JPS63293990A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

半導体レ−ザ装置

Info

Publication number
JPS63293990A
JPS63293990A JP62130368A JP13036887A JPS63293990A JP S63293990 A JPS63293990 A JP S63293990A JP 62130368 A JP62130368 A JP 62130368A JP 13036887 A JP13036887 A JP 13036887A JP S63293990 A JPS63293990 A JP S63293990A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
output
light
laser element
intensity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP62130368A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2663437B2 (ja
Inventor
Tsuneichi Okada
岡田　常一
Nozomi Yamaguchi
望 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP62130368A priority Critical patent/JP2663437B2/ja
Priority to KR1019880004556A priority patent/KR960016182B1/ko
Priority to EP88304622A priority patent/EP0293144B1/en
Priority to DE8888304622T priority patent/DE3868435D1/de
Priority to US07/198,216 priority patent/US4843610A/en
Priority to CA000567823A priority patent/CA1295403C/en
Publication of JPS63293990A publication Critical patent/JPS63293990A/ja
Priority to SG26295A priority patent/SG26295G/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2663437B2 publication Critical patent/JP2663437B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H01S5/0284—Coatings with a temperature dependent reflectivity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体レーザ素子からのレーザ光を受光素子
で検知して自動光出力制御を行う様にした半導体レーザ
装置に関するものである。
〔発明の概要〕
本発明は、上記の様な半導体レーザ装置において、半導
体レーザ素子の端面保護膜を透過したレーザ光の強度の
温度依存特性と受光素子の検知出力の温度依存特性とを
互いに逆特性とすることによって、温度変化による出力
光の強度の変動を小さくすることができる様にしたもの
である。
〔従来の技術〕
第４図は、自動光出力制御を行う半導体レーザ装置を示
している。この半導体レーザ装置の半導体レーザ素子１
１は、出力光を放射する出力端面１２と、モニタ光を放
射する出力端面１３とを有している。
出力端面１２には、へ１□０．膜である端面保護膜１４
が形成されており、出力端面１３には、＾１２０゜膜１
５ａと非晶質Ｓｉ膜１５ｂとから成る端面保護１り１５
が形成されている。
半導体レーザ素子１１の出力端面１３（！ｌｌｌには、
半導体レーザ素子１１に対して傾斜した状態で、モニタ
用の受光素子１６が配されている。そしてこの受光素子
１６の受光面にも、表面保護膜１７が形成されている。
受光素子１６が傾斜状態で配されているのは、この受光
素子１６で反射されたモニタ光が半導体レーザ素子１１
へ戻るのを防止するためである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、半導体レーザ素子１１から放射されるレーザ
光の波長には、第５図に示す様に、２．５人／ｄｅｇ程
度の温度依存性がある。また、上述の様に受光素子１６
が傾斜状態で配されていると、表面保護膜１７の反射率
は入射光の波長によって異なる。従って、受光素子１６
の検知出力にも温度依存性がある。
受光素子１６の検知出力の温度依存特性は、個個の受光
素子１６によって、温度変化に対して正である場合でも
負である場合もある。
゛受光素子１６の検知出力の温度依存特性が温度変化に
対して正であると、半導体レーザ素子ｌｌ自体の出力が
たとえ一定であっても、第３図に出力２１で示す様に、
受光素子１６の検知出力は温度の上昇に伴なって増加す
る。
一方、半導体レーザ素子１１の端面保護膜１４．１５の
反射率は、その膜厚によって変化する。第１図は、ＡＩ
ｚＯｒの膜厚と反射率との関係を示している。なお、膜
厚が００場合の反射率は、半導体レーザ素子１１を構成
しているＧａＡｓ自体の反射率である。
この第１図から明らかな様に、例えば反射率２２は、膜
厚が１２００人程度０ときに最小であり、また互いに異
なる２つの膜厚に対して同一の値を有している。そして
従来は、所望の反射率を得るために、Ａ１ｇ０３の膜厚
を１２００人よりも薄＜シていた。
ところで、ＡｈＯｉの反射率も入射光の波長によって変
化する。反射率２２は波長が７９０ｎｍの入射光に対す
るものであり、反射率２３は波長が８００ｎｍの入射光
に対するものである。このために、端面保護膜１４．１
５が形成されている半導体レーザ素子１１自体の出力も
、温度依存性を有している。
但し、出力端面１２から放射されるレーザ光の割合を高
めるためにＡＩ！０３膜１５ａの他に非晶質−５ｉ膜１
５ｂが形成されて端面保護膜１４よりも高い反射率を有
している端面保護膜１５では、端面保護膜１４に比べて
反射率の温度依存性が少ない。
従って、出力端面１２から放射される出力光の強度が一
定になる様に半導体レーザ素子１１へ電流を供給すると
、出力端面１３から放射されるモニタ光の強度は、端面
保護膜１４の膜厚に対して、第２図に示す様な温度依存
特性を有している。
そして、端面保護膜１４を構成しているＡｈＯｔの膜厚
が上述の様に１２００人よりも薄いので、第２図からも
明らかな様に、半導体レーザ素子１１自体の出力の温度
依存特性は温度変化に対して正である。
この結果、第３図に示した受光素子１６の出力２１の温
度依存性に、半導体レーザ素子１１自体の出力の温度依
存性が重畳される。従って、第３図に示す様に、半導体
レーザ装置としての出力２４は非常に大きな温度依存性
を有している。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明による半導体レーザ装置では、半導体レーザ素子
１１の端面保護膜１４．１５を透過したレーザ光の強度
の温度依存特性と出力制御用の受光素子１６の検知出力
の温度依存特性とが互いに逆特性となる膜厚を前記端面
保護膜１４．１５が有している。
〔作用〕
本発明による半導体レーザ装置では、半導体レーザ素子
１１の端面保護膜１４．１５を透過したレーザ光の強度
の温度依存特性と出力制御用の受光素子１６の検知出力
の温度依存特性とが互いに逆特性であるので、双方の温
度依存性を相殺させることができる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第１図〜第４図を参照しなが
ら説明する。
本実施例の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子１１
における端面保護膜１４とＡｌ２Ｏ３膜１５ａとが、上
述の一従来例の場合と同じ反射率を有してはいるが１２
００人よりも厚い膜厚に選定されていることを除いて、
第４図に示した上述の一従来例と実質的に同様の構成を
有している。
この様な本実施例では、第１図及び第２図から明らかな
様に、半導体レーザ素子１１自体の出力の温度依存特性
は温度変化に対して負である。
従って、第３図に示す様に、受光素子１６の出力２１の
温度依存特性が従来例の場合と同じであっても、この受
光素子１６の出力２１の温度依存性と半導体レーザ素子
ｌｌ自体の出力の温度依存性とが互いに相殺される。
この結果、第３図に示す様に、本実施例による半導体レ
ーザ装置の出力２５の温度依存性は極めて小さい。
〔発明の効果〕
本発明による半導体レーザ装置では、半４体レーザ素子
の端面保護膜を透過したレーザ光の強度の温度依存性と
受光素子の検知出力の温度依存性とを相殺させることが
できるので、温度変化による出力光の強度の変動を小さ
くすることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は半導体レーザ素子の端面保護膜の反射率を示す
グラフ、第２図は半導体レーザ素子のモニタ光の強度の
温度特性を示すグラフ、第３図は半導体レーザ素子及び
受光素子の温度特性を示すグラフ、第４図は半導体レー
ザ装置の概略的な側面図、第５図はレーザ光の波長と温
度との関係を示すグラフである。 なお図面に用いられた符号において、 １１−・−・−・・・−半導体レーザ素子１４−−−−
−−−−−−−−一端面保護膜１５・・・・・・・・・
・−・・・一端面保護膜１６・・−・−・・・・−・−
・−受光素子である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 端面保護膜が形成されている第１及び第２の出力端面を
    有しこの第１の出力端面から放射されるレーザ光を出力
    光とする半導体レーザ素子と、前記出力光の強度を制御
    するために前記第２の出力端面から放射されるレーザ光
    を検知する受光素子とを夫々具備する半導体レーザ装置
    において、前記端面保護膜を透過した前記レーザ光の強
    度の温度依存特性と前記受光素子の検知出力の温度依存
    特性とが互いに逆特性となる膜厚を前記端面保護膜が有
    していることを特徴とする半導体レーザ装置。
JP62130368A 1987-05-27 1987-05-27 半導体レーザ装置 Expired - Lifetime JP2663437B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62130368A JP2663437B2 (ja) 1987-05-27 1987-05-27 半導体レーザ装置
KR1019880004556A KR960016182B1 (ko) 1987-05-27 1988-04-22 반도체 레이저 장치
DE8888304622T DE3868435D1 (de) 1987-05-27 1988-05-20 Halbleiterlaservorrichtung.
EP88304622A EP0293144B1 (en) 1987-05-27 1988-05-20 Semiconductor laser apparatus
US07/198,216 US4843610A (en) 1987-05-27 1988-05-25 Semiconductor laser apparatus
CA000567823A CA1295403C (en) 1987-05-27 1988-05-26 Semiconductor laser apparatus
SG26295A SG26295G (en) 1987-05-27 1995-02-17 Semiconductor laser apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62130368A JP2663437B2 (ja) 1987-05-27 1987-05-27 半導体レーザ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63293990A true JPS63293990A (ja) 1988-11-30
JP2663437B2 JP2663437B2 (ja) 1997-10-15

Family

ID=15032706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62130368A Expired - Lifetime JP2663437B2 (ja) 1987-05-27 1987-05-27 半導体レーザ装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4843610A (ja)
EP (1) EP0293144B1 (ja)
JP (1) JP2663437B2 (ja)
KR (1) KR960016182B1 (ja)
CA (1) CA1295403C (ja)
DE (1) DE3868435D1 (ja)
SG (1) SG26295G (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010278096A (ja) * 2009-05-27 2010-12-09 Sharp Corp 半導体レーザ装置
JP2014077991A (ja) * 2012-09-19 2014-05-01 Funai Electric Co Ltd 画像表示装置および光学部品

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5224113A (en) * 1991-12-20 1993-06-29 At&T Bell Laboratories Semiconductor laser having reduced temperature dependence
US5369658A (en) * 1992-06-26 1994-11-29 Rohm Co., Ltd. Semiconductor laser
JPH1093193A (ja) * 1996-09-10 1998-04-10 Oki Electric Ind Co Ltd 光半導体装置及び光源
JPH1174618A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Canon Inc 半導体レーザ装置および光量制御装置、画像形成装置
US6519272B1 (en) * 1999-06-30 2003-02-11 Corning Incorporated Long, high-power semiconductor laser with shifted-wave and passivated output facet
US7573688B2 (en) * 2002-06-07 2009-08-11 Science Research Laboratory, Inc. Methods and systems for high current semiconductor diode junction protection
JP4286683B2 (ja) * 2004-02-27 2009-07-01 ローム株式会社 半導体レーザ

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54150989A (en) * 1978-05-18 1979-11-27 Nec Corp Semiconductor laser
JPS6130092A (ja) * 1984-07-20 1986-02-12 Nec Corp レ−ザ装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4375067A (en) * 1979-05-08 1983-02-22 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device having a stabilized output beam
JPS59145588A (ja) * 1983-02-09 1984-08-21 Hitachi Ltd 半導体レ−ザ装置
US4656638A (en) * 1983-02-14 1987-04-07 Xerox Corporation Passivation for surfaces and interfaces of semiconductor laser facets or the like
JPS60242689A (ja) * 1984-05-16 1985-12-02 Sharp Corp 半導体レ−ザ素子
JPS6177388A (ja) * 1984-09-21 1986-04-19 Sharp Corp 半導体レ−ザの共振端面反射率測定装置
JPS61207091A (ja) * 1985-03-11 1986-09-13 Sharp Corp 半導体レ−ザ素子
JPH0766995B2 (ja) * 1985-06-14 1995-07-19 シャープ株式会社 半導体レーザ装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54150989A (en) * 1978-05-18 1979-11-27 Nec Corp Semiconductor laser
JPS6130092A (ja) * 1984-07-20 1986-02-12 Nec Corp レ−ザ装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010278096A (ja) * 2009-05-27 2010-12-09 Sharp Corp 半導体レーザ装置
US8891572B2 (en) 2009-05-27 2014-11-18 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device having reflecting and emitting surfaces
JP2014077991A (ja) * 2012-09-19 2014-05-01 Funai Electric Co Ltd 画像表示装置および光学部品

Also Published As

Publication number Publication date
US4843610A (en) 1989-06-27
KR960016182B1 (ko) 1996-12-04
CA1295403C (en) 1992-02-04
JP2663437B2 (ja) 1997-10-15
EP0293144A1 (en) 1988-11-30
SG26295G (en) 1995-08-18
KR880014707A (ko) 1988-12-24
DE3868435D1 (de) 1992-03-26
EP0293144B1 (en) 1992-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS63293990A (ja) 半導体レ−ザ装置
EP0562173A1 (en) Semiconductor optical device
US4852112A (en) Semiconductor laser with facet protection film of selected reflectivity
US4844584A (en) Semiconductor laser beam splitting device
US8831054B2 (en) Wavelength locking of a laser device
GB2166237A (en) Apparatus for measuring reflectivities of resonator facets of semiconductor laser
US5604636A (en) Method of receiving light and light receiving module of less polarized light dependency
JP2674014B2 (ja) 受光素子，光強度モニタ用受光素子及び光強度モニタ
JPH0555683A (ja) 波長安定化光源装置
US6856637B2 (en) Optical transmitter having photodiode
JP3196300B2 (ja) 半導体レーザ装置
EP0592075B1 (en) A polarization detector
JP2639659B2 (ja) 光ヘッド
JP2666085B2 (ja) 半導体レーザ装置
US5018156A (en) Semiconductor laser apparatus
JPH04111370A (ja) レーザの出力制御装置
JPH11163390A (ja) 光モジュール
JPS59112678A (ja) 半導体レ−ザ装置
JPS62238679A (ja) 光半導体素子
JPS6015351Y2 (ja) イオンレ−ザ装置
JPH0556669B2 (ja)
JPS62205684A (ja) 半導体発光装置
JPH02260487A (ja) 波長安定型半導体レーザ装置
JPH02249928A (ja) 受光素子
JP2002324935A5 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term