JPS6130092A - レ−ザ装置 - Google Patents
レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS6130092A JPS6130092A JP15060084A JP15060084A JPS6130092A JP S6130092 A JPS6130092 A JP S6130092A JP 15060084 A JP15060084 A JP 15060084A JP 15060084 A JP15060084 A JP 15060084A JP S6130092 A JPS6130092 A JP S6130092A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- light output
- circuit
- laser
- output control
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、ディジタル・オーディオ・ディスク（ＤＡＤ
）やビデオディスクに用いられ、半導体レーザダイオー
ドでレーザ光を出力するレーザ装置に関する。
）やビデオディスクに用いられ、半導体レーザダイオー
ドでレーザ光を出力するレーザ装置に関する。
（従来技術）
第６図は従来のこの種のレーザ装置の断面図である。こ
のレーザ装置は、半導体レーザダイオードチップ（以下
、レーザチップと略称する）ｌと、シリコンＰＩＮホト
ダイオード２と、ボンディングワイヤ３と、リード４と
、Ｓｉ ヒートシンク５と、ヒートシンク６、ステム７
と、キャップ８と、ガラス窓９と、絶縁体ｌＯとを備え
ている。この従来のレーザ装置では、レーザチップｌと
シリコンＰＩＮホトダイオード２のみが１対となって、
容器（ステム７、キャップ８及びガラス窓９からなる）
に収めてあ多、自動光出力制御回路（ＡＰＣ回Ｍ）はこ
の容器には収容してない。
のレーザ装置は、半導体レーザダイオードチップ（以下
、レーザチップと略称する）ｌと、シリコンＰＩＮホト
ダイオード２と、ボンディングワイヤ３と、リード４と
、Ｓｉ ヒートシンク５と、ヒートシンク６、ステム７
と、キャップ８と、ガラス窓９と、絶縁体ｌＯとを備え
ている。この従来のレーザ装置では、レーザチップｌと
シリコンＰＩＮホトダイオード２のみが１対となって、
容器（ステム７、キャップ８及びガラス窓９からなる）
に収めてあ多、自動光出力制御回路（ＡＰＣ回Ｍ）はこ
の容器には収容してない。
一般的に、この種の半導体レーザダイオードを用いたレ
ーザ装置は、一定電流で駆動した場合、周囲温度が上昇
すると共にレーザの光出力が急激に減少するものであシ
、本来少なくとも周囲温度が０〜５０℃又は６０℃程度
まで変動する可能性のあるＤＡＤ等の装置では、一定の
光出力で動作させる場合、第６図の装置のみでは使用が
極めて困難であシ、温度に対し光出力を常に一定に保つ
ため１ＡＰｃ回路と称される補償回路が必要になる。そ
こで、従来のＤＡＤ、 ビデオディスク等の装置に於
ては、第６図の装置の外にとのＡ２０回路をとシつけて
いたため、レーザ装置を有するピックアップ系全体が大
きくならざるを得なかった。
ーザ装置は、一定電流で駆動した場合、周囲温度が上昇
すると共にレーザの光出力が急激に減少するものであシ
、本来少なくとも周囲温度が０〜５０℃又は６０℃程度
まで変動する可能性のあるＤＡＤ等の装置では、一定の
光出力で動作させる場合、第６図の装置のみでは使用が
極めて困難であシ、温度に対し光出力を常に一定に保つ
ため１ＡＰｃ回路と称される補償回路が必要になる。そ
こで、従来のＤＡＤ、 ビデオディスク等の装置に於
ては、第６図の装置の外にとのＡ２０回路をとシつけて
いたため、レーザ装置を有するピックアップ系全体が大
きくならざるを得なかった。
ＤＡＤ等の装置自体が小型化に進むにつれて、ピックア
ップも小型化する必要があるにもかかわらず、従来めレ
ーザ装置を用いたのではピックアップの小型化が困難で
あった。
ップも小型化する必要があるにもかかわらず、従来めレ
ーザ装置を用いたのではピックアップの小型化が困難で
あった。
（発明の目的）
本発明の目的は、環境の温度変動に対して光出力が安定
であシ、シかも形が小さいレーザ装置の提供にある。
であシ、シかも形が小さいレーザ装置の提供にある。
（発明の構成）
本発明によるレーザ装置の構成は、半導体レーザダイオ
ードと、この半導体レーザダイオードの発光出力をモニ
タする受光素子と、この受光素子の出力を受け前記発光
出力を安定にする自動光出力制御回路とが１つの容器内
に固定してあることを特徴とする。
ードと、この半導体レーザダイオードの発光出力をモニ
タする受光素子と、この受光素子の出力を受け前記発光
出力を安定にする自動光出力制御回路とが１つの容器内
に固定してあることを特徴とする。
（実施例）
次に実施例を挙げ本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例の部分破断斜視図、第２図は
この実施例の断面図、第３図はその実施例の上面図、第
４図（ａ）及び第５図（ａ）はこの実施例に用いられる
Ａ２０回路の互いに異なる方式をそれぞれ示す回路図、
第４図（ｂ）及び第５図（ｂ）はそれらＡ２０回路のブ
ロック図である。本実施例には、レーザチップｌと、シ
リコンＰＩＮホトダイオード２と、ポンディングワイヤ
３と、リード４と、８ｉ ヒートシンク５と、ヒート
シンク６、ステム７と、キャップ８と、ガラス窓９と、
絶縁体ＩＯと、受光チップｌ’ｌとが備えである。受光
チップ１１には、シリコンＰＩＮホトダイオード２及び
Ａ２０回路とが形成しである。このように、本実施例で
は、ステム７、キャップ８及びガラス窓９からなる容器
内に、レーザチップｌ、シリコンＰＩＮホトダイオード
２及びＡ２０回路が収容しである。リード４は、受光チ
ップ１１の端子数分だけが必要であ如、第４図（ａ）又
は第５図（ａ）に示すＡ２０回路では６〜７端子で足シ
るが、本実施例では１０本備えている。絶縁体１０はリ
ード４とステム７とを電気的に絶縁するために両者の間
に介在させである。ヒートシンク６は、本実施例ではキ
ャップ８に付けてア）、キャップ８七ステム７とを密着
させることによシ熱をステム７ににがす方式が採用しで
ある。ただし、スペースがあれは、キャップ８内のステ
ム７にヒートシンク６を設置することも可能である。第
３図に明瞭に示しであるように受光チップ１１における
シリコンＰＩＮホトダイオード２はレーザチップｌから
出射されるモニタービームが充分入射して出力がとれる
位置に設定しである。
この実施例の断面図、第３図はその実施例の上面図、第
４図（ａ）及び第５図（ａ）はこの実施例に用いられる
Ａ２０回路の互いに異なる方式をそれぞれ示す回路図、
第４図（ｂ）及び第５図（ｂ）はそれらＡ２０回路のブ
ロック図である。本実施例には、レーザチップｌと、シ
リコンＰＩＮホトダイオード２と、ポンディングワイヤ
３と、リード４と、８ｉ ヒートシンク５と、ヒート
シンク６、ステム７と、キャップ８と、ガラス窓９と、
絶縁体ＩＯと、受光チップｌ’ｌとが備えである。受光
チップ１１には、シリコンＰＩＮホトダイオード２及び
Ａ２０回路とが形成しである。このように、本実施例で
は、ステム７、キャップ８及びガラス窓９からなる容器
内に、レーザチップｌ、シリコンＰＩＮホトダイオード
２及びＡ２０回路が収容しである。リード４は、受光チ
ップ１１の端子数分だけが必要であ如、第４図（ａ）又
は第５図（ａ）に示すＡ２０回路では６〜７端子で足シ
るが、本実施例では１０本備えている。絶縁体１０はリ
ード４とステム７とを電気的に絶縁するために両者の間
に介在させである。ヒートシンク６は、本実施例ではキ
ャップ８に付けてア）、キャップ８七ステム７とを密着
させることによシ熱をステム７ににがす方式が採用しで
ある。ただし、スペースがあれは、キャップ８内のステ
ム７にヒートシンク６を設置することも可能である。第
３図に明瞭に示しであるように受光チップ１１における
シリコンＰＩＮホトダイオード２はレーザチップｌから
出射されるモニタービームが充分入射して出力がとれる
位置に設定しである。
本実施例で用いるＡ２０回路としては、第４図（ａ）又
は第５図（ａ）に示す回路がある。第４図（ａ）Ｋ示す
Ａ２０回路は、レーザダイオード１とホトダイオード２
とがカソードを共通にするレーザ装置に用いられる。こ
のＡ２０回路とレーザダイオードｌとホトダイオード２
との接続を第４図（ｂ） Ｋ示す。
は第５図（ａ）に示す回路がある。第４図（ａ）Ｋ示す
Ａ２０回路は、レーザダイオード１とホトダイオード２
とがカソードを共通にするレーザ装置に用いられる。こ
のＡ２０回路とレーザダイオードｌとホトダイオード２
との接続を第４図（ｂ） Ｋ示す。
第５図（ａ）に示すＡ２０回路は、レーザダイオードｌ
のアノードとホトダイオード２０カソードとが共通に接
続しであるレーザ装置に用いられる。本図のＡ２０回路
とレーザダイオード１とホトダイオード２との接続を第
５図（ｂ）に示す。
のアノードとホトダイオード２０カソードとが共通に接
続しであるレーザ装置に用いられる。本図のＡ２０回路
とレーザダイオード１とホトダイオード２との接続を第
５図（ｂ）に示す。
以上説明したように、本実施例では、受光部におけるＡ
２０回路を１チツプで構成したために、レーザチップ１
及びホトダイオード２を含む１つの容器の半導体装置（
レーザ装置）がＡＰＣ機能をもつ。そこで、今まで外付
は基板にＡ２０回路を構成していたために、ＤＡＤ、
ビデオディスク等の光ピツクアップ部の小型化に非常
に障害となっていたが、本実施例によ、９ＡＰＣ回路を
含みしかも小形なレーザ装置が実現され、光ピツクアッ
プの小形化が可能になった。
２０回路を１チツプで構成したために、レーザチップ１
及びホトダイオード２を含む１つの容器の半導体装置（
レーザ装置）がＡＰＣ機能をもつ。そこで、今まで外付
は基板にＡ２０回路を構成していたために、ＤＡＤ、
ビデオディスク等の光ピツクアップ部の小型化に非常
に障害となっていたが、本実施例によ、９ＡＰＣ回路を
含みしかも小形なレーザ装置が実現され、光ピツクアッ
プの小形化が可能になった。
尚、前述の実施例では、ホトダイオード２とＡ２０回路
とは１つのチップ１１に形成しであるが、ＰＩＮホトダ
イオード２とＡ２０回路とは必らずしもｌチップ化する
必要はない。本発明では、これらを個々独立に１チツプ
化してマウントしても、両者が１つの容器に収容しであ
る限シ、光出力が安定で小形であるという効果が得られ
る。
とは１つのチップ１１に形成しであるが、ＰＩＮホトダ
イオード２とＡ２０回路とは必らずしもｌチップ化する
必要はない。本発明では、これらを個々独立に１チツプ
化してマウントしても、両者が１つの容器に収容しであ
る限シ、光出力が安定で小形であるという効果が得られ
る。
（発明の効果）
以上詳しく説明したように、本発明によれば、Ａ２０回
路を備え、従って環境の温度変化に対して光出力が安定
であシ、シかも形が小さいレーザ装置が提供できる。
路を備え、従って環境の温度変化に対して光出力が安定
であシ、シかも形が小さいレーザ装置が提供できる。
第１図は本発明の一実施例の部分破断斜視図、第２図は
この実施例の断面図、第３図はその実施例の上面図、第
４図（ａ）はその実施例で用いるＡ２０回路を示す回路
図、同図（ｂ）はこのＡ２０回路とレーザダイオードと
ホトダイオードとの接続を示すブロック図、第５図（ａ
）は第１図実施例で用いるＡ２０回路の他の方式を示す
回路図、第５図ｔｂ）は本図（ａ）のＡ２０回路とレー
ザダイオードとホトダイオードとの接続を示すブロック
図、第６図は従来のレーザ装置の断面図である。 ｌ・・・・・・牛導体レーザダイオードチップ、２・・
・・・・８ｉＰＩＮホトダイオード、３・・・・・・ボ
ンディングワイヤ、４・・・・・・リード、５・・・・
・・８ｉ ヒートシンク、６・−・・・・ヒートシンク
、７・・・・・・ステム、８・・・・・・キャップ、９
・・−・・・ガラス窓、１０・・・・・・絶縁体、１１
・・・受光チップ。 茅 Ｉ 図
この実施例の断面図、第３図はその実施例の上面図、第
４図（ａ）はその実施例で用いるＡ２０回路を示す回路
図、同図（ｂ）はこのＡ２０回路とレーザダイオードと
ホトダイオードとの接続を示すブロック図、第５図（ａ
）は第１図実施例で用いるＡ２０回路の他の方式を示す
回路図、第５図ｔｂ）は本図（ａ）のＡ２０回路とレー
ザダイオードとホトダイオードとの接続を示すブロック
図、第６図は従来のレーザ装置の断面図である。 ｌ・・・・・・牛導体レーザダイオードチップ、２・・
・・・・８ｉＰＩＮホトダイオード、３・・・・・・ボ
ンディングワイヤ、４・・・・・・リード、５・・・・
・・８ｉ ヒートシンク、６・−・・・・ヒートシンク
、７・・・・・・ステム、８・・・・・・キャップ、９
・・−・・・ガラス窓、１０・・・・・・絶縁体、１１
・・・受光チップ。 茅 Ｉ 図
Claims (1)
- 半導体レーザダイオードと、この半導体レーザダイオー
ドの発光出力をモニタする受光素子と、この受光素子の
出力を受け前記発光出力を安定にする自動光出力制御回
路とが１つの容器内に固定してあることを特徴とするレ
ーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15060084A JPS6130092A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15060084A JPS6130092A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6130092A true JPS6130092A (ja) | 1986-02-12 |
Family
ID=15500421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15060084A Pending JPS6130092A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6130092A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63293990A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Sony Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPH04135338U (ja) * | 1991-06-07 | 1992-12-16 | 株式会社小森コーポレーシヨン | 枚葉印刷機の紙ガイド装置 |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP15060084A patent/JPS6130092A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63293990A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Sony Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPH04135338U (ja) * | 1991-06-07 | 1992-12-16 | 株式会社小森コーポレーシヨン | 枚葉印刷機の紙ガイド装置 |
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