JPH0964485A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】環境温度の変化あるいは長時間の高温高湿下に
対して発光点の変位が小さく、光応用機器に適する樹脂
封止タイプの半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】連結一体の固定端部Ｅを複数有し、レーザ
ダイオードチップ１およびモニタフォトダイオードが固
定されている金属製の主ポスト５ｍ、および金属製の補
助ポスト５ｓとをレーザダイオードチップ１を封止し、
また前記ポストを相互に固定している透光性の封止樹脂
９と、半導体レーザ装置全体を他の装置に固定するため
の金属ベース４０とを主としてなる半導体レーザ装置で
あり、前記固定端部Ｅは封止樹脂９から突出していて、
固定端部Ｅを金属ベース４０に設けられた溝４ｇに固着
する。固定端部の金属ベースへの固着方法はかしめ（か
しめ痕Ｋ１、Ｋ２）、はんだ付けまたはスポット溶接な
どであると良い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク装置な
どに用いられる、レーザダイオードチップを樹脂封止し
てなる半導体レーザ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体レーザ装置は、光ディスク装置や
レーザビームプリンタなどの各種の光応用機器に光源と
して組み込まれて使用される。これらの装置において
は、光回折限界まで絞り込まれた光スポットを用いるこ
とが多いため、光源、すなわちレーザダイオードチップ
（以下、ＬＤチップと記す）の発光点の位置、方向は極
めて精度良く固定されている必要がある。

【０００３】図１２は、従来のキャンタイプの半導体レ
ーザ装置の要部破断図である。金属製円板のベース４に
一体化されているヒートシンクＨにはＬＤチップ１がボ
ンディングされている。ベース４には３本の金属ポスト
５が設けられおり、ＬＤチップ１およびモニタフォトダ
イオード２とワイヤ（図示してない）が電気接続のため
に接続されている。ＬＤチップ１とモニタフォトダイオ
ード２には窓７の付いた金属製キャン６が被せられてい
る。

【０００４】半導体レーザ装置を前記の光応用機器の所
定位置に取り付けるために、ベース４の外周部のＬＤチ
ップ側の円面４ｄと円筒面４ｃとが取り付けの基準面４
ｆとされている。ＬＤチップ１の発光点Ｐはこの基準面
４ｆの中心軸上の円面から一定の距離に固定され、放射
されるレーザ光の光軸は中心軸に一致している。しか
し、このようなキャンタイプの半導体レーザ装置は金属
製のベース、ヒートシンクおよびキャンの重量があり、
特に光ディスク装置の光ヘッドの軽量化と小型化に支障
があった。また、窓付きキャン等の部品が高価であっ
た。

【０００５】これらの問題を解決するため、より軽量で
低価格が可能な樹脂封止タイプの半導体レーザ装置が提
案されている。特に、多数の半導体レーザ装置を一括し
て製造できるリードフレームを製造単位とした製造方法
は、これらの目的に適している。図１３は従来の樹脂封
止タイプの半導体レーザ装置の透視斜視図である。ＬＤ
チップ１はフォトダイオードを内蔵するサブマウント３
を介して主ポスト５２ｍにボンディングされている、他
の２本の補助ポスト５２ｓはＬＤチップ１やモニタフォ
トダイオードが接続されているワイヤ（図示してない）
が電気接続されている。主ポスト５２ｍおよび補助ポス
ト５２ｓは同じリードフレームから分離されたものであ
り、同一平面上にある。ＬＤチップ１は透光性の封止樹
脂９により封止され、また封止樹脂９は各ポスト５２
ｍ、５２ｓの相対位置を固定している。光応用機器に対
してキャンタイプの半導体レーザ装置との互換性が必要
な場合には、封止樹脂９の外形の鍔部４１の外周部はキ
ャンタイプの半導体レーザ装置のベースの基準面４ｆと
一致させる。

【０００６】樹脂封止タイプの半導体レーザ装置は形状
の自由度の大きいことが特徴であり、適用される光応用
機器に対応した外形とすることができるが、いずれにせ
よ、機器への取り付け基準面は必要である。上記のキャ
ンタイプまたは樹脂封止タイプの互換型の半導体レーザ
装置が光応用機器に取り付けられる場合、通常は、ＬＤ
チップ位置の微調整が可能なように、光応用機器に対応
した金属製のアダプタを介して取り付けられることが多
い。図１４はアダプタと組み合わせられた半導体レーザ
装置との光軸を含む面での断面図である。半導体レーザ
装置は接着剤によりアダプタＡに固定される。アダプタ
Ａは、光軸Ｚを中心として回転できるように、外形は円
筒状であることが多く、光軸Ｚと円筒の中心軸とが一致
するように組み立てられる。

【０００７】実際には、接着剤の接着力は等方的ではな
く、キャンタイプの半導体レーザ装置がアダプタに組み
込まれた場合でも、環境温度の変化あるいは長時間の高
温高湿下での経過による接着剤の変質により、アダプタ
Ａに対してベース４は僅かながら変位し、従って、発光
点が変位することがある。通常はこの変位は実用上問題
とならない程度である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、樹脂封止タイ
プの半導体レーザ装置の場合は、封止樹脂より熱膨張係
数の小さい金属ポストがベース円の中心軸に対して点対
称ではなく配置されているため、ＬＤチップへの通電に
よるチップ周辺の樹脂の温度上昇、または環境温度の変
化による熱膨張あるいは高温高湿中での長時間放置後の
封止樹脂表面の変質などにより、発光点位置が変動する
という問題が生ずる。

【０００９】その対策として、主ポストが封止樹脂から
突き出した形状の樹脂封止タイプの半導体レーザ装置
が、その主ポストの両端をアダプタに接着剤により接着
される方法が試みられた。図１５は主ポストが封止樹脂
から突き出した形状の、ベースを有しない樹脂封止タイ
プの半導体レーザ装置の透視斜視図である。主ポスト５
ｍが封止樹脂９から突き出している２つの固定端部Ｅを
有している。封止樹脂９の形状が略直方体である点以外
は前記の樹脂封止タイプの半導体レーザ装置と同じなの
で符号を同じとした。この場合でも、２つの固定端部Ｅ
のアダプタＡへの接着面積が小さく、また接着力が両方
で等しくならず、この樹脂封止タイプの半導体レーザ装
置の耐湿試験における発光点位置は移動は小さくはなか
った。

【００１０】本発明は、上記の問題に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、環境温度の変化あるいは長時間
の高温高湿下での経過によりアダプタに対する発光点の
変位が、キャンタイプと同様に小さく、光応用機器に適
する樹脂封止タイプの半導体レーザ装置を提供すること
にある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、連結一体の固定端部を複数有し、レーザダイオー
ドチップおよびモニタフォトダイオードが固定されてい
る金属製の主ポストおよび主ポストとは分離されている
金属製の補助ポストと、レーザダイオードチップを封止
し、また前記ポストを相互に固定している透光性の封止
樹脂と、半導体レーザ装置全体を他の装置に固定するた
めの金属ベースとを主としてなる半導体レーザ装置であ
り、前記固定端部は封止樹脂から突出していて、固定端
部のみが金属ベースに固着され、前記封止樹脂は金属ベ
ースに接触していないこととする。

【００１２】または、連結一体の固定端部を複数有し、
レーザダイオードチップおよびモニタフォトダイオード
が固定されている金属製の主ポストおよび主ポストとは
分離されている金属製の補助ポストと、レーザダイオー
ドチップを封止し、また前記ポストを相互に固定してい
る透光性の封止樹脂と、半導体レーザ装置全体を他の装
置に固定するための金属ベースとを主としてなる半導体
レーザ装置であり、前記固定端部は封止樹脂から突出し
ていて、固定端部は金属ベースに固着され、かつ前記封
止樹脂は少なくとも金属ベースの内側面に固着されてい
ることとする。

【００１３】前記封止樹脂と金属ベースの内側面との固
着は、樹脂固定端部が金属ベースに固着された後、樹脂
封止されることによってなされていると良い。前記、固
定端部と前記金属ベースとの固着はかしめによってなさ
れると良い。前記、固定端部と前記金属ベースとの固着
はハンダ付けによってなされると良い。

【００１４】前記、固定端部と前記金属ベースとの固着
はスポット溶接によってなされると良い。前記、固定端
部と前記金属ベースとの固着は固定端部と前記金属ベー
スの間に打ち込まれたくさびによってなされていると良
い。前記かしめは固定端部の両面側になされていると良
い。

【００１５】本発明によれば、樹脂封止タイプの半導体
レーザ装置は、連結一体の固定端部を複数有し、レーザ
ダイオードチップおよびモニタフォトダイオードが固定
されている金属製の主ポストおよび主ポストとは分離さ
れている金属製の補助ポストと、レーザダイオードチッ
プを封止しまた前記ポストを相互に固定している透光性
の封止樹脂と、半導体レーザ装置全体を他の装置に固定
するための金属ベースとを主としてなる半導体レーザ装
置であり、前記固定端部は封止樹脂から突出していて、
固定端部のみが金属ベースに固着され、前記封止樹脂は
金属ベースに接触していないようにしたため、環境温度
変化に対しては、金属ベースと固定端部との間には金属
より大きい熱膨張係数の材質が介在しないので、金属ベ
ースと固定端部の金属の熱膨張係数の差に応じた、発光
点の変動しかせず、また、封止樹脂は金属ベースに接触
していないので、封止樹脂が金属ベースを押して反作用
により封止樹脂自体すなわち発光点が移動するというこ
とも起こらない。これは従来のキャンタイプの半導体レ
ーザ装置の場合に同じ程度である。

【００１６】あるいは、同じ構成であるが、前記固定端
部は封止樹脂から突出していて、固定端部は金属ベース
に固着され、かつ前記封止樹脂は少なくとも金属ベース
の内側面に固着されているものとしたため、封止樹脂は
光軸に略円対称にベースに密着固定されており、さらに
固定端部もベースに固定されているので、温度変化や高
湿度による樹脂の変質の影響を受けにくく、発光点の変
動は小さい。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づき、本発明の実
施例について説明する。 実施例１ 図１は本発明に係る半導体レーザ装置を示し、（ａ）は
光放射側からみた透視平面図であり、（ｂ）は（ａ）に
おけるＸ−Ｘ断面図である。

【００１８】本発明の半導体レーザ装置は、図示してな
い端面破壊防止層を形成したＬＤチップ１がサブマウン
ト３を介して、略十字架状の主ポスト５ｍの上方に固定
されている。そして、透明エポキシ樹脂などが用いられ
る封止樹脂９は、ＬＤチップ１を被覆し、主ポスト５ｍ
と他の２本の補助ポスト５ｓとを互いに固定している。
ＬＤチップ１およびサブマウント３に内蔵されているフ
ォトダイオードはワイヤ（図示してない）により電気接
続のために各ポストに接続されている。３本のポストは
外部との電気接続のため封止樹脂９から突き出ている。
主ポスト５ｍの左右の腕の先端は固定端部Ｅとして封止
樹脂９から突き出ている。主ポスト５ｍ、固定端部Ｅお
よび補助ポスト５ｓは１枚のリードフレームから切断分
離されたものである。

【００１９】ベース４０は断面が長方形の円環状であ
り、内側に２つの溝４ｇが付けられている。これらの溝
４ｇには主ポスト５ｍの固定端部Ｅが挿入された後、固
着される。この実施例では、主ポスト５ｍの固定端部Ｅ
のベース４０への固着方法をかしめとした。

【００２０】かしめの場合、ベース４０の材質はポスト
の材質銅合金と熱膨張係数があまり違わないアルミニウ
ムとし、熱膨張係数の違いによって、主ポスト５ｍとベ
ース４とに熱歪みが生じ、発光点が移動することを避け
た。リードフレームを他の金属、例えば、鉄ニッケル合
金とする場合は、ベースも同じ鉄ニッケル合金とすると
良い。

【００２１】かしめはベース４０の表側（レーザ光出射
面方向）と裏側（ポスト側）とから行われ、かしめ痕Ｋ
１、Ｋ２が残る。ベース４０の厚さ1.2 mmに対し、かし
め深さは、表側（かしめ痕Ｋ１）0.6mm 、裏側（かしめ
痕Ｋ２）を0.4 mmとレーザ光出射面方向を深くし、発光
点に近い深い側を先にかしめて、発光点位置を精度良く
定め、後から裏側のかしめを追加し保持力を高めた。

【００２２】この半導体レーザ装置をコンパクトディス
ク用光ピックアップ用の円筒状のアダプタＡに取り付け
（図１４参照）、光ピックアップをコンパクトディスク
装置に装着し、この半導体レーザ装置の耐湿試験前後の
発光点移動を調べた。アダプタへの取り付けは接着剤を
用いた。発光点移動を実際に測定することは困難なの
で、次の方法により間接測定とした。発光点から放射さ
れるビームを凸レンズを通してディスクに合焦させ、デ
ィスクから反射された逆行するビームを同じレンズを通
してから、発光点の像として４分割フォトダイオードで
受光し、各フォトダイオードの受光量から全受光量の重
心を算出し、この重心を発光点の位置に対応させた。発
光点の初期位置が、全受光量の重心が４分割フォトダイ
オード（各ダイオードは長方形）の４隅が集まっている
位置であるように、アダプタを微調整しておき、耐湿試
験後の重心と比較する。

【００２３】比較のため、固定端部Ｅをベースに接着剤
を用いて接着した場合の発光点移動も測定した。図２は
コンパクトディスク装置に装着した半導体レーザ装置の
耐湿試験前後の発光点移動を示し、（ａ）は本発明の半
導体レーザ装置のグラフであり（ｂ）は固定端部をアダ
プタに接着剤を用いて接着した半導体レーザ装置のグラ
フである。正規領域Ｒは、発光点移動がこの正規領域Ｒ
内にあれば、ディスクへの光スポットのピットへのトラ
ッキング制御が確実に行われることに対応する。図２か
ら、耐湿試験後、比較例では発光点移動は正規領域Ｒか
ら大きく外れているが、本実施例の発光点移動は正規領
域Ｒに充分納まっていることが判る。本発明に係る半導
体レーザ装置５００個についてのこの試験における不良
率は１０％であった。 実施例２ 図３は本発明に係る他の樹脂モールド型半導体レーザ装
置を示し、（ａ）は光放射側からみた透視平面図であ
り、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図である。実施
例１と異なる点は、固定端部Ｅの両側ともかしめてある
ことである。かしめ痕Ｋ３（ベース表側）およびかしめ
痕Ｋ４（ベス裏側）が新たに追加されたかしめである。
他の符号は実施例１と同じなので説明を省略する。

【００２４】実施例１と同様の試験結果であったが、耐
湿試験後の不良率は約８％と向上がみられた。 実施例３ 図４は本発明に係る別の樹脂モールド型半導体レーザ装
置を示し、（ａ）は光放射側からみた透視平面図であ
り、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図である。実施
例２と異なる点は、固定端部の縦幅をベース４０の厚さ
より小さくしてあることである。

【００２５】図５は拡大されたかしめ部の片側を示し、
（ａ）はこの実施例のかしめ部の断面図であり、（ｂ）
この実施例２のかしめ部の断面図である。固定端部Ｅ１
のかしめ対応部はベースの表側面より0.4 mmの深さと裏
側面より0.25mmの深さにし、かしめ深さを表側（かしめ
痕Ｋ１）0.6mm 、裏側（かしめ痕Ｋ２）を0.4mm とした
ので、固定端部の端面とベースの表面との間に段差Ｓｔ
ができ、かしめによるベースの変形部分４２が固定端部
Ｅ１を上下から包み込むように抑えるので、固定強度が
増した。さらに、固定端部Ｅの端面とベースの表面が一
致していている場合（図５（ｂ））は、かしめによって
ベースの変形の一部が表面に盛り上がり、凸部４３が生
じてしまい基準面としての寸法精度が低下することがあ
ったが、この実施例ではかしめによる変形４２が溝の中
で生じるので、ベース表面の変形を抑えることができ、
基準面の寸法精度は変わらなかった。 実施例４ 図６は本発明に係る別の半導体レーザ装置を示し、
（ａ）は光放射側からみた透視平面図であり、（ｂ）は
（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図である。この実施例では、
ベース４０に設けられた溝４ｇに固定端部Ｅを圧入した
後、固定端部Ｅと溝４ｇの隙間にくさびＵをベース４０
の裏側より圧入することにより、固定端部Ｅをベースリ
ングに固定した。固定端部Ｅと溝の隙間にくさびＵとの
関係には２種類ある。溝の１面は発光位置を定めている
基準面であり、対向する他の面の稜にくさびの傾斜面を
当てる場合と、対向する他の面にくさびの稜を当てる場
合である。図７は拡大されたくさび付近を示し、（ａ）
は溝面の稜にくさびを当てた場合の断面図であり、
（ｂ）は傾斜溝面にくさびを当てた場合の断面図であ
る。Ｕ１は傾斜面を持つくさび、Ｒ１は固定端部Ｅと溝
の隙間、Ｕ２はくさび、Ｒ２は固定端部Ｅと傾斜面を持
つ溝そしてＵ２はくさびである。

【００２６】実施例１と同様に光ピックアップに装着
し、耐湿試験前後の発光点移動を測定したところ、いず
れの場合の半導体レーザ装置においても実施例１と同じ
程度の発光点移動に収まり、実用可能であった。 実施例５ この実施例は固定端部のベースへの固定をはんだ付けと
した場合である。

【００２７】図８は本発明に係る別の半導体レーザ装置
の光放射側からみた透視平面図である。ベース４０の金
属を銅とし、固定端部Ｅのベースへの取り付けをはんだ
付け（はんだ付け部Ｓ）とした。はんだはスズ４０％、
鉛６０％の組成とした。ベース４０の溝部４ｇおよび両
固定端部Ｅに予備はんだを施しておき、両固定端部Ｅを
溝部４ｇに挿入した後、はんだが融ける温度に加熱、冷
却して、半導体レーザ装置を作製した。主ポストの加熱
は、封止樹脂が変形しないように、短時間とした。

【００２８】実施例１と同様に光ピックアップに装着
し、耐湿試験前後の発光点移動を測定したところ、実施
例１と同じ程度の発光点移動であり、実用可能であっ
た。 実施例６ この実施例は固定端部をベースにスポット溶接により固
定した場合であり、リードフレームおよびベースの材質
として鉄とニッケルの合金などスポット溶接が可能な材
質の場合に実施できる。

【００２９】図９は本発明に係る別の半導体レーザ装置
を示し、（ａ）は光放射側からみた透視平面図であり、
（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図である。固定端部
Ｅ２の一部を垂直に折り曲げておき、固定端部Ｅ２をベ
ース４０の溝に挿入して、その部分をベース裏面に密着
させ、外側からスポット溶接をした。Ｓｐがスポット溶
接である。

【００３０】ベース４０の表側から、かしめを行ってか
ら、スポット溶接をしてもよい。実施例１と同様に光ピ
ックアップに装着し、耐湿試験前後の発光点移動を測定
したところ、実施例１と同じ程度の発光点移動であり、
実用可能であった。上記の実施例は全て、樹脂封止が終
了してから、個別にベースと固定端部を固着した例であ
るが、工程順を変えベースと固定端部を固着したあと、
樹脂封止し、個別の半導体レーザ装置とすることも可能
である。この場合、固定端部、各ポストは１枚のリード
フレームに連結形成されている。 実施例７ 個別の樹脂封止の場合と同様、固定端部を有する主ポス
ト、補助ポストの複数組が連結形成されているリードフ
レーム状態で、レーザーダイオードチップおよびフォト
ダイオードを主ポストにボンディングしこれらから金ワ
イヤを補助ポストにワイヤボンディングしておく。

【００３１】次に、金属製のベースを各固定端部に装着
し、ベースの表側、裏側からかしめた。次に、金型を用
い、エポキシ樹脂で１リードフレーム分を一括封止した
後、一括切断して、個別化した。図１０は本発明に係る
別の半導体レーザ装置を示し、（ａ）は光放射側からみ
た透視平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ断
面図である。実施例１の図１と封止樹脂の形状が異なる
だけなので符号の説明は省略する。

【００３２】実施例１では封止樹脂はベースに接触して
いないが、この実施例では封止樹脂９１はベース４０の
内側円筒面に密着している点が異なっている。このよう
に、封止樹脂９１は、光軸に略円対称にベース４０に密
着固定されており、さらに固定端部Ｅもベースに固定さ
れているので、高温環境あるいは高湿度環境下において
も、発光点移動は小さいことが期待できる。

【００３３】実施例１と同様に光ピックアップに装着
し、耐湿試験前後の発光点移動を測定したところ、実施
例１と同じ程度の発光点移動であり、実用可能であっ
た。 実施例８ 固定端部のベースへの固定をくさびによった他は実施例
７と同様にして半導体レーザ装置を作製した。

【００３４】図１１は本発明に係る別の半導体レーザ装
置を示し、（ａ）は光放射側からみた透視平面図であ
り、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図である。実施
例４の図６とは封止樹脂９１の形状が異なるだけなので
符号の説明は省略する。この実施例と実施例４の関係
は、実施例７と実施例１の関係に同じであり、実施例１
と同様に光ピックアップに装着し、耐湿試験前後の発光
点移動を測定したところ、実施例１と同じ程度の発光点
移動であり、実用可能であった。

【００３５】以上、ＣＤ用アダプタに装着した場合につ
いて述べたが、同様に、従来キャンタイプが用いられて
いた光応用機器に、本発明の樹脂封止タイプの半導体レ
ーザ装置が使用可能となる。当然，光応用機器への適用
において，従来のキャンタイプと同様の基準面があれば
よいから、これら実施例に記載したベースではなく、光
応用機器に固有のアダプタに対しても、本発明の手法は
適用できる。

【００３６】

【発明の効果】本発明の半導体レーザ装置は、連結一体
の固定端部を複数有し、レーザダイオードチップおよび
モニタフォトダイオードが固定されている金属製の主ポ
ストおよび主ポストとは分離されている金属製の補助ポ
ストと、レーザダイオードチップを封止しまた前記ポス
トを相互に固定している透光性の封止樹脂と、半導体レ
ーザ装置全体を他の装置に固定するための金属ベースと
を主としてなる半導体レーザ装置であり、前記固定端部
は封止樹脂から突出していて、固定端部のみが金属ベー
スに金属のみを介して固着され、前記封止樹脂は金属ベ
ースに接触していないものとしたので、金属ベースと発
光点との間に熱膨張係数の大きな封止樹脂や接着剤など
が介在しないため、あるいは、同じ構成であるが、前記
固定端部は封止樹脂から突出していて、固定端部は金属
ベースに固着され、かつ前記封止樹脂は少なくとも金属
ベースの内側面に固着されているものとしたので、封止
樹脂は光軸に略円対称にベースに密着固定されており、
さらに固定端部Ｅもベースに固定されているので、どち
らの場合も環境による発光点の移動の問題と、機器への
装着の問題とを同時に解決することができ、低価格で優
れた点の多い樹脂封止タイプの半導体レーザ装置の利用
範囲をさらに拡大することを可能としたものである。

【００３７】また、本発明の半導体レーザ装置は樹脂封
止でありながら主ポストはベースと電気接続されてお
り、ベースの形状がキャンタイプと同じなので、キャン
タイプと同じ取り扱いで、容易に機器への装着が可能で
ある。さらに、本発明により、適用する光応用機器に応
じて、金属ベースとアダプタの機能を同時に満たす形状
のアダプタを用いることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体レーザ装置を示し、（ａ）
は光放射側からみた透視平面図、（ｂ）は（ａ）におけ
るＸ−Ｘ断面図

【図２】コンパクトディスク装置に装着した半導体レー
ザ装置の耐湿試験前後の発光点移動を示し、（ａ）は本
発明の半導体レーザ装置のグラフ、（ｂ）は固定端部を
アダプタに接着剤を用いて接着した半導体レーザ装置の
グラフ

【図３】本発明に係る他の樹脂モールド型半導体レーザ
装置を示し、（ａ）は光放射側からみた透視平面図、
（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図

【図４】本発明に係る別の樹脂モールド型半導体レーザ
装置を示し、（ａ）は光放射側からみた透視平面図、
（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図

【図５】拡大されたかしめ部の片側を示し、（ａ）はこ
の実施例のかしめ部の断面図、（ｂ）この実施例２のか
しめ部の断面図

【図６】本発明に係る別の半導体レーザ装置を示し、
（ａ）は光放射側からみた透視平面図、（ｂ）は（ａ）
におけるＸ−Ｘ断面図

【図７】拡大されたくさび付近を示し、（ａ）は溝面の
稜にくさびを当てた場合の断面図、（ｂ）は傾斜溝面に
くさびを当てた場合の断面図

【図８】本発明に係る別の半導体レーザ装置の光放射側
からみた透視平面図

【図９】本発明に係る別の半導体レーザ装置を示し、
（ａ）は光放射側からみた透視平面図、（ｂ）は（ａ）
におけるＸ−Ｘ断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＹ−Ｙ
断面図

【図１０】本発明に係る別の半導体レーザ装置を示し、
（ａ）は光放射側からみた透視平面図、（ｂ）は（ａ）
におけるＸ−Ｘ断面図

【図１１】本発明に係る別の半導体レーザ装置を示し、
（ａ）は光放射側からみた透視平面図、（ｂ）は（ａ）
におけるＸ−Ｘ断面図

【図１２】従来のキャンタイプの半導体レーザ装置の要
部破断図

【図１３】従来の樹脂封止タイプ半導体レーザ装置の透
視斜視図

【図１４】アダプタと組み合わせられたキャンタイプの
半導体レーザ装置の光軸を含む面での断面図

【図１５】主ポストが封止樹脂から突き出した形状の、
ベースを有しない樹脂封止タイプの半導体レーザ装置の
透視斜視図

【符号の説明】

１ ＬＤチップ ２ フォトダイオード ３ サブマウント Ｈ ヒートシンク ４ ベース ４０ ベース ４ｄ 円面 ４ｃ 円筒面 ４ｆ 基準面 ４１ 鍔部 ４２ 変形部分 ４３ 凸部 ４ｇ 溝部 ５ ポスト ５ｍ 主ポスト ５ｓ 補助ポスト ５２ｍ主ポスト ５２ｓ補助ポスト Ｅ 固定端部 Ｅ１ 固定端部 ６ キャン ７ 窓 ９ 封止樹脂 ９１ 封止樹脂 Ａ アダプタ Ｌ レーザ光 Ｐ 発光点 Ｒ１ 隙間 Ｒ２ 隙間 Ｓ はんだ付け部 Ｓｐ スポット溶接部 Ｕ くさび Ｕ１ くさび Ｕ２ くさび Ｚ 光軸

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】連結一体の固定端部を複数有し、レーザダ
   イオードチップおよびモニタフォトダイオードが固定さ
   れている金属製の主ポストおよび主ポストとは分離され
   ている金属製の補助ポストと、レーザダイオードチップ
   を封止し、また前記ポストを相互に固定している透光性
   の封止樹脂と、半導体レーザ装置全体を他の装置に固定
   するための金属ベースとを主としてなる半導体レーザ装
   置であり、前記固定端部は封止樹脂から突出していて、
   固定端部のみが金属ベースに固着され、前記封止樹脂は
   金属ベースに接触していないことを特徴とする半導体レ
   ーザ装置。
2. 【請求項２】連結一体の固定端部を複数有し、レーザダ
   イオードチップおよびモニタフォトダイオードが固定さ
   れている金属製の主ポストおよび主ポストとは分離され
   ている金属製の補助ポストと、レーザダイオードチップ
   を封止し、また前記ポストを相互に固定している透光性
   の封止樹脂と、半導体レーザ装置全体を他の装置に固定
   するための金属ベースとを主としてなる半導体レーザ装
   置であり、前記固定端部は封止樹脂から突出していて、
   固定端部は金属ベースに固着され、かつ前記封止樹脂は
   少なくとも金属ベースの内側面に固着されていることを
   特徴とする半導体レーザ装置。
3. 【請求項３】請求項２に記載の半導体レーザ装置におい
   て、封止樹脂と金属ベースの内側面との固着は、樹脂固
   定端部が金属ベースに固着された後、樹脂封止されるこ
   とによってなされていることを特徴とする半導体レーザ
   装置。
4. 【請求項４】請求項１ないし３に記載の半導体レーザ装
   置において、固定端部と前記金属ベースとの固着はかし
   めによってなされていることを特徴とする半導体レーザ
   装置。
5. 【請求項５】請求項１ないし３に記載の半導体レーザ装
   置において、固定端部と前記金属ベースとの固着がハン
   ダ付けによってなされていることを特徴とする半導体レ
   ーザ装置。
6. 【請求項６】請求項１ないし３に記載の半導体レーザ装
   置において、固定端部と前記金属ベースとの固着がスポ
   ット溶接によってなされていることを特徴とする半導体
   レーザ装置。
7. 【請求項７】請求項１ないし３に記載の半導体レーザ装
   置において、固定端部と前記金属ベースとの固着が固定
   端部と前記金属ベースの間に打ち込まれたくさびによっ
   てなされていることを特徴とする半導体レーザ装置。
8. 【請求項８】請求項４に記載の半導体レーザ装置におい
   て、かしめが固定端部の両面側になされていることを特
   徴とする半導体レーザ装置。