JPS62130585A - 半導体レ−ザ−装置 - Google Patents
半導体レ−ザ−装置Info
- Publication number
- JPS62130585A JPS62130585A JP60270963A JP27096385A JPS62130585A JP S62130585 A JPS62130585 A JP S62130585A JP 60270963 A JP60270963 A JP 60270963A JP 27096385 A JP27096385 A JP 27096385A JP S62130585 A JPS62130585 A JP S62130585A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- metal substrate
- laser diode
- light
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は両側に発光するレーザー・ダイオードの一方を
出射光、他方を出射光の安定化のための帰還用に用いる
半導体レーザー装置に関するものである。
出射光、他方を出射光の安定化のための帰還用に用いる
半導体レーザー装置に関するものである。
従来の技術
近年、半導体レーザー装置は低電圧で使用できる、消費
電力が少ない、小型であるといった理由で光ディスクや
光通信やプリンタ等に多く利用されるようになってきた
。
電力が少ない、小型であるといった理由で光ディスクや
光通信やプリンタ等に多く利用されるようになってきた
。
以下に従来の半導体レーザー装置の一例について説明す
る。
る。
第４図は従来の半導体レーザー装置の断面図である。第
４図において、１は金属基板、２は支柱、３はシリコン
拳マウント、４はレーザー・ダイオードで、レーザー・
ダイオード４はシリコン・マウント３．支柱２を介して
金属基板１に垂直方向に発光するように取り付けられて
いる。
４図において、１は金属基板、２は支柱、３はシリコン
拳マウント、４はレーザー・ダイオードで、レーザー・
ダイオード４はシリコン・マウント３．支柱２を介して
金属基板１に垂直方向に発光するように取り付けられて
いる。
６は端子、ｅは絶縁体、了はワイヤーであり、レーザー
・ダイオード４は金属基板１がら絶縁体６で電気的に絶
縁された端子５にワイヤー７を介して電気的に接続され
ている。
・ダイオード４は金属基板１がら絶縁体６で電気的に絶
縁された端子５にワイヤー７を介して電気的に接続され
ている。
８はフォト・ダイオードで端子（図示せず）に電気的に
接続されている。
接続されている。
９はカバーで、１ｏはガラス板であり内部を保護してい
る。
る。
以上のように構成された半導体レーザー装置について、
以下その動作について説明する。
以下その動作について説明する。
まず、金属基板１と端子５に電圧を加えるとし−ザー・
ダイオード４に電流が流れ、両方向に発光する４、一方
向の光はガラス板１０を通過して外部：二出射され、他
方向の光はフォト・ダイオード８に受光され電流に変換
される○ レーザー・ダイオード４の発光量は温度で大きく変化す
るので、外部に帰還アンプを設はフォト・ダイオード８
の出力電流が一定になるように帰還して使用する。
ダイオード４に電流が流れ、両方向に発光する４、一方
向の光はガラス板１０を通過して外部：二出射され、他
方向の光はフォト・ダイオード８に受光され電流に変換
される○ レーザー・ダイオード４の発光量は温度で大きく変化す
るので、外部に帰還アンプを設はフォト・ダイオード８
の出力電流が一定になるように帰還して使用する。
発明が解決しようとする問題点
し、かじながら上記のような構成では、金属基板１に支
柱２を立て、その上にシリコン・マウント３を介してレ
ーザー・ダイオード４をマウントし、更に別の平面上に
フォト・ダイオード８をマウントするという構造なので
、製造が難しく工数が多く必要であった。またカバー９
やガラス板１Ｑを用いているため、部品点数が多くコス
トが高いという欠点があった。
柱２を立て、その上にシリコン・マウント３を介してレ
ーザー・ダイオード４をマウントし、更に別の平面上に
フォト・ダイオード８をマウントするという構造なので
、製造が難しく工数が多く必要であった。またカバー９
やガラス板１Ｑを用いているため、部品点数が多くコス
トが高いという欠点があった。
本発明は上記問題点に鑑み、製造が容易で安価にできる
半導体レーザー装置を提供するもめである。
半導体レーザー装置を提供するもめである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の半導体レーザー装
置は、金１１１板とレーザー・ダイオードと光検出器が
反射面を有する透明部材で被服されるという構成を備え
たものである。
置は、金１１１板とレーザー・ダイオードと光検出器が
反射面を有する透明部材で被服されるという構成を備え
たものである。
作用
本発明は上記した構成によって、レーザー・ダイオード
から両方向に発光された光のうち一方は透明部材を通過
して外部に出射され、他方は反射面で反射して光検出器
に受光されるため、レーザー・ダイオードと光検出器を
同一金属基板にマウントでき、従って製造が容易となり
、透明樹脂でモールドによって被服できるため安価にで
きることとなる。
から両方向に発光された光のうち一方は透明部材を通過
して外部に出射され、他方は反射面で反射して光検出器
に受光されるため、レーザー・ダイオードと光検出器を
同一金属基板にマウントでき、従って製造が容易となり
、透明樹脂でモールドによって被服できるため安価にで
きることとなる。
実施例
以下本発明の一実施例の半導体レーザー装置について、
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例における半導体レーザー装置
の斜視図で、第２図は側面図である。
の斜視図で、第２図は側面図である。
第１図及び第２図において、１１は金属基板で取付用の
孔１１ｂ−ｃｉ有しており、この金属基板１１に半抜き
で形成された凸部１１＆にシリコン・マウント１２を介
してレーザー・ダイオード１３が取り付けられている。
孔１１ｂ−ｃｉ有しており、この金属基板１１に半抜き
で形成された凸部１１＆にシリコン・マウント１２を介
してレーザー・ダイオード１３が取り付けられている。
また、１４は光検出器でフォト・ダイオードを有する集
積回路で作られており金属基板１１に取り付けられてお
り、レーザー・ダイオード１３、金属基板１１及び端子
１６Δ〜Ｃとワイヤー１６Ｌ〜θで電気的に接続されて
いる。
積回路で作られており金属基板１１に取り付けられてお
り、レーザー・ダイオード１３、金属基板１１及び端子
１６Δ〜Ｃとワイヤー１６Ｌ〜θで電気的に接続されて
いる。
ｉ！ｉ１７は透明樹脂で、モールドによってレーザー・
ダイオード１３や光検出器１４を被服しており、全反射
プリズム部１７ａが形成されている。
ダイオード１３や光検出器１４を被服しており、全反射
プリズム部１７ａが形成されている。
第３図は本発明の前記実施例における光検出器１４の内
部等価回路と外部回路図である。
部等価回路と外部回路図である。
第３図において、１８はフォト・ダイオードで、１９は
受光した時の光電流を電圧に変換する可変抵抗で、２１
は可変抵抗１９の出力電圧と基準電源２０との差を増幅
する差動増幅器で、２２はレーザー・ダイオード１３を
ドライブするためのトランジスタである。
受光した時の光電流を電圧に変換する可変抵抗で、２１
は可変抵抗１９の出力電圧と基準電源２０との差を増幅
する差動増幅器で、２２はレーザー・ダイオード１３を
ドライブするためのトランジスタである。
また２３は電源で、光検出器１４とレーザー−ダイオー
ド１３に電流を供給する。２４はコンデンサで、電源投
入時にレーザー・ダイオード１３に急激に電流が流れる
のを防止する働きと帰還ル−プの発振を防止するもので
ある。２６はツェナー・ダイオードで、外部からのサー
ジによってレーザー・ダイオード１３が破壊されるのを
防止するものである。
ド１３に電流を供給する。２４はコンデンサで、電源投
入時にレーザー・ダイオード１３に急激に電流が流れる
のを防止する働きと帰還ル−プの発振を防止するもので
ある。２６はツェナー・ダイオードで、外部からのサー
ジによってレーザー・ダイオード１３が破壊されるのを
防止するものである。
以上のように構成された半導体レーザー装置について以
下第１図、第２図及び第３図を用いてその動作を説明す
る。
下第１図、第２図及び第３図を用いてその動作を説明す
る。
まず、レーザー・ダイオード１３から発光された両方向
の光のうち一方向の光は透明樹脂１７を通過して外部に
出射され、他方向の光は全反射プリズム部１７＆で反射
され光検出器１４で受光される。そして受光された光は
フォト・ダイオード１８で電流に変換され、半固定抵抗
１９で電圧に変換され、基準電源２０との差が差動増幅
器２１で増幅され、トランジスタ２２によってレーザー
・ダイオード１３がドライブされる。そして光が強すぎ
るとフォト・ダイオード１８の端子電圧が上がりレーザ
ー・ダイオード１３の電流を減少させて光を弱め、光か
弱すぎると電流を増加させて光を強めるという帰還ルー
プによって発光量を安定化させている。
の光のうち一方向の光は透明樹脂１７を通過して外部に
出射され、他方向の光は全反射プリズム部１７＆で反射
され光検出器１４で受光される。そして受光された光は
フォト・ダイオード１８で電流に変換され、半固定抵抗
１９で電圧に変換され、基準電源２０との差が差動増幅
器２１で増幅され、トランジスタ２２によってレーザー
・ダイオード１３がドライブされる。そして光が強すぎ
るとフォト・ダイオード１８の端子電圧が上がりレーザ
ー・ダイオード１３の電流を減少させて光を弱め、光か
弱すぎると電流を増加させて光を強めるという帰還ルー
プによって発光量を安定化させている。
以上のように本実施例によれば、レーザー・ダイオード
１３と光検出器１４を同一の金属基板１１上にマウント
し、透明樹脂でモールドすることによって構成できるの
で、製造が容易であり安価に作ることができる。
１３と光検出器１４を同一の金属基板１１上にマウント
し、透明樹脂でモールドすることによって構成できるの
で、製造が容易であり安価に作ることができる。
発明の効果
以上のように本発明は金属基板にレーザー・ダイオード
と光検出器をマウントして反射部を有する透明部材で被
服するので、製造が容易であり安価に作ることができる
。
と光検出器をマウントして反射部を有する透明部材で被
服するので、製造が容易であり安価に作ることができる
。
第１図は本発明の一実施例における半導体レーザー装置
の斜視図、第２図は同側面図、第３図は同内部等価回路
と外部回路図、第４図は従来の半導体レーザー装置の断
面図である。 １１・・・・・・金属基板、１２・・・ノリコン・マウ
ント、１３・・・・・レーザー・ダイオード、１４・・
・・・光検出器、１５？ＬＮＣ・・・・・・端子、１６
Δ〜ｅ・・・・・ワイヤー、１７・・・・・透明樹脂、
１７＆・・・・・全反射プリズム部、１８・・・・・・
フォト・ダイオード、１９・・・・・・半固定抵抗、２
０・・・・基準電源、２１ ・・・差動増幅器、２２・
・・・・・トランジスタ、２３・・・電源、２４・・・
・コンデンサ、２５・・・・ツェナー響ダイオード。
の斜視図、第２図は同側面図、第３図は同内部等価回路
と外部回路図、第４図は従来の半導体レーザー装置の断
面図である。 １１・・・・・・金属基板、１２・・・ノリコン・マウ
ント、１３・・・・・レーザー・ダイオード、１４・・
・・・光検出器、１５？ＬＮＣ・・・・・・端子、１６
Δ〜ｅ・・・・・ワイヤー、１７・・・・・透明樹脂、
１７＆・・・・・全反射プリズム部、１８・・・・・・
フォト・ダイオード、１９・・・・・・半固定抵抗、２
０・・・・基準電源、２１ ・・・差動増幅器、２２・
・・・・・トランジスタ、２３・・・電源、２４・・・
・コンデンサ、２５・・・・ツェナー響ダイオード。
Claims (1)
- 金属基板と、前記金属基板にマウントされたレーザー・
ダイオードと、前記金属基板にマウントされた光検出器
と、前記レーザー・ダイオードと前記光検出器を被服し
反射面を有する透明部材から構成されたことを特徴とす
る半導体レーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60270963A JPS62130585A (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 | 半導体レ−ザ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60270963A JPS62130585A (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 | 半導体レ−ザ−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62130585A true JPS62130585A (ja) | 1987-06-12 |
Family
ID=17493461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60270963A Pending JPS62130585A (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 | 半導体レ−ザ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62130585A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0411795A (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-16 | Rohm Co Ltd | レーザダイオード |
| US7729402B2 (en) | 2002-10-29 | 2010-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser assembly |
-
1985
- 1985-12-02 JP JP60270963A patent/JPS62130585A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0411795A (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-16 | Rohm Co Ltd | レーザダイオード |
| US7729402B2 (en) | 2002-10-29 | 2010-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser assembly |
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