JPH0685388A - 半導体レーザ装置および光送信装置 - Google Patents
半導体レーザ装置および光送信装置Info
- Publication number
- JPH0685388A JPH0685388A JP4235680A JP23568092A JPH0685388A JP H0685388 A JPH0685388 A JP H0685388A JP 4235680 A JP4235680 A JP 4235680A JP 23568092 A JP23568092 A JP 23568092A JP H0685388 A JPH0685388 A JP H0685388A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- electrode
- laser device
- heat sink
- shaped inner
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
間のボンディングワイヤの長さに起因する寄生インダク
タンスを減らした半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 L字型のヒートシンク6の内側底面にサブキ
ャリア4を載せ、その上に半導体レーザ素子1を固定
し、素子1の上面電極3と外部電極となるヒートシンク
6のL字内側側面とが約90°以下となるように配置
し、両電極3と13とを接続するボンディングワイヤ5
の長さが短くなるようにした。 【効果】 従来は素子1の上面電極3と外部電極13と
が同一平面上になるように設置されていたが、本発明の
ように約90゜以下となるように配置すると、両電極
3,13を接続するワイヤ5の長さを短くできる。その
結果、寄生インダクタンスが減少し、半導体レーザ素子
1の高周波特性が大幅に向する。
Description
り、特に、半導体レーザ素子の実装構造に関する。
構造の一例を示す図である。従来の半導体レーザ装置に
おいては、半導体レーザ素子1の上面電極3と外部電極
13とが、同一平面上に設置され、ボンディングワイヤ
5により接続されていた。この種の従来技術を示す文献
としては、伊藤良一,中村道治共著 『半導体レーザ』
(培風館 1989/4/25発行 p.232.236参照)等がある。
体レーザ素子1の電極3と外部電極13とを同一平面上
に設置した状態で、ボンディングワイヤ5により接続し
てあるため、両電極3と13との間のボンディングワイ
ヤ5が長くなり、寄生インダクタンスが大きく、高周波
特性が悪いという問題があった。
いことに起因する寄生インダクタンスを減らした半導体
レーザ装置を提供することである。
成するために、半導体レーザ素子の上面電極と外部電極
とを約90゜以下の角度をなすように設置し、上面電極
と外部電極とを金属ワイヤ等で電気的に接続した半導体
レーザ装置を提案するものである。
り具体的には、金属製のL字型ヒートシンクと、上面お
よび下面をメタライズされ下面をヒートシンクのL字内
側底面に固定された直方体状の絶縁物であるサブキャリ
アと、上面および下面に電極を有し下面をサブキャリア
の上面に固定され上面電極とヒートシンクのL字内側側
面とが約90゜以下の角度をなすように設置された半導
体レーザ素子とからなり、ヒートシンクのL字内側側面
を外部電極としてこの外部電極と半導体レーザ素子の上
面電極とを金属ワイヤ等で電気的に接続した半導体レー
ザ装置を提案するものである。
に、直方体状の金属製ヒートシンクと、一つの面Aとこ
の面Aに隣接する一つの面Bとをメタライズにより導通
させ面Aの裏面Cを面A,Bとは絶縁してメタライズし
面Cをヒートシンクの一つの面D上に固定された直方体
状の絶縁物であるサブキャリアと、上面および下面に電
極を有し下面をサブキャリアの面B上に固定され上面電
極とヒートシンクの面Dとが約90°以下の角度をなす
ように設置された半導体レーザ素子とからなり、面Dを
外部電極としてこの外部電極Dと半導体レーザ素子の上
面電極とを金属ワイヤ等で電気的に接続した半導体レー
ザ装置を提案するものである。
は、ヒートシンクに段差を設け、サブキャリアをヒート
シンクの下段表面に固定し、半導体レーザ素子の上面電
極とヒートシンクの上段表面とを金属ワイヤ等で電気的
に接続することもできる。
めに、L字内側底面をメタライズしL字内側底面とは電
気的に絶縁してかつL字内側側面とL字外側底面とが導
通するようにメタライズされた絶縁物であるL字型サブ
キャリアと、上面および下面に電極を有し下面をサブキ
ャリアのL字内側底面上に固定され上面電極とヒートシ
ンクのL字内側側面とが約90°以内の角度をなすよう
に設置された半導体レーザ素子とからなり、L字内側側
面を外部電極としてこの外部電極と半導体レーザ素子の
上面電極とを金属ワイヤ等で電気的に接続した半導体レ
ーザ装置を提案するものである。
字内側底面をメタライズしL字内側底面とは電気的に絶
縁状態でL字内側側面とL字上面とが導通するようにメ
タライズされた絶縁物であるL字型サブキャリアと、上
面および下面に電極を有し下面をサブキャリアのL字内
側底面上に固定され上面電極とL字内側側面とが約90
°以内の角度をなすように設置された半導体レーザ素子
とからなり、L字内側側面を外部電極としてこの外部電
極と半導体レーザ素子の上面電極とを金属ワイヤ等で電
気的に接続した半導体レーザ装置を提案するものであ
る。
極とを溶接固定する際に金属ワイヤの先端を位置決めす
るための溝を外部電極の表面に設けてもよい。
に、金属製のコの字型ヒートシンクと、下面をヒートシ
ンクのコの字内側底面に固定され上面および下面をメタ
ライズされた直方体状の絶縁物であるサブキャリアと、
上面および下面に電極を有し下面をサブキャリアの上面
に固定された半導体レーザ素子とからなり、ヒートシン
クのコの字内側上面の下に近接して位置する半導体レー
ザ素子の上面電極とヒートシンクのコの字内側上面との
間を固定材で電気的に接続した半導体レーザ装置を提案
するものである。
体レーザ装置に電力を供給する手段と、半導体レーザ装
置から出力されるレーザ光を外部に接続された光ファイ
バに導く光学系を組み合わせれば、本発明独自の光送信
装置が得られる。
構造の基本的考え方を示す図である。本発明において
は、半導体レーザ素子1の上面電極3と外部電極13
が、最大でも直角程度以下の角度をなすように、半導体
レーザ素子1と外部電極13とを配置して固定し、上面
電極3と外部電極13との間をボンディングワイヤ5等
で接続する。
に固定する方式を採用した場合は、半導体レーザ素子お
よびサブキャリアを、例えばコの字型のヒートシンクの
内側に載せ、半導体レーザ素子の上面電極とその上に近
接するヒートシンクのコの字内側の面との間をはんだ等
で接続する方式も採用する。
極と外部電極との間の接続距離を従来の構造よりもはる
かに短くできるので、寄生インダクタンスが減少し、高
周波特性が向上する。
る半導体レーザ装置の実施例を説明する。これらの実施
例は、特に高周波特性が重要となる高速光通信用半導体
レーザ素子の実装構造に関するものであるが、他の用途
の半導体レーザ装置に対しても本発明が有効であること
は、いうまでもない。
第1実施例の実装構造を示す斜視図である。本実施例で
は、半導体レーザ素子1をサブキャリア4の上面7に固
定してある。サブキャリア4は、例えば長さ0.6mm×
幅0.4mm×厚さ0.3mmの大きさのSiC,アルミナ等
の熱伝導性の良いセラミック材からなる。サブキャリア
4の上面7とここでは見えない下面とは、厚さ2μmの
Niめっきおよび厚さ1.5μmのめっきによりメタライ
ズし、コバール製のL字型ヒートシンク6の内側底面に
銀ろうまたははんだで固定してある。ヒートシンク6の
L字内側側面には、ボンディングワイヤ5の先端を位置
決めし固定するための溝8を予め形成してある。
組立て手順の前半を示す図である。サブキャリア4の上
面7に、Au/SnまたはPb/Sn等のはんだを用い
て、例えば長さ0.3mm×幅0.3mm×厚さ0.1mmの半
導体レーザ素子1を固定する。その後、ワイヤボンダ1
0により、半導体レーザ素子1の上面電極3にAuのワ
イヤ5をボンディングする。
組立て手順の後半を示す図である。一端を半導体レーザ
素子1の上面電極3に固定され直立しているボンディン
グワイヤ5を曲げ、ヒートシンク6の溝8内に通し、ワ
イヤ5とヒートシンク6とを溶接用レーザ光12により
溶接して接続し、作業を完了する。
ンディングやはんだ付けでもできるが、その場合は、ヒ
ートシンク6をヒートブロック等で温める必要があるの
で、レーザ溶接に比べて、生産効率が低い。
第2実施例の実装構造を示す正面図である。本実施例に
おいては、ヒートシンク6をL字型ではなく、製作の容
易な直方体とし、サブキャリア4と接合してある。
第3実施例の実装構造を示す正面図である。本実施例に
おいては、図6実施例のヒートシンク6に段差を設け、
サブキャリア4を下段に固定し、ボンディングワイヤ5
を前記段差の上段に固定してある。図7の実施例は、図
6の実施例に比べて、ボンディングワイヤ5の長さをさ
らに短くできる。
第4実施例の実装構造を示す正面図である。SiC,ア
ルミナ等の熱伝導性の良いセラミック材でL字型サブキ
ャリア4を作ることは、図3の実施例と同じである。
ならず、表面14もメタライズして電気線路を形成し、
半導体レーザ素子1およびボンディングワイヤ5をメタ
ライズされた面上に固定してあるので、金属製ヒートシ
ンク6を省き、部品点数を減らすことができる。
第5実施例の実装構造を示す正面図である。本実施例の
ように、図8の実施例からメタライズパターンを変える
と、半導体レーザ素子1の上面とサブキャリア4の底面
メタライズパターン16とを分離し、底面メタライズパ
ターン16を他の構造物への固定に利用することも可能
である。
の第6実施例の実装構造を示す斜視図であり、図11
は、図10の実施例の正面図である。本実施例において
は、コの字型ヒートシンク6を用い、半導体レーザ素子
1の上面電極3とヒートシンク6のコの字内側上面とを
例えば間隙0.1mm以内に近接させ、その間隙をはんだ
15により接続してある。したがって、接続部分の長さ
をより一層短縮できる。
を搭載した光送信装置の内部構造を示す断面図である。
すなわち、上記いずれかの半導体レーザ装置をパッケー
ジに組み込んで、光通信用の光送信装置を実現する実施
例を示している。本実施例において、半導体レーザ装置
17から発射されるレーザ光27は、レンズ19により
コリメートされ、光アイソレータ22を通過し、レンズ
20で集光され、光ファイバ18に入射する。なお、図
において、21は気密封止ガラス板、23はモニタ用フ
ォトダイオード、24は温度を制御する電子冷却装置、
25はケース、26は気密封止キャップであり、ケース
25内は例えば窒素ガスで気密封止されている。また、
図12の半導体レーザ装置17は、例えば図3の左側か
ら見た向きで、電子冷却装置24に搭載されている。
外部電極との間の接続長を従来装置よりも大幅に短くで
きるので、寄生インダクタンスが減少し、高周波特性が
良くなる。
との間の接続長を従来装置よりも短くできるため、寄生
インダクタンスが減少し、高周波特性が改良された半導
体レーザ装置が得られる。
本的考え方を示す図である。
す図である。
実装構造を示す斜視図である。
前半を示す図である。
後半を示す図である。
実装構造を示す正面図である。
実装構造を示す正面図である。
実装構造を示す正面図である。
実装構造を示す正面図である。
の実装構造を示す斜視図である。
送信装置の内部構造を示す断面図である。
Claims (9)
- 【請求項1】 半導体レーザ素子の上面電極と外部電極
とを約90゜以下の角度をなすように設置し、前記上面
電極と前記外部電極とを金属ワイヤ等で電気的に接続し
た半導体レーザ装置。 - 【請求項2】 金属製のL字型ヒートシンクと、 上面および下面をメタライズされ前記下面を前記ヒート
シンクのL字内側底面に固定された直方体状の絶縁物で
あるサブキャリアと、 上面および下面に電極を有し前記下面を前記サブキャリ
アの上面に固定され前記上面電極と前記ヒートシンクの
L字内側側面とが約90゜以下の角度をなすように設置
された半導体レーザ素子とからなり、 前記ヒートシンクのL字内側側面を外部電極として当該
外部電極と前記半導体レーザ素子の上面電極とを金属ワ
イヤ等で電気的に接続した半導体レーザ装置。 - 【請求項3】 直方体状の金属製ヒートシンクと、 一つの面Aと当該面Aに隣接する一つの面Bとをメタラ
イズにより導通させ前記面Aの裏面Cを前記面A,Bと
は絶縁してメタライズし前記面Cを前記ヒートシンクの
一つの面D上に固定された直方体状の絶縁物であるサブ
キャリアと、 上面および下面に電極を有し下面を前記サブキャリアの
面B上に固定され前記上面電極と前記ヒートシンクの面
Dとが約90°以下の角度をなすように設置された半導
体レーザ素子とからなり、 前記面Dを外部電極として当該外部電極Dと半導体レー
ザ素子の上面電極とを金属ワイヤ等で電気的に接続した
半導体レーザ装置。 - 【請求項4】 請求項3に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 前記直方体状の金属製ヒートシンクに段差を設け、 前記サブキャリアを前記ヒートシンクの下段表面に固定
し、 前記半導体レーザ素子の上面電極と前記ヒートシンクの
上段表面とを金属ワイヤ等で電気的に接続したことを特
徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項5】 L字内側底面をメタライズし前記L字内
側底面とは電気的に絶縁してかつL字内側側面とL字外
側底面とが導通するようにメタライズされた絶縁物であ
るL字型サブキャリアと、 上面および下面に電極を有し下面を前記サブキャリアの
L字内側底面上に固定され上面電極と前記ヒートシンク
のL字内側側面とが約90°以内の角度をなすように設
置された半導体レーザ素子とからなり、 前記L字内側側面を外部電極として当該外部電極と前記
半導体レーザ素子の上面電極とを金属ワイヤ等で電気的
に接続した半導体レーザ装置。 - 【請求項6】 L字内側底面をメタライズし前記L字内
側底面とは電気的に絶縁状態で前記L字内側側面とL字
上面とが導通するようにメタライズされた絶縁物である
L字型サブキャリアと、 上面および下面に電極を有し下面をサブキャリアのL字
内側底面上に固定され上面電極と前記L字内側側面とが
約90°以内の角度をなすように設置された半導体レー
ザ素子とからなり、 前記L字内側側面を外部電極として当該外部電極と前記
半導体レーザ素子の上面電極とを金属ワイヤ等で電気的
に接続した半導体レーザ装置。 - 【請求項7】 請求項2ないし6のいずれか一項に記載
の半導体レーザ装置において、 前記金属ワイヤと外部電極とを溶接固定する際に前記金
属ワイヤの先端を位置決めするための溝を前記外部電極
の表面に設けたことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項8】 金属製のコの字型ヒートシンクと、 下面を前記ヒートシンクのコの字内側底面に固定され上
面および下面をメタライズされた直方体状の絶縁物であ
るサブキャリアと、 上面および下面に電極を有し下面を前記サブキャリアの
上面に固定された半導体レーザ素子とからなり、 前記ヒートシンクのコの字内側上面の下に近接して位置
する前記半導体レーザ素子の上面電極と前記ヒートシン
クのコの字内側上面との間を固定材で電気的に接続した
半導体レーザ装置。 - 【請求項9】 請求項1〜8のいずれか一項に記載の半
導体レーザ装置と、 前記半導体レーザ装置に電力を供給する手段と、 前記半導体レーザ装置から出力されるレーザ光を外部に
接続された光ファイバに導く光学系とからなる光送信装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4235680A JP3062855B2 (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 半導体レーザ装置および光送信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4235680A JP3062855B2 (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 半導体レーザ装置および光送信装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0685388A true JPH0685388A (ja) | 1994-03-25 |
JP3062855B2 JP3062855B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=16989619
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4235680A Expired - Fee Related JP3062855B2 (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 半導体レーザ装置および光送信装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3062855B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007227724A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
CN103633552A (zh) * | 2012-08-29 | 2014-03-12 | 山东华光光电子有限公司 | 一种贴片式激光器封装结构及其在光电电路中的封装方法 |
CN106300005A (zh) * | 2016-08-29 | 2017-01-04 | 北京图来激光科技有限公司 | 一种半导体激光器的陶瓷封装装置 |
KR20220106382A (ko) * | 2021-01-22 | 2022-07-29 | 주식회사 아영하이텍스 | 환편기 |
-
1992
- 1992-09-03 JP JP4235680A patent/JP3062855B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007227724A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
CN103633552A (zh) * | 2012-08-29 | 2014-03-12 | 山东华光光电子有限公司 | 一种贴片式激光器封装结构及其在光电电路中的封装方法 |
CN106300005A (zh) * | 2016-08-29 | 2017-01-04 | 北京图来激光科技有限公司 | 一种半导体激光器的陶瓷封装装置 |
KR20220106382A (ko) * | 2021-01-22 | 2022-07-29 | 주식회사 아영하이텍스 | 환편기 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3062855B2 (ja) | 2000-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2018219318A1 (zh) | 同轴封装的激光器和光模块 | |
JP2000340876A (ja) | 光半導体素子用パッケージおよびその製造方法 | |
JP3062855B2 (ja) | 半導体レーザ装置および光送信装置 | |
US6588946B1 (en) | Optical coupling device | |
EP0477801B1 (en) | Optical semiconductor device | |
US20220157672A1 (en) | Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus | |
JP2004335584A (ja) | 半導体パッケージ | |
JP6958772B1 (ja) | 半導体装置 | |
JPH059689Y2 (ja) | ||
US7192201B2 (en) | Optical transmitting module having a de-coupling inductor therein | |
JPS62124780A (ja) | 光半導体モジユ−ル | |
JP2017120901A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置 | |
EP1411602A1 (en) | Optical semiconductor module and method of producing the same | |
JP2001168447A (ja) | レーザーダイオード光モジュール | |
JP4514647B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 | |
JPS63318193A (ja) | 光半導体用サブマウント | |
JP2001028407A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
JPH01169986A (ja) | 半導体レーザ | |
JPS61234588A (ja) | 光半導体素子用サブマウント | |
JPH0494582A (ja) | 半導体レーザ用パッケージ | |
US6753615B2 (en) | Optical element module | |
JPH04283948A (ja) | 光半導体素子用サブマウント | |
JP2002314186A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置 | |
JPH10284804A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
JP2855980B2 (ja) | 熱電冷却モジュールおよび冷却型半導体レーザモジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080512 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090512 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100512 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110512 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110512 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120512 Year of fee payment: 12 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |