JP2011091105A - 半導体レーザ用パッケージ、半導体レーザ装置及び製造方法 - Google Patents
半導体レーザ用パッケージ、半導体レーザ装置及び製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011091105A JP2011091105A JP2009241683A JP2009241683A JP2011091105A JP 2011091105 A JP2011091105 A JP 2011091105A JP 2009241683 A JP2009241683 A JP 2009241683A JP 2009241683 A JP2009241683 A JP 2009241683A JP 2011091105 A JP2011091105 A JP 2011091105A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- circuit board
- printed circuit
- die attach
- board type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】かしめ部37を有する、半導体レーザ素子搭載用のダイアタッチ部31と、プリント基板上に、半導体レーザ素子及び外部装置と電気的に接続されるためのリード38を設けた、プリント基板型リード部35とを有し、かしめ部37によって、ダイアタッチ部31とプリント基板型リード部35とが結合している半導体レーザ用パッケージ20。
【選択図】図2
Description
図2は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体レーザ用パッケージを例示する図である。図の左側は正面図、右側は側面図である。半導体レーザ用パッケージ20は、半導体レーザ素子を搭載するためのダイアタッチ部31と、プリント基板型リード部35とが結合された構造を有する。ダイアタッチ部31は、結合のためのかしめ部37を有する。かしめ部37は、ダイアタッチ部31に設けた爪状の部分であり、爪状の部分を折り曲げて加工する「かしめ加工」により、ダイアタッチ部31とプリント基板型リード部35とを結合する機能を有する。「かしめ」の加工については、〈第2の実施の形態〉において説明する。
ダイアタッチ部とプリント基板型リード部との結合構造を有する半導体レーザ用パッケージを提供することにより、パッケージ製品の性能の向上及び製品範囲の拡大を図ることができる。また、この結合構造により、生産性の向上及び製造コストの削減を図ることができる。すなわち、部品の材料の選択において、ダイアタッチ部とプリント基板型リード部のそれぞれの材質は、ほぼ独立して選択することができ、さらに、従来のガラス端子のパッケージにおけるような、ガラスの熱膨張係数に近い値の材料のみに制限されることがないので、材料選択の幅が広がり、パッケージ製品の性能の範囲を拡大できる。また、レーザ素子を、基板にではなく、金属製のダイアタッチ部に搭載する構造であるので、放熱効果の優れた、性能の高い半導体レーザ用パッケージを提供できる。また、プリント基板型リード部において、リードがプリント基板により保護されるので、従来のようなリードピン曲がりを生じることなく、品質向上を図ることができる。
図3は、本発明の第2の実施の形態に係る、半導体レーザ用パッケージの製造方法を例示する図である。製造方法の工程は、ダイアタッチ部形成工程(S301)、プリント基板型リード部形成工程(S302)、ダイアタッチ部・リード部結合工程(S303)を有する。
図3におけるダイアタッチ部形成(S301)の工程は、a.ダイアタッチ部板材金型抜き、b.ダイアタッチ部形状形成及びc.ダイアタッチ部めっきの各工程要素を有している。
図3の、プリント基板型リード部形成工程(S302)は、ダイアタッチ部形成工程(S301)から工程上の制約を受けることがないので、S301と独立に工程を進めることができ、生産性の向上を図ることができる。
図4の銅箔付き樹脂基板準備(S302A)の工程において、基板の材料は、例えば、ガラスエポキシ系樹脂を使用した銅箔付きの基板を使用する。基板の寸法は、例えば、幅340mm、長さ510mm、厚さ0.3mm〜0.6mmであり、基板を個片化してプリント基板型リード部の量産が可能である。
従来のガラス端子に使用されるリードピンとは異なって、ピンのガラス封止を行うことなく、基板上に設けられた配線リードを、リードピンとして使用することができる。
図5Aの(d)において、プリント基板型リード部55のノッチ54が、リード58が延びている方向に2個ずつ2対設けられているのは、次のような生産性向上の目的によるものである。
次に、S302Cにおいて、切断装置を使用して、基板を分割・個片化し、図5Aの(d)に示すような個片化されたプリント基板型リード部55を準備する。分割・個片化された個々のプリント基板型リード部55の寸法は、例えば、幅Wが3.0mm〜5.6mmであり、リード58の線方向の長さLが6.5mm〜20mmである。なお、パッケージの使用状態に応じて、プリント基板型リード部を、長手方向の適切な位置において、切断して使用することができる。
図3におけるダイアタッチ部・リード部結合(S303)の工程は、工程要素a.組立て、b.ダイアタッチ部・リード部のかしめ結合を有している。
「かしめ」とは、金属の接合部分を打ったり締めたりして、固くとめる加工方法であり、特に、本発明においては、ダイアタッチ部に設けた爪状の部分(図5Aの(f)のかしめ部57)を折り曲げ、プリント基板型リード部35の所定の位置において、プリント基板型リード部35の部材に対して、締め付け力をもって挟持し、また、厚さ方向にも締め付ける加工を指す。かしめ部57を90度ずつ2回折り曲げて、プリント基板型リード部35の幅方向及び厚さ方向について、締め付け力を発揮することができる。かしめ結合部は、挟持するダイアタッチ部内に発生する引張り応力と、挟持され締め付けられたプリント基板型リード部内の圧縮応力とが均衡して、強固に結合される。
ダイアタッチ部51のかしめ部57を、プリント基板型リード部55に設けたノッチ54aの位置において、ノッチに食い込ませてかしめ結合を行うことができる。
ダイアタッチ部に、プリント基板型リード用フックを設けることにより、プリント基板型リード部との結合を、一層強固にすることができる。図5Aの(f)に示すように、ダイアタッチ部51の基板型リード用フック52を、プリント基板型リード部55の上端部55aに掛けて固定する。基板型リード用フック52とダイアタッチ部51の部材との間にスリット52aが形成され、このスリット52aに、プリント基板型リード部55の上端部55a近傍の部分が、差し込まれる。このように上端部55aを、スリット52aの部分で保持することにより、ダイアタッチ部とリード部との、リードの線の長手方向の相互位置を固定する。フック固定を行うことにより、かしめ結合に加え一層強固な結合を行うことができる。
ダイアタッチ部とプリント基板型リード部とを、かしめ結合により一体化する半導体レーザ用パッケージの製造方法によって、半導体レーザ用パッケージの製品の品質を向上させ、製品の製造コストを低減し、また、製品の生産性の向上を図ることができる。すなわち、プリント基板型のリード部を用いることによって、リード曲がりの発生しない製品を提供でき、また、ダイアタッチ部、リード部ごとの適正なめっき厚の選択により、コストを削減できる。さらに、簡素化したダイアタッチ部を製造するための金型が、簡素化できるので、コスト削減を図ることができる。また、プリント基板型リード部の使用によって、生産工程の変更、立ち上げが容易にできるので、需要家からの多種にわたるパッケージ仕様の要求に対して、即応した生産をすることができ、低コストで製品の範囲拡大を図ることができる。
図6は、本発明の第3の実施の形態に係る、ファンアウトまたはファンインするリードを有するプリント基板型リード部を例示する図である。ここに「ファンアウト」は、扇が広がるように、リードの間隔が徐々に広がっていく状態を、「ファンイン」は、逆に徐々に狭まっていく状態を、表している。
半導体レーザ用パッケージのリードが、プリント基板によりその位置が確実に保持され、リードのピッチ変換が、プリント基板型リード部の半導体レーザ素子側から電気的接続用の差し込み端側に向けて、容易に、かつ、確実になされるので、半導体レーザ用パッケージの製品の利用範囲を拡大することができ、また、製品の品質・性能の向上を図ることができる。
図7は、本発明の第3の実施の形態の変形例に係る、電気的接続用の差し込み端に特徴を有するプリント基板型リード部を例示する図である。プリント基板型リード部55において、リード58は、上端部55aから下端部55bの向きにファンアウトする形状を有し、リードの長手方向の位置71において、各々のリードが平行な状態となって、電気的接続用の差し込み端72を形成している。
半導体レーザ素子用パッケージの、電子応用機器への接続の条件に応じて、電気的接続用の差し込み端の寸法・形状につき、柔軟に対応して設計製造できるので、製品の適用範囲を拡大することができる。
図8は、本発明の第4の実施の形態に係る、半導体レーザ装置81を例示する図である。半導体レーザ素子用パッケージのダイアタッチ部51上に、発光素子のレーザダイオード82及び受光素子のフォトダイオード83が搭載され、各素子が、プリント基板型リード部55のリード58と、ボンディングワイヤ84により電気的に接続されて、半導体レーザ装置81が形成される。各素子の発熱の状態に応じて、ダイアタッチ部51にヒートシンク等の熱放散用部材を設けてもよい。
かしめ結合を有する半導体レーザ素子用パッケージを使用した半導体レーザ装置を提供して、生産性の向上及びコストの低減を図ることができる。また、半導体レーザ素子を、プリント基板に接することなく、ダイアタッチ部に搭載するので、放熱効果のすぐれたレーザ装置を構成することができ、半導体レーザ素子の寿命を延ばすことができる。従って、半導体レーザ装置の、性能・品質の向上を図ることができる。
以上、本発明に係る好ましい実施の形態について詳説したが、本発明は、上述した実施の形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。
12 アイレット部
13a,22a リードピン
13b,22b アースリードピン
14 ヒートシンク
15 貫通孔(アイレット)
16 ガラス
17,23,53 半導体レーザ素子の載置領域
21a,21b リードフレームタイプパッケージ
20 半導体レーザ用パッケージ
22 リード部
24,51 ダイアタッチ部
25 タイバー
26 熱可塑性樹脂
27 ワイヤボンディング領域
37,57,67 かしめ部
50 部材
51 ダイアタッチ部
52 基板型リード用フック
52a スリット
54,54a,54b,59c,64 ノッチ
54c,54d 隙間
55,65 プリント基板型リード部
55a 上端部
55b 下端部
56 分割・個片化の切断代における中央の線
58 リード
59a,59b 縁部
60 かしめ部57の辺
71 リードの長手方向の位置
72 差し込み端
81 半導体レーザ装置
82 レーザダイオード
83 フォトダイオード
84 ボンディングワイヤ
G プリント基板型リード部の重心点
L1 ダイアタッチ部の表側の長さ
L2 プリント基板型リード部のリードの線方向の長さ
W プリント基板型リード部の幅
X かしめ部のかしめ方向
Claims (9)
- かしめ部を有する、半導体レーザ素子搭載用のダイアタッチ部と、
プリント基板上に、半導体レーザ素子及び外部装置と電気的に接続されるためのリードを設けた、プリント基板型リード部とを有し、
前記かしめ部によって、前記ダイアタッチ部と前記プリント基板型リード部とが結合している半導体レーザ用パッケージ。 - 前記プリント基板型リード部は、かしめ結合用のノッチを有していることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ用パッケージ。
- 前記ノッチの形状は、半円形、三角形、台形、長方形のいずれかの形状である請求項2記載の半導体レーザ用パッケージ。
- 複数組の前記ノッチが、前記プリント基板型リード部の重心点に関して回転対称の位置に設けられたことを特徴とする請求項2又は3記載の半導体レーザ用パッケージ。
- 前記ダイアタッチ部は、前記プリント基板型リード部との結合用のフック部を有することを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項記載の半導体レーザ用パッケージ。
- 前記プリント基板型リード部の、前記ダイアタッチ部との結合部の反対側の端部分が、電気的接続用の差し込み端を形成していることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項記載の半導体レーザ用パッケージ。
- 請求項1乃至6の何れか1項記載の半導体レーザ用パッケージに半導体レーザ素子が搭載された半導体レーザ装置。
- 半導体レーザ素子用のダイアタッチ部を形成するダイアタッチ部形成工程と、
プリント基板上に、半導体レーザ素子及び外部装置と電気的に接続されるためのリードを設けるプリント基板型リード部形成工程と、
前記ダイアタッチ部と前記プリント基板型リード部とをかしめ結合するダイアタッチ部・リード部結合工程とを有する半導体レーザ用パッケージの製造方法。 - 前記かしめ結合の方法が、前記ダイアタッチ部の有するかしめ部を、前記プリント基板型リード部の有するノッチの部分に食い込ませながらかしめるかしめ結合であることを特徴とする請求項8記載の半導体レーザ用パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009241683A JP5465508B2 (ja) | 2009-10-20 | 2009-10-20 | 半導体レーザ用パッケージ、半導体レーザ装置及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009241683A JP5465508B2 (ja) | 2009-10-20 | 2009-10-20 | 半導体レーザ用パッケージ、半導体レーザ装置及び製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011091105A true JP2011091105A (ja) | 2011-05-06 |
JP2011091105A5 JP2011091105A5 (ja) | 2012-09-06 |
JP5465508B2 JP5465508B2 (ja) | 2014-04-09 |
Family
ID=44109120
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009241683A Expired - Fee Related JP5465508B2 (ja) | 2009-10-20 | 2009-10-20 | 半導体レーザ用パッケージ、半導体レーザ装置及び製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5465508B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012141086A1 (ja) | 2011-04-15 | 2012-10-18 | 日本電気株式会社 | コンピュータシステム、コントローラ、及びネットワークアクセスポリシ制御方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02125687A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH03128982U (ja) * | 1990-04-05 | 1991-12-25 | ||
JPH044772U (ja) * | 1990-04-25 | 1992-01-16 | ||
JPH0428492U (ja) * | 1990-06-30 | 1992-03-06 | ||
JPH0964485A (ja) * | 1995-06-13 | 1997-03-07 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JPH0969584A (ja) * | 1995-08-31 | 1997-03-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 集積回路のパッケージ |
JP2000353850A (ja) * | 1999-06-11 | 2000-12-19 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2005251838A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2006086433A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Fujitsu Ltd | 光モジュール |
JP2009187983A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-20 | Shinko Electric Ind Co Ltd | レーザ素子用フレームパッケージおよびその製造方法 |
-
2009
- 2009-10-20 JP JP2009241683A patent/JP5465508B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02125687A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH03128982U (ja) * | 1990-04-05 | 1991-12-25 | ||
JPH044772U (ja) * | 1990-04-25 | 1992-01-16 | ||
JPH0428492U (ja) * | 1990-06-30 | 1992-03-06 | ||
JPH0964485A (ja) * | 1995-06-13 | 1997-03-07 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JPH0969584A (ja) * | 1995-08-31 | 1997-03-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 集積回路のパッケージ |
JP2000353850A (ja) * | 1999-06-11 | 2000-12-19 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2005251838A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2006086433A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Fujitsu Ltd | 光モジュール |
JP2009187983A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-20 | Shinko Electric Ind Co Ltd | レーザ素子用フレームパッケージおよびその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012141086A1 (ja) | 2011-04-15 | 2012-10-18 | 日本電気株式会社 | コンピュータシステム、コントローラ、及びネットワークアクセスポリシ制御方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5465508B2 (ja) | 2014-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7772036B2 (en) | Lead frame based, over-molded semiconductor package with integrated through hole technology (THT) heat spreader pin(s) and associated method of manufacturing | |
US8304294B2 (en) | Lead frame substrate and method of manufacturing the same | |
US20140151865A1 (en) | Semiconductor device packages providing enhanced exposed toe fillets | |
KR20170085500A (ko) | 개선된 컨택 핀을 구비한 qfn 패키지 | |
JP3664045B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US6617200B2 (en) | System and method for fabricating a semiconductor device | |
JP2007088160A (ja) | 半導体デバイスの製造方法、半導体デバイス、及び電子機器 | |
JP2006108306A (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体パッケージ | |
JP5465508B2 (ja) | 半導体レーザ用パッケージ、半導体レーザ装置及び製造方法 | |
JP2593702B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US7589402B2 (en) | Semiconductor module and manufacturing method thereof | |
JP2007311518A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP4534675B2 (ja) | 集積回路装置 | |
JP5334481B2 (ja) | 電池パック装置の製造方法 | |
JP6352508B2 (ja) | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 | |
JPH09312372A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5857556B2 (ja) | マルチチップ用複合リードフレーム及び半導体装置 | |
JP6923299B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP6258044B2 (ja) | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 | |
JP2022086084A (ja) | 電子回路装置の製造方法 | |
JP4654394B6 (ja) | 電子機器の製造方法及び電子回路基板 | |
JP2009054611A (ja) | 実装構造体、その製造方法、半導体装置およびその製造方法 | |
JP2006060102A (ja) | 半導体装置 | |
JP2010219087A (ja) | 表面実装部品の実装構造および実装方法 | |
JP2009231743A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120723 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120723 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130731 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130813 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131009 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140114 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140122 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5465508 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |