JP2019204830A - 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019204830A JP2019204830A JP2018097568A JP2018097568A JP2019204830A JP 2019204830 A JP2019204830 A JP 2019204830A JP 2018097568 A JP2018097568 A JP 2018097568A JP 2018097568 A JP2018097568 A JP 2018097568A JP 2019204830 A JP2019204830 A JP 2019204830A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- substrate
- emitting device
- semiconductor light
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【課題】製造時の歩留まりが高い半導体発光装置を提供する。【解決手段】半導体発光装置10は、発光素子30と、発光素子30が載置されている基板20と、発光素子30を覆うように基板20の表面に導電性の接合材によって接合されている透光性部材40と、を有し、基板20は、透光性部材40と接合している第1の部位P1と発光素子30が載置されている第2の部位P2との間に、基板20の表面から突出した突出部PRを有し、基板20及び透光性部材40によって発光素子30を収容しかつ、密閉された収容空間HSが形成され、収容空間HSは、真空であるか又は不活性ガスによって充填されていることを特徴とする。【選択図】図2
Description
本発明は、半導体発光装置、特に発光ダイオード(LED)などの発光素子を有する半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法に関する。
例えば、LED(Light Emitting Diode)等の半導体発光素子は、空気中に含まれる水分等から保護する必要がある。このため、発光素子を透光性の樹脂で封止したり、発光素子の周囲を不活性ガスで満たしたり、発光素子の周囲を真空にしたりすることが行われている。
このような半導体発光装置としては、上面に開口する凹部が設けられる基板と、前記凹部に収容され、前記開口の外へ向けて紫外光を発する発光素子と、前記開口を覆うように前記上面に設けられる窓部材と、前記上面と前記窓部材の間を埋める封止部と、を備える発光モジュールが特許文献1に開示されている。
特許文献1の発光モジュールの封止部は、金錫(AuSn)や銀錫(AgSn)などの低融点の金属材料で構成される。
従って、封止部の金属材料を溶融させて窓部材と基板とを接合する際に、金属材料が基板に流出すると短絡等の恐れがある。また、封止部の金属材料が流出すると、窓部材と基板との間に隙間が生じうるため、凹部に封入されている不活性ガスが漏れたり、凹部の真空状態が保たれなくなったりする恐れがある。このような不具合は、半導体発光装置の製造時の歩留まりを悪化させる要因となっている。
本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、製造時の歩留まりが高い半導体発光装置を提供することを目的としている。
上述した目的を達成するため、本発明の半導体発光装置は、発光素子と、前記発光素子が載置されている基板と、前記発光素子を覆うように前記基板の表面に導電性の接合材によって接合されている透光性部材と、を有し、前記基板は、前記透光性部材と接合している第1の部位と前記発光素子が載置されている第2の部位との間に、前記基板の前記表面から突出した突出部を有し、前記基板及び前記透光性部材によって前記発光素子を収容しかつ、密閉された収容空間が形成され、前記収容空間は、真空であるか又は不活性ガスによって充填されていることを特徴とする。
半導体発光装置の製造方法は、表面から突出している突出部を有する基板を形成する工程と、導電性の接合材を前記基板上に塗布する工程と、発光素子を前記基板の前記表面に実装する工程と、真空であるか又は不活性ガス雰囲気下において、透光性部材を前記接合材と接し、かつ前記発光素子を覆うように前記基板上に載置する工程と、加熱により前記接合材を溶融させて前記透光性部材を前記基板に固定する工程と、を有することを特徴とする。
以下に本発明の好適な実施例を詳細に説明する。尚、以下の説明及び添付図面においては、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符号を付している。
図1は、本実施例に係る半導体発光装置10の平面を示している。図1に示すように、基板としての実装基板20は、例えば、窒化アルミニウム(AlN)等のセラミクスからなるものである。
実装基板20上には、発光素子30が載置されている。発光素子30は、半導体発光装置10の用途に応じて、所定の波長範囲の光を発する半導体素子である。発光素子30が発する光は、特に限定されず、例えば殺菌や滅菌に用いられる発光波長約200〜350nmの深紫外光、波長350nm以上の紫外〜可視光などが含まれる。本実施形態の発光装置は、発光素子30が発する光自体を発光装置の出射光として利用するものの他、例えば蛍光体が発光素子30からの光を受けて発する光も利用するものも含まれる。
透光性部材40は、発光素子30を覆うように実装基板20の表面に接合されている。透光性部材40は、石英ガラス、UV透過ガラス等のガラスを用いることができる。尚、発光素子30が発する光が紫外光である場合、透光性部材40自体の劣化を防止するためにガラスを用いるとよい。
図2は、図1のA−A線に沿った断面を示している。図2に示すように、実装基板20は、板状に形成され、表面21から窪んで形成されている凹部を有している。
透光性部材40と接合している第1の部位P1は、凹部の外側に位置している。発光素子30が載置されている第2の部位P2は、凹部の内側に位置している。実装基板20は、第1の部位P1と第2の部位P2との間に、実装基板20の表面21から突出した突出部PRを有している。より具体的には、実装基板20は、凹部の内側の表面21aから突出した突出部PRを有している。
突出部PRは、実装基板20の表面21の垂直方向に対して離れる方向に延びて形成されている。突出部PRは、第1の部位P1よりも表面21の垂直方向に対して離れて突出して形成されている。従って、突出部PRは、発光素子30の周囲を囲む壁として形成されている。
第1の部位P1は、表面21の垂直方向に対して突出部PRよりも近い位置に位置する。第1の部位P1は、突出部PRに対して略垂直、かつ表面21と平行に形成されているフランジ部FLを有する。フランジ部FLは、突出部PRの全周に亘って形成されている。
第1の部位P1には、接合材としての接合金属層ML及び接合金属層MLとの濡れ性を高めるための基板側接合補助部BAが設けられている。
基板側接合補助部BAは、フランジ部FLからフランジ部FLと角度を成す突出部PRに亘って設けられている。基板側接合補助部BAとしては、例えば、W/Ni/Au又は、Ag/Ni/Au等の合金を用いることができる。
接合金属層MLは、基板側接合補助部BA上に設けられている。接合金属層MLは、金錫(Au/Sn)等の合金を用いることができる。すなわち、接合金属層MLは、フランジ部FLからフランジ部FLと角度を成す突出部PRに亘って設けられている。
透光性部材40は、実装基板20の表面21と平行に形成されている平板部41と、平板部41から第1の部位P1に向かって突出して形成されている柱部と、を有している。透光性部材40は、接合金属層MLと接している接合部Jを含んでいる。
接合部Jは、実装基板20のフランジ部FLと対向する柱部の端面に形成され、かつ実装基板20のフランジ部FLと平行に形成されている第1の接合部J1を有している。接合部Jは、第1の接合部J1から続いて形成され、かつ突出部PRの壁と平行かつ突出部PRと対向する位置、すなわち柱部の内壁に形成されている第2の接合部J2を有している。
第1の接合部J1から第2の接合部J2に亘って、接合金属層MLとの濡れ性を高めるための部材側接合補助部EAが設けられている。部材側接合補助部EAとしては、例えば、Cr/Ni/Au又は、Cr/Pt/Au等の合金を用いることができる。
部材側接合補助部EAは、接合金属層MLと接している。このように、透光性部材40は、接合金属層MLによって第1の部位P1において密着して保持されている。
実装基板20の表面21に対して垂直な方向における突出部PRの端面と、透光性部材40の平板部41の表面21と対向する面と、の間には、間隙GPが設けられている。これにより、発光素子30から発せられた照射光が間隙GPからも外部に向けて発せられることになり、光取出し効率を向上させることが可能となる。
実装基板20及び透光性部材40によって、発光素子30を収容しかつ、密閉された収容空間HSが形成されている。収容空間HSは、発光素子30を湿気や外的衝撃から守るため真空であるか又は、不活性ガスによって充填されている。すなわち、収容空間HSは、その内部と外部とが通気不能に密閉されている。尚、真空は、大気圧より低い圧力の気体で満たされた空間内の状態を意味する。また、不活性ガスとしては、例えば窒素や、アルゴン等の希ガスが挙げられる。
実装基板20の一方の表面21のうち凹部の内側の表面21a及び実装基板20の他方の表面21bには、Cu等の導体を当該表面にメッキ等することで形成された電極23が設けられている。
電極23は、p接続電極層23a及びn接続電極層23bを含んでいる。p接続電極層23aとn接続電極層23bとは、実装基板20の表面上において互いに離間して形成されることによって、絶縁されている。また、電極23は、外部(例えば電源回路や駆動回路)に接続されている。
発光素子30は、壁の内側の実装基板20の表面21、すなわち、凹部の内側の表面21a上に載置されている。発光素子30は、ボンディングワイヤBWを介して電極23との電気的に接続されている。具体的には、発光素子30の2つの電極のうちの一方がp接続電極層23aにボンディングワイヤBWを介して接続され、他方がn接続電極層23bにボンディングワイヤBWを介して接続されている。
尚、本実施例の半導体発光装置10の発光素子30と実装基板20との電気的な接続はこれには限られず例えば、発光素子30を電極23と直接的に接続するフリップチップ実装であってもよい。
また、発光素子30が可視光を発する場合、例えば、突出部PRの凹部の内側は、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナなどの光反射材料の粉末や粒子を含むようにしてもよい。
以上で説明した、半導体発光装置10を製造する方法を説明する。図3Aは、半導体発光装置10の実装基板20を製造する工程を示している。図3Aに示すように、粉状の窒化アルミを型に入れて焼成することにより、表面21から突出して形成されている突出部PRを有する実装基板20基板を形成する。当該実装基板20に、電極23及び基板側接合補助部BAを設け、導電性の接合金属層MLを実装基板20の基板側接合補助部BA上に塗布する。
図3Bは、半導体発光装置10の発光素子30を実装基板20に実装する工程を示している。図3Bに示すように、発光素子30は、実装基板20の表面21に設けられている電極23にボンディングワイヤBWを介して電気的に接続することにより実装される。
図3Cは、半導体発光装置10の透光性部材40を実装基板20に固定する工程を示している。図3Cに示すように、真空であるか又は不活性ガス雰囲気下において、透光性部材40を接合金属層MLと接し、かつ発光素子30を覆うように実装基板20上に載置する。真空であるか又は不活性ガス雰囲気を維持したまま、加熱により接合金属層MLを溶融させて透光性部材40を実装基板20に固定する。
以上のように、本実施例に係る半導体発光装置10によれば、突出部PRが第1の部位P1よりも表面21の垂直方向に対して離れた位置にあるため、溶融した接合金属層MLが突出部PRを超えて収容空間HSの内部に流出することを防ぐことができる。このため、溶融した接合金属層MLが収容空間内HS内の電極23等に流れ込むことによるショートを防ぐことができる。
また、接合金属層MLが収容空間HSに流出することを防ぐことにより、十分な接合金属層MLの量を確保することが可能となる。このため、透光性部材40と実装基板20とを密着させることができ、収容空間HS内を真空であるか又は不活性ガスが満たされている状態を維持することが可能となる。従って、半導体発光装置10の製造時の歩留まりを高めることが可能となる。
実施例2に係る半導体発光装置10を説明する。実施例2に係る半導体発光装置10は、実装基板20の構造が実施例1に係る半導体発光装置10と異なる。その他の構成については、実施例1に係る半導体発光装置10と同一である。
図4は、実施例2に係る半導体発光装置10の平面を示している。図4に示すように、透光性部材40は、発光素子30及び突出部PRを覆うように実装基板20の表面に接合されている。
図5は、図4のB−B線に沿った半導体発光装置10の断面図である。図5に示すように、実装基板20は、板状に形成されている。実装基板20は、表面21から角柱状に突出し、かつ頂部TPが平坦な形状である突出部PRを有する。従って、実装基板20は、図4のB−B線に沿った断面が凸状に形成されている。尚、突出部PRは、角柱状以外でもよく、例えば錐台状に突出していてもよい。
突出部PRの頂部TPには、p型電極23a及びn型電極23bを含む電極23が設けられている。発光素子30は、頂部TP上に載置され、ボンディングワイヤBWを介して電極23と電気的に接続されている。すなわち、第2の部位P2は、突出部PRの頂部TPに位置している。
以上のように、本実施例に係る半導体発光装置10によれば、間隙GPを実装基板20の頂部TPから透光性部材40の平板部が表面21と対向する面まで設けることが可能となる。従って、発光素子30から表面21と平行な方向に出射される光も照射光として用いることが可能となる。このため、実施例1の半導体発光装置10と同様に半導体発光装置10の製造時における歩留まりを高めることができ、かつ半導体発光装置10の光取出し効率を高めることが可能となる。
実施例3に係る半導体発光装置10について説明する。実施例3に係る半導体発光装置10は、実装基板20の第1の部位P1が実施例1に係る半導体発光装置10とは異なる。その他の構成については、実施例1に係る半導体発光装置10と同一である。
図6は、実施例3に係る半導体発光装置10の断面を示している。図6に示すように、第1の部位P1は、突出部PRに対して鋭角に形成されているフランジ部FLを含んでいる。具体的には、フランジ部FLは端部から突出部PRに近づくにつれて表面21に対して垂直な方向が短くなるように傾斜して形成されている。
基板側接合補助部BAは、フランジ部FLからフランジ部FLと角度を成す突出部PRに亘って設けられている。接合金属層MLは、基板側接合補助部BA上に設けられている。すなわち、接合金属層MLは、フランジ部FLからフランジ部FLと角度を成す突出部PRに亘って設けられている。
ところで、透光性部材40は、製造時において実装基板20と接合する際にコレット荷重を受ける。このため、透光性部材40は、コレット荷重によってB−B線に沿った断面が略M字状に湾曲し得る。この際、透光性部材40の柱部は、突出部PRの外側に向かって変形する恐れがある。この柱部の変形は、接合部Jと接合金属層MLとの間に隙間を生じさせるおそれがある。接合部Jと接合金属層MLとの間に隙間が生じると、収容空間HS内が真空であるか又は不活性ガスが満たされている状態を維持することができなくなる。
本実施例に係る半導体発光装置10の実装基板20のように、フランジ部FLが突出部PRに対して成す角度を鋭角に形成することによって、透光性部材40の柱部が突出部PRの外側方向に変形することを抑制することが可能となる。その結果、接合部Jと接合金属層MLとの間に隙間が生じることを防止することができる。尚、より透光性部材40の接合部Jの変形を抑えるために、柱部の端面は、フランジ部FLと平行に形成するとよい。
以上のように、本実施例に係る半導体発光装置10によれば、収容空間HS内を真空であるか又は不活性ガスが満たされている状態を維持することが可能となる。従って、製造時における半導体発光装置10の歩留まりを高めることが可能となる。
実施例4に係る半導体発光装置10について説明する。実施例4に係る半導体発光装置10は、透光性部材40が実施例1に係る半導体発光装置10とは異なる。その他の構成については、実施例1に係る半導体発光装置10と同一である。
上述の実施例に係る半導体発光装置10では、透光性部材40の接合部Jは、第1の接合部J1及び第2の接合部J2を含んでいた。しかし、接合部Jは、第1の接合部J1のみで構成されてもよい。
図7は、実施例4に係る半導体発光装置10の断面を示している。図7に示すように、透光性部材40は、接合金属層MLと接している接合部Jを含んでいる。接合部Jは、実装基板20のフランジ部FLと平行に形成されている。具体的には、フランジ部FLと平行な方向であって、突出部PRから離れる方向に向かって延設された延長部44を有している。延長部44は、透光性部材40の全周に亘って形成されている。
部材側接合補助部EAは、柱部の端面から延長部44のフランジ部FLと対向する面に亘って設けられている。すなわち、部材側接合補助部EAは、フランジ部FLと平行に設けられている。
以上のように、本実施例に係る半導体発光装置10によれば、実施例1に係る半導体発光装置10と同様に、溶融した接合金属層MLが突出部PRを超えて収容空間HSの内部に流出することを防ぐことができる。従って、本実施例に係る半導体発光装置10は、収容空間HS内の真空状態又は不活性ガスが満たされている状態を維持するために十分な接合金属層MLを確保することが可能になる。すなわち、本実施例に係る半導体発光装置10は、収容空間HS内を真空であるか又は不活性ガスが満たされている状態を維持することが可能となる。従って、製造時における半導体発光装置10の歩留まりを高めることが可能となる。
実施例5に係る半導体発光装置10について説明する。実施例5に係る半導体発光装置10は、透光性部材40が実施例1に係る半導体発光装置10とは異なる。その他の構成については、実施例1に係る半導体発光装置10と同一である。
上述の実施例に係る半導体発光装置10では、透光性部材40は、柱部を含んでいた。しかし、透光性部材40は、平板部41のみで構成されてもよい。
図8は、実施例5に係る半導体発光装置10の断面を示している。図8に示すように、透光性部材40の平板部41は、実装基板20の表面21と対向する面が窪んで形成されている凹部43を有している。
凹部43は、突出部PRの形状に応じた形状を有している。本実施例においては、突出部PRは、平面視が矩形となるように形成されている。従って、凹部43も、平面視が矩形となるように形成されている。
また、凹部43は、透光性部材40が実装基板20に接合される際に突出部PRと嵌合可能な位置に形成されている。尚、実装基板20の表面21に対して垂直な方向の凹部43の長さは、実装基板20の壁、すなわち突出部PRを収容可能な長さを有する。従って、凹部43は、実装基板20の壁と嵌合し、かつ当該壁を収容可能である。
接合部Jは、実装基板20のフランジ部FLと対向する平板部41に形成され、かつ実装基板20のフランジ部FLと平行に形成されている第1の接合部J1を有している。接合部Jは、第1の接合部J1から続いて形成され、かつ突出部PRと平行かつ突出部PRと対向する位置、すなわち凹部43の内壁に形成されている第2の接合部J2を有している。
第1の接合部J1から第2の接合部J2に亘って、接合金属層MLとの濡れ性を高めるための部材側接合補助部EAが設けられている。
すなわち、接合部Jは、接合金属層MLを介して実装基板20の第1の部位P1に接合される。言い換えれば、平板部41は、接合金属層MLを介して実装基板20の第1の部位P1と接している。
以上のように、本実施例に係る半導体発光装置10によれば、実施例1に係る半導体発光装置10と同様に、溶融した接合金属層MLが突出部PRを超えて収容空間HSの内部に流出することを防ぐことができる。このため、溶融した接合金属層MLが収容空間内HS内の電極23等に流れ込むことによるショートを防ぐことができる。
また、透光性部材40と実装基板20とを密着させることができ、収容空間HS内を真空であるか又は不活性ガスが満たされている状態を維持することが可能となる。従って、半導体発光装置10の製造時の歩留まりを高めることが可能となる。
10 半導体発光装置
20 実装基板
30 発光素子
40 透光性部材
41 平板部
43 凹部
44 延長部
FL フランジ部
HS 収容空間
J 接合部
J1 第1の接合部
J2 第2の接合部
P1 第1の部位
P2 第2の部位
20 実装基板
30 発光素子
40 透光性部材
41 平板部
43 凹部
44 延長部
FL フランジ部
HS 収容空間
J 接合部
J1 第1の接合部
J2 第2の接合部
P1 第1の部位
P2 第2の部位
Claims (9)
- 発光素子と、
前記発光素子が載置されている基板と、
前記発光素子を覆うように前記基板の表面に導電性の接合材によって接合されている透光性部材と、を有し、
前記基板は、前記透光性部材と接合している第1の部位と前記発光素子が載置されている第2の部位との間に、前記基板の前記表面から突出した突出部を有し、
前記基板及び前記透光性部材によって前記発光素子を収容しかつ、密閉された収容空間が形成され、
前記収容空間は、真空であるか又は不活性ガスによって充填されていることを特徴とする半導体発光装置。 - 前記突出部は、前記発光素子の周囲を囲む壁として形成され、
前記発光素子は、前記壁の内側の前記基板の前記表面上に載置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。 - 前記突出部は、角柱状又は錐台状に突出し、かつ頂部が平坦な形状を有し、
前記発光素子は、前記頂部上に載置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。 - 前記基板の前記表面に対して垂直な方向における前記突出部の端面と、前記透光性部材が前記基板の前記表面と対向する面と、の間に間隙が設けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 前記第1の部位は、前記突出部に対して垂直又は鋭角に形成され、かつ前記突出部の全周に亘って形成されているフランジ部を含み、
前記接合材は、前記フランジ部から前記フランジ部と角度を成す前記突出部に亘って設けられていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体発光装置。 - 前記透光性部材は、前記接合材と接している接合部を含み、
前記接合部は、前記フランジ部と平行な方向であって、前記突出部から離れる方向に向かって延設された延長部を有していることを特徴とする請求項5に記載の半導体発光装置。 - 前記透光性部材は、前記接合材と接している接合部を含み、
前記接合部は、前記基板の前記フランジ部と平行に形成されている第1の接合部と、前記第1の接合部から続いて形成され、かつ前記突出部の前記壁と平行かつ前記突出部と対向する位置に形成されている第2の接合部と、を有することを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体発光装置。 - 前記透光性部材は、前記基板の前記表面と平行に形成されている平板部を有し、
前記平板部は、前記表面と対向する面が窪んで形成されている凹部を有し、かつ前記基板の前記第1の部位と接し、
前記凹部は、前記壁を収容することを特徴とする請求項1,2,5,6のいずれかに記載の半導体発光装置。 - 表面から突出している突出部を有する基板を形成する工程と、
導電性の接合材を前記基板上に塗布する工程と、
発光素子を前記基板の前記表面に実装する工程と、
真空であるか又は不活性ガス雰囲気下において、透光性部材を前記接合材と接し、かつ前記発光素子を覆うように前記基板上に載置する工程と、
加熱により前記接合材を溶融させて前記透光性部材を前記基板に固定する工程と、
を有することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018097568A JP2019204830A (ja) | 2018-05-22 | 2018-05-22 | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018097568A JP2019204830A (ja) | 2018-05-22 | 2018-05-22 | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019204830A true JP2019204830A (ja) | 2019-11-28 |
Family
ID=68727321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018097568A Pending JP2019204830A (ja) | 2018-05-22 | 2018-05-22 | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2019204830A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7460453B2 (ja) | 2020-06-08 | 2024-04-02 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
-
2018
- 2018-05-22 JP JP2018097568A patent/JP2019204830A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7460453B2 (ja) | 2020-06-08 | 2024-04-02 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107404063B (zh) | 发光装置及发光装置用封装体 | |
JP6294419B2 (ja) | 光半導体装置および光半導体装置の製造方法 | |
JP6294417B2 (ja) | 光半導体装置および光半導体装置の製造方法 | |
KR100587020B1 (ko) | 고출력 발광 다이오드용 패키지 | |
EP1974381B1 (en) | Package for a light emitting diode with integrated electrostatic discharge protection | |
JP6294418B2 (ja) | 光半導体装置および光半導体装置の製造方法 | |
JP4846498B2 (ja) | 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 | |
CN102473813A (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
JP4301075B2 (ja) | 発光ダイオード用パッケージおよびそれを用いた発光装置 | |
US9275928B2 (en) | Semiconductor package | |
US8610156B2 (en) | Light emitting device package | |
JP6737760B2 (ja) | 発光装置及びそれに用いる蓋体 | |
JP5433398B2 (ja) | 発光装置 | |
KR100436467B1 (ko) | 반도체레이저및그제조방법 | |
US20120012873A1 (en) | Light emitting diode package for microminiaturization | |
US11349278B2 (en) | Stem for semiconductor package, and semiconductor package | |
JP2004327632A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JP2004259901A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JP2019204830A (ja) | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 | |
JP2007048938A (ja) | 半導体レーザ | |
JP5433399B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2019102631A (ja) | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 | |
JP2006145610A (ja) | 光学部品収納用パッケージ | |
JP7460453B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP4797621B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |