JP2000223737A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】大容量信号の通信を可能にしつつ、信号処理用
集積回路のピン数を減らすことで小型化を図ることがで
きる半導体装置を提供すること。 【解決手段】統合型ＩＣ２２が設けられたメイン基板２
１と、統合型ＩＣ３２が設けられたモジュール基板３１
と、統合型ＩＣ２２からの信号を光信号に変換して発信
する発光素子２３と、統合型ＩＣ３２からの信号を光信
号に変換して発信する発光素子３３と、発光素子３３に
対向配置され、発光素子３３から受光した光信号を電気
信号に変換して統合型ＩＣ２２に送る受光素子２４と、
発光素子２３に対向配置され、発光素子２３から受光し
た光信号を電気信号に変換して信号処理用集積回路３２
に送る受光素子３４とを備えるようにした。
集積回路のピン数を減らすことで小型化を図ることがで
きる半導体装置を提供すること。 【解決手段】統合型ＩＣ２２が設けられたメイン基板２
１と、統合型ＩＣ３２が設けられたモジュール基板３１
と、統合型ＩＣ２２からの信号を光信号に変換して発信
する発光素子２３と、統合型ＩＣ３２からの信号を光信
号に変換して発信する発光素子３３と、発光素子３３に
対向配置され、発光素子３３から受光した光信号を電気
信号に変換して統合型ＩＣ２２に送る受光素子２４と、
発光素子２３に対向配置され、発光素子２３から受光し
た光信号を電気信号に変換して信号処理用集積回路３２
に送る受光素子３４とを備えるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、信号処理用集積回
路相互間のデータ通信を光素子を介して行う半導体装置
に関する。
路相互間のデータ通信を光素子を介して行う半導体装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】パソコン等の電子機器間のデータ通信用
としては、機器間を有線で接続する以外に、赤外線等を
用いる方法が用いられている。
としては、機器間を有線で接続する以外に、赤外線等を
用いる方法が用いられている。
【０００３】図６の（ａ）〜（ｃ）は、赤外線を用いて
データ通信を行うための半導体装置１０を示す図であ
る。図６の（ａ）に示すように半導体装置１は、メイン
基板２と、このメイン基板２上に設けられた信号処理用
集積回路３と、光電変換回路４と、データ変換回路５等
が設けられている。また、メイン基板２の端部には赤外
線の発光素子６と、受光素子（フォトダイオード）７と
が実装されている。これらの素子はパッケージ封止され
ている。発光素子６及び受光素子７は、同一の実装筐体
(不図示)に取り付けられた後に、メイン基板２にはんだ
付け実装される。また、信号処理用集積回路３は、ベア
チップＩＣをモールド樹脂したパッケージ状に形成され
ている。なお、ベアチップ実装する場合もある。
データ通信を行うための半導体装置１０を示す図であ
る。図６の（ａ）に示すように半導体装置１は、メイン
基板２と、このメイン基板２上に設けられた信号処理用
集積回路３と、光電変換回路４と、データ変換回路５等
が設けられている。また、メイン基板２の端部には赤外
線の発光素子６と、受光素子（フォトダイオード）７と
が実装されている。これらの素子はパッケージ封止され
ている。発光素子６及び受光素子７は、同一の実装筐体
(不図示)に取り付けられた後に、メイン基板２にはんだ
付け実装される。また、信号処理用集積回路３は、ベア
チップＩＣをモールド樹脂したパッケージ状に形成され
ている。なお、ベアチップ実装する場合もある。
【０００４】図６の（ｂ）は、半導体装置１の構成を示
す回路ブロック図である。半導体装置１には、同様に構
成された半導体装置１間と発光素子６及び受光素子７を
介して赤外線Ｒを用いてデータ通信を行う。
す回路ブロック図である。半導体装置１には、同様に構
成された半導体装置１間と発光素子６及び受光素子７を
介して赤外線Ｒを用いてデータ通信を行う。
【０００５】図６の（ｃ）は、ベアチップ実装型の小型
パッケージ６からなる発光素子や受光素子を示す図であ
る。このようなパッケージの場合には、発光素子を基板
上の電極に導電ペースト等で電気的に接着し、発光素子
上を透明樹脂等で気密封止する。このパッケージは、メ
イン基板２にはんだ付け等で実装される。
パッケージ６からなる発光素子や受光素子を示す図であ
る。このようなパッケージの場合には、発光素子を基板
上の電極に導電ペースト等で電気的に接着し、発光素子
上を透明樹脂等で気密封止する。このパッケージは、メ
イン基板２にはんだ付け等で実装される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の半導体
装置１では、次のような問題があった。すなわち、信号
処理用集積回路３と、データ送受信用の発光素子６及び
受光素子７が、別々に実装されており、メイン基板２上
の占有面積が過大となっていた。また、信号処理用集積
回路３は、従来より１００〜１０００ピン以上の多ピン
を有するパッケージであり、また、大容量データ転送用
のものになると、信号処理用集積回路３とメイン基板２
と間の接合手段が１００μｍ以下の挟ピッチ実装とな
り、メイン基板２への実装が困難であった。したがっ
て、信号処理用集積回路３のピン数を減らすことが要求
されていた。
装置１では、次のような問題があった。すなわち、信号
処理用集積回路３と、データ送受信用の発光素子６及び
受光素子７が、別々に実装されており、メイン基板２上
の占有面積が過大となっていた。また、信号処理用集積
回路３は、従来より１００〜１０００ピン以上の多ピン
を有するパッケージであり、また、大容量データ転送用
のものになると、信号処理用集積回路３とメイン基板２
と間の接合手段が１００μｍ以下の挟ピッチ実装とな
り、メイン基板２への実装が困難であった。したがっ
て、信号処理用集積回路３のピン数を減らすことが要求
されていた。
【０００７】そこで本発明は、大容量信号の通信を可能
にしつつ、信号処理用集積回路のピン数を減らすことで
小型化を図ることができる半導体装置を提供することを
目的としている。
にしつつ、信号処理用集積回路のピン数を減らすことで
小型化を図ることができる半導体装置を提供することを
目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、請求項１に記載された発明は、第１の
信号処理用集積回路が設けられた第１の基板と、第２の
信号処理用回路が設けられ前記第２の信号処理用回路を
前記第１の信号処理用回路に対向させて配置された第２
の基板と、前記第１の信号処理用集積回路上に設けら
れ、前記第１の信号処理用集積回路からの信号を光信号
に変換して発信する第１発光素子と、前記第２の信号処
理用集積回路上に設けられ、前記第２の信号処理用集積
回路からの信号を光信号に変換して発信する第２発光素
子と、前記第１の信号処理用集積回路上に設けられると
ともに、前記第２の発光素子に対向配置され、前記第２
の発光素子から受光した光信号を電気信号に変換して前
記第１の信号処理用集積回路に送る第１受光素子と、前
記第２の信号処理用集積回路上に設けられるとともに、
前記第１の発光素子に対向配置され、前記第１の発光素
子から受光した光信号を電気信号に変換して前記第２の
信号処理用集積回路に送る第２の受光素子とを備えるよ
うにした。
達成するために、請求項１に記載された発明は、第１の
信号処理用集積回路が設けられた第１の基板と、第２の
信号処理用回路が設けられ前記第２の信号処理用回路を
前記第１の信号処理用回路に対向させて配置された第２
の基板と、前記第１の信号処理用集積回路上に設けら
れ、前記第１の信号処理用集積回路からの信号を光信号
に変換して発信する第１発光素子と、前記第２の信号処
理用集積回路上に設けられ、前記第２の信号処理用集積
回路からの信号を光信号に変換して発信する第２発光素
子と、前記第１の信号処理用集積回路上に設けられると
ともに、前記第２の発光素子に対向配置され、前記第２
の発光素子から受光した光信号を電気信号に変換して前
記第１の信号処理用集積回路に送る第１受光素子と、前
記第２の信号処理用集積回路上に設けられるとともに、
前記第１の発光素子に対向配置され、前記第１の発光素
子から受光した光信号を電気信号に変換して前記第２の
信号処理用集積回路に送る第２の受光素子とを備えるよ
うにした。
【０００９】請求項２に記載された発明は、請求項１に
記載された発明において、前記第１の発光素子と前記第
２の受光素子との間、前記第２の発光素子と前記第１の
受光素子との間の少なくとも一方には光導波管が設けら
れている。
記載された発明において、前記第１の発光素子と前記第
２の受光素子との間、前記第２の発光素子と前記第１の
受光素子との間の少なくとも一方には光導波管が設けら
れている。
【００１０】請求項３に記載された発明は、請求項１に
記載された発明において、前記第１の受光素子の受光面
及び前記第２の受光素子の受光面のうち少なくとも一方
には入射した光を前記受光面上に収束する光学レンズが
設けられている。
記載された発明において、前記第１の受光素子の受光面
及び前記第２の受光素子の受光面のうち少なくとも一方
には入射した光を前記受光面上に収束する光学レンズが
設けられている。
【００１１】請求項４に記載された発明は、請求項１に
記載された発明において、前記信号処理用集積回路は前
記基板に対し接着されているとともに、ワイヤボンディ
ングにて前記基板に対して電気的に接続されている。
記載された発明において、前記信号処理用集積回路は前
記基板に対し接着されているとともに、ワイヤボンディ
ングにて前記基板に対して電気的に接続されている。
【００１２】請求項５に記載された発明は、請求項１に
記載された発明において、前記信号処理用集積回路は前
記基板に対してバンプ電極を介して接続されている。
記載された発明において、前記信号処理用集積回路は前
記基板に対してバンプ電極を介して接続されている。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施の形態
に係る半導体装置１０を示す断面図、図２は半導体装置
１０の回路図である。
に係る半導体装置１０を示す断面図、図２は半導体装置
１０の回路図である。
【００１４】半導体装置１０は、メインボード部２０
と、モジュール部３０と、後述するメイン基板２１とモ
ジュール基板３１とを位置合わせする位置合わせ用治具
４０とを備えている。
と、モジュール部３０と、後述するメイン基板２１とモ
ジュール基板３１とを位置合わせする位置合わせ用治具
４０とを備えている。
【００１５】メインボード部２０は、メイン基板２１を
備え、このメイン基板２１上には統合型ＩＣ２２が接着
剤等で固定されている。また、統合型ＩＣ２２には、レ
ーザダイオード（ＬＤ）等の面発光型の発光素子２３
と、フォトダイオード（ＰＤ）等の受光素子２４と、こ
の受光素子２４上に設けられたレンズ２５と、後述する
信号処理回路２２ａ等と接続された入出力端子２６とが
設けられている。なお、入出力端子２６とメイン基板２
１上との配線２７とはボンディングワイヤ２８にて接続
されている。
備え、このメイン基板２１上には統合型ＩＣ２２が接着
剤等で固定されている。また、統合型ＩＣ２２には、レ
ーザダイオード（ＬＤ）等の面発光型の発光素子２３
と、フォトダイオード（ＰＤ）等の受光素子２４と、こ
の受光素子２４上に設けられたレンズ２５と、後述する
信号処理回路２２ａ等と接続された入出力端子２６とが
設けられている。なお、入出力端子２６とメイン基板２
１上との配線２７とはボンディングワイヤ２８にて接続
されている。
【００１６】また、発光素子２３は、ＧａＡｓ等の材料
から形成され、導電性ペースト（加熱１５０℃、１時
間）やはんだ付け（２４０℃、１０秒）等を用いて実装
されている。特に、はんだバンプを形成しセルフアライ
メント効果を用いた高精度位置合わせ（±５μｍ程度）
が有効である。一方、受光素子２４は、半導体プロセス
で形成可能であり、統合型ＩＣ２２と同時に形成されて
いる。
から形成され、導電性ペースト（加熱１５０℃、１時
間）やはんだ付け（２４０℃、１０秒）等を用いて実装
されている。特に、はんだバンプを形成しセルフアライ
メント効果を用いた高精度位置合わせ（±５μｍ程度）
が有効である。一方、受光素子２４は、半導体プロセス
で形成可能であり、統合型ＩＣ２２と同時に形成されて
いる。
【００１７】統合型ＩＣ２２は、信号処理回路２２ａ
と、データ変換回路２２ｂと、光電変換回路２２ｃと、
この光電変換回路２２ｃからの信号を増幅し、発光素子
２３に出力する増幅回路２２ｄとを備えている。
と、データ変換回路２２ｂと、光電変換回路２２ｃと、
この光電変換回路２２ｃからの信号を増幅し、発光素子
２３に出力する増幅回路２２ｄとを備えている。
【００１８】モジュール部３０は、モジュール基板３１
を備え、このモジュール基板３１上には統合型ＩＣ３２
が接着剤等で固定されている。また、統合型ＩＣ３２に
は、レーザダイオード（ＬＤ）等の面発光型の発光素子
３３と、フォトダイオード（ＰＤ）等の受光素子３４
と、この受光素子３４上に設けられたレンズ３５と、後
述する信号処理回路３２ａ等と接続された入出力端子３
６とが設けられている。なお、入出力端子３６とモジュ
ール基板３１上との配線３７とはボンディングワイヤ３
８にて接続されている。
を備え、このモジュール基板３１上には統合型ＩＣ３２
が接着剤等で固定されている。また、統合型ＩＣ３２に
は、レーザダイオード（ＬＤ）等の面発光型の発光素子
３３と、フォトダイオード（ＰＤ）等の受光素子３４
と、この受光素子３４上に設けられたレンズ３５と、後
述する信号処理回路３２ａ等と接続された入出力端子３
６とが設けられている。なお、入出力端子３６とモジュ
ール基板３１上との配線３７とはボンディングワイヤ３
８にて接続されている。
【００１９】また、発光素子３３は、ＧａＡｓ等の材料
から形成され、導電性ペースト（加熱１５０℃、１時
間）やはんだ付け（２４０℃、１０秒）等を用いて実装
されている。特に、はんだバンプを形成しセルフアライ
メント効果を用いた高精度位置合わせ（±５μｍ程度）
が有効である。一方、受光素子３４は、半導体プロセス
で形成可能であり、統合型ＩＣ２２と同時に形成されて
いる。
から形成され、導電性ペースト（加熱１５０℃、１時
間）やはんだ付け（２４０℃、１０秒）等を用いて実装
されている。特に、はんだバンプを形成しセルフアライ
メント効果を用いた高精度位置合わせ（±５μｍ程度）
が有効である。一方、受光素子３４は、半導体プロセス
で形成可能であり、統合型ＩＣ２２と同時に形成されて
いる。
【００２０】統合型ＩＣ３２は、信号処理回路３２ａ
と、データ変換回路３２ｂと、光電変換回路３２ｃと、
この光電変換回路３２ｃからの信号を増幅し、発光素子
３３に出力する増幅回路３２ｄとを備えている。
と、データ変換回路３２ｂと、光電変換回路３２ｃと、
この光電変換回路３２ｃからの信号を増幅し、発光素子
３３に出力する増幅回路３２ｄとを備えている。
【００２１】このように構成された半導体装置１０で
は、メインボード部２０及びモジュール部３０との間で
次のようにして信号のやりとりが行われる。
は、メインボード部２０及びモジュール部３０との間で
次のようにして信号のやりとりが行われる。
【００２２】すなわち、メインボード部２０からの信号
は、信号処理回路２２ａ、光電変換回路２２ｃ、増幅回
路２２ｄを介して発光素子２３へ送られる。発光素子２
３では、電気信号を光信号に変換して発光する。発光に
より赤外線Ｒがレンズ３５を介してモジュール部３０側
の受光素子３４に入射する。この際、レンズ３５により
赤外線Ｒが収束されているので、入射効率を向上させる
ことができる。
は、信号処理回路２２ａ、光電変換回路２２ｃ、増幅回
路２２ｄを介して発光素子２３へ送られる。発光素子２
３では、電気信号を光信号に変換して発光する。発光に
より赤外線Ｒがレンズ３５を介してモジュール部３０側
の受光素子３４に入射する。この際、レンズ３５により
赤外線Ｒが収束されているので、入射効率を向上させる
ことができる。
【００２３】受光素子３４に入射した赤外線Ｒは、光信
号として検出され、電気信号に変換される。電気信号は
光電変換回路３２ｃ、信号処理回路３２ａを介してモジ
ュール部３０へ送られる。
号として検出され、電気信号に変換される。電気信号は
光電変換回路３２ｃ、信号処理回路３２ａを介してモジ
ュール部３０へ送られる。
【００２４】一方、モジュール部３０からの信号は、信
号処理回路３２ａ、光電変換回路３２ｃ、増幅回路３２
ｄを介して発光素子３３へ送られる。発光素子３３で
は、電気信号を光信号に変換して発光する。発光により
赤外線Ｒがレンズ２５を介してメインボード部２０側の
受光素子２４に入射する。この際、レンズ２５により赤
外線Ｒが収束されているので、入射効率を向上させるこ
とができる。
号処理回路３２ａ、光電変換回路３２ｃ、増幅回路３２
ｄを介して発光素子３３へ送られる。発光素子３３で
は、電気信号を光信号に変換して発光する。発光により
赤外線Ｒがレンズ２５を介してメインボード部２０側の
受光素子２４に入射する。この際、レンズ２５により赤
外線Ｒが収束されているので、入射効率を向上させるこ
とができる。
【００２５】受光素子２４に入射した赤外線Ｒは、光信
号として検出され、電気信号に変換される。電気信号は
光電変換回路２２ｃ、信号処理回路２２ａを介してメイ
ンボード部２０へ送られる。
号として検出され、電気信号に変換される。電気信号は
光電変換回路２２ｃ、信号処理回路２２ａを介してメイ
ンボード部２０へ送られる。
【００２６】上述したように本第１の実施の形態に係る
半導体装置１０によれば、メインボード部２０におい
て、発光素子２３及び受光素子２４を統合型ＩＣ２２に
直接実装するようにしたので、統合型ＩＣ２２のメイン
基板２１への実装ピン数を減らすことができるととも
に、メイン基板２１への実装面積を減らし、小型化を図
ることができる。モジュール部３０においても同様であ
る。
半導体装置１０によれば、メインボード部２０におい
て、発光素子２３及び受光素子２４を統合型ＩＣ２２に
直接実装するようにしたので、統合型ＩＣ２２のメイン
基板２１への実装ピン数を減らすことができるととも
に、メイン基板２１への実装面積を減らし、小型化を図
ることができる。モジュール部３０においても同様であ
る。
【００２７】また、レンズ２５，３５を用いて赤外線Ｒ
を収束させるようにしたので、入射光率を向上させ、感
度を増加させることができる。
を収束させるようにしたので、入射光率を向上させ、感
度を増加させることができる。
【００２８】図３は本発明の第２の実施の形態に係る半
導体装置５０を示す断面図である。なお、図３において
図１と同一機能部分には同一符号を付し、その詳細な説
明は省略する。
導体装置５０を示す断面図である。なお、図３において
図１と同一機能部分には同一符号を付し、その詳細な説
明は省略する。
【００２９】半導体装置５０が半導体装置１０と異なる
点は、発光素子２３と受光素子３４間及び発光素子３３
と受光素子２４間にそれぞれ光導波管５１，５２が設け
られ、その周囲が樹脂５３にて封止されている点にあ
る。
点は、発光素子２３と受光素子３４間及び発光素子３３
と受光素子２４間にそれぞれ光導波管５１，５２が設け
られ、その周囲が樹脂５３にて封止されている点にあ
る。
【００３０】本第２の実施の形態に係る半導体装置５０
においては、第１の実施の形態と同様の効果を得ること
ができるとともに、光導波管５１，５２を用いることで
他方の発光素子からの光干渉によるデータ処理の不具合
を防止することができる。
においては、第１の実施の形態と同様の効果を得ること
ができるとともに、光導波管５１，５２を用いることで
他方の発光素子からの光干渉によるデータ処理の不具合
を防止することができる。
【００３１】図４は本発明の第３の実施の形態に係る半
導体装置６０の要部を示す断面図である。なお、図４に
おいて図１と同一機能部分には同一符号を付し、その詳
細な説明は省略する。
導体装置６０の要部を示す断面図である。なお、図４に
おいて図１と同一機能部分には同一符号を付し、その詳
細な説明は省略する。
【００３２】半導体装置６０が半導体装置１０と異なる
点は、統合型ＩＣ２２が支持基板６１を介してメイン基
板２１に取り付けられているＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉ
ｄＡｒｒａｙ）型の半導体装置となっている点にある。
なお、入出力端子２６はボンディングワイヤ６２を介し
て支持基板６１上の電極６３に接続され、さらに支持基
板６１ははんだバンプ６４を介してメイン基板２１に取
り付けられることになる。
点は、統合型ＩＣ２２が支持基板６１を介してメイン基
板２１に取り付けられているＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉ
ｄＡｒｒａｙ）型の半導体装置となっている点にある。
なお、入出力端子２６はボンディングワイヤ６２を介し
て支持基板６１上の電極６３に接続され、さらに支持基
板６１ははんだバンプ６４を介してメイン基板２１に取
り付けられることになる。
【００３３】本第３の実施の形態に係る半導体装置６０
においても、第１の実施の形態と同様の効果を得ること
ができる。
においても、第１の実施の形態と同様の効果を得ること
ができる。
【００３４】図５は本発明の第４の実施の形態に係る半
導体装置７０の要部を示す断面図である。なお、図５に
おいて図４と同一機能部分には同一符号を付し、その詳
細な説明は省略する。
導体装置７０の要部を示す断面図である。なお、図５に
おいて図４と同一機能部分には同一符号を付し、その詳
細な説明は省略する。
【００３５】図５に示すように、統合型ＩＣ２２そのも
のをその下面にバンプ電極６７を有するフリップチップ
とすれば、メイン基板２１に統合型ＩＣ２２を直接実装
することができる。こうすることにより、わざわざボン
ディングワイヤ６２で接続する必要がなくなる。
のをその下面にバンプ電極６７を有するフリップチップ
とすれば、メイン基板２１に統合型ＩＣ２２を直接実装
することができる。こうすることにより、わざわざボン
ディングワイヤ６２で接続する必要がなくなる。
【００３６】本第４の実施の形態に係る半導体装置７０
においても、第１の実施の形態と同様の効果を得ること
ができる。
においても、第１の実施の形態と同様の効果を得ること
ができる。
【００３７】なお、本発明は前記各実施の形態に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種
々変形実施可能であるのは勿論である。
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種
々変形実施可能であるのは勿論である。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、大容量信号の通信を可
能にしつつ、信号処理用集積回路のピン数を減らすこと
で小型化を図ることが可能となる。
能にしつつ、信号処理用集積回路のピン数を減らすこと
で小型化を図ることが可能となる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を
示す断面図。
示す断面図。
【図２】同半導体装置の回路構成を示すブロック図。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を
示す断面図。
示す断面図。
【図４】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の
要部を示す図。
要部を示す図。
【図５】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の
要部を示す図。
要部を示す図。
【図６】従来の半導体装置を示す図。
１０，５０，６０，７０…半導体装置 ２０…メインボード部 ３０…モジュール部 ２１…メイン基板 ３１…モジュール基板 ２２，３２…統合型ＩＣ（信号処理用集積回路） ２３，３３…発光素子 ２４，３４…受光素子 ２５，３５…レンズ
Claims (5)
- 【請求項１】第１の信号処理用集積回路が設けられた第
１の基板と、 第２の信号処理用回路が設けられ前記第２の信号処理用
回路を前記第１の信号処理用回路に対向させて配置され
た第２の基板と、 前記第１の信号処理用集積回路上に設けられ、前記第１
の信号処理用集積回路からの信号を光信号に変換して発
信する第１発光素子と、 前記第２の信号処理用集積回路上に設けられ、前記第２
の信号処理用集積回路からの信号を光信号に変換して発
信する第２発光素子と、 前記第１の信号処理用集積回路上に設けられるととも
に、前記第２の発光素子に対向配置され、前記第２の発
光素子から受光した光信号を電気信号に変換して前記第
１の信号処理用集積回路に送る第１の受光素子と、 前記第２の信号処理用集積回路上に設けられるととも
に、前記第１の発光素子に対向配置され、前記第１の発
光素子から受光した光信号を電気信号に変換して前記第
２の信号処理用集積回路に送る第２の受光素子とを備え
ていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】前記第１の発光素子と前記第２の受光素子
との間、前記第２の発光素子と前記第１の受光素子との
間の少なくとも一方には光導波管が設けられていること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】前記第１の受光素子の受光面及び前記第２
の受光素子の受光面のうち少なくとも一方には入射した
光を前記受光面上に収束する光学レンズが設けられてい
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項４】前記信号処理用集積回路は前記基板に対し
接着されているとともに、ワイヤボンディングにて前記
基板に対して電気的に接続されていることを特徴とする
請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項５】前記信号処理用集積回路は前記基板に対し
てバンプ電極を介して接続されていることを特徴とする
請求項１に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2500399A JP2000223737A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2500399A JP2000223737A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000223737A true JP2000223737A (ja) | 2000-08-11 |
Family
ID=12153788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2500399A Pending JP2000223737A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000223737A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010512640A (ja) * | 2006-09-28 | 2010-04-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 色フィードバック及び混成通信手段を有する固体状態光源 |
-
1999
- 1999-02-02 JP JP2500399A patent/JP2000223737A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010512640A (ja) * | 2006-09-28 | 2010-04-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 色フィードバック及び混成通信手段を有する固体状態光源 |
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