JP2009054611A - 実装構造体、その製造方法、半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電極部14がセルフアライン的に貫通孔12との位置を補正しながら、貫通孔12内部へ流し込まれ、そして、流し込まれた電極部14が貫通孔12内部と一体的に嵌合するとともに、電極部15がセルフアライン的に電極端子13との位置を補正しながら電極端子13と接合して、回路基板11に電子部品16が実装される。このため、電極部14と貫通孔12との位置が高精度かつ容易に補正され、流し込まれた電極部14が貫通孔12内部と一体的に強固に嵌合する。
【選択図】図1
Description
では、本発明の概要について図1を用いて以下に説明する。
図1(C)に示すように、本発明の実装構造10は、貫通孔12および電極端子13が形成された回路基板11に、電極部14,15が形成された電子部品16を、電極部14を貫通孔12に嵌合させ、電極端子13に電極部15を接合させて、実装させている。
まず、電子部品16に、高さの異なる電極部14,15を形成する。なお、電極部15の溶融温度は電極部14よりも低い材料が用いられている。電子部品16は、半導体素子やパッケージ基板などであって、シリコンなどが基材として用いられる。電極部14,15は、電子部品16と、後に電子部品16が実装される回路基板11との間で、電源供給や信号の入出力を行うための電気的接続を実現する。なお、電極部14は、高さが電極部15よりも大きく、実装時の回路基板11の変形や温度差に起因した応力が最も大きく発生する電子部品16の端部に形成される。
まず、図1(A)に示すように、回路基板11の貫通孔12の開口部に電子部品16の電極部14を合わせる。この時、電子部品16は電極部14に支持されて、電極部15は電極端子13と接触していない。
以上、本発明の実装構造10では、貫通孔12および電極端子13が形成された回路基板11に、電極部14,15が形成された電子部品16を2段階のセルフアライン接続技術により実装させた。この結果、貫通孔12および電極端子13に対する電極部14,15の位置あわせを高精度かつ容易に行うことができる。
図2は、本実施の形態における半導体装置の構成要素の例であって、(A)はパッケージ基板の、(B)は回路基板の平面模式図である。
パッケージ基板26に大きさの異なるはんだボール24,25を、電極端子(図示を省略)を介して格子状に形成する。なお、はんだボール25の溶融温度ははんだボール24よりも低い。パッケージ基板26はインタポーザまたは支持基板とも称され、パッケージ基板26の主面上に、図示を省略する半導体素子がワイヤーボンディング法、フリップチップ実装法などにより実装される。はんだボール24,25は、例えば、錫(Sn)−鉛(Pb)系のはんだによって構成されており、図2(B)に示す回路基板21とパッケージ基板26との間で電源供給や信号の入出力を行うための電気的接続を実現する。なお、はんだボール24は、直径がはんだボール25よりも大きく、実装時の温度差や回路基板21が変形した際に発生する応力が最も大きい部分であるパッケージ基板26の端部、例えば、2つの角部および1辺の中心部の3箇所に形成される。
厚さが1.0mmの回路基板21に、回路基板21を貫通する直径が0.2mmのスルーホール22と、電極端子23とを格子状に形成する。スルーホール22は、はんだボール24の直径よりも小さく、内部が銅メッキ22aの処理が施されている。このようなスルーホール22は、パッケージ基板26と回路基板21とを実装させた際のはんだボール24と対向して、パッケージ基板26と同様に、回路基板21の端部、例えば、2つの角部および1辺の中心部の3箇所に形成される。電極端子23は、はんだボール25と接触して、パッケージ基板26と回路基板21との電気的接続を実現する。
図3は、本実施の形態におけるはんだボールをスルーホールの開口部に配置したパッケージ基板および回路基板の断面模式図である。
図4は、本実施の形態における1段目のセルフアライン接続技術が行われたパッケージ基板および回路基板の断面模式図である。
図5は、本実施の形態における2段目のセルフアライン接続技術が行われたパッケージ基板および回路基板の断面模式図である。
11,21 回路基板
12 貫通孔
13,23,27 電極端子
14,15 電極部
16 電子部品
20 半導体装置
22 スルーホール
22a 銅メッキ
24,25 はんだボール
26 パッケージ基板
Claims (7)
- 貫通孔と、電極端子とを備えた回路基板と、
第1の電極部と、前記第1の電極部よりも高さが低く、前記第1の電極部の溶融温度以下の溶融点を有する第2の電極部とを備える電子部品と、
前記第1の電極部は、前記回路基板と前記電子部品とを接続するとともに、前記貫通孔の少なくとも一部を埋め込み、
前記第2の電極部は、前記電極端子と接続されることを特徴とする実装構造体。 - 前記貫通孔の径は、前記第1の電極部よりも小さいことを特徴とする請求項1記載の実装構造体。
- 前記貫通孔および前記第1の電極部は、前記回路基板および前記電子部品の端部にそれぞれ形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の実装構造体。
- 前記第1の電極部および前記第2の電極部がはんだボールであって、前記第1の電極部の直径が前記第2の電極部よりも大きいことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の実装構造体。
- 貫通孔と、電極端子とを備えた回路基板を用意する工程と、
第1の電極部と、前記第1の電極部よりも高さが低く、前記第1の電極部の溶融温度以下の溶融点を有する第2の電極部とを備えた電子部品を用意する工程と、
前記第1の電極部がセルフアライン的に前記貫通孔との位置を補正しつつ、前記貫通孔内部に流し込まれる第1セルフアライン工程と、
前記第1の電極部が前記貫通孔内部と一体的に嵌合するとともに、前記第2の電極部がセルフアライン的に前記電極端子との位置を補正しつつ、前記電極端子と接続し、前記電子部品を前記回路基板に実装させる第2セルフアライン工程と、
を有することを特徴とする実装構造体の製造方法。 - 貫通孔と、電極端子とを備えた回路基板と、
第1の電極部と、前記第1の電極部よりも高さが低く、前記第1の電極部の溶融温度以下の溶融点を有する第2の電極部とを備えた半導体素子と、
前記第1の電極部は、前記回路基板と電子部品とを接続するとともに、前記貫通孔の少なくとも一部を埋め込み、
前記第2の電極部は、前記電極端子と接続されることを特徴とする半導体装置。 - 貫通孔と、電極端子とを備えた回路基板を用意する工程と、
第1の電極部と、前記第1の電極部よりも高さが低く、前記第1の電極部の溶融温度以下の溶融点を有する第2の電極部とを備える半導体素子を用意する工程と、
前記第1の電極部がセルフアライン的に前記貫通孔との位置を補正しつつ、前記貫通孔内部に流し込まれる第1セルフアライン工程と、
前記第1の電極部が前記貫通孔内部と一体的に嵌合するとともに、前記第2の電極部がセルフアライン的に前記電極端子との位置を補正しつつ、前記電極端子と接続し、電子部品を前記回路基板に実装させる第2セルフアライン工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007216942A JP2009054611A (ja) | 2007-08-23 | 2007-08-23 | 実装構造体、その製造方法、半導体装置およびその製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9159652B2 (en) | 2013-02-25 | 2015-10-13 | Stmicroelectronics S.R.L. | Electronic device comprising at least a chip enclosed in a package and a corresponding assembly process |
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-
2007
- 2007-08-23 JP JP2007216942A patent/JP2009054611A/ja active Pending
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