JP2906868B2 - レーザダイオードモジュール - Google Patents
レーザダイオードモジュールInfo
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- JP2906868B2 JP2906868B2 JP4275931A JP27593192A JP2906868B2 JP 2906868 B2 JP2906868 B2 JP 2906868B2 JP 4275931 A JP4275931 A JP 4275931A JP 27593192 A JP27593192 A JP 27593192A JP 2906868 B2 JP2906868 B2 JP 2906868B2
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- laser diode
- metallized surface
- diode module
- impedance matching
- bonding wire
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光ファイバを伝送路
として用いるレーザダイオードと光ファイバを備えたレ
ーザダイオードモジュールに関するものである。
として用いるレーザダイオードと光ファイバを備えたレ
ーザダイオードモジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は従来のレーザダイオードモジュー
ルの構成説明図であり、図において１はレーザダイオー
ド、２はレーザダイオード１を搭載したサブマウント、
３はサブマウント２を搭載したチップキャリア、４はス
トリップ線路基板、５は温度差を生じる２面のうち一方
の面にチップキャリア３を搭載した熱電素子、６はレー
ザダイオード１の前方出射光を集光して出力する光ファ
イバ、７はパッケージ、８はリードピン、９はストリッ
プ線路基板４を保持し、レーザダイオード１のアノード
（接地側）とパッケージを電気的に接続するためのプレ
ート、１０はレーザダイオードモジュールの入力インピ
ーダンスを整合するためのインピーダンス整合抵抗であ
る。
ルの構成説明図であり、図において１はレーザダイオー
ド、２はレーザダイオード１を搭載したサブマウント、
３はサブマウント２を搭載したチップキャリア、４はス
トリップ線路基板、５は温度差を生じる２面のうち一方
の面にチップキャリア３を搭載した熱電素子、６はレー
ザダイオード１の前方出射光を集光して出力する光ファ
イバ、７はパッケージ、８はリードピン、９はストリッ
プ線路基板４を保持し、レーザダイオード１のアノード
（接地側）とパッケージを電気的に接続するためのプレ
ート、１０はレーザダイオードモジュールの入力インピ
ーダンスを整合するためのインピーダンス整合抵抗であ
る。
【０００３】次に動作について説明する。レーザダイオ
ード１は、カソード側にリードピン８、ストリップ線路
基板４のストリップ線路、インピーダンス整合抵抗１
０、サブマウント２を経て電気信号を給電し、アノード
側をサブマウント２、チップキャリア３、ストリップ線
路基板４の接地面、プレート９を介して接地することに
より、給電された電気信号に応じて出射光強度を変化さ
せ、結合した光ファイバに光信号を伝える。
ード１は、カソード側にリードピン８、ストリップ線路
基板４のストリップ線路、インピーダンス整合抵抗１
０、サブマウント２を経て電気信号を給電し、アノード
側をサブマウント２、チップキャリア３、ストリップ線
路基板４の接地面、プレート９を介して接地することに
より、給電された電気信号に応じて出射光強度を変化さ
せ、結合した光ファイバに光信号を伝える。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のレーザダイオー
ドモジュールは以上のように構成されているので、電気
−光変換時の周波数応答特性の優れたレーザダイオード
を用いれば、遮断周波数を高周波まで延ばすことが可能
であるが、入力信号の周波数に対して遮断周波数がかな
り高い入力信号の高調波成分を含んでしまい出力スペク
トラムが異常な形になり、受信系に悪影響を与えるとい
う課題があった。
ドモジュールは以上のように構成されているので、電気
−光変換時の周波数応答特性の優れたレーザダイオード
を用いれば、遮断周波数を高周波まで延ばすことが可能
であるが、入力信号の周波数に対して遮断周波数がかな
り高い入力信号の高調波成分を含んでしまい出力スペク
トラムが異常な形になり、受信系に悪影響を与えるとい
う課題があった。
【０００５】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、ローバスフィルタを内蔵し、高調
波成分をカットすることを目的とする。
めになされたもので、ローバスフィルタを内蔵し、高調
波成分をカットすることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係るレーザダ
イオードモジュールは、基板上のメタライズ面が持つ寄
生容量と、ボンディングワイヤが持つインダクタンスを
利用してローパスフィルタを形成したものである。
イオードモジュールは、基板上のメタライズ面が持つ寄
生容量と、ボンディングワイヤが持つインダクタンスを
利用してローパスフィルタを形成したものである。
【０００７】
【作用】この発明におけるレーザダイオードモジュール
は、形成されたローパスフィルタにより遮断周波数が制
限され、入力信号の高調波成分をカットすることができ
る。
は、形成されたローパスフィルタにより遮断周波数が制
限され、入力信号の高調波成分をカットすることができ
る。
【０００８】
実施例１．図１はこの発明の一実施例を示す構成説明図
であり、図において１〜３、５〜１０は従来の実施例と
全く同一のものである。１１はメタライズ面を形成した
基板、１２ａ、１２ｂ、１２ｃは基板１１上に形成され
たメタライズ面、１３ａ、１３ｂはボンディングワイヤ
で、ボンディングワイヤ１３ａはメタライズ面１２ａと
メタライズ面１２ｂを接続し、ボンディングワイヤ１３
ｂはメタライズ面１２ｂとメタライズ面１２ｃを接続す
る。
であり、図において１〜３、５〜１０は従来の実施例と
全く同一のものである。１１はメタライズ面を形成した
基板、１２ａ、１２ｂ、１２ｃは基板１１上に形成され
たメタライズ面、１３ａ、１３ｂはボンディングワイヤ
で、ボンディングワイヤ１３ａはメタライズ面１２ａと
メタライズ面１２ｂを接続し、ボンディングワイヤ１３
ｂはメタライズ面１２ｂとメタライズ面１２ｃを接続す
る。
【０００９】前記のように構成されたレーザダイオード
モジュールにおいては、レーザダイオード１は、従来の
実施例と同様に給電された電気信号に応じて出射光強度
を変化させ、結合した光ファイバに光信号を伝える働き
をするが、メタライズ面１２ａ、１２ｂ、１２ｃが持つ
寄生容量と、ボンディングワイヤ１３ａ、１３ｂが持つ
インダクタンスにより、図２に示す２段のπ型ローパス
フィルタ１６を含む等価回路となる。ここで、１４はレ
ーザダイオード、１５はインピーダンス整合抵抗、１７
ａ、１７ｂ、１７ｃは寄生容量Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃ、１８
ａ、１８ｂはインダクタンスＬａ、Ｌｂである。容量Ｃ
ａ、Ｃｂ、Ｃｃ及びインダクタンスＬａ、Ｌｂを、 Ｃａ＝Ｃｂ／２＝Ｃｃ＝１／２πｆｃＺｏ Ｃａ： 寄生容量 Ｃｂ： 寄生容量 Ｃｃ： 寄生容量 ｆｃ： しゃ断周波数（−３ｄＢ） Ｚｏ： 特性インピーダンス Ｌａ＝Ｌｂ＝Ｚｏ／２πｆｃ Ｌａ： インダクタンス Ｌｂ： インダクタンス と設計することにより、図３に示す遮断周波数ｆｃの電
気−光変換時の周波数応答特性を示す。この特性におい
ては、入力信号の周波数に応じて遮断周波数を設定する
ことにより入力信号の高調波成分をカットでき、純度の
高い信号を伝送できる。
モジュールにおいては、レーザダイオード１は、従来の
実施例と同様に給電された電気信号に応じて出射光強度
を変化させ、結合した光ファイバに光信号を伝える働き
をするが、メタライズ面１２ａ、１２ｂ、１２ｃが持つ
寄生容量と、ボンディングワイヤ１３ａ、１３ｂが持つ
インダクタンスにより、図２に示す２段のπ型ローパス
フィルタ１６を含む等価回路となる。ここで、１４はレ
ーザダイオード、１５はインピーダンス整合抵抗、１７
ａ、１７ｂ、１７ｃは寄生容量Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃ、１８
ａ、１８ｂはインダクタンスＬａ、Ｌｂである。容量Ｃ
ａ、Ｃｂ、Ｃｃ及びインダクタンスＬａ、Ｌｂを、 Ｃａ＝Ｃｂ／２＝Ｃｃ＝１／２πｆｃＺｏ Ｃａ： 寄生容量 Ｃｂ： 寄生容量 Ｃｃ： 寄生容量 ｆｃ： しゃ断周波数（−３ｄＢ） Ｚｏ： 特性インピーダンス Ｌａ＝Ｌｂ＝Ｚｏ／２πｆｃ Ｌａ： インダクタンス Ｌｂ： インダクタンス と設計することにより、図３に示す遮断周波数ｆｃの電
気−光変換時の周波数応答特性を示す。この特性におい
ては、入力信号の周波数に応じて遮断周波数を設定する
ことにより入力信号の高調波成分をカットでき、純度の
高い信号を伝送できる。
【００１０】実施例２．上記実施例１では、寄生容量と
インダクタンスによりπ型のローパスフィルタを形成す
るものを示したが、図４に示すようにメタライズ面を形
成した基板１９上のメタライズ面２０ａ、２０ｂにボン
ディングワイヤ２１ａ、２１ｂ、２１ｃを接続すること
により、図５に示す２段のＴ型ローパスフィルタ２２を
含む等価回路となる。ここで、２３ａ、２３ｂ、は寄生
容量Ｃ´ａ、Ｃ´ｂ、２４ａ、２４ｂ、２４ｃはインダ
クタンスＬ´ａ、Ｌ´ｂ、Ｌ´ｃである。容量Ｃ´ａ、
Ｃ´ｂ及びインダクタンスＬ´ａ、Ｌ´ｂ、Ｌ´ｃを、 Ｃ´ａ＝Ｃ´ｂ＝１／２πｆｃＺｏ Ｃ´ａ： 寄生容量 Ｃ´ｂ： 寄生容量 Ｌ´ａ＝Ｌ´ｂ／２＝Ｌ´ｃ＝Ｚｏ／２πｆｃ Ｌ´ａ： インダクタンス Ｌ´ｂ： インダクタンス Ｌ´ｃ： インダクタンス と設計することにより、実施例１と同等の効果が期待で
きる。
インダクタンスによりπ型のローパスフィルタを形成す
るものを示したが、図４に示すようにメタライズ面を形
成した基板１９上のメタライズ面２０ａ、２０ｂにボン
ディングワイヤ２１ａ、２１ｂ、２１ｃを接続すること
により、図５に示す２段のＴ型ローパスフィルタ２２を
含む等価回路となる。ここで、２３ａ、２３ｂ、は寄生
容量Ｃ´ａ、Ｃ´ｂ、２４ａ、２４ｂ、２４ｃはインダ
クタンスＬ´ａ、Ｌ´ｂ、Ｌ´ｃである。容量Ｃ´ａ、
Ｃ´ｂ及びインダクタンスＬ´ａ、Ｌ´ｂ、Ｌ´ｃを、 Ｃ´ａ＝Ｃ´ｂ＝１／２πｆｃＺｏ Ｃ´ａ： 寄生容量 Ｃ´ｂ： 寄生容量 Ｌ´ａ＝Ｌ´ｂ／２＝Ｌ´ｃ＝Ｚｏ／２πｆｃ Ｌ´ａ： インダクタンス Ｌ´ｂ： インダクタンス Ｌ´ｃ： インダクタンス と設計することにより、実施例１と同等の効果が期待で
きる。
【００１１】実施例３．また、図６に示すように薄膜の
インピーダンス整合抵抗２６を形成したサブマウント２
５を用い、メタライズ面を形成した基板２７上のメタラ
イズ面２８ａ、２８ｂにボンディングワイヤ２９ａ、２
９ｂ、２９ｃを接続することにより、２段のＴ型ローパ
スフィルタとなり、実施例２と同等の効果が期待でき
る。
インピーダンス整合抵抗２６を形成したサブマウント２
５を用い、メタライズ面を形成した基板２７上のメタラ
イズ面２８ａ、２８ｂにボンディングワイヤ２９ａ、２
９ｂ、２９ｃを接続することにより、２段のＴ型ローパ
スフィルタとなり、実施例２と同等の効果が期待でき
る。
【００１２】実施例４．さらに、図７に示すように薄膜
のインピーダンス整合抵抗３１を形成し、かつインピー
ダンス整合抵抗３１を形成した面の面積を広げたサブマ
ウント３０を用い、メタライズ面を形成した基板３２上
のメタライズ面３３ａ、３３ｂにボンディングワイヤ３
４ａ、３４ｂを接続することにより、２段のπ型ローパ
スフィルタとなり、実施例１と同等の効果が期待でき
る。
のインピーダンス整合抵抗３１を形成し、かつインピー
ダンス整合抵抗３１を形成した面の面積を広げたサブマ
ウント３０を用い、メタライズ面を形成した基板３２上
のメタライズ面３３ａ、３３ｂにボンディングワイヤ３
４ａ、３４ｂを接続することにより、２段のπ型ローパ
スフィルタとなり、実施例１と同等の効果が期待でき
る。
【００１３】ところで上記説明では、この発明をレーザ
ダイオードモジュールへの利用の場合について述べた
が、発光ダイオードモジュール、フォトダイオードモジ
ュール、アバランシ・フォトダイオードモジュールへも
転用でる。
ダイオードモジュールへの利用の場合について述べた
が、発光ダイオードモジュール、フォトダイオードモジ
ュール、アバランシ・フォトダイオードモジュールへも
転用でる。
【００１４】また上記説明では、２段のローパスフィル
タの場合について述べたが、Ｎ段のローパスフィルタへ
も転用できる。
タの場合について述べたが、Ｎ段のローパスフィルタへ
も転用できる。
【００１５】
【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００１６】ローパスフィルタにより遮断周波数を制限
することにより、入力信号の高周波成分がカットできる
ため、純度の高い信号を伝送できる。
することにより、入力信号の高周波成分がカットできる
ため、純度の高い信号を伝送できる。
【図１】この発明の実施例１の構成説明図である。
【図２】この発明の実施例１の等価回路を示す図であ
る。
る。
【図３】この発明の実施例１の電気−光変換時の周波数
応答特性を示す図である。
応答特性を示す図である。
【図４】この発明の実施例２の構成説明図である。
【図５】この発明の実施例２の等価回路を示す図であ
る。
る。
【図６】この発明の実施例３の構成説明図である。
【図７】この発明の実施例４の構成説明図である。
【図８】従来のレーザダイオードモジュールの構成説明
図である。
図である。
１１ 基板 １２ａ メタライズ面 １２ｂ メタライズ面 １２ｃ メタライズ面 １３ａ ボンディングワイヤ １３ｂ ボンディングワイヤ
Claims (4)
- 【請求項１】 レーザダイオードと光ファイバを備え、
上記レーザダイオードと上記光ファイバをパッケージで
気密封止して、その内部にインピーダンス整合抵抗を実
装しているレーザダイオードモジュールにおいて、上記
インピーダンス整合抵抗と接続された第１のメタライズ
面と、上記第１のメタライズ面とボンディングワイヤで
接続された第２のメタライズ面と、上記第２のメタライ
ズ面とボンディングワイヤで接続された第３のメタライ
ズ面と、上記第３のメタライズ面と接続されたリードピ
ンを設けたことを特徴とするレーザダイオードモジュー
ル。 - 【請求項２】 レーザダイオードと光ファイバを備え、
上記レーザダイオードと上記光ファイバをパッケージで
気密封止して、その内部にインピーダンス整合抵抗を実
装しているレーザダイオードモジュールにおいて、上記
インピーダンス整合抵抗とボンディングワイヤで接続さ
れた第１のメタライズ面と、上記第１のメタライズ面と
ボンディングワイヤで接続された第２のメタライズ面
と、上記第２のメタライズ面とボンディングワイヤで接
続されたリードピンを設けたことを特徴とするレーザダ
イオードモジュール。 - 【請求項３】 レーザダイオードと光ファイバを備え、
上記レーザダイオードと上記光ファイバをパッケージで
気密封止して、その内部にインピーダンス整合抵抗を実
装しているレーザダイオードモジュールにおいて、上部
に上記インピーダンス整合抵抗を薄膜で形成した上記レ
ーザダイオードを搭載しているサブマウントと、上記サ
ブマウントとボンディングワイヤで接続された第１のメ
タライズ面と、上記第１のメタライズ面とボンディング
ワイヤで接続された第２のメタライズ面と、上記第２の
メタライズ面とボンディングワイヤで接続されたリード
ピンを設けたことを特徴とするレーザダイオードモジュ
ール。 - 【請求項４】 レーザダイオードと光ファイバを備え、
上記レーザダイオードと上記光ファイバをパッケージで
気密封止して、その内部にインピーダンス整合抵抗を実
装しているレーザダイオードモジュールにおいて、上部
に上記インピーダンス整合抵抗を薄膜で形成し、かつ上
記インピーダンス整合抵抗を形成した面の面積を広げた
上記レーザダイオードを搭載しているサブマウントと、
上記サブマウントとボンディングワイヤで接続された第
１のメタライズ面と、上記第１のメタライズ面とボンデ
ィングワイヤで接続された第２のメタライズ面と、上記
第２のメタライズ面と接続されたリードピンを設けたこ
とを特徴とするレーザダイオードモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4275931A JP2906868B2 (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | レーザダイオードモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4275931A JP2906868B2 (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | レーザダイオードモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06125136A JPH06125136A (ja) | 1994-05-06 |
| JP2906868B2 true JP2906868B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=17562427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4275931A Expired - Fee Related JP2906868B2 (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | レーザダイオードモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2906868B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE59901985D1 (de) * | 1998-05-26 | 2002-08-14 | Infineon Technologies Ag | Hochfrequenz-Lasermodul und Verfahren zur Herstellung desselben |
| KR100480244B1 (ko) * | 2002-06-03 | 2005-04-06 | 삼성전자주식회사 | 레이저 모듈 |
| KR100903124B1 (ko) * | 2007-08-02 | 2009-06-16 | 한국전자통신연구원 | 광 송신 모듈 |
| JP6311378B2 (ja) * | 2014-03-17 | 2018-04-18 | 三菱電機株式会社 | 光モジュール、光モジュールの製造方法 |
-
1992
- 1992-10-14 JP JP4275931A patent/JP2906868B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06125136A (ja) | 1994-05-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |