JP2006074030A - 小型の光トランシーバモジュール - Google Patents

Abstract

【課題】長いリンク距離と広い視野とを有し且つ低電力消費である小型の光トランシーバモジュールを提供する一方で、同時に、効率の良い製造プロセスを可能にする。
【解決手段】光トランシーバ(101)は、第１の面(105)と第２の面(107)とを有する基板(103)を備える。光エミッタ(109)が、前記第１の面に実装される。光レシーバ(111)は、前記第１の面に実装され、光検出器(121)へと光を導く誘電体全内部反射集光器（ＤＴＩＲＣ）(119)を含む。増幅回路(113)が、前記第２の面に実装され、前記基板を通じて、前記光エミッタと前記光レシーバとに電気的に接続される。前記光エミッタと、前記光レシーバとは、別個の成形ハウジング内(115,117)に収容される。ＤＴＩＲＣ(119)が、良好なリンク距離と広い視野とを提供するために使用される。
【選択図】図１

Description

本発明は、オプトエレクトロニクスの分野に関し、特に光通信の分野に関する。

赤外光トランシーバは、ラップトップコンピュータ、個人情報端末（「ＰＤＡ」）、プリンタ、及び携帯電話機のような様々な通信装置間に、良好なリンク距離と広い視野（「ＦＯＶ（Field of view）」）とを提供することが必要である。これらの装置がより小型になるにつれ、赤外光トランシーバがよりコンパクトになることもまた非常に重要である。更には、これらの携帯装置にとって、低電力消費が非常に重要である。

光トランシーバは、入射光を受け且つ焦点を合わせるために、半球レンズを頻繁に使用する。通信装置間のリンク距離を増大させるための、従来技術の１つの解決法は、半球レシーバレンズのレンズサイズを拡大することである。しかしながら、この解決法は、トランシーバのパッケージのサイズを増大させる。

光トランシーバは、発光ダイオード（「ＬＥＤ」）を使用して光を生成する場合が多い。リンク距離を増大させるための、従来技術の別の解決法は、エミッタ（又は発光体）のＬＥＤを駆動している電流を増大させて、より強力で且つ更に遠くまで伝搬する光ビームを生成することである。しかしながら、この解決法は、高電力消費と、より短い電池寿命とをまねく。

Ｒｏｓｅｎｂｅｒｇによる特許文献１は、赤外光トランシーバモジュールを説明している。赤外線（「ＩＲ」）信号を送信するためのＬＥＤ（特許文献１内の参照番号１０４）と、到来するＩＲ信号を検出するためのフォトダイオード（特許文献１内の参照番号１０６）との両方が、共通のリードフレーム（特許文献１内の参照番号１０３）に接続される。集積回路（特許文献１内の参照番号１０１）（「ＩＣ」）もまた、該リードフレームに取り付けられ、該ＬＥＤを駆動し、該フォトダイオードの光電流を増幅させる。該リードフレーム／ＬＥＤ／フォトダイオード／ＩＣの組み合わせの周囲にトランシーバのボディ（又は筐体）（特許文献１内の参照番号１０５）が成形される。該トランシーバのボディは、ＬＥＤの上に成形された第１及び第２の半球集光器レンズ（特許文献１内の参照番号１２１、１２３）と、フォトダイオードとを含む。該フォトダイオードを通して、ＩＲ信号が送信され且つ受信される。この完全なトランシーバモジュールは、ＰＣＢ（プリント基板）上に実装される。

Ｒｏｓｅｎｂｅｒｇの設計の１つの結果は、エミッタ（発光体）、レシーバ、及びＩＣが、全て基板の同一面上にあり、その結果、ＰＣＢ上のトランシーバモジュールの占有面積が比較的大きくなることである。その上、Ｒｏｓｅｎｂｅｒｇは、コンパクトな設計、装置間の長いリンク距離、装置間の広い視野、及び低電力消費を提供する問題に対処していない。

光を集めて、それをレシーバに送るための、Ｒｏｓｅｎｂｅｒｇの半球集光器レンズの使用法はまた、最適ではない。改善された光学利得とより広い視野とを持つレンズを有するレシーバが望ましいであろう。何故ならば、該レシーバは、装置間の長いリンク距離と装置間の広い視野とを結果としてもたらすであろうからである。しかしながら、そのようなレンズは、製造するためにより複雑にされることとなり、Ｒｏｓｅｎｂｅｒｇによってなされたようなリードフレーム／ＬＥＤ／フォトダイオード／ＩＣの組み合わせによる単一の成形を、単一の成形内における半球レンズとリードフレーム／ＬＥＤ／フォトダイオード／ＩＣとの組み合わせと、同時に行うことは、簡単ではないであろう。

Ｒｏｓｅｎｂｅｒｇはまた、製造の無駄を排除することを改善するための設計に対処していない。リードフレームタブ（特許文献１内の参照番号１２４）とメインＰＣＢとの間に安定したはんだ接続を提供することは難しい。何故ならば、該リードフレームタブが長く、はんだ付け中に、互いに同一平面上に維持しなければならないからである。Ｒｏｓｅｎｂｅｒｇの（特許文献１における）図４〜図６の複雑な構成におけるリード線をトリミングすることはまた、コストがかかり、不便で、遅い。更にまた、大量のエポキシが、トランシーバを収容するための、トランシーバのボディを形成する。この大量のエポキシが、熱によるストレスがかかる間に、結果として信頼性の問題を生じさせる可能性がある。
米国特許第５，５０６，４４５号明細書 Ｐａｖｌｏｓｏｇｌｏｕ他著、「A Security Application of the Warwick Optical Antenna in Wireless Local and Personal Area Networks」

長いリンク距離と広い視野とを有し且つ低電力消費である小型の光トランシーバモジュールを提供する一方で、同時に、効率の良い製造プロセスを可能とすることが望ましいであろう。

本発明の光トランシーバは、長いリンク距離と広い視野とを有し且つ低電力消費量であるコンパクトな光トランシーバモジュールを提供する一方で、同時に、効率の良い製造プロセスを可能とする。

該光トランシーバは、第１の面と第２の面とを有する基板を含む。光エミッタが、第１の面に実装される。光レシーバが、第１の面に実装され、光検出器へと光を導く誘電体全内部反射集光器（dielectric totally internally reflecting concentrator：ＤＴＩＲＣ）を含む。増幅回路が、第２の面に実装されて、基板を通じて光エミッタと光レシーバとに電気的に接続される。光エミッタと光レシーバとは、別個の成形ハウジング内に収容される。

該光トランシーバを製造する方法は、基板を貫通する少なくとも１つの電気端子（電気的な端子）を有する基板の第２の面に増幅回路を実装するステップと、光エミッタと光レシーバとが、前記電気端子のうちの少なくとも１つを通じて、前記増幅回路に電気的に接続されるよう、ＳＭＴプロセスを使用して基板の第１の面に該光エミッタと該光レシーバとを実装するステップとを含む。この方法において、光レシーバは、光検出器へと光を導く誘電体全内部反射集光器（以下、ＤＴＩＲＣと記す）を備える。

光レシーバは、光検出器をリードフレームに実装するステップと、光検出器をリードフレームに電気的に接続するステップと、リードフレームを光レシーバ内に封入するステップとによって製造される。

光エミッタは、ＬＥＤをリードフレームに実装するステップと、ＬＥＤをリードフレームを通じて電気的に接続するステップと、リードフレームを光レシーバ内に封入するステップとによって製造される。

長いリンク距離と広い視野とを有し且つ低電力消費量である小型の光トランシーバモジュールを提供する一方で、同時に、効率の良い製造プロセスを可能にする。

図１は、光トランシーバ１０１を示す。基板１０３は、第１の面１０５と、第２の面１０７とを有する。光エミッタ１０９と光レシーバ１１１とが、第１の面１０５に実装される。光エミッタ１０９と光レシーバ１１１とを、それぞれリードフレーム１２８、１２９によって第１の面１０５に実装することができる。増幅回路１１３が、第２の面１０７に実装され、基板１０３を貫通する電気端子１２７を通じて、光エミッタ１０９と光レシーバ１１１とに電気的に接続される。増幅回路１１３は、光エミッタ１０９を駆動して出力信号を生成させる共に、光レシーバ１１１によって受信された入力信号を増幅する。

増幅回路１１３に対して基板１０３の反対側の上に光エミッタ１０９と光レシーバ１１１とを実装することによって、光トランシーバ１０１は、エミッタと、レシーバと、ＩＣとが全て基板の同一面上に実装されるＲｏｓｅｎｂｅｒｇのトランシーバよりも、より小さな占有面積を有する。従って、本発明において、より小さな表面積と、光エミッタ１０９、光レシーバ１１１、及び増幅回路１１３の方向に沿って低減された長さとを有する基板を使用することができる。

リードフレーム１２８上に実装された光エミッタ１０９と、リードフレーム１２９上に実装された光レシーバ１１１とが、それぞれ、別個の成形ハウジング１１５と１１７との中に収容される。成形ハウジング１１７は、光レシーバ１１１の光検出器１２１へと光を導くためのＤＴＩＲＣレンズ１１９を含めることができる。成形ハウジング１１５は、光エミッタ１０９のＬＥＤ１２３から光を導くための半球集光器レンズ１２５を含めることができる。別個の成形ハウジング１１５と１１７とによって、大量生産された光エミッタ１０９とレシーバ１１１とを使用することができ、且つ、光リミッタ１０９とレシーバ１１１とを基板１０３に実装するための表面実装技術（「ＳＭＴ」）プロセスを使用することができる。別個の成形ハウジング１１５と１１７とはまた、Ｒｏｓｅｎｂｅｒｇ基準の単体のトランシーバのボディ（特許文献１内の参照番号１０５）を上まわる、追加の利点を提供する。本発明は、別個の成形ハウジングを有することによって、要求されるエポキシがより少なくなり、且つ、基板全体にわたる著しいストレスがかけられなくなり、結果として、熱ストレスをかけられる間において、より良好な信頼性が得られる。

本発明の明細書内において、可視領域内か又は可視領域付近の電磁気スペクトラム（又は電磁気スペクトル）の部分を表すために、用語「光学の（optical）」と「光（light）」とが使用される。より具体的には、この電磁気スペクトラム（又は電磁気スペクトル）の部分は、約４ナノメートルから１０００ナノメートルまでの範囲内の可視放射線と赤外放射線と紫外放射線とを含むように画定される。

従って、本発明を「光トランシーバ」として記載することによって、それが意味することは、該光トランシーバが、約４ナノメートルから１０００ナノメートルまでのこの範囲外の電磁気放射線を検出するためには設計されてないことである。むしろ、本発明の光トランシーバは、約４ナノメートルから１０００ナノメートルまでの光スペクトラムの全体をカバーする電磁気放射線を検出する実施形態を有し、赤外線領域か、紫外線領域か、又は可視領域のような光スペクトラムの様々なサブレンジをカバーする実施形態もまた有する。

本発明の明細書内において、約７５０ナノメートルから１０００ナノメートルまでの不可視放射線の波長の範囲を表すために、用語「赤外線の（infrared）」が使用される。約４ナノメートルから約３８０ナノメートルまでの不可視放射線の波長の範囲を表すために、用語「紫外線の（ultraviolet）」が使用される。約４００ナノメートル（紫）から約７７０（赤）ナノメートルまでの範囲内の波長を有する電磁気放射線を表すために、用語「可視光線の（visible light）」が使用される。該可視光線を、通常の、自力の（又は何らかの助力によらない）、人間の目によって知覚することができる。本発明の実施形態は、より広い範囲内におけるサブレンジ内において動作するほどの長さの、任意のこれらの範囲において、動作することが述べられている。

本発明は、図１〜３を参照して、更に詳細に次に説明される。

図３のステップ３０１において示されるように、第１の面１０５と第２の面１０７とを有する基板１０３が供給される。基板１０３は、例えば、ＰＣＢ（プリント基板）か、ＦＲ４／５プリント回路基板のような平面有機基板か、又はセラミック基板とすることができる。基板１０３の第１の面１０５上と、第２の面１０７上とに、ワイヤボンディングパッド１３１が蒸着され、これらのパッド１３１は、基板１０３を貫通する電気端子１２７によって電気的に接続される。

ステップ３０３において、基板１０３の第２の面１０７に増幅回路１１３が実装される。より具体的には、増幅回路１１３を、１つか又は複数の集積回路（「ＩＣ」）によって実現することができる。増幅回路１１３は、銀エポキシを使用して基板に取り付けられ、次いで、ワイヤボンド１３３によって、ワイヤボンディングパッド１３１にワイヤボンディングされる。次に、ステップ３０５において、機械的なショックと振動とを防ぐために、及び腐食のような環境損傷を防ぐために、増幅回路１１３とワイヤボンド１３３とが、グロブトップ封止エポキシ１３５を使用して封止（又はカプセル封入、又はカプセル化）される。

代替として、図２内において示されているように、増幅回路１１３を、フリップチップタイプの１つか又は複数のＩＣによって実現することができる。この実施形態においては、ステップ３０３において、フリップチップが、基板１０３にフリップチップボンディングされる。次いで、ステップ３０５において、増幅回路１１３と前記パッド１３１との間の相互接続２０３を保護するために、アンダーフィル材料２０１が使用される。

ステップ３０７において、ピックアンドプレース装置及びリフロープロセスのような表面実装技術（「ＳＭＴ」）を使用してか、又はウェーブソルダリングプロセスを用いて、光エミッタ１０９と光レシーバ１１１とが、基板の第１の面１０５に実装される。

図４は、エミッタ１０９を製造するためのステップを示す。ステップ４０１において、従来技術のダイ取り付けプロセスを使用して、ＬＥＤ１２３が、リードフレーム１２８に実装され、ステップ４０３において、該ＬＥＤ１２３は、当該技術分野において既知のように、ワイヤボンド１３９によって、リードフレーム１２８に電気的に接続される。ステップ４０５において、成形ハウジング１１５が、ＬＥＤ１２３とリードフレーム１２８との周囲に形成される一方で、リードフレームタブ１３７がハウジング１１５から延在することを可能にしている。成形ハウジング１１５は、光エミッタ１０９のＬＥＤ１２３から光を導くための、一体型か又は別個に形成された半球集光器レンズ１２５を含めることができる。

図５は、レシーバ１１１を製造するためのステップを示す。ステップ５０１において、光検出器１２１が、リードフレーム１２９に実装され、ステップ５０３において、光検出器１２１は、当該技術分野において既知のように、ワイヤボンド１４１によってリードフレーム１２９に電気的に接続される。光検出器１２１は、例えば、フォトダイオードか又はフォトトランジスタとすることができる。ステップ５０５において、成形ハウジング１１７が、光検出器１２１とリードフレーム１２９との周囲に形成される一方で、リードフレームタブ１３７がハウジング１１７から延在することを可能にしている。成形ハウジング１１７は、光レシーバ１１１の光検出器１２１へと光を導くための、一体型か又は別個に形成されたＤＴＩＲＣレンズ１１９を含めることができる。

エミッタのハウジング１１５と、レシーバのハウジング１１７とを、ＭＧ−１８ Ｈｙｓｏｌのようなエポキシから作ることができるか、又は注入成形（casting）プロセスを使用して、Ｈｙｓｏｌ ＯＳ４２１０から作ることができる。別個に収容されたエミッタ１０９とレシーバ１１１とを使用することによって、ＤＴＩＲＣ１１９がレシーバ１１１と統合される（又は一体となる）時には、より望ましい大量生産が可能となる。ピックアンドプレース装置及びリフロープロセスのような表面実装技術（「ＳＭＴ」）プロセスか、又はウェーブソルダリングプロセスを使用して、エミッタ１０９とレシーバ１１１とを基板１０３上へと、経済的な実装を行うこともできる。別の利点は、リードフレームタブ１３７が、比較的短く、且つ、Ｒｏｓｅｎｂｅｒｇにおけるようなトリミングの必要無く、電気端子１２７に直接的に位置合わせされて、はんだ付けされることである。

ＤＴＩＲＣ１１９を、Ｏｐｔｉｃａｌ Ａｎｔｅｎｎａ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ社から入手することができる。ＤＴＩＲＣ１１９は、その側面（又は水平方向、又は横方向）におけるＩＲ光線の内部反射に基づく。ＤＴＩＲＣの利点は、Ｐａｖｌｏｓｏｇｌｏｕ他著による非特許文献１に記載されている。

従来技術の光レシーバに使用される半球集光器レンズと比べて、ＤＴＩＲＣは、改善された光利得とより広い視野とを有する。このことは、本発明の光トランシーバに、従来技術の光トランシーバと比べて、コンパクトな設計、装置間の長いリンク距離、装置間の広い視野、及び低い電力消費を提供することを助ける。更には、ＤＴＩＲＣ１１９を使用することによって、より小型の光検出器１２１を使用することができ、結果として、コストが低減され、より小型のコンデンサを使用することができ、レシーバ感度が改善されることが可能となる。

Ｒｏｓｅｎｂｅｒｇは、単一の成形（モールド）内において、リードフレーム／ＬＥＤ／フォトダイオード／ＩＣを、第１及び第２の半球集光器レンズ（特許文献１内の参照番号１２１、１２３）と共に組み合わせる。しかしながら、本発明によって使用されるＤＴＩＲＣ１１９は、Ｒｏｓｅｎｂｅｒｇによって使用される半球集光器レンズ（特許文献１内の参照番号１２１、１２３）よりも、より複雑にされた設計を有している。従って、リードフレーム／ＬＥＤ／フォトダイオード／ＩＣの組み合わせを伴う単一の成形内におけるＤＴＩＲＣ１１９を大量生産することは現実的ではない。従って、本発明において、リードフレーム１２８上に実装された光エミッタ１０９と、リードフレーム１２９上に実装された光レシーバ１１１とは、別個の成形ハウジング１１５と１１７との中にそれぞれ収容される。ＤＴＩＲＣ１１９を含むのが、成形ハウジング１１７である。このようにして、一体化したＤＴＩＲＣ１１９を有する成形ハウジング１１７を、容易に大量生産することができる。

基板１０３の第２の面１０７に実装された増幅回路１１３は、ＬＥＤ１２３を駆動して出力信号を生成するための電流を提供する。その駆動電流は、図１のワイヤボンド１３３によって提供された電気的接続（又は、図２内の相互接続２０３）、基板１０３の第２の面１０７上のパッド１３１、電気端子１２７、基板１０３の第１の面１０５上のパッド１３１、リードフレームタブ１３７、リードフレーム１２８、及びワイヤボンド１３９を介してＬＥＤ１２３に供給される。

増幅回路１１３はまた、光入力信号に応答して、光検出器１２１によって生成された光電流を増幅させる。該光電流は、光検出器１２１から、ワイヤボンド１４１、リードフレーム１２９、リードフレームタブ１３７、基板１０３の第１の面１０５上のパッド１３１、電気端子１２７、基板１０３の第２の面１０７上のパッド１３１、及びワイヤボンド１３３を介して、増幅回路１１３へと送られる。

好適な一実施形態において、光トランシーバ１０１は、赤外光の範囲内において動作する。従って、光エミッタ１０９は、赤外光を放射し、光レシーバ１１１は、赤外光を受け、増幅回路１１３は、光レシーバー１１１によって受けられ且つ光エミッタ１０９によって放射される赤外光を、増幅する。

上述の明細書において、本発明の特定の例示的な実施形態を参照して、本発明が説明されてきた。本明細書と図面とは、従って、制限的な意味としてよりもむしろ、例示的な意味としてみなされるべきである。

本発明の光トランシーバを示す図である。 フリップチップＩＣを使用する、図１の光トランシーバの実施形態を示す図である。 図１及び図２の光トランシーバを製造する方法を示すフローチャートである。 図１及び図２のエミッタを製造する方法を示すフローチャートである。 図１及び図２のレシーバを製造する方法を示すフローチャートである。

符号の説明

１０１ 光トランシーバ
１０３ 基板
１０５ 第１の面
１０７ 第２の面
１０９ 光エミッタ
１１１ 光レシーバ
１１３ 増幅回路
１１５ 成形ハウジング
１１７ 成形ハウジング
１１９ 誘電体全内部反射集光器（ＤＴＩＲＣ）
１２１ 光検出器
１２３ ＬＥＤ
１２５ 半球集光器
１２７ 電気端子
１２８ リードフレーム
１２９ リードフレーム
１３３ ワイヤボンド
１３５ エポキシ

Claims (33)

1. 第１及び第２の面を有する基板と、
   前記第１の面に実装された光エミッタと、
   前記第１の面に実装された光レシーバと、
   前記第２の面に実装され、且つ、前記基板を通じて前記光エミッタと前記光レシーバとに電気的に接続された、増幅回路
   とを備える、光トランシーバ。
2. 前記光レシーバは、光検出器へと光を導く誘電体全内部反射集光器を含む、請求項１に記載の光トランシーバ。
3. 前記光エミッタと前記光レシーバとは、別個の成形ハウジング内に収容される、請求項１に記載の光トランシーバ。
4. 前記光検出器は、フォトダイオードである、請求項２に記載の光トランシーバ。
5. 前記光検出器は、フォトトランジスタである、請求項２に記載の光トランシーバ。
6. 前記光検出器は、前記光レシーバ内に封入されたリードフレームに実装され、
   前記リードフレームは、前記光検出器を、前記基板を貫通する電気端子に電気的に接続し、
   前記電気端子は、前記増幅回路を前記光エミッタと前記光レシーバとに電気的に接続することからなる、請求項２に記載の光トランシーバ。
7. 前記光エミッタは、ＬＥＤからの光を導く半球集光器を備える、請求項１に記載の光トランシーバ。
8. 前記光エミッタは、ＬＥＤを含む、請求項１に記載の光トランシーバ。
9. 前記ＬＥＤは、前記光エミッタ内に封入されたリードフレームに実装され、
   前記リードフレームは、前記ＬＥＤを、前記基板を貫通する電気端子に電気的に接続し、
   前記電気端子は、前記増幅回路を前記光エミッタと前記光レシーバとに電気的に接続することからなる、請求項８に記載の光トランシーバ。
10. 前記基板を貫通しており、且つ、前記増幅回路を前記光エミッタと前記光レシーバとに電気的に接続する少なくとも１つの電気端子を、前記基板が備える、請求項１に記載の光トランシーバ。
11. 前記基板は、有機基板である、請求項１に記載の光トランシーバ。
12. 前記基板は、セラミック基板である、請求項１に記載の光トランシーバ。
13. 前記増幅回路は、集積回路上に作成される、請求項１に記載の光トランシーバ。
14. 前記集積回路は、フリップチップである、請求項１１に記載の光トランシーバ。
15. 前記増幅回路は、前記電気端子にワイヤボンディングされた集積回路上に作成される、請求項１０に記載の光トランシーバ。
16. 前記集積回路とワイヤボンドとを封止するエポキシを更に含む、請求項１５に記載の光トランシーバ。
17. 前記光エミッタは、赤外光を放射し、
    前記光レシーバは、赤外光を受け、
    前記光レシーバによって受けられ、且つ、前記光エミッタによって放射される赤外光を、前記増幅回路が増幅することからなる、請求項１に記載の光トランシーバ。
18. 前記光エミッタと前記光レシーバとは、ピックアンドプレース装置とリフロープロセスとを使用して、前記第１の面に実装される、請求項１に記載の光トランシーバ。
19. 光トランシーバを製造する方法であって、
    基板を貫通する少なくとも１つの電気端子を有する該基板の第２の面に、増幅回路を実装するステップと、
    光エミッタと光レシーバとが、少なくとも１つの前記電気端子を通じて、前記増幅回路へと電気的に接続されるように、ＳＭＴプロセスを使用して、該光エミッタと該光レシーバとを、前記基板の第１の面に実装するステップ
    とを含む、方法。
20. 前記光レシーバは、光検出器へと光を導く誘電体全内部反射集光器を含むことからなる、請求項１９に記載の方法。
21. 前記光検出器は、フォトダイオードであることからなる、請求項２０に記載の方法。
22. 前記光検出器は、フォトトランジスタであることからなる、請求項２０に記載の方法。
23. 前記光検出器をリードフレームに実装するステップと、
    前記リードフレームを前記光レシーバ内に封入するステップと、
    前記リードフレームを通じて、前記基板を貫通する電気端子へと、前記光検出器を電気的に接続するステップと、
    前記リードフレームを通じて、前記増幅回路を、前記光エミッタと前記光レシーバとに電気的に接続するステップ
    とを更に含むことからなる、請求項２０に記載の方法。
24. 前記光エミッタは、ＬＥＤからの光を導く半球集光器を含むことからなる、請求項１９に記載の方法。
25. 前記光エミッタは、ＬＥＤを含むことからなる、請求項１９に記載の方法。
26. 前記ＬＥＤをリードフレームに実装するステップと、
    前記リードフレームを前記光レシーバ内に封入するステップと、
    前記リードフレームを通じて、前記基板を貫通する電気端子へと、前記ＬＥＤを電気的に接続するステップと、
    前記リードフレームを通じて、前記増幅回路を、前記光エミッタと前記光レシーバとに電気的に接続するステップ
    を更に含むことからなる、請求項２５に記載の方法。
27. 前記基板は、有機基板であることからなる、請求項１９に記載の方法。
28. 前記基板は、セラミック基板であることからなる、請求項１９に記載の方法。
29. 前記増幅回路は、集積回路上に作成されることからなる、請求項１９に記載の方法。
30. 前記集積回路は、フリップチップであることからなる、請求項２９に記載の方法。
31. 前記集積回路を前記電気端子にワイヤボンディングするステップを更に含む、請求項２９に記載の方法。
32. 前記増幅回路とワイヤボンドとをエポキシによって封止するステップを更に含む、請求項３１に記載の方法。
33. 前記光エミッタと前記光レシーバとを、前記基板の前記第１の面に実装する前記ステップは、ピックアンドプレース装置とリフロープロセスとを使用するステップを更に含むことからなる、請求項１９に記載の方法。

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