JPS61219186A - 発光装置 - Google Patents
発光装置Info
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- JPS61219186A JPS61219186A JP60059863A JP5986385A JPS61219186A JP S61219186 A JPS61219186 A JP S61219186A JP 60059863 A JP60059863 A JP 60059863A JP 5986385 A JP5986385 A JP 5986385A JP S61219186 A JPS61219186 A JP S61219186A
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- light
- emitting element
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- light receiving
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は発光出力のモニタ手段をそなえた発光装置に関
するもので、特に光通信用の発光装置に用いられるもの
である。
するもので、特に光通信用の発光装置に用いられるもの
である。
一般に光通信用の発光装置においては、(イ)光出力の
経時変化が少ないこと、(ロ)入力電流に対して光出力
が線形に変化することが重要である。
経時変化が少ないこと、(ロ)入力電流に対して光出力
が線形に変化することが重要である。
端面発光型(発光素子マウント面に垂直な一対の対向面
から光を発するもの)の半導体レーザを用いた光通信用
発光装置では、第3図に示すよう〈後方端面側にフォト
ダイオード(受光素子ペレット)を配設し、出力の経時
変化の補正、線形性の補正を可能にしている。第3図に
おいて1は端面発光型半導体レーザ・ベレット、2はス
テム、3は受光素子ペレット、4はキャップ、5はキャ
ップ4の光取り出し用窓に設けられたガラス、6は外部
端子(リード)、rは光出力の主ビーム、8は光出力の
モニタ用ビームを示す。
から光を発するもの)の半導体レーザを用いた光通信用
発光装置では、第3図に示すよう〈後方端面側にフォト
ダイオード(受光素子ペレット)を配設し、出力の経時
変化の補正、線形性の補正を可能にしている。第3図に
おいて1は端面発光型半導体レーザ・ベレット、2はス
テム、3は受光素子ペレット、4はキャップ、5はキャ
ップ4の光取り出し用窓に設けられたガラス、6は外部
端子(リード)、rは光出力の主ビーム、8は光出力の
モニタ用ビームを示す。
ところがLED(発光ダイオード)のような面発光型の
発光素子では、光出力が一方向のみに出るため、フォト
ダイオード(受光素子ペレット)Kモニタ光を導入する
ことが困難である。
発光素子では、光出力が一方向のみに出るため、フォト
ダイオード(受光素子ペレット)Kモニタ光を導入する
ことが困難である。
このため発光素子自身に、上記(イ)、(ロ)の低変化
、線形性が求められていた。このようにモニタ用の受光
素子を内蔵できない発光装置は、極めて高い特性が要求
されるため、製造における収率が低く、結果として高価
格であった。また発光装置の外部にモニタ用の受光装置
を配設し、発光装置の光出力の一部を利用して発光出力
をコントロールする方法もあるが、システムが大キくな
り、やはり高価格となるものであった。
、線形性が求められていた。このようにモニタ用の受光
素子を内蔵できない発光装置は、極めて高い特性が要求
されるため、製造における収率が低く、結果として高価
格であった。また発光装置の外部にモニタ用の受光装置
を配設し、発光装置の光出力の一部を利用して発光出力
をコントロールする方法もあるが、システムが大キくな
り、やはり高価格となるものであった。
第4図は半導体レーザ装置の光出力制御(モニタ)方法
を示す回路図で、ZIFi差動アンプ、12は電流制御
回路、13は抵抗、vRRF は基準電圧である。こ
のものは、受光素子ペレット3が光を受けた量に応じて
得られるiE!Eをフィードバックして、発光素子ペレ
ット1に負帰還をかけ、発光tを一定化するものである
。
を示す回路図で、ZIFi差動アンプ、12は電流制御
回路、13は抵抗、vRRF は基準電圧である。こ
のものは、受光素子ペレット3が光を受けた量に応じて
得られるiE!Eをフィードバックして、発光素子ペレ
ット1に負帰還をかけ、発光tを一定化するものである
。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、LEDの如
き面発光型発光素子においてもモニタ用受光素子を内蔵
でき、光出力のコントロールを容易にして装置の低価格
化を図ることができる発光装置を提供しようとするもの
である。
き面発光型発光素子においてもモニタ用受光素子を内蔵
でき、光出力のコントロールを容易にして装置の低価格
化を図ることができる発光装置を提供しようとするもの
である。
本発明は、発光素子の光出力の一部を、外囲器の内面に
設けた反射面で反射して、発光素子に隣接して設けた受
光素子に入射させる構造により、上記目的を達成したも
のである。このものによれば、従来、光出力のコントロ
ールが困難であった面発光型の発光素子の場合において
も、端面発光型の発光素子の場合と同様に、モニタ用受
光素子を内蔵することができる。
設けた反射面で反射して、発光素子に隣接して設けた受
光素子に入射させる構造により、上記目的を達成したも
のである。このものによれば、従来、光出力のコントロ
ールが困難であった面発光型の発光素子の場合において
も、端面発光型の発光素子の場合と同様に、モニタ用受
光素子を内蔵することができる。
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第1
図は同実施例を示す断面的構成図であるが、ここで第3
図のものと対応する個所には、対応する符号を用いる。
図は同実施例を示す断面的構成図であるが、ここで第3
図のものと対応する個所には、対応する符号を用いる。
図中21は面発光型LEDペレット(発光素子)で、こ
れに駆動電流を印加するための端子(リード)6..6
゜と、受光素子3の出力電流を引き出すための端子6.
とをもつステム2の上に、上記発光素子21と受光素子
3とを隣接させて配置し、これらを合金半田で固着する
。その後、画素子Z X。
れに駆動電流を印加するための端子(リード)6..6
゜と、受光素子3の出力電流を引き出すための端子6.
とをもつステム2の上に、上記発光素子21と受光素子
3とを隣接させて配置し、これらを合金半田で固着する
。その後、画素子Z X。
3の電標と端子6..6.とを金ワイヤ22゜23を用
いて配線する。また発光素子21の光出力の主ビーム7
を外部に取り出す丸めのガラス窓5を中央部にもち、こ
のガラス窓の周囲の内面に光沢平面を形成しかつ光沢金
属(例えば金)めっきを施こして反射面24としたキャ
ップ4を、抵抗溶接でステム2に溶接封止する。
いて配線する。また発光素子21の光出力の主ビーム7
を外部に取り出す丸めのガラス窓5を中央部にもち、こ
のガラス窓の周囲の内面に光沢平面を形成しかつ光沢金
属(例えば金)めっきを施こして反射面24としたキャ
ップ4を、抵抗溶接でステム2に溶接封止する。
このものは、第1図で分るように発光素子21の光出力
のうちで、主ビーム7よりも広い角度で出射したビーム
8をモニタ用ビームとして、これを反射面24で反射し
、モニタ用の受光素子3に入射させることによって、例
えば第4図の如く発光出力のモニタを実現するものであ
るO 第2図は本発明の他の実施例である。これは光導出手段
として、先球ファイく(3Zを用いた場合の例であり、
発光素子32としてバラス型LEDを用いている。第2
図中33はファイバ固定用の金属スリーブである。この
実施例及び前実施例のいずれの場合も、発光素子、受光
素子及び反射面24の幾何学的な配置及び形状は、場合
に応じて適切な設計を行なう必要があることは云うまで
もない。
のうちで、主ビーム7よりも広い角度で出射したビーム
8をモニタ用ビームとして、これを反射面24で反射し
、モニタ用の受光素子3に入射させることによって、例
えば第4図の如く発光出力のモニタを実現するものであ
るO 第2図は本発明の他の実施例である。これは光導出手段
として、先球ファイく(3Zを用いた場合の例であり、
発光素子32としてバラス型LEDを用いている。第2
図中33はファイバ固定用の金属スリーブである。この
実施例及び前実施例のいずれの場合も、発光素子、受光
素子及び反射面24の幾何学的な配置及び形状は、場合
に応じて適切な設計を行なう必要があることは云うまで
もない。
以上説明した如く本発明によれば、従来モニタ用受光素
子の内蔵が困難であった面発光型LEDにおいても、モ
ニタ用受光素子が容易に内蔵できる。このため発光装置
の光出力を容易にコントロールすることが可能となり、
発光素子自身への要求特性が緩和されることになる。ま
た通信システムも簡単な構造にすることができるため、
全体として低価格化が達成できる。具体的には、発光素
子の価格は特性仕様の緩和による収率向上のため、従来
の約1/2以下にできるなどの利点を有した発光装置が
提供されるものである。
子の内蔵が困難であった面発光型LEDにおいても、モ
ニタ用受光素子が容易に内蔵できる。このため発光装置
の光出力を容易にコントロールすることが可能となり、
発光素子自身への要求特性が緩和されることになる。ま
た通信システムも簡単な構造にすることができるため、
全体として低価格化が達成できる。具体的には、発光素
子の価格は特性仕様の緩和による収率向上のため、従来
の約1/2以下にできるなどの利点を有した発光装置が
提供されるものである。
第1図は本発明の一実施例の断面的構成図、第2図は本
発明の他の実施例の断面的構成図、第3図は従来の端面
発光型半導体レーザ装置の断面的構成図、第4図は半導
体レーザ装置の光出力制御方法を示す回路図である。 2・・・ステム、3・・・受光素子ペレット、I・・・
キャップ、5・・・ガラス、61〜6.・・・端子、2
Z・・・LEDペレット、24・・・反射面。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 1 図 第 2図
発明の他の実施例の断面的構成図、第3図は従来の端面
発光型半導体レーザ装置の断面的構成図、第4図は半導
体レーザ装置の光出力制御方法を示す回路図である。 2・・・ステム、3・・・受光素子ペレット、I・・・
キャップ、5・・・ガラス、61〜6.・・・端子、2
Z・・・LEDペレット、24・・・反射面。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 1 図 第 2図
Claims (4)
- (1)発光素子と、この発光素子の発する光を外部に導
出する手段と、前記発光素子の発する光に感度をもつ受
光素子と、前記発光素子の発する光の一部を反射して前
記受光素子に伝達する反射面とを具備したことを特徴と
する発光装置。 - (2)前記発光素子と受光素子とが同一外囲器内に配設
されたものであることを特徴とする特許請求の範囲第1
項に記載の発光装置。 - (3)前記発光素子を収容する外囲器の内面の一部を反
射面としたことを特徴とする特許請求の範囲第2項に記
載の発光装置。 - (4)前記発光素子の発する光を外部に導出する手段を
外囲器の窓とし、前記反射面を前記窓のまわりの内面に
設けたことを特徴とする特許請求の範囲第1項または第
2項または第3項に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60059863A JPS61219186A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60059863A JPS61219186A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61219186A true JPS61219186A (ja) | 1986-09-29 |
Family
ID=13125435
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60059863A Pending JPS61219186A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61219186A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0600426A3 (en) * | 1992-11-30 | 1995-12-13 | Canon Kk | Device with light emitting diode and method for its production. |
EP0825432A2 (en) * | 1996-08-23 | 1998-02-25 | Kyoto Daiichi Kagaku Co., Ltd. | Light emitting diode and optical apparatus |
JP2009071265A (ja) * | 2007-08-18 | 2009-04-02 | Nichia Corp | 半導体発光装置 |
-
1985
- 1985-03-25 JP JP60059863A patent/JPS61219186A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0600426A3 (en) * | 1992-11-30 | 1995-12-13 | Canon Kk | Device with light emitting diode and method for its production. |
EP0825432A2 (en) * | 1996-08-23 | 1998-02-25 | Kyoto Daiichi Kagaku Co., Ltd. | Light emitting diode and optical apparatus |
EP0825432A3 (de) * | 1996-08-23 | 1998-04-08 | Kyoto Daiichi Kagaku Co., Ltd. | Leuchtdiode und optische Vorrichtung |
US5910663A (en) * | 1996-08-23 | 1999-06-08 | Kyoto Daiichi Kagaku Co., Ltd. | Optical system and light emitting diode having a light dividing surface portion |
JP2009071265A (ja) * | 2007-08-18 | 2009-04-02 | Nichia Corp | 半導体発光装置 |
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