JP4105053B2 - 半導体レーザ装置、その製造方法、及びこの半導体レーザ装置を用いたピックアップ - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体に記録された情報を読み取る光ピックアップ装置等に用いることができる半導体レーザ装置、その製造方法、及びこの半導体レーザ装置を用いたピックアップに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＤ−ＲＯＭやＭＤ（ミニディスク）などの光ディスクを備えた光メモリ装置に使用され、光ディスクの信号を読み取る光ピックアップ装置において、ホログラムレーザ方式の半導体レーザ装置が知られている。
【０００３】
このような半導体レーザ装置は、１つのパッケージに半導体レーザ素子とホログラム素子と信号受光素子とを組み込んでおき、半導体レーザから光線を出射し、光ディスクから反射して戻ってきた光線をホログラム素子により回折させて、その光線を光軸から離れた場所に配置された受光素子に導くものである。
【０００４】
このようなホログラムレーザ方式の半導体レーザ装置としては、特開平６−５９９０号公報に開示された、図２に示すようなものが商品化されている。図２のパッケージでは、ステム２０１に、ＬＤ素子や信号受光素子等（図示せず）を搭載し、キャップ２０２を被せてＬＤ素子や信号受光素子等を覆い、キャップ２０２の上にホログラム素子２０３を取り付けている。内部素子への電源供給と外部への信号取り出しとはリード２０８により行われる。
【０００５】
図２のパッケージは、円盤体から対向する一対の円弧状部分を切り欠いた形状に構成することで、パッケージの薄型化を図っている。
【０００６】
図２の構造のパッケージには、ステム２０１にリード挿通用貫通孔を複数個設け、これらの貫通孔へリード２０８を１本ずつ挿入して絶縁物で封止するため、製造方法が複雑でパッケージ及び製品のコストが高くなるという欠点があった。
【０００７】
これに対して、近年、光ピックアップ装置の低価格化を図るために、パッケージを樹脂化し、リードをフレーム状態にして製造することで、パッケージの低価格化を図ったものが注目されている。
【０００８】
図３は、特開２０００−１９６１７６号公報に開示された、その種のパッケージを示している。図３のパッケージの作り方を、図４を用いて説明する。
【０００９】
先ず、帯状の金属板材料（フープ材）にプレス打ち抜きやエッチングを施すことで、素子搭載部４０１とリード部４０２とを形成し、リードフレーム４０４を作る。このとき、素子搭載部４０１とリード部４０２とは、桟（フレーム）４０３によって、前後へ何重にも繰り返された形状となり、互いにつながっている。
【００１０】
次に、リードフレーム４０４に樹脂をインサート成形し、リード部４０２と素子搭載部４０１とを保持するための枠体４０５を作る。その後、リード部４０２と桟４０３との間でパッケージ４０６に個品切断する。
【００１１】
このような製造方法によれば、図２のパッケージでリードピンを１本ずつ貫通孔に挿入しガラス封止していたのに比べ、プレス打ち抜き→成形→切断による、大量生産に適した連続工程で製造できるため、大幅なコストダウンを行うことができる。
【００１２】
その後、パッケージ４０６の素子搭載部にＬＤ素子４０７、反射ミラー４０８、信号受光素子４０９を搭載し、Ａｕワイヤ４１０をワイヤボンドにより配線する。次いで、ＬＤ素子４０７を発光させて数時間の高温通電を行い、不良のＬＤ素子４０７をスクリーニングし、発光特性検査を行った後にホログラム素子（図３の３０４）を固定する。
【００１３】
このとき、ホログラム素子３０４は図２のパッケージにおけるキャップの役割も兼用しているので、部品点数の減少によりコストダウンが実現している。
【００１４】
ホログラム素子３０４を固定した後、実際に通電して、基準ディスクからの受光信号を見ることで電気的・光学的特性を測定して良品を選別し、半導体レーザ装置が完成する。
【００１５】
なお、ここでは、ＬＤ素子４０７は端面発光のＬＤ素子としていることから、光軸を９０度曲げるために反射ミラー４０８を搭載しているが、面発光のＬＤ素子であれば、反射ミラー４０８は不要である。また、ＬＤ素子４０７をアイランドプレート４０１に直接搭載しているが、光出力を制御するためのモニタフォトダイオードを内蔵したサブマウントを介して搭載する場合が多い。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
半導体レーザ装置は一般に、ピックアップに取り付けする際の光軸調整を容易にするために、図２のステム２０１や図３の円弧部３０１のように、パッケージ外形は円弧部を含み、その円弧の中心に光軸を配置する。
【００１７】
一般に、パッケージの外形サイズが同じであれば、取付基準面となる円弧部は、その曲率半径が大きいほど光軸の位置出し精度が高くなる。
【００１８】
図２の従来例では、パッケージの外形の一部が円弧になっている。図３の従来例では、フープ材から作り出しているために、リードがパッケージの外側に延び、円弧部３０１はパッケージの外形よりもかなり内側になっている。
【００１９】
すなわち、パッケージが同サイズであれば、図３のものよりも図２のものの方がピックアップに精度よく取り付けることができる。一方、製造の面からは、図３のものの方が図２のものよりも安価に製造することができる。
【００２０】
また、図３のタイプのパッケージでは、アウターリード部をＦＰＣにはんだ付けで取り付けるが、リード間のピッチが狭いと隣接するリードどうしにはんだブリッジが発生しやすく、はんだ付け作業が困難である。さらに、はんだ付け時にフラックスが揮発して半導体レーザ装置内部を汚染する恐れがある。
【００２１】
本発明は、このような現状に鑑みてなされたものであって、図３の従来例のように安価に製造することができ、かつ、図２の従来例のように取付精度がよく、しかも、はんだ付けが容易である半導体レーザ装置、その製造方法、及びそのような半導体レーザ装置を用いたピックアップを提供することを課題とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の観点によれば、平面形状が略長方形である絶縁性パッケージの対向二面にそれぞれ、パッケージの内部から外部へかけて複数配置された配線用リードを備え、パッケージの内部または上部に、半導体レーザ素子、反射ミラー、信号受光素子、及び、前記半導体レーザから出射され外部情報が記録された反射体で反射された光を分岐する光学素子を備え、パッケージの内部で、前記リードに前記半導体レーザ素子及び前記受光素子の電極がワイヤ接続されてなる半導体レーザ装置であって、前記リードは、パッケージの長辺に沿って延設され、かつ、相互間隔がそのインナーリード部よりもアウターリード部で広くなるようにされ、さらに、パッケージの外側で裏面方向へ折り曲げられているとともに、前記リードは、素子搭載部の板厚をより厚くしたリードフレームの一部からなり、かつ、反射ミラー／信号受光素子搭載部の樹脂とパッケージの側壁とが分離されていることを特徴とする半導体レーザ装置が提供される。
【００２３】
このような半導体レーザ装置によれば、リードは、パッケージの長辺に沿って延設され、かつ、相互間隔がそのインナーリード部よりもアウターリード部で広くなるようにされ、さらに、パッケージの外側で裏面方向へ折り曲げられているので、はんだ付けが容易になるとともに、リードがパッケージの外側へ余分に延びることがなく、パッケージの最も外側の部分を円弧形状の基準面として利用することが可能となり、円弧の曲率半径を大きく取ることができ、ピックアップへ取り付けたときの光軸出しの精度がよくなる。
【００２４】
前記リードは、パッケージの内部から外部へ出る前の部分で、相互間隔が内部よりも外部で広くされているのが好ましい。
【００２５】
このように構成されている場合には、リード間ピッチをパッケージの内部よりも外部でいっそう拡大することができるので、はんだ付けが容易になる。
【００２６】
前記リードは、パッケージの内部から外部へ出た後の部分で、相互間隔が内部よりも外部で広くされているのが好ましい。
【００２７】
このように構成されている場合には、リード間ピッチをパッケージの内部よりも外部でいっそう拡大することができるので、はんだ付けが容易になる。ここで、前記リードの相互間隔が、パッケージの内部から外部へ出る前の部分においても内部よりも外部で広くされているときには、前記リードの相互間隔を２段階で広くすることが可能になるので、はんだ付けがいっそう容易になる。
【００２８】
上記のように、前記リードは、素子搭載部の板厚をより厚くしたリードフレームの一部からなり、かつ、反射ミラー／信号受光素子搭載部の樹脂とパッケージの側壁とが分離されている。
【００２９】
前記リードがこのように構成されているので、パッケージを構成する樹脂が熱履歴を経て膨張／収縮しても、反射ミラーや信号受光素子が素子搭載部に対し動くことがない。
【００３０】
本発明の半導体レーザ装置にあっては、前記リードをパッケージの内側部分と外側部分とに仕切る仕切壁がさらに設けられているのが好ましい。
【００３１】
このように構成されている場合には、はんだ付け時にフラックスガスがパッケージ内部に侵入するのを防ぐことができる。
【００３２】
この仕切壁は、インナーリード部へのワイヤボンド時にキャピラリが干渉しない位置及び高さに設けられているのが好ましい。
【００３３】
このように構成されている場合には、インナーリード部にワイヤボンドのための余分なスペースを確保する必要がなくなる。
【００３４】
前記リードフレームは、その板厚が、分離部分の近傍のみで分離幅と同程度に薄くされ、他の部分でより厚くされているのが好ましい。
【００３５】
このように構成されている場合には、分離幅を最小にすることができる。
【００３６】
本発明の第２の観点によれば、本発明の第１の観点による半導体レーザ装置の製造方法であって、信号受光素子搭載部の面積を信号受光素子の面積と同じ大きさにし、その素子搭載部に接着用ＵＶ樹脂を均一に塗布した後に信号受光素子を搭載することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法が提供される。
【００３７】
このような半導体レーザ装置の製造方法によれば、ＵＶ樹脂を均一に塗布した後に信号受光素子を搭載するだけで、信号受光素子がＵＶ樹脂の表面張力によってほぼ所定の位置にセルフアライメントされるので、信号受光素子搭載を容易に行うことができる。
【００３８】
本発明の第３の観点によれば、本発明の第１の観点による半導体レーザ装置の製造方法であって、パッケージを水平から４５度傾けて反射ミラー搭載部を略水平にし、接着用ＵＶ樹脂を塗布した後に反射ミラーを置いてＵＶ樹脂を硬化させることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法が提供される。
【００３９】
このような半導体レーザ装置の製造方法によれば、パッケージを４５度傾けて反射ミラー搭載部を略水平にし、接着用ＵＶ樹脂を塗布した後に反射ミラーを置いてＵＶ樹脂を硬化させることで、反射ミラーの位置ズレ／傾きを簡単に防止することができる。
【００４０】
本発明の第４の観点によれば、本発明の第１の観点による半導体レーザ装置を用いたピックアップが提供される。
【００４１】
このようなピックアップによれば、薄型のピックアップを実現することができる。
【００４２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明におけるいくつかの実施の形態を図面に基づいて詳しく説明する。なお、これらによって本発明が限定されるものではない。
【００４３】
図５は、本発明における１つの実施の形態の半導体レーザ装置を光軸方向から見た、リード曲げ前の上面図、リード曲げ後の上面図、左側面図、正面図、及びＡ−Ａ断面図である。
【００４４】
このリード曲げ前の上面図において、絶縁性パッケージ１は、平面形状が略長方形であってその長辺が左右へ延びているが、その短辺である対向二面にそれぞれ、パッケージ１の内部から外部へかけて複数（ここでは６本）配置された配線用リード２を備えている。
【００４５】
パッケージ１の内部におけるアイランドプレート部３には、半導体レーザ素子４、これを搭載するモニタＰＤ付きサブマウント５、半導体レーザ素子４から出射したビームを反射させて光軸方向へ立ち上げるための反射ミラー６、及び信号受光素子７が搭載されている。
【００４６】
ここで、サブマウント５はアイランドプレート５の上に直接ダイボンドされているが、反射ミラー６及び信号受光素子７は、パッケージ１といっしょに成形された反射ミラー搭載部８及び信号受光素子搭載部９にそれぞれダイボンドされている。
【００４７】
さらに、図５の上面図では図を見やすくするために示していないが、正面図に示したように、パッケージ１の上面には、半導体レーザ４から出射され外部情報が記録された反射体（光ディスク）で反射された光を分岐する光学素子１０が備わっている。
【００４８】
パッケージ１の内部では、図示していないが、リード２のインナーリード部２ａに、半導体レーザ素子４及び信号受光素子７の電極がワイヤ接続されている。
【００４９】
パッケージ１は、図４の従来例のように、リードフレームをプレスした後、絶縁性樹脂を成形することで製作するが、そのままではリード２がパッケージ１の両側へ延びた形状となるため、リード２は、リード曲げ後の上面図に示すように、パッケージ１の裏面方向へ折り曲げる。これにより、パッケージ１の最も外側に、基準面の円弧部１ａを位置させることができる。
【００５０】
次に、別の実施の形態を図６に基づいて説明する。図６は、図５と同様に、本発明における別の実施の形態の半導体レーザ装置を光軸方向から見た、リード曲げ前の上面図、リード曲げ後の上面図、左側面図、正面図、及びＡ−Ａ断面図である。
【００５１】
図６では、図５と異なり、リード２は、パッケージ１の内部から外部へ出る前の部分で、インナーリード部２ａからアウターリード部２ｂへピッチ間隔（リード２の相互間隔）が徐々に広げられている。
【００５２】
これにより、図６の半導体レーザ装置は、図５の半導体レーザ装置よりもアウターリード部２ｂの間隔が広く、はんだ付けが容易になっている。また、リード２を外側へ引っ張る力に対して抵抗がより大きく、リード２が抜けにくくなるという効果もある。
【００５３】
次に、さらに別の実施の形態を図１に基づいて説明する。図１は、図５及び図６と同様に、本発明における別の実施の形態の半導体レーザ装置を光軸方向から見た、リード曲げ前の上面図、リード曲げ後の上面図、左側面図、正面図、及びＡ−Ａ断面図である。
【００５４】
図１の半導体レーザ装置では、図６の半導体レーザ装置とは異なり、リード２は、インナーリード部２ａからアウターリード部２ｂへピッチ間隔が徐々に広げられているのに加えて、さらに、アウターリード部２ｂの途中でピッチ間隔が徐々に広げられている。
【００５５】
ここで、アウターリード部２ｂのピッチ間隔は、リード２を裏面方向へ曲げる時に広がったリード２がパッケージ１の外側の基準面１ａにぶつからないように、パッケージ１の外形よりも距離ｘだけ外へ出た部分から広げられている。
【００５６】
このようなリード２により、図１の半導体レーザ装置は、図６のものよりもアウターリード部２ｂの間隔がさらに広く、はんだ付けがより容易になっている。
【００５７】
次に、さらに別の実施の形態を図７に基づいて説明する。図７の左側は、図５のリード曲げ後の上面図と正面図であり、図７の右側は、アイランドプレート部３の厚みを増した場合の正面図である。左側の図では、受光素子搭載部９は９ａの部分でパッケージ１の底部分を介して全体部分とつながっているが、右側の図では、アイランドプレート部３の厚みを増すことによりアイランドプレート部３の裏面の樹脂がなくなり、受光素子搭載部９の根元が他の樹脂と切り離されたことになる。
【００５８】
これにより、パッケージ１に温度変化や取付けの外力が加わっても、受光素子搭載部９は常にアイランドプレート部３の所定位置に独立した状態で維持されることになり、受光素子搭載部９には、横方向の力が加わらずズレや変形が発生することがなく、光学配置が変わらないので、安定した光学特性を得ることができる。
【００５９】
なお、図７の９ｂで示すように、９ａの根元を広げておくことで受光素子搭載部９のアイランドプレート３からの抜けを防止し、しっかりと固定することができる。
【００６０】
図示していないが、ミラー搭載部についても同様のことが言える。
【００６１】
次に、さらに別の実施の形態を図８に基づいて説明する。図８は本発明の半導体レーザ装置をはんだ付けする様子を表している。
【００６２】
すなわち、こて先１２を用いてはんだ１３を溶かし、リード２の先にはんだを付け、ＦＰＣ（図示せず）にはんだ付けする。このとき、溶けたはんだ１３からはフラックスがガス１４となって広がる。フラックスガス１４がパッケージ内部へ広がると反射ミラーや信号受光素子の受光部、パッケージ上部の光学素子を汚し、各素子の信号光に対する反射吸収特性を劣化させるが、パッケージに、リード２をパッケージの内側部分と外側部分とに仕切る仕切壁１５を設けることで、フラックスガス１４が内部へ広がるのを防ぐことができる。
【００６３】
仕切壁１５は高さが高いほどフラックスガス１４を遮る効果があるが、インナーリード部２ａにワイヤボンドする際にワイヤボンダのキャピラリ１６が仕切壁１５に干渉する恐れがあるため、仕切壁１５はできる限り外側に配置し、キャピラリに当たらない高さとし、仕切壁１５の内部側にテーパを設ける。
【００６４】
次に、さらに別の実施の形態を図９に基づいて説明する。図９は、図５のＡ−Ａ断面図と同様の断面図であるが、インナーリード部２ａの先端とアイランドプレート部３とでリードフレーム材料の厚みが薄くなっている。
【００６５】
通常、プレスでこのアイランドプレート部３を打ち抜く場合、精度よく打ち抜くためには打ち抜きの部分の最小幅は材料の厚み程度にする必要がある。そのため、狭ピッチでインナーリード部２ａを打ち抜くには、材料の板厚を薄くしなくてはならないが、板厚が薄いとリード２が曲がりやすくなったり放熱が悪くなったりするため、ある程度の厚みは必要である。
【００６６】
図９のように、打ち抜き部のみを部分的に薄くすることで、厚い材料をそのまま打ち抜くより、狭い幅で精度よく打ち抜くことが可能となる。薄くなった部分の下には樹脂が充填されるので、薄くなっても十分な強度でフレームを固定することができる。
【００６７】
次に、本発明の半導体レーザ装置の製造方法についての実施の形態を図１０に基づいて説明する。図１０は本発明の信号素子搭載部の上面図と正面図である。
【００６８】
図１０において、信号受光素子搭載部９は信号受光素子７とほぼ同じ大きさになっている。ここで、接着用ＵＶ樹脂１７を均一に塗布して信号受光素子７を置くと、ＵＶ樹脂１７が信号受光素子７の周りに均一になるように表面張力が働いて、信号受光素子７の傾きを補正しつつ信号受光素子７を搭載部９の中央へ動かす。これによって、信号受光素子７の位置合わせが不要となる。
【００６９】
次に、本発明の半導体レーザ装置の製造方法についての実施の形態を図１１に基づいて説明する。図１１は図５の左側面図とその断面図である。
【００７０】
図１１において、反射ミラー搭載部８に接着用ＵＶ樹脂を塗布して、反射ミラー６を置き、ＵＶ照射して反射ミラー６を固定する。ここで、反射ミラー搭載部８は水平から４５度傾いているため、反射ミラー６がズレたり、浮きが発生したりしてしまう恐れがある。
【００７１】
そこで、これらを避けるために、右側の図のように、パッケージを水平から４５度傾けて反射ミラー搭載部８の搭載面を水平にし、垂直に上下するコレット１８を使って反射ミラー６を水平に置く。このとき、パッケージ側壁１９の部分はコレット１８に干渉しないように高さを低くする。これによって、反射ミラー６への重力が反射ミラー搭載部８の搭載面に対して垂直に働き、反射ミラー６のズレや浮きを抑えることができる。
【００７２】
次に、本発明の半導体レーザ装置を使ったピックアップの実施の形態を図１２に基づいて説明する。図１２は、本発明の半導体レーザ装置を組み込んだピックアップの概要を示した図である。
【００７３】
半導体レーザ装置１００は、ピックアップのハウジング（図示せず）に取り付けられている。半導体レーザ装置１００から出射したビーム１０１は、必要に応じてコリメートレンズ（図示せず）で平行光とされた後に反射ミラー１０２で光軸を９０度曲げられ、対物レンズ（図示せず）で集光されて、ディスク１０４上に垂直に照射スポットを落とす。
【００７４】
本発明の半導体レーザ装置を使うことで、パッケージの外形が取付基準面となり、Ｌ１の寸法が小さい薄型のピックアップを作る際も、半導体レーザ装置１００をピックアップへ精度よく取り付けることができる。また、リードどうしの間隔が広いので、ＦＰＣ等へのはんだ付けも容易である。すなわち、ホログラム素子をパッケージに組み付ける際の調整が容易な薄型のピックアップを作ることが可能となる。
【００７５】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係る半導体レーザ装置によれば、リードは、パッケージの長辺に沿って延設され、かつ、相互間隔がそのインナーリード部よりもアウターリード部で広くなるようにされ、さらに、パッケージの外側で裏面方向へ折り曲げられているので、リードがパッケージの外側へ余分に延びることがなく、パッケージの最も外側の部分を円弧形状の基準面として利用することが可能となり、円弧の曲率半径を大きく取ることができ、ピックアップへ取り付けたときの光軸出しの精度がよくなる。また、アウターリード部をＦＰＣにはんだ付けして取り付ける場合も、リード間のピッチが拡幅しているため、隣接リード間でのはんだブリッジが発生しにくく、はんだ付け作業が容易である。加えて、前記リードは、素子搭載部の板厚をより厚くしたリードフレームの一部からなり、かつ、反射ミラー／信号受光素子搭載部の樹脂とパッケージの側壁とが分離されている。したがって、パッケージを構成する樹脂が熱履歴を経て膨張／収縮しても、反射ミラーや信号受光素子が素子搭載部に対し動くことがない。
【００７６】
また、本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法によれば、接着用ＵＶ樹脂を均一に塗布した後に信号受光素子を搭載するだけで、信号受光素子がＵＶ樹脂の表面張力によってほぼ所定の位置にセルフアライメントされるので、信号受光素子搭載を容易に行うことができる。また、パッケージはリードフレームに樹脂を成形して製造するため製造方法が簡単であり、製造費用を安価にすることができる。
【００７７】
さらに、本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法によれば、パッケージを水平から４５度傾けて反射ミラー搭載部を略水平にし、接着用ＵＶ樹脂を塗布した後に反射ミラーを置いてＵＶ樹脂を硬化させることで、反射ミラーの位置ズレ／傾きを簡単に防止することができる。
【００７８】
また、本発明に係る半導体レーザ装置を用いたピックアップによれば、薄型のピックアップを実現することができる。また、パッケージの外形が取付基準面となるためピックアップへ精度よく取り付けることが可能になるので、半導体レーザ装置のパッケージの外形寸法を小型化することができ、小型・薄型のピックアップ、ＣＤドライブ、ＣＤプレイヤーを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の１つの実施の形態に係る半導体レーザ装置を光軸方向から見た、リード曲げ前の上面図、リード曲げ後の上面図、左側面図、正面図、及びＡ−Ａ断面図である。
【図２】図２は、従来の半導体レーザ装置の斜視図である。
【図３】図３は、従来の半導体レーザ装置の平面図および正面図である。
【図４】図４は、従来の半導体レーザ装置の製造方法を示す図である。
【図５】図５は、本発明の１つの実施の形態に係る半導体レーザ装置を光軸方向から見た、リード間ピッチを広げる前の、リード曲げ前の上面図、リード曲げ後の上面図、左側面図、正面図、及びＡ−Ａ断面図である。
【図６】図６は、本発明の１つの実施の形態に係る半導体レーザ装置を光軸方向から見た、リード間ピッチを広げた後の、リード曲げ前の上面図、リード曲げ後の上面図、左側面図、正面図、及びＡ−Ａ断面図である。
【図７】図７は、図５のリード曲げ後の上面図と正面図、アイランドプレート部３の厚みを増した場合の正面図である。
【図８】図８は、本発明の１つの実施の形態に係る半導体レーザ装置のはんだ付けとフラックスガス遮蔽用仕切壁とを示す図である。
【図９】図９は、本発明の１つの実施の形態に係る半導体レーザ装置のインナーリード部の分離部分を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の１つの実施の形態に係る半導体レーザ装置の受光素子搭載方法を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明の１つの実施の形態に係る半導体レーザ装置のミラーダイボンド方法を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明の半導体レーザ装置を用いたピックアップを示す図である。
【符号の説明】
１ 絶縁性パッケージ
１ａ 取付基準面円弧部
２ リード
２ａ インナーリード部
２ｂ アウターリード部
３ アイランドプレート
４ 半導体レーザ素子
５ サブマウント
６ 反射ミラー
７ 信号受光素子
８ 反射体ミラー搭載部
９ 信号受光素子搭載部
１０ ホログラム素子
１２ こて先
１３ はんだ
１４ フラックスガス
１５ 仕切壁
１６ ワイヤボンドキャピラリ
１７ ＵＶ樹脂
１８ ダイボンドコレット
１９ 壁
１００ 半導体レーザ装置
１０１ ビーム
１０２ 反射ミラー
１０４ ディスク

Claims (4)

1. 平面形状が略長方形である絶縁性パッケージの対向二面にそれぞれ、パッケージの内部から外部へかけて複数配置された配線用リードを備え、パッケージの内部または上部に、半導体レーザ素子、反射ミラー、信号受光素子、及び、前記半導体レーザから出射され外部情報が記録された反射体で反射された光を分岐する光学素子を備え、パッケージの内部で、前記リードに前記半導体レーザ素子及び前記受光素子の電極がワイヤ接続されてなる半導体レーザ装置であって、前記リードは、パッケージの長辺に沿って延設され、かつ、相互間隔がそのインナーリード部よりもアウターリード部で広くなるようにされ、さらに、パッケージの外側で裏面方向へ折り曲げられているとともに、前記リードは、素子搭載部の板厚をより厚くしたリードフレームの一部からなり、かつ、反射ミラー／信号受光素子搭載部の樹脂とパッケージの側壁とが分離されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
2. 前記リードをパッケージの内側部分と外側部分とに仕切る仕切壁がさらに設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
3. 前記リードフレームは、その板厚が、分離部分の近傍のみで分離幅と同程度に薄くされ、他の部分でより厚くされていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
4. 請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置を用いたピックアップ。

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