JPH06151973A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPH06151973A JPH06151973A JP4300142A JP30014292A JPH06151973A JP H06151973 A JPH06151973 A JP H06151973A JP 4300142 A JP4300142 A JP 4300142A JP 30014292 A JP30014292 A JP 30014292A JP H06151973 A JPH06151973 A JP H06151973A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical semiconductor
- lens
- semiconductor element
- semiconductor device
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光半導体素子がレンズの機械軸からずれた場
合でも、機械軸上での発光出力または受光感度が変動す
ることがない光半導体装置を提供する。 【構成】 光半導体素子１が、レンズ５の焦点距離内の
位置に設けられている。このため、光半導体素子１をリ
ードフレーム２上に搭載する際に、レンズ５の機械軸８
からずれても、機械軸８上での発光出力または受光感度
が変動することが無い。よって、光半導体装置を組み合
わせて使用する際に光軸合わせの必要がなく、基板やホ
ルダーなどへのアセンブリ作業において光軸調整が不要
となる。
合でも、機械軸上での発光出力または受光感度が変動す
ることがない光半導体装置を提供する。 【構成】 光半導体素子１が、レンズ５の焦点距離内の
位置に設けられている。このため、光半導体素子１をリ
ードフレーム２上に搭載する際に、レンズ５の機械軸８
からずれても、機械軸８上での発光出力または受光感度
が変動することが無い。よって、光半導体装置を組み合
わせて使用する際に光軸合わせの必要がなく、基板やホ
ルダーなどへのアセンブリ作業において光軸調整が不要
となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は発光装置または受光装置
などに用いられる光半導体装置に関する。
などに用いられる光半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光半導体装置は、小型であること、高感
度であること、低消費電力であること、取り扱いが容易
であること、応答性がよいことなどの利点を有している
ため各種計測用センサーや民生機器に広く利用されてい
る。また、近年においては、ＣＤや光磁気ディスクなど
光メモリの開発が盛んであり、その情報読み出しに用い
られる発光装置または受光装置としても、光半導体装置
が広く利用されている。図３（ａ）に従来の光半導体装
置の断面図を示す。この光半導体装置においては、リー
ドフレーム３２上に光半導体素子３１が搭載されてお
り、二次側リード端子３４とリードフレーム３１とがボ
ンディングワイヤ３３により電気的に接続されている。
そして、光半導体素子３１の外部周辺は透光性樹脂によ
り被覆成形され、レンズ３５が設けられて、外囲器３６
となっている。
度であること、低消費電力であること、取り扱いが容易
であること、応答性がよいことなどの利点を有している
ため各種計測用センサーや民生機器に広く利用されてい
る。また、近年においては、ＣＤや光磁気ディスクなど
光メモリの開発が盛んであり、その情報読み出しに用い
られる発光装置または受光装置としても、光半導体装置
が広く利用されている。図３（ａ）に従来の光半導体装
置の断面図を示す。この光半導体装置においては、リー
ドフレーム３２上に光半導体素子３１が搭載されてお
り、二次側リード端子３４とリードフレーム３１とがボ
ンディングワイヤ３３により電気的に接続されている。
そして、光半導体素子３１の外部周辺は透光性樹脂によ
り被覆成形され、レンズ３５が設けられて、外囲器３６
となっている。
【０００３】上記従来の光半導体発光装置においては、
光半導体素子１がレンズ５の機械軸上にある時に発光出
力または受光感度が最大となるように、光半導体素子３
１とレンズ３５の機械軸上の焦点３７との位置関係、お
よびレンズ３５の曲率が設定されており、半導体発光素
子３１はレンズ３５の焦点３７に設けられる。
光半導体素子１がレンズ５の機械軸上にある時に発光出
力または受光感度が最大となるように、光半導体素子３
１とレンズ３５の機械軸上の焦点３７との位置関係、お
よびレンズ３５の曲率が設定されており、半導体発光素
子３１はレンズ３５の焦点３７に設けられる。
【０００４】図３（ｂ）に、上記光半導体装置を受光装
置として作製した場合のレンズ３５と光半導体素子３１
との位置関係を示す。ここでは、レンズ３５として集光
レンズを用い、半導体素子３１として受光用光半導体素
子を用いている。この光半導体装置においては、半導体
素子３１は、レンズ３５の焦点３７の位置に設けられて
いる。この場合には、図３（ｃ）に示すように、光の指
向特性に優れ、受光感度にも優れた光半導体装置が得ら
れる。
置として作製した場合のレンズ３５と光半導体素子３１
との位置関係を示す。ここでは、レンズ３５として集光
レンズを用い、半導体素子３１として受光用光半導体素
子を用いている。この光半導体装置においては、半導体
素子３１は、レンズ３５の焦点３７の位置に設けられて
いる。この場合には、図３（ｃ）に示すように、光の指
向特性に優れ、受光感度にも優れた光半導体装置が得ら
れる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
光半導体装置においては、リードフレーム３２に搭載す
る際に光半導体素子３１がレンズ３５の機械軸３８から
ずれると、光軸が機械軸３８から外れてしまい、機械軸
３７上での発光出力または受光感度が設計値より低くな
る虞れがある。特に光半導体装置を発光装置および受光
装置として組み合わせて使用する場合には、高精度の光
軸調整が必要となり大きな支障となる。
光半導体装置においては、リードフレーム３２に搭載す
る際に光半導体素子３１がレンズ３５の機械軸３８から
ずれると、光軸が機械軸３８から外れてしまい、機械軸
３７上での発光出力または受光感度が設計値より低くな
る虞れがある。特に光半導体装置を発光装置および受光
装置として組み合わせて使用する場合には、高精度の光
軸調整が必要となり大きな支障となる。
【０００６】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであり、その目的は、光半導体素子がレンズの
機械軸からずれた場合でも、機械軸上での発光出力また
は受光感度が変動することがない光半導体装置を提供す
ることである。
れたものであり、その目的は、光半導体素子がレンズの
機械軸からずれた場合でも、機械軸上での発光出力また
は受光感度が変動することがない光半導体装置を提供す
ることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の光半導体装置
は、発光用または受光用光半導体素子に対して、光を集
光するレンズが備えられた光半導体装置において、該半
導体素子が、該レンズの焦点距離内の位置に設けられて
おり、そのことによりそのことにより上記目的が達成さ
れる。
は、発光用または受光用光半導体素子に対して、光を集
光するレンズが備えられた光半導体装置において、該半
導体素子が、該レンズの焦点距離内の位置に設けられて
おり、そのことによりそのことにより上記目的が達成さ
れる。
【０００８】
【作用】本発明の光半導体装置においては、光半導体素
子が、その外囲器表面に設けられたレンズの焦点距離内
の位置に設けられている。このため、光半導体素子をリ
ードフレーム上に搭載する際に、レンズの機械軸からず
れても、機械軸上での発光出力または受光感度が変動す
ることが無い。よって、光半導体装置を組み合わせて使
用する際に光軸合わせの必要がなく、基板やホルダーな
どへのアセンブリ作業において光軸調整が不要となる。
子が、その外囲器表面に設けられたレンズの焦点距離内
の位置に設けられている。このため、光半導体素子をリ
ードフレーム上に搭載する際に、レンズの機械軸からず
れても、機械軸上での発光出力または受光感度が変動す
ることが無い。よって、光半導体装置を組み合わせて使
用する際に光軸合わせの必要がなく、基板やホルダーな
どへのアセンブリ作業において光軸調整が不要となる。
【０００９】
【実施例】以下に、本発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１０】図１に、本発明の一実施例である光半導体
装置の断面図を示す。この光半導体装置は、受光装置と
して用いられるものである。この光半導体装置において
は、鉄などからなるリードフレーム２上に受光用光半導
体素子１が搭載されており、二次側リード端子４とリー
ドフレーム２とがボンディングワイヤ３により電気的に
接続されている。そして、光半導体素子１の外部周辺は
エポキシ樹脂などの透光性樹脂により被覆成形され、集
光レンズ５が設けられて、外囲器６となっている。
装置の断面図を示す。この光半導体装置は、受光装置と
して用いられるものである。この光半導体装置において
は、鉄などからなるリードフレーム２上に受光用光半導
体素子１が搭載されており、二次側リード端子４とリー
ドフレーム２とがボンディングワイヤ３により電気的に
接続されている。そして、光半導体素子１の外部周辺は
エポキシ樹脂などの透光性樹脂により被覆成形され、集
光レンズ５が設けられて、外囲器６となっている。
【００１１】図２（ａ）に、集光レンズ５とレンズの焦
点７と光半導体素子１との位置関係を示す。この光半導
体装置においては、半導体素子１は、集光レンズ５の機
械軸８上の焦点距離内に設けられている。図２（ｂ）
に、この状態の光半導体装置の指向特性を示す。
点７と光半導体素子１との位置関係を示す。この光半導
体装置においては、半導体素子１は、集光レンズ５の機
械軸８上の焦点距離内に設けられている。図２（ｂ）
に、この状態の光半導体装置の指向特性を示す。
【００１２】上記のような光半導体装置において、光半
導体素子１が集光レンズ５の機械軸８からずれた場合を
図２（ｃ）に示す。図２（ｄ）に、この状態の光半導体
装置の指向特性を示す。
導体素子１が集光レンズ５の機械軸８からずれた場合を
図２（ｃ）に示す。図２（ｄ）に、この状態の光半導体
装置の指向特性を示す。
【００１３】図２（ｂ）および図２（ｃ）に示すよう
に、この光半導体装置においては、光半導体素子１が集
光レンズ５の機械軸８からずれても、指向特性は同等で
ある。このため、光半導体素子１の位置ずれが起こって
も機械軸８上での感度は同じとなる。
に、この光半導体装置においては、光半導体素子１が集
光レンズ５の機械軸８からずれても、指向特性は同等で
ある。このため、光半導体素子１の位置ずれが起こって
も機械軸８上での感度は同じとなる。
【００１４】上記において、光半導体素子としては、光
導電素子、ホトダイオード、ホトトランジスタ、光電
池、発光ダイオード、半導体レーザなどを用いることが
できる。また、上記において、集光レンズは半球レンズ
としたが、フレネルレンズを用いてもよい。
導電素子、ホトダイオード、ホトトランジスタ、光電
池、発光ダイオード、半導体レーザなどを用いることが
できる。また、上記において、集光レンズは半球レンズ
としたが、フレネルレンズを用いてもよい。
【００１５】尚、上記実施例においては、受光装置とし
ての光半導体装置について説明したが、発光用半導体素
子を設けて、発光装置としての光半導体装置に本発明を
利用することもできる。
ての光半導体装置について説明したが、発光用半導体素
子を設けて、発光装置としての光半導体装置に本発明を
利用することもできる。
【００１６】
【発明の効果】上記の説明で明らかなように、本発明に
よれば、光半導体素子がレンズの機械軸からずれた場合
でも、機械軸上での発光出力または受光感度が変動しな
い。よって、光半導体装置を組み合わせて使用する際に
光軸のずれが生じず、光軸調整が不要となる。
よれば、光半導体素子がレンズの機械軸からずれた場合
でも、機械軸上での発光出力または受光感度が変動しな
い。よって、光半導体装置を組み合わせて使用する際に
光軸のずれが生じず、光軸調整が不要となる。
【図１】本発明の一実施例である光半導体装置を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の光半導体装置を示す図である。（ａ）
は光半導体素子がレンズの機械軸上にある場合を示し、
（ｂ）はその状態における指向特性を示す。（ｃ）は光
半導体素子がレンズの機械軸上からずれた場合を示し、
（ｄ）はその状態における指向特性を示す。
は光半導体素子がレンズの機械軸上にある場合を示し、
（ｂ）はその状態における指向特性を示す。（ｃ）は光
半導体素子がレンズの機械軸上からずれた場合を示し、
（ｄ）はその状態における指向特性を示す。
【図３】従来の光半導体装置を示す図である。（ａ）は
断面図であり、（ｂ）は光半導体素子がレンズの機械軸
上にある場合を示し、（ｃ）はその状態における指向特
性を示す。（ｄ）は光半導体素子がレンズの機械軸上か
らずれた場合を示し、（ｅ）はその状態における指向特
性を示す。
断面図であり、（ｂ）は光半導体素子がレンズの機械軸
上にある場合を示し、（ｃ）はその状態における指向特
性を示す。（ｄ）は光半導体素子がレンズの機械軸上か
らずれた場合を示し、（ｅ）はその状態における指向特
性を示す。
１ 光半導体素子 ２ リードフレーム ５ レンズ ７ 焦点 ８ 機械軸
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/0232 31/10
Claims (1)
- 【請求項１】 発光用または受光用光半導体素子に対し
て、光を集光するレンズが備えられた光半導体装置にお
いて、 該半導体素子が、該レンズの焦点距離内の位置に設けら
れている、光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4300142A JPH06151973A (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4300142A JPH06151973A (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151973A true JPH06151973A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17881251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4300142A Withdrawn JPH06151973A (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06151973A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10325755A (ja) * | 1997-01-22 | 1998-12-08 | Nippon Steel Corp | 分光分析装置および分光分析方法 |
| JP2004342781A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびディスプレイ装置 |
| US7153009B2 (en) | 2003-02-13 | 2006-12-26 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | Vehicular headlamp |
| JP2011153851A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Seiko Epson Corp | 熱型光検出器、熱型光検出装置及び電子機器並びにその製造方法 |
| JP2012156286A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | 赤外線センサ |
| JP2016142899A (ja) * | 2015-02-02 | 2016-08-08 | 株式会社エンプラス | 光モジュール |
-
1992
- 1992-11-10 JP JP4300142A patent/JPH06151973A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10325755A (ja) * | 1997-01-22 | 1998-12-08 | Nippon Steel Corp | 分光分析装置および分光分析方法 |
| US7153009B2 (en) | 2003-02-13 | 2006-12-26 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | Vehicular headlamp |
| JP2004342781A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびディスプレイ装置 |
| JP2011153851A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Seiko Epson Corp | 熱型光検出器、熱型光検出装置及び電子機器並びにその製造方法 |
| US9000372B2 (en) | 2010-01-26 | 2015-04-07 | Seiko Epson Corporation | Thermal detector, thermal detection device and electronic instrument, and method for manufacturing thermal detector |
| JP2012156286A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | 赤外線センサ |
| JP2016142899A (ja) * | 2015-02-02 | 2016-08-08 | 株式会社エンプラス | 光モジュール |
| WO2016125636A1 (ja) * | 2015-02-02 | 2016-08-11 | 株式会社エンプラス | 光モジュール |
| US10547391B2 (en) | 2015-02-02 | 2020-01-28 | Enplas Corporation | Optical module |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000201 |