JPH0412696Y2 - - Google Patents
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- JPH0412696Y2 JPH0412696Y2 JP1985036315U JP3631585U JPH0412696Y2 JP H0412696 Y2 JPH0412696 Y2 JP H0412696Y2 JP 1985036315 U JP1985036315 U JP 1985036315U JP 3631585 U JP3631585 U JP 3631585U JP H0412696 Y2 JPH0412696 Y2 JP H0412696Y2
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- Japan
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- drive circuit
- light emitting
- module
- optical transmission
- circuit section
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 33
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 6
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- Optical Communication System (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
本考案は光フアイバ通信用の光送信モジユール
に関するものである。
に関するものである。
光送信モジユールにおける駆動回路や電気信号
を光信号に変換する発光素子に発熱量は大きく、
その発熱が該光送信モジユール内に用いられてい
る回路素子の温度特性に影響を与える。そのた
め、該発光素子および該駆動回路部からの発熱を
効率よく放熱することが必要である。
を光信号に変換する発光素子に発熱量は大きく、
その発熱が該光送信モジユール内に用いられてい
る回路素子の温度特性に影響を与える。そのた
め、該発光素子および該駆動回路部からの発熱を
効率よく放熱することが必要である。
第2図は、従来の光送信モジユールの構成を示
す断面図である。同図において、302は発光素
子、307は受動素子および能動素子からなる駆
動回路部、3101,3102はボンデイングワイ
ヤ、311はモジユールケース、315は発光モ
ジユール、316はリード線である。発光素子3
02は発光モジユール315内に収容されてい
る。ボンデイングワイヤは、点で発光素子30
2とリード線316を接続している。発光素子3
02は、電気的に導通しているリード線316を
用いてモジユールケース311および駆動回路部
307と導通している。同図に示すように、発光
モジユール315および駆動回路部307を同一
のモジユールケース311内に収容することによ
り、発光素子302および駆動回路部307から
の放熱を効率よく行つている。
す断面図である。同図において、302は発光素
子、307は受動素子および能動素子からなる駆
動回路部、3101,3102はボンデイングワイ
ヤ、311はモジユールケース、315は発光モ
ジユール、316はリード線である。発光素子3
02は発光モジユール315内に収容されてい
る。ボンデイングワイヤは、点で発光素子30
2とリード線316を接続している。発光素子3
02は、電気的に導通しているリード線316を
用いてモジユールケース311および駆動回路部
307と導通している。同図に示すように、発光
モジユール315および駆動回路部307を同一
のモジユールケース311内に収容することによ
り、発光素子302および駆動回路部307から
の放熱を効率よく行つている。
しかしながら、従来の光送信モジユールは次の
ような欠点を有している。発光モジユール315
内の発光素子302は、ボンデイングワイヤ31
01,3102で結合された各々のリード線316
を介して、駆動回路部307およびモジユールケ
ース311と導通している。このような構造の光
送信モジユールは、リード線316を極力短かく
して浮遊素子効果を軽減するようにしている。し
かし、動作速度(周波数)が高くなるに従つて、
リード線316が有する浮遊素子成分と発光モジ
ユール315内に生じる浮遊素子及びリード線端
子とモジユールケース311間で発生する浮遊容
量の影響が無視できなくなり、光送信モジユール
の帯域特性等に影響を与えていた。そのため、光
送信モジユールの動作速度に制限を与え、たとえ
ば動作速度1Gb/s以上といつた高速動作に前記
光送信モジユールを用いようとしても、良好な動
作は得られない。
ような欠点を有している。発光モジユール315
内の発光素子302は、ボンデイングワイヤ31
01,3102で結合された各々のリード線316
を介して、駆動回路部307およびモジユールケ
ース311と導通している。このような構造の光
送信モジユールは、リード線316を極力短かく
して浮遊素子効果を軽減するようにしている。し
かし、動作速度(周波数)が高くなるに従つて、
リード線316が有する浮遊素子成分と発光モジ
ユール315内に生じる浮遊素子及びリード線端
子とモジユールケース311間で発生する浮遊容
量の影響が無視できなくなり、光送信モジユール
の帯域特性等に影響を与えていた。そのため、光
送信モジユールの動作速度に制限を与え、たとえ
ば動作速度1Gb/s以上といつた高速動作に前記
光送信モジユールを用いようとしても、良好な動
作は得られない。
〔考案の目的〕
本考案は、上記従来の欠点に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、従来の光送
信モジユールにおける上記の如き問題を解消し、
高速動作が可能であり、かつ製造が容易で信頼性
の高い光送信モジユールを提供することにある。
のであり、その目的とするところは、従来の光送
信モジユールにおける上記の如き問題を解消し、
高速動作が可能であり、かつ製造が容易で信頼性
の高い光送信モジユールを提供することにある。
本考案によれば、電気信号を光信号に変換する
E/O変換部および駆動回路部からなる光送信モ
ジユールにおいて、平坦な電気誘電体基板上に搭
載した能動素子および受動素子からなる駆動回路
部と、さらに、金属キヤリア上に他の平坦な誘電
体基板を接着させ、該誘電体基板上に電気信号を
光信号に変換する発光素子を搭載した取り外し容
易なチツプキヤリア部からなり、前記チツプキヤ
リア部と前記駆動回路部をボンデイングワイヤで
結合すると共に、両者を同一のモジユールケース
内に収容することを特徴とする光送信モジユール
を提供することによつて達成される。
E/O変換部および駆動回路部からなる光送信モ
ジユールにおいて、平坦な電気誘電体基板上に搭
載した能動素子および受動素子からなる駆動回路
部と、さらに、金属キヤリア上に他の平坦な誘電
体基板を接着させ、該誘電体基板上に電気信号を
光信号に変換する発光素子を搭載した取り外し容
易なチツプキヤリア部からなり、前記チツプキヤ
リア部と前記駆動回路部をボンデイングワイヤで
結合すると共に、両者を同一のモジユールケース
内に収容することを特徴とする光送信モジユール
を提供することによつて達成される。
以下、本考案の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
第1図aは本考案の1実施例を示す光送信モジ
ユールの平面図、第1図bは、該光送信モジユー
ルの断面図である。同図において、101は取り
外し容易なチツプキヤリア部、102,202は
発光素子、103は集光レンズ、1041,10
42はネジ、105,205はチツプキヤリア部
のセラミツク基板、106,206は金属キヤリ
ア、107は駆動回路部、108,208は駆動
回路部最終段の駆動電流増幅用トランジスタ、1
091〜1093,2091〜2093は金ランド、
110,210はボンデイングワイヤ、111,
211はモジユールケース、212は駆動回路の
セラミツク基板、113,213は光フアイバコ
ネクタ、214はカバーである。
ユールの平面図、第1図bは、該光送信モジユー
ルの断面図である。同図において、101は取り
外し容易なチツプキヤリア部、102,202は
発光素子、103は集光レンズ、1041,10
42はネジ、105,205はチツプキヤリア部
のセラミツク基板、106,206は金属キヤリ
ア、107は駆動回路部、108,208は駆動
回路部最終段の駆動電流増幅用トランジスタ、1
091〜1093,2091〜2093は金ランド、
110,210はボンデイングワイヤ、111,
211はモジユールケース、212は駆動回路の
セラミツク基板、113,213は光フアイバコ
ネクタ、214はカバーである。
本実施例において、チツプキヤリア部101で
は、電気信号を光信号に変換する発光素子102
と該発光素子によつて発光された光信号を集光す
るための集光レンズ103を平坦なセラミツク基
板105上に搭載している。セラミツク基板10
5はロウ材を用いて金属キヤリア106に接着さ
れている。さらには、金属キヤリア106はモジ
ユールケース111内にネジ止めする構造になつ
ているので、該モジユールケースからチツプキヤ
リア部101を容易に取り外しできる。また、駆
動回路部107は、モジユールケース111内に
ロウ材によつて接着されている平坦なセラミツク
基板212に搭載されている。同図のように、該
チユプキヤリア部と該駆動回路部は同一モジユー
ルケース内に収容されており、ボンデイングワイ
ヤ110は、駆動回路最終段の駆動電流増幅用ト
ランジスタ108の出力となる金ランド1092
とチツプキヤリア部101の入力となる金ランド
1091とを接続するものである。光フアイバへ
の結合は、該発光素子から発光された光信号を集
光レンズ103を用いて光フアイバコネクタ11
3に集光し、該光フアイバコネクタを介して行な
える。
は、電気信号を光信号に変換する発光素子102
と該発光素子によつて発光された光信号を集光す
るための集光レンズ103を平坦なセラミツク基
板105上に搭載している。セラミツク基板10
5はロウ材を用いて金属キヤリア106に接着さ
れている。さらには、金属キヤリア106はモジ
ユールケース111内にネジ止めする構造になつ
ているので、該モジユールケースからチツプキヤ
リア部101を容易に取り外しできる。また、駆
動回路部107は、モジユールケース111内に
ロウ材によつて接着されている平坦なセラミツク
基板212に搭載されている。同図のように、該
チユプキヤリア部と該駆動回路部は同一モジユー
ルケース内に収容されており、ボンデイングワイ
ヤ110は、駆動回路最終段の駆動電流増幅用ト
ランジスタ108の出力となる金ランド1092
とチツプキヤリア部101の入力となる金ランド
1091とを接続するものである。光フアイバへ
の結合は、該発光素子から発光された光信号を集
光レンズ103を用いて光フアイバコネクタ11
3に集光し、該光フアイバコネクタを介して行な
える。
上記のように構成された本実施例においては、
発光素子を含むチツプキヤリア部と駆動回路部は
分離されており、両者を同一のモジユールケース
内に収納することによつて、放熱の問題を解決し
ている。また、発光素子をチツプキヤリア部に搭
載し、駆動回路部との接続を極力短かく構成でき
るボンデイングワイヤを用いて行うことにより、
発光モジユールと駆動回路部をリード線を用いて
接続する際に問題となつた浮遊素子の影響を著し
く小さくできるので、光送信モジユールの帯域を
改善でき、たとえば、動作速度1Gb/s以上とい
つた高速動作に本構成の光送信モジユールを用い
ても良好な動作が保たれる。さらには、チツプキ
ヤリア部において、金属キヤリアとモジユールケ
ースをネジ止めしてチツプキヤリア部がモジユー
ルケース内から容易に取り外しできるようにする
ことにより、故障時において、発光素子を含むチ
ツプキヤリア部と駆動回路部を個別に交換調整す
ることが可能となる。本実施例においては、金属
キヤリアとモジユールケースはネジ止めにより固
定しているが、溶接により固定することもでき
る。
発光素子を含むチツプキヤリア部と駆動回路部は
分離されており、両者を同一のモジユールケース
内に収納することによつて、放熱の問題を解決し
ている。また、発光素子をチツプキヤリア部に搭
載し、駆動回路部との接続を極力短かく構成でき
るボンデイングワイヤを用いて行うことにより、
発光モジユールと駆動回路部をリード線を用いて
接続する際に問題となつた浮遊素子の影響を著し
く小さくできるので、光送信モジユールの帯域を
改善でき、たとえば、動作速度1Gb/s以上とい
つた高速動作に本構成の光送信モジユールを用い
ても良好な動作が保たれる。さらには、チツプキ
ヤリア部において、金属キヤリアとモジユールケ
ースをネジ止めしてチツプキヤリア部がモジユー
ルケース内から容易に取り外しできるようにする
ことにより、故障時において、発光素子を含むチ
ツプキヤリア部と駆動回路部を個別に交換調整す
ることが可能となる。本実施例においては、金属
キヤリアとモジユールケースはネジ止めにより固
定しているが、溶接により固定することもでき
る。
以上述べたように、本考案によれば、電気信号
を光信号に変換するE/O変換部および駆動回路
部からなる光送信モジユールにおいて誘電体基板
上に搭載した能動素子および受動素子からなる駆
動回路部と、さらに、金属キヤリア上に電気信号
を光信号に変換する発光素子を搭載したチツプキ
ヤリア部とから成り、前記駆動回路部と前記チツ
プキヤリア部をボンデイングワイヤで結合すると
共に、両者を同一のモジユールケース内に収容し
たことにより、高速動作が可能であり、かつ製造
が容易で信頼性の高い光送信モジユールを実現で
きるという効果大なるものである。
を光信号に変換するE/O変換部および駆動回路
部からなる光送信モジユールにおいて誘電体基板
上に搭載した能動素子および受動素子からなる駆
動回路部と、さらに、金属キヤリア上に電気信号
を光信号に変換する発光素子を搭載したチツプキ
ヤリア部とから成り、前記駆動回路部と前記チツ
プキヤリア部をボンデイングワイヤで結合すると
共に、両者を同一のモジユールケース内に収容し
たことにより、高速動作が可能であり、かつ製造
が容易で信頼性の高い光送信モジユールを実現で
きるという効果大なるものである。
第1図aは本考案の一実施例を示す光送信モジ
ユールの平面図、bはその断面図、第2図は従来
の光送信モジユールを示す断面図である。 図において、101……チツプキヤリア部、1
02,202……発光素子、103……集光レン
ズ、1041,1042……ネジ、105,205
……セラミツク基板、106,206……発属キ
ヤリア、107……駆動回路部、108,208
……トランジスタ、1091〜1093,2091
〜2093……金ランド、110,210……ボ
ンデイングワイヤ、111,211……モジユー
ルケース、212……セラミツク基板、113,
213……光フアイバコネクタ、214……カバ
ー、302……発光素子、307……駆動回路
部、3101,3102……ボンデイングワイヤ、
311……モジユールケース、315……発光モ
ジユール、316……リード線である。
ユールの平面図、bはその断面図、第2図は従来
の光送信モジユールを示す断面図である。 図において、101……チツプキヤリア部、1
02,202……発光素子、103……集光レン
ズ、1041,1042……ネジ、105,205
……セラミツク基板、106,206……発属キ
ヤリア、107……駆動回路部、108,208
……トランジスタ、1091〜1093,2091
〜2093……金ランド、110,210……ボ
ンデイングワイヤ、111,211……モジユー
ルケース、212……セラミツク基板、113,
213……光フアイバコネクタ、214……カバ
ー、302……発光素子、307……駆動回路
部、3101,3102……ボンデイングワイヤ、
311……モジユールケース、315……発光モ
ジユール、316……リード線である。
Claims (1)
- 電気誘電体基板上に搭載した能動素子および受
動素子からなる駆動回路部と、さらに金属キヤリ
ア上に電気信号を光信号に変換する発光素子を搭
載したチツプキヤリア部とから成り、前記駆動回
路部と前記チツプキヤリア部をボンデイングワイ
ヤで結合すると共に、両者を同一のモジユールケ
ース内に収容することを特徴とする光送信モジユ
ール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1985036315U JPH0412696Y2 (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1985036315U JPH0412696Y2 (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61153356U JPS61153356U (ja) | 1986-09-22 |
JPH0412696Y2 true JPH0412696Y2 (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=30541375
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1985036315U Expired JPH0412696Y2 (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0412696Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0625694B2 (ja) * | 1989-10-26 | 1994-04-06 | 日本電気株式会社 | 光受信モジュール |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5916435A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-27 | Hitachi Ltd | 光送信モジユ−ル |
-
1985
- 1985-03-14 JP JP1985036315U patent/JPH0412696Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5916435A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-27 | Hitachi Ltd | 光送信モジユ−ル |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61153356U (ja) | 1986-09-22 |
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