JPS59207674A - 送光装置 - Google Patents

送光装置

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JPS59207674A
JPS59207674A JP58082041A JP8204183A JPS59207674A JP S59207674 A JPS59207674 A JP S59207674A JP 58082041 A JP58082041 A JP 58082041A JP 8204183 A JP8204183 A JP 8204183A JP S59207674 A JPS59207674 A JP S59207674A
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JP
Japan
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reflector
emitting element
light emitting
cone
light
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Application number
JP58082041A
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English (en)
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JPH0377674B2 (ja
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Kunio Yamakawa
山川　邦雄
Yoshihisa Mochida
糯田　嘉久
Yoshikazu Suehiro
末広　芳和
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/644—Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は空間伝送光通信装置に用いることのできる送光
装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点 一般に空間伝送光通信装置に用いる送光装置は第１図に
示すように、発光素子１の前方にレンズ３を置いて中程
度の指向性を保つとともに、放熱板２により発光素子１
の放熱をはかり、発光素子ＩＫ大電流を流せるようにし
放射強度を大きくしていた。ところがこの場合、レンズ
３に入る光線４以外にレンズ３に入らない光線５がある
ため、発光素子１から出た光のレンズ３を通ったものし
か受光素子６に入光せず通信に利用されていないという
問題があった。しかもレンズ３は一般に高価で、発光素
子１とレンズ３の位置合わせが困難で組立てにおける作
業性に劣るという問題があった。
発明の目的 本発明はこのような従来の欠点を除去するものであり、
簡単な構成で、強い放射強度と中程度の指向性を得るこ
とができる優れた送光装置を提供するものである。
発明の構成 本発明の送光装置は広指向性の発光素子と金属よりなる
円錐形の反射体を具備し、前記発光素子を前記反射体の
円錐の頂点の内面に当接させて固定するとともに、前記
反射体の円錐の内面が鏡面状で外面に放熱フィンを有す
るものであり、放射強度が大きく、しかも中程度の指向
性が得られるものを提供するものである。
実施例の説明 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。第
２図に示すように金属より々る円錐形の反射体７の円錐
の頂点の内面にＬＥＤよりなる広指向性の発光素子８を
広い面積で接触させ、さらにシリコングリスを接触部に
塗ることにより熱伝導性を良くしている。しかも反射体
７の内面は研摩あるいはメッキなどの方法で鏡面状に力
っている。また、反射体７の外面には放熱フィン９が設
けられている。
発光素子８の熱は反射体７に伝導し、反射体７は円錐形
で広い表面積を持って空気と接しているばかりでなく、
放熱フィン９が設けられているため、十分放熱される。
そのため発光素子８には大電流が流せる。しかも発光素
子８から放射した光は光線１０のようにすべて円錐の鏡
面状の内面で反射されるため全部が通信に利用されるよ
うになり、指向角θの範囲内に受光素子１１を配置すれ
ば受光により一定以上の出力が得られることになる。
発明の効果 以上のように本発明は、広指向性の発光素子と、金属よ
りなる円錐形の反射体を具備し、前記発光素子を前記反
射体の円錐の頂点の内面に当接させて固定するとともに
、前記反射体の円錐の内面が鏡面状で外面に放熱フィン
を有するものとしたため、放熱効果が十分であり、大電
流が流せ放射強度が大きくなる。また発光素子からの放
射光をすべて通信に用いることができ、反射体の円錐の
形状により希望する中程度の指向性が容易に得られ、レ
ンズが不要なため安価であり、レンズの位置合わせが不
要なため製造が容易であり、実用上きわめて有利なもの
である。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の送光装置の断面図、第２図は本発明によ
る送光装置の一実施例の断面図である。 ７・・・・・・反射体、８・・・・・・発光素子、９・
・・・・・放熱フィン。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 内面が鏡面状で外面に放熱フィンを備えた金属よりなる
    円錐形の反射体を有し、この反射体の円錐の頂点に広指
    向性の発光素子を当接させて固定した送光装置。
JP58082041A 1983-05-10 1983-05-10 送光装置 Granted JPS59207674A (ja)

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JP58082041A JPS59207674A (ja) 1983-05-10 1983-05-10 送光装置

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JPS59207674A true JPS59207674A (ja) 1984-11-24
JPH0377674B2 JPH0377674B2 (ja) 1991-12-11

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ID=13763430

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