生した電子とホールのペアは、ゆっくりとした拡散現象
により空乏層に達するから、これは信号の時間遅れにな
ってしまう。
【００７０】例えば、本例の受光素子に波長910nmの光
を20MHzで強度変調して入れた場合、その受光電流は図
１２の点線の様になるが、波長930nmの光を同様に入射
した場合、図１２の実線の様になる。実線でパルス始め
の速い立ち上がりは空乏層で吸収された光によるもの
で、その後のゆっくりした立ち上がり成分は拡散電流に
よるものである。これは数μ秒にも及び、パルス消失後
もテールを引くように現れる。拡散電流成分により、受
光電流の変調信号振幅が減少し高S/N比のデータ伝送が
出来ない。よって本例の様に、受光素子の最大感度波長
を含み、その短波長側の波長で通信することが望まし
い。発光ダイオードの様に波長がブロードな素子を用い
る場合には、強度ピーク波長が受光素子の最大感度波長
より小さければよい。
を20MHzで強度変調して入れた場合、その受光電流は図
１２の点線の様になるが、波長930nmの光を同様に入射
した場合、図１２の実線の様になる。実線でパルス始め
の速い立ち上がりは空乏層で吸収された光によるもの
で、その後のゆっくりした立ち上がり成分は拡散電流に
よるものである。これは数μ秒にも及び、パルス消失後
もテールを引くように現れる。拡散電流成分により、受
光電流の変調信号振幅が減少し高S/N比のデータ伝送が
出来ない。よって本例の様に、受光素子の最大感度波長
を含み、その短波長側の波長で通信することが望まし
い。発光ダイオードの様に波長がブロードな素子を用い
る場合には、強度ピーク波長が受光素子の最大感度波長
より小さければよい。
【００７１】また本通信を行うにあたっては、光送信部
502から放射した信号光503がTV504の光受信部505の受信
可能範囲内（立体角及び距離）におさまるよう、ビデオ
カメラ501をTV504の近傍に設置することとする。
502から放射した信号光503がTV504の光受信部505の受信
可能範囲内（立体角及び距離）におさまるよう、ビデオ
カメラ501をTV504の近傍に設置することとする。
【００７２】本形態の通信システムはTVとビデオカメラ
間の1：1の通信であるため、送信光の放射角を大きくと
る必要はない。ビデオカメラのバッテリー電力に限界が
あることも考慮すると、送信光の放射角は狭いほうがよ
い。本形態の通信システムでは、放射角は20°以下、望
ましくは10°もあれば十分である。
間の1：1の通信であるため、送信光の放射角を大きくと
る必要はない。ビデオカメラのバッテリー電力に限界が
あることも考慮すると、送信光の放射角は狭いほうがよ
い。本形態の通信システムでは、放射角は20°以下、望
ましくは10°もあれば十分である。
【００７３】本形態では、通信システム内の光送信器に
形態1〜4で記した発光装置を用いたため、送信光の放射
角を狭くすることができ（20°以下）、ビデオカメラの
バッテリー連続使用時間が格段に延びた。また、該装置
内の発光素子に半導体レーザを用いたため、通信速度が
増し、データ転送にかかる時間も短縮された。
形態1〜4で記した発光装置を用いたため、送信光の放射
角を狭くすることができ（20°以下）、ビデオカメラの
バッテリー連続使用時間が格段に延びた。また、該装置
内の発光素子に半導体レーザを用いたため、通信速度が
増し、データ転送にかかる時間も短縮された。
【００７４】
【発明の効果】実施形態１〜４に記載の発明によれば、
光路長を焦点距離近傍に設定し、レンズ機能による放射
角度の大きさを拡散機能による放射角度の大きさよりも
小さくしたため、発光径を拡大すると同時に20°以内と
いう狭い放射角をもつ発光装置を実現することができ
た。
光路長を焦点距離近傍に設定し、レンズ機能による放射
角度の大きさを拡散機能による放射角度の大きさよりも
小さくしたため、発光径を拡大すると同時に20°以内と
いう狭い放射角をもつ発光装置を実現することができ
た。
【００７５】特に実施形態２〜４では光路長xの焦点位
置fからのずれの大きさを焦点距離fで規格化したΔf
（＝(x-f)/f）がx＞f のときΔf＜4/(NA-4)、x＜fのと
きΔf＜4/(NA+4)となるよう発光素子の位置を設定した
ため、θlの寄与を4°以下という非常に小さな値とする
ことができ、特に狭い放射角が得られた。そして、安全
性と低消費電力という両立するのが困難な仕様を同時に
満たしたワイヤレス通信用の発光装置を実現できた。
置fからのずれの大きさを焦点距離fで規格化したΔf
（＝(x-f)/f）がx＞f のときΔf＜4/(NA-4)、x＜fのと
きΔf＜4/(NA+4)となるよう発光素子の位置を設定した
ため、θlの寄与を4°以下という非常に小さな値とする
ことができ、特に狭い放射角が得られた。そして、安全
性と低消費電力という両立するのが困難な仕様を同時に
満たしたワイヤレス通信用の発光装置を実現できた。
【００７６】また発光素子に半導体レーザを用いている
ため、安全性や消費電力上の仕様を満たした上で、高速
の変調も可能とした発光装置を提供することができた。
ため、安全性や消費電力上の仕様を満たした上で、高速
の変調も可能とした発光装置を提供することができた。
【００７７】実施形態２〜４に記載の発明によれば、光
拡散部の分布が樹脂モールドの一部に片寄っているた
め、仮に光路長が当初の設定からずれたとしても拡散量
は影響を受けず、当初の設計通りの発光径をもつ発光装
置を得ることが可能となった。
拡散部の分布が樹脂モールドの一部に片寄っているた
め、仮に光路長が当初の設定からずれたとしても拡散量
は影響を受けず、当初の設計通りの発光径をもつ発光装
置を得ることが可能となった。
【００７８】実施形態２、３では光拡散部の片寄りが主
にレンズの外周部に集中しているため、発光径の設定や
その制御が容易となった。特に実施形態３では、拡散手
段がレンズ外周部でのレーザ光の放射範囲よりも広い範
囲に分布しているため、外周部に到達した全てのレーザ
光を拡散でき、結果として発光径をより大きくすること
ができた。言い換えると装置の安全性を高くすることが
できた。
にレンズの外周部に集中しているため、発光径の設定や
その制御が容易となった。特に実施形態３では、拡散手
段がレンズ外周部でのレーザ光の放射範囲よりも広い範
囲に分布しているため、外周部に到達した全てのレーザ
光を拡散でき、結果として発光径をより大きくすること
ができた。言い換えると装置の安全性を高くすることが
できた。
【００７９】また実施形態４では拡散手段が主に発光素
子に近い部分にのみ分布しているため、用いた半導体レ
ーザ素子に固有の放射角に関係なく、望みの発光径を得
ることが可能となった。
子に近い部分にのみ分布しているため、用いた半導体レ
ーザ素子に固有の放射角に関係なく、望みの発光径を得
ることが可能となった。
【００８０】実施形態５に記載の発明によれば、実施形
態１〜４に記載の発光装置をTV−ビデオカメラ間でのワ
イヤレス光通信の送信部に用いることで、ビデオカメラ
の連続使用時間が延びた上、従来より短時間で情報を伝
送することを可能にした。
態１〜４に記載の発光装置をTV−ビデオカメラ間でのワ
イヤレス光通信の送信部に用いることで、ビデオカメラ
の連続使用時間が延びた上、従来より短時間で情報を伝
送することを可能にした。
【図１】実施形態１で示される発光装置の構造、および
その断面構造と光の放射状況を示す模式図である。
その断面構造と光の放射状況を示す模式図である。
【図２】光が拡散板を通過する際の光の放射の様子を示
す模式図である。
す模式図である。
【図３】光が樹脂モールドレンズから出射する際の光の
放射状況を示す模式図である。
放射状況を示す模式図である。
【図４】樹脂レンズの寄与による放射角、および全放射
角と光路長の関係を示すグラフである。
角と光路長の関係を示すグラフである。
【図５】実施形態２で示される発光装置の構造、および
その断面構造と光の放射状況を示す模式図である。
その断面構造と光の放射状況を示す模式図である。
【図６】実施形態２で示される発光装置の発光径を説明
する模式図である。
する模式図である。
【図７】実施形態２で示される発光装置と同機能で異形
状の光拡散手段をもつ発光装置の例を示す模式図であ
る。
状の光拡散手段をもつ発光装置の例を示す模式図であ
る。
【図８】実施形態３で示される発光装置の構造、および
その断面構造と光の放射状況を示す模式図である。
その断面構造と光の放射状況を示す模式図である。
【図９】実施形態３で示される発光装置の製造方法を示
す模式図である。
す模式図である。
【図１０】実施形態４で示される発光装置の構造、およ
びその断面構造と光の放射状況を示す模式図である。
びその断面構造と光の放射状況を示す模式図である。
【図１１】実施形態５で示される電子機器、およびその
電子機器を用いた家庭用ビデオカメラ-TV間のワイヤレ
ス光通信の様子を示す模式図である。
電子機器を用いた家庭用ビデオカメラ-TV間のワイヤレ
ス光通信の様子を示す模式図である。
【図１２】実施形態５で示されるシステムの受光電流の
概念図である。
概念図である。
【図１３】従来例として示す発光装置の構造、およびそ
の断面構造と光の放射状況を示す模式図である。
の断面構造と光の放射状況を示す模式図である。
101、201、301、401、601 半導体レーザ素子 102、202、402 ヒートシンク 103、203、403 ステム 104、204、304、404、604 リード線 105、205、405 電極 106、206、406 絶縁体 107、407 キャップ 108、208、308、408、608 レンズ部 109、209、309、409、609 樹脂モールド 210、410 キャップガラス 111、211a、211b、311、411、611 光拡散手段 312、612 リードフレーム基台 313、613 リードフレーム電極 501 家庭用ビデオカメラ 502 ビデオカメラ外面に付随する光送信部 503 送信光 504 TV外面に付随する光受信部 505 TV
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 Ｈ０４Ｎ 5/00 Ｂ ５Ｆ０６１ Ｈ０１Ｓ 5/022 7/22 ５Ｆ０７３ Ｈ０４Ｎ 5/00 Ｂ２９Ｋ 105:16 7/22 Ｂ２９Ｌ 11:00 // Ｂ２９Ｋ 105:16 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｆ Ｂ２９Ｌ 11:00 Ｆターム(参考） 4F202 AA39 AB11 AB17 AD03 AF01 AG26 AH73 CA01 CB01 CB12 CD07 CD22 CK12 CQ05 4M109 AA01 DB15 EC11 EE12 GA01 5C056 FA01 HA01 HA04 JA10 5C064 EA05 5F041 AA06 AA24 AA31 DA02 DA07 DA12 DA18 DA44 DB01 EE25 FF14 5F061 AA01 CA21 CB01 CB02 CB13 DA06 FA01 5F073 BA01 EA19 FA22 FA27 FA28 FA29 FA30
Claims (11)
- 【請求項１】 発光素子と、該発光素子をモールドする
樹脂とを、少なくとも備えた発光装置であって、 前記樹脂が、レンズ機能と、光拡散機能とを備えて、こ
れらによって発光装置からの光の放射角度を決定する
際、前記レンズ機能による放射角度の大きさが、前記光
拡散機能による放射角度の大きさよりも小さくてなるこ
とを特徴とする発光装置。 - 【請求項２】 前記レンズ機能による放射角度の大きさ
が、前記光拡散機能による放射角度の大きさの１／３よ
りも小さくてなることを特徴とする請求項１に記載の発
光装置。 - 【請求項３】 発光素子と、該発光素子をモールドする
樹脂とを、少なくとも備えた発光装置であって、 前記樹脂端面がレンズ機能をなし、該レンズ機能の持つ
焦点距離位置近傍に、前記発光素子の発光点を配置して
なることを特徴とする発光装置。 - 【請求項４】 光路長Ｘの焦点位置からのずれの大きさ
を焦点距離で規格化したΔｆが、前記レンズ機能の開口
数ＮＡを用いて、ｘ＞ｆでΔｆ＜４／（ＮＡ−４）、ｘ
＜ｆでΔｆ＜４／（ＮＡ＋４）となる位置に、前記発光
素子の発光点を配置してなることを特徴とする請求項３
に記載の発光装置。 - 【請求項５】 前記発光装置の放射角が指向半値角で２
０°以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいず
れかに記載の発光装置。 - 【請求項６】 前記レンズ機能による放射角度の大きさ
が、指向半値角で４°以下であることを特徴とする請求
項１乃至５のいずれかに記載の発光装置。 - 【請求項７】 前記光拡散機能は、樹脂に混入されたフ
ィラーによってなされ、該フィラーは前記モールド樹脂
に部分的に分布してなることを特徴とする請求項１乃至
６のいずれかに記載の発光装置。 - 【請求項８】 発光素子と、該発光素子をモールドし、
レンズ機能と光拡散機能を有する樹脂とを、少なくとも
備えた請求項１乃至７のいずれかに記載の発光装置を製
造する際、 前記モールド樹脂を形成した後、その表面に、該樹脂を
溶かす作用を持つ溶液を用いてエッチングを施すことに
より、前記モールド樹脂の持つ光拡散機能を決定してな
ることを特徴とする発光装置の製造方法。 - 【請求項９】 発光素子と、該発光素子をモールドし、
レンズ機能と光拡散機能を有する樹脂とを、少なくとも
備えた請求項１乃至７のいずれかに記載の発光装置を製
造する際、 前記モールド樹脂を形成した後、その少なくともレンズ
機能を有する表面に液状の樹脂を霧状に吹き付けること
により、前記モールド樹脂の持つ光拡散機能を決定して
なることを特徴とする発光装置の製造方法。 - 【請求項１０】 発光素子と、該発光素子をモールド
し、レンズ機能と光拡散機能を有する樹脂とを、少なく
とも備えた請求項１乃至７のいずれかに記載の発光装置
を製造する際、 前記モールド樹脂の成形金型の内面に凹凸を施すことに
より、前記モールド樹脂のもつ光拡散機能を決定してな
ることを特徴とする発光装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記請求項1乃至７のいずれかに記載
の発光装置を搭載してなることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33086199A JP2001148515A (ja) | 1999-11-22 | 1999-11-22 | 発光装置、その製造方法、及び発光装置を搭載した電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33086199A JP2001148515A (ja) | 1999-11-22 | 1999-11-22 | 発光装置、その製造方法、及び発光装置を搭載した電子機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001148515A true JP2001148515A (ja) | 2001-05-29 |
Family
ID=18237355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33086199A Pending JP2001148515A (ja) | 1999-11-22 | 1999-11-22 | 発光装置、その製造方法、及び発光装置を搭載した電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001148515A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003077389A1 (fr) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Appareil a source lumineuse et module de communication optique le comprenant |
| JP2005131940A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Arisawa Mfg Co Ltd | マイクロレンズアレイ用母型の製造方法 |
| JP2006032885A (ja) * | 2003-11-18 | 2006-02-02 | Sharp Corp | 光源装置およびそれを用いた光通信装置 |
| JP2007250785A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Sharp Corp | アイセーフレーザ光源、およびこれを用いた電子機器 |
| JP2007266484A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Sharp Corp | アイセーフレーザ光源装置およびそれを用いた通信機器ならびに照明機器 |
| CN101887940A (zh) * | 2010-06-25 | 2010-11-17 | 深圳雷曼光电科技股份有限公司 | 发光二极管封装结构及其方法 |
| JPWO2009145141A1 (ja) * | 2008-05-26 | 2011-10-13 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
| JP2012256936A (ja) * | 2007-06-14 | 2012-12-27 | Cree Inc | 発光デバイス |
| US9273830B2 (en) | 2007-06-14 | 2016-03-01 | Cree, Inc. | Light source with near field mixing |
| US9287469B2 (en) | 2008-05-02 | 2016-03-15 | Cree, Inc. | Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode |
| US11114594B2 (en) | 2007-08-24 | 2021-09-07 | Creeled, Inc. | Light emitting device packages using light scattering particles of different size |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4910465U (ja) * | 1972-04-29 | 1974-01-29 | ||
| JPS5042672U (ja) * | 1973-08-16 | 1975-04-30 | ||
| JPS63300578A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-07 | Nec Corp | 発光ダイオード |
| JPH03206672A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-10 | Seiwa Denki Kk | 発光ダイオード素子およびその製造方法 |
| JPH06177432A (ja) * | 1992-12-03 | 1994-06-24 | Rohm Co Ltd | 発光ダイオードランプおよびその製造方法 |
| JPH08264885A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH09307174A (ja) * | 1996-05-15 | 1997-11-28 | Ricoh Co Ltd | 分散光源装置 |
| JPH1051035A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-20 | Hiyoshi Denshi Kk | ２色発光素子及び２色発光球 |
| JPH10319873A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Mitsubishi Electric Corp | 光源ユニットおよびこれを用いた表示装置、表示器、照明装置 |
| JPH11163417A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード |
-
1999
- 1999-11-22 JP JP33086199A patent/JP2001148515A/ja active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4910465U (ja) * | 1972-04-29 | 1974-01-29 | ||
| JPS5042672U (ja) * | 1973-08-16 | 1975-04-30 | ||
| JPS63300578A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-07 | Nec Corp | 発光ダイオード |
| JPH03206672A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-10 | Seiwa Denki Kk | 発光ダイオード素子およびその製造方法 |
| JPH06177432A (ja) * | 1992-12-03 | 1994-06-24 | Rohm Co Ltd | 発光ダイオードランプおよびその製造方法 |
| JPH08264885A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH09307174A (ja) * | 1996-05-15 | 1997-11-28 | Ricoh Co Ltd | 分散光源装置 |
| JPH1051035A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-20 | Hiyoshi Denshi Kk | ２色発光素子及び２色発光球 |
| JPH10319873A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Mitsubishi Electric Corp | 光源ユニットおよびこれを用いた表示装置、表示器、照明装置 |
| JPH11163417A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003077389A1 (fr) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Appareil a source lumineuse et module de communication optique le comprenant |
| US7295592B2 (en) | 2002-03-08 | 2007-11-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light source device and optical communication module employing the device |
| JP2005131940A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Arisawa Mfg Co Ltd | マイクロレンズアレイ用母型の製造方法 |
| JP2006032885A (ja) * | 2003-11-18 | 2006-02-02 | Sharp Corp | 光源装置およびそれを用いた光通信装置 |
| JP2007250785A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Sharp Corp | アイセーフレーザ光源、およびこれを用いた電子機器 |
| JP2007266484A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Sharp Corp | アイセーフレーザ光源装置およびそれを用いた通信機器ならびに照明機器 |
| JP2012256936A (ja) * | 2007-06-14 | 2012-12-27 | Cree Inc | 発光デバイス |
| US9273830B2 (en) | 2007-06-14 | 2016-03-01 | Cree, Inc. | Light source with near field mixing |
| US11114594B2 (en) | 2007-08-24 | 2021-09-07 | Creeled, Inc. | Light emitting device packages using light scattering particles of different size |
| US9287469B2 (en) | 2008-05-02 | 2016-03-15 | Cree, Inc. | Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode |
| JPWO2009145141A1 (ja) * | 2008-05-26 | 2011-10-13 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
| CN101887940A (zh) * | 2010-06-25 | 2010-11-17 | 深圳雷曼光电科技股份有限公司 | 发光二极管封装结构及其方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001148515A (ja) | 発光装置、その製造方法、及び発光装置を搭載した電子機器 | |
| US3805347A (en) | Solid state lamp construction | |
| US10514158B2 (en) | Light source device and projection device | |
| US7295592B2 (en) | Light source device and optical communication module employing the device | |
| JPH09307174A (ja) | 分散光源装置 | |
| US4100562A (en) | Light coupled semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| US20060062269A1 (en) | Semiconductor laser module, spatial optical transmission system and electronic appliance | |
| US20070096139A1 (en) | Light emitting diode encapsulation shape control | |
| US20080030878A1 (en) | Bi-curvature lens for light emitting diodes and photo detectors | |
| JP2006032885A (ja) | 光源装置およびそれを用いた光通信装置 | |
| US6781209B1 (en) | Optoelectronic component with thermally conductive auxiliary carrier | |
| WO2017086053A1 (ja) | アイセーフ光源 | |
| JP4471427B2 (ja) | 半導体レーザ発光素子、及びそれを搭載した電子機器 | |
| JP2018170454A (ja) | 光半導体装置 | |
| TW463433B (en) | Laser light output transmission reflecting device | |
| JP2005142447A (ja) | 発光装置，受光装置，電子機器およびレンズの製造方法 | |
| CN107046091B (zh) | 具光形调整结构的发光装置及其制造方法 | |
| CN108288819A (zh) | 一种vcsel装置 | |
| JPS59207674A (ja) | 送光装置 | |
| CN115047700A (zh) | 一种投影光机 | |
| JP4014425B2 (ja) | 光源装置およびそれを用いた光通信システム | |
| WO2019210486A1 (en) | Cob led and method for packaging cob led | |
| JP4906545B2 (ja) | 発光装置および光伝送モジュール | |
| KR102157253B1 (ko) | 레이저를 이용한 전자소자 접합장치 | |
| JPH05273492A (ja) | 半導体レーザー光源 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051201 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20071205 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080909 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080909 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081107 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20081107 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090113 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090316 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090519 |