JPS6316682A - 樹脂封止型発光モジユ−ル - Google Patents
樹脂封止型発光モジユ−ルInfo
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- JPS6316682A JPS6316682A JP61161133A JP16113386A JPS6316682A JP S6316682 A JPS6316682 A JP S6316682A JP 61161133 A JP61161133 A JP 61161133A JP 16113386 A JP16113386 A JP 16113386A JP S6316682 A JPS6316682 A JP S6316682A
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 3
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
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- H01L2924/181—Encapsulation
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- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は発光素子を透光性樹脂に組込むことにより実現
される発光モジュールに関し、特にプラスチック・ファ
イバー・データ伝送に於いて用いられ、発光素子の経時
通電劣化及び高温雰囲気中での輝度低下を補償する自動
光量調整機能(以下APC機能と呼ぶ)を所有した小型
発光モジュールに関する。
される発光モジュールに関し、特にプラスチック・ファ
イバー・データ伝送に於いて用いられ、発光素子の経時
通電劣化及び高温雰囲気中での輝度低下を補償する自動
光量調整機能(以下APC機能と呼ぶ)を所有した小型
発光モジュールに関する。
従来、APC機能保有の発光モジュールは、第3図に示
すようにレーザー・ダイオードを発光素子8として使用
する場合が一般的であり、光学、素子である発光素子8
とモニタ用受光素子9は同一パッケージ内に収まってい
る。このとき発光素子8の光放射強度分布はペレット水
平面で最大となるため、APC回路の信号源となるモニ
タ用受光素子9は結合効率を高める目的で、発光素子8
と直交するような位置関係となっている。
すようにレーザー・ダイオードを発光素子8として使用
する場合が一般的であり、光学、素子である発光素子8
とモニタ用受光素子9は同一パッケージ内に収まってい
る。このとき発光素子8の光放射強度分布はペレット水
平面で最大となるため、APC回路の信号源となるモニ
タ用受光素子9は結合効率を高める目的で、発光素子8
と直交するような位置関係となっている。
従って、立体的なパッケージ構造をとることになり、組
立工程に於けるペレット・マウント及びワイヤ・ボンデ
ィングの自動化を実現できず、安価な発光モジュールを
提供することが困難であった。
立工程に於けるペレット・マウント及びワイヤ・ボンデ
ィングの自動化を実現できず、安価な発光モジュールを
提供することが困難であった。
又、プラスチック・ファイバ・データ・リンクに代表さ
れる低価格帯発光モジュニルでは、発光素子としてLE
Dが使われている。LEDの光放耐強度分布はペレット
上面方向が最大となるため、データ信号を妨害すること
なくモニター光信号を得ることが光学的にNILい。ゆ
えにその種の発光モジュールは現在APC機能を保有せ
ず、それゆえ使用ファイバ長は発光モジュール・受光モ
ジュールにより決定される最小光受信感度の実力“値か
ら過剰なマージン(一般的には6dB)を見込んだ値に
限定されているため、適正な使用ファイバ長の規定とは
言えない面があり、設計及び製作上のコスト上昇の要因
となっている。
れる低価格帯発光モジュニルでは、発光素子としてLE
Dが使われている。LEDの光放耐強度分布はペレット
上面方向が最大となるため、データ信号を妨害すること
なくモニター光信号を得ることが光学的にNILい。ゆ
えにその種の発光モジュールは現在APC機能を保有せ
ず、それゆえ使用ファイバ長は発光モジュール・受光モ
ジュールにより決定される最小光受信感度の実力“値か
ら過剰なマージン(一般的には6dB)を見込んだ値に
限定されているため、適正な使用ファイバ長の規定とは
言えない面があり、設計及び製作上のコスト上昇の要因
となっている。
本発明の目的はAPC機能を有するLEDを使用した発
光モジュールを提供することにある。
光モジュールを提供することにある。
本発明の樹脂封止型発光モジュールは、電気信号を光信
号に変換する発光素子と、前記発光素子の放射光を反射
する樹脂界面と、前記樹脂界面で反射された反射光を受
光する発光モニタ用受光素子とを含んでなるものである
。
号に変換する発光素子と、前記発光素子の放射光を反射
する樹脂界面と、前記樹脂界面で反射された反射光を受
光する発光モニタ用受光素子とを含んでなるものである
。
次に、本発明の実施例について図面を参照して言見明す
る。
る。
第1図(a)及び(b)はそれぞれ本発明の一実施例の
平面図及び断面図である。
平面図及び断面図である。
発光素子1と集積回路2はリード・フレーム4により同
一平面上に位置する。データ光信号16は、透光性樹脂
パッケージ5に設けられた凸レンズ6にて絞られてプラ
スチック・ファイバ9に光入射される。ところが光線1
7のように反射平面7(つまり樹脂界面)に於いて臨界
角を超えるものは再び樹脂内に全反射され、集積回路2
上に設けられたp−nホトダイオードからなる受光素子
3に到達する。当集積回路は第2図に示す回路を搭載し
ているため、発光素子1の輝度が低下した時、受光素子
3の受光電流が減少し増幅器11及びピーク・ホールド
回路12及びロー・パス・フィルタ(LPF)1Bの出
力電位の低下に至る。
一平面上に位置する。データ光信号16は、透光性樹脂
パッケージ5に設けられた凸レンズ6にて絞られてプラ
スチック・ファイバ9に光入射される。ところが光線1
7のように反射平面7(つまり樹脂界面)に於いて臨界
角を超えるものは再び樹脂内に全反射され、集積回路2
上に設けられたp−nホトダイオードからなる受光素子
3に到達する。当集積回路は第2図に示す回路を搭載し
ているため、発光素子1の輝度が低下した時、受光素子
3の受光電流が減少し増幅器11及びピーク・ホールド
回路12及びロー・パス・フィルタ(LPF)1Bの出
力電位の低下に至る。
pチャネルFETにて構成される能動負荷14は前述し
た出力電位が下がると素子特有のチャネル抵抗を下げる
ため、結果的に発光素子1への供給電流を増加せしめ、
よって発光量の低下を補償することを可能にする。
た出力電位が下がると素子特有のチャネル抵抗を下げる
ため、結果的に発光素子1への供給電流を増加せしめ、
よって発光量の低下を補償することを可能にする。
この実施例に使用した集積回路2は現在のIC技術上実
現容易であり、発光モジュールの付加価値を高めること
は明らかである。
現容易であり、発光モジュールの付加価値を高めること
は明らかである。
以上説明したように本発明は、発光素子と受光素子とを
同一平面上に位置するリード・フレームにマウントを行
ない、さらに透光性樹脂にてモームドすることにより、
既存のIC組立技術であるFAB、FAM、)ランスフ
ァ・モールド等の技術をそのまま適用して、特別な光学
的工夫を用いることなく、自動光量調節機能を保有した
発光モジュールを実現できる。従って、本発明による発
光モジュールは使用ファイバ長の設定に於いて適正なマ
ージンの設定を可能とし、各モジュールの能力をより引
き出し、適正な使用ファイバ長を決定できる上に、既に
確立している製造技術にて製作可能であるため、安価で
かつ信頼度の高い発光モジュールを提供することが可能
である。
同一平面上に位置するリード・フレームにマウントを行
ない、さらに透光性樹脂にてモームドすることにより、
既存のIC組立技術であるFAB、FAM、)ランスフ
ァ・モールド等の技術をそのまま適用して、特別な光学
的工夫を用いることなく、自動光量調節機能を保有した
発光モジュールを実現できる。従って、本発明による発
光モジュールは使用ファイバ長の設定に於いて適正なマ
ージンの設定を可能とし、各モジュールの能力をより引
き出し、適正な使用ファイバ長を決定できる上に、既に
確立している製造技術にて製作可能であるため、安価で
かつ信頼度の高い発光モジュールを提供することが可能
である。
第1図(a)及び(b)はそれぞれ本発明の一実施例の
平面図及び断面図、第2図は本発明の発光モジュールの
回路構成を示すブロック図、第3図は従来の発光モジュ
ールの斜視図である。 1・・・発光素子、2・・・集積回路、3・・・モニタ
用受光素子、4・・・リード・フレーム、5・・・透光
性樹脂モールド・パッケージ、6・・・凸レンズ、7・
・・反射面、8・・・ボンディング・ワイア、9・・・
プラスチック・ファイバ、10・・・発光素子駆動回路
、11・・・増幅器、12・・・ピーク・ホールド回路
、13・・・ロー・パス・フィルタ、14・・・能動負
荷、15・・・負荷抵抗、16・・・データ光信号、1
7・・・モニタ光信号、18・・・リード、19・・・
ステム、20・・・キャップ、21・・・ボンディング
・ワイア、22・・・データ光信号。
平面図及び断面図、第2図は本発明の発光モジュールの
回路構成を示すブロック図、第3図は従来の発光モジュ
ールの斜視図である。 1・・・発光素子、2・・・集積回路、3・・・モニタ
用受光素子、4・・・リード・フレーム、5・・・透光
性樹脂モールド・パッケージ、6・・・凸レンズ、7・
・・反射面、8・・・ボンディング・ワイア、9・・・
プラスチック・ファイバ、10・・・発光素子駆動回路
、11・・・増幅器、12・・・ピーク・ホールド回路
、13・・・ロー・パス・フィルタ、14・・・能動負
荷、15・・・負荷抵抗、16・・・データ光信号、1
7・・・モニタ光信号、18・・・リード、19・・・
ステム、20・・・キャップ、21・・・ボンディング
・ワイア、22・・・データ光信号。
Claims (1)
- 電気信号を光信号に変換する発光素子と、前記発光素子
の放射光を反射する樹脂界面と、前記樹脂界面で反射さ
れた反射光を受光する発光モニタ用受光素子とを含んで
なることを特徴とする樹脂封止型発光モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61161133A JPS6316682A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 樹脂封止型発光モジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61161133A JPS6316682A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 樹脂封止型発光モジユ−ル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6316682A true JPS6316682A (ja) | 1988-01-23 |
Family
ID=15729221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61161133A Pending JPS6316682A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 樹脂封止型発光モジユ−ル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6316682A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0511461U (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-12 | アルプス電気株式会社 | 光電スイツチ |
WO1994011929A2 (en) * | 1992-11-06 | 1994-05-26 | Bt&D Technologies Ltd. | Optoelectronic devices |
JP2007059770A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Seiko Epson Corp | 電気光学素子および光伝送モジュール |
JP2008151894A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Enplas Corp | 光学素子およびこれを備えた光モジュール用ホルダ、光モジュールならびに光コネクタ |
JP2009010048A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
JP2009059980A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Citizen Electronics Co Ltd | Led発光装置 |
JP2017098516A (ja) * | 2015-11-13 | 2017-06-01 | ローム株式会社 | 光学装置および光学装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-07-08 JP JP61161133A patent/JPS6316682A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0511461U (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-12 | アルプス電気株式会社 | 光電スイツチ |
WO1994011929A2 (en) * | 1992-11-06 | 1994-05-26 | Bt&D Technologies Ltd. | Optoelectronic devices |
WO1994011929A3 (en) * | 1992-11-06 | 1994-07-21 | Bt & D Technologies Ltd | Optoelectronic devices |
JP2007059770A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Seiko Epson Corp | 電気光学素子および光伝送モジュール |
JP2008151894A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Enplas Corp | 光学素子およびこれを備えた光モジュール用ホルダ、光モジュールならびに光コネクタ |
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JP2009059980A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Citizen Electronics Co Ltd | Led発光装置 |
JP2017098516A (ja) * | 2015-11-13 | 2017-06-01 | ローム株式会社 | 光学装置および光学装置の製造方法 |
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