JPH0783082B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、磁気あるいは光などを検出する半導体チップ
を内蔵した半導体装置に係り、特に表面実装型の半導体
装置の構造に関する。
（従来の技術） 磁気あるいは光などを検出する半導体チップを内蔵した
半導体装置は、従来、第８図（ａ）および（ｂ）に示す
ように構成されており、第９図に示すように電子機器の
基板に実装される。即ち、チップ81の主面と外囲器82の
前面とが平行となるようにチップ81が絶縁樹脂外囲器80
内に封止されており、チップ81の主面に平行な方向に外
部リード83が突出しており、いわゆるSIP（single in−
line package）型あるいは自立型と呼ばれる外形を有す
る。そして、検出すべき磁力線（あるいは光など）の到
来方向に対してチップ81の主面が垂直に向くように、半
導体装置80が電子機器の基板90に対して垂直に実装され
ている。
ところで、近年、電子機器の軽薄短小化は目覚ましいも
のがあり、それに使用される部品も小型化が要求され
る。特に、半導体装置は使用数が増加しており、半導体
装置が実装される電子機器の基板は、電子機器の軽薄短
小化に伴って実装密度を上げ、実装厚さを薄くする必要
があることもあって、半導体装置の外形の小型化、軽型
化が著しい。また、電子機器の基板に対する半導体装置
の実装作業の自動化のため、半導体装置は小型、薄型の
表面実装型へ発展してきた。
ここで、第10図（ａ）、（ｂ）乃至第13図（ａ）、
（ｂ）を参照して従来の表面実装型の半導体装置（SMD;
suface−mounted device）100の数例を示す。第10図
（ａ）（ｂ）乃至第12図（ａ）（ｂ）は、それぞれ薄型
の外囲器102の両側面部から外部リード103が突出し、こ
の外部リード103が途中で下方（外囲器底面方向）に折
れ曲がっている。そして、外部リード103の先端部がそ
のまま電子機器の基板90の取り付け孔あるいはソケット
孔に挿入されるようになっており、または、外部リード
103の先端部が再び折れ曲がって外側へあるいは外囲器
底面下に延び、電子機器の基板90の上面に接着されるよ
うになっている。第13図（ａ）（ｂ）は、薄型の外囲器
102の四側面部から外部リード103が突出し、この外部リ
ード103が途中で下方に折れ曲がり、その先端部が再び
折れ曲がって外側へ延び、電子機器の基板90の上面に接
着されるようになっている。
なお、従来の表面実装型の半導体装置は、上記に限らず
様々な外形のものがあるが、いずれもチップの主面と外
囲器の上面とが平行となるようにチップが樹脂封止され
ており、半導体装置が電子機器の基板に対して水平に実
装される。
しかし、前述したような磁気あるいは光などを検出する
半導体チップ81を内蔵した従来の自立型の半導体装置80
は、第９図に示したように検出すべき磁気あるいは光な
どの到来方向に対してチップ81の主面が垂直に向くよう
に電子機器の基板90に対して垂直に実装されるので、こ
の基板90の実装面に平行な方向から磁気あるいは光など
が到来する場合にしか使用できず、上記基板90の実装厚
さを薄くすることができない。
また、磁気あるいは光などをけ出する半導体チップ101
をその主面と外囲器102の上面とが平行となるように内
蔵させて前述したような表面実装型の半導体装置100を
形成し、この半導体装置100を電子機器の基板90に対し
て水平に実装した場合、この基板90の実装厚さを薄くす
ることはできるが、磁気あるいは光などが上記基板90の
実装面に垂直な方向から到来する場合にしか使用できな
い。
（発明が解決しようとする課題） 上記したように従来の表面実装型の半導体装置に磁気あ
るいは光などを検出する半導体チップを内蔵させ、この
半導体装置を電子機器の基板に対して水平に実装した場
合、磁気あるいは光などが上記基板の実装面に垂直な方
向から到来する場合にしか使用できないという問題があ
る。
本発明は、上記問題点を解決すべくなされたもので、そ
の目的は、磁気あるいは光などが電子機器の基板の実装
面に垂直な方向から到来する場合だけでなく、この基板
の実装面に平行な方向から到来する場合にも使用でき、
しかも、上記基板の実装厚さを薄くすることができる表
面実装型の半導体装置を提供することにある。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明は、磁気あるいは光検出が可能な特性を有する半
導体チップと、この半導体チップを、その主面が上面と
平行となるように封止してなる外囲器と、この外囲器の
両側面部のほぼ等位置から突出されて、その位置から本
半導体装置を実装する場合の電子機器の基板の実装面方
向にそれぞれ垂直に延びる部分の長さが前記外囲器の片
方側と他方側とで相異され、かつ各先端部が外側へ折り
曲げられてなる外部リードとを具備したことを特徴とす
る。
（作 用） 本発明の表面実装型の半導体装置は、半導体チップの主
面が、この半導体装置を実装する場合の電子機器の基板
の実装面に対して所定の傾きを持つので、磁気あるいは
光などの検出が可能な特性を有する半導体チップを内蔵
させることにより、磁気あるいは光などが電子機器の基
板の実装面に垂直な方向から到来する場合だけでなく、
この基板の実装面に平行な方向から到来する場合にも実
用的な検出感度を有するようになり、上記どちらの場合
にも使用可能になり、しかも、上記基板の実装厚さを薄
くすることが可能になる。
（実施例） 以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
第１図において、10は磁気あるいは光などを検出する半
導体チップ11を内蔵した表面実装型の半導体装置であ
り、その外部リード13の先端部が電子機器の基板90の上
面に例えば接着により実装された状態を示している。こ
の半導体装置10は、この半導体装置10を実装する場合の
電子機器の基板90の実装面に対してチップ11の主面が所
定の傾きθを持っている。即ち、半導体チップ11の主面
と例えば絶縁樹脂からなる外囲器12の上面とが平行とな
るようにチップ11が外囲器12内に封止されており、この
外囲器12の両側面部から突出した外部リード13の前記実
装面方向へ垂直に延びる部分の長さは、外囲器12の片方
側における長さl1と他方側における長さl2とが相異なっ
ている。
第２図（ａ）乃至（ｃ）は、第１図の半導体装置10の製
造工程を示しており、先ず、リードフレーム21上に半導
体チップ11を装着し、この半導体チップ11上の所要部と
リードフレーム21上の外部リード13の所要部とを金属細
線22により接続する。次に、この半導体チップ11および
外部リード13の一部を金属細線22と共に封止するよう
に、鋳型を用いて合成樹脂等の絶縁樹脂を成型して薄型
の外囲器12を形成する。この場合、半導体チップ11の主
面と外囲器12の上面とが平行となるように、つまり、外
囲器12の両側面部のほぼ等位置から外部リード13を突出
させるように封止する。
次に、リードフレーム21から外部リード13を所要の長さ
に切り離し、この外部リード13を途中で下方（基板90の
実装面方向）に折り曲げると共に、外部リード13の先端
部を外側へ再び折り曲げるように成形する。この場合、
外部リード13の前記実装面方向へ垂直に延びる部分の長
さは、外囲器12の片方側における長さl1の方が外囲器12
の他方側における長さl2よりも短くなるように形成す
る。
ここで、第２図（ｃ）において、外囲器12の両側面部の
外部リード13,13相互間の寸法ｄを1.5mmとし、外囲器12
の両面側から突出した外部リード13の前記実装面方向へ
垂直に延びる部分の長さの差（l2−l1）を0.87mmとする
ことにより、電子機器の基板（第１図90）の実装面に対
してチップ11の主面が持つ傾きθを約30゜とすることが
できる。
第３図は、第１図の半導体装置10に磁気を検出する半導
体チップ11を内蔵させた場合にチップ11の横方向から到
来する磁力線を検出する様子を示しており、この場合の
半導体装置10の磁気検出特性を第４図に示している。こ
こで、θは磁力線到来方向とチップ11の主面が持つ傾き
であり、演出出力（磁電変換出力）のレベルVhは、θ＝
90゜の時に最大値Vhmになり、θ＝０゜の時に最小
（零）になり、次式のような正弦関数で表わされること
が判明した。
Vh＝Vhm・sinθ 上記実施例の表面実装型の半導体装置10によれば、例え
ばθ＝30゜とすると、最大値Vhmの50％の出力が得ら
れ、第９図に示したような従来の自立型の半導体装置80
の磁気検出特性に比べて出力は低下するが、電子機器の
基板90の実装厚さを薄くすることができる。上記出力の
低下は、半導体チップ11そのものの改善やその他の手段
により補うことが可能であるので、このことは本発明の
効果を減ずるものではなく、上記実施例の半導体装置10
は十分に使用可能である。
なお、θ＝０゜（従来の表面実装型の半導体装置100に
相当する）の時は理論的に出力が零であり、使用不可能
であることを意味する。
また、チップ11の垂直な縦方向から到来する磁力線に対
しても、磁力線到来方向とチップ11の主面が持つ傾きを
θとおけば、第４図と同様な磁気検出特性が得られる。
また、第２図（ａ）乃至（ｃ）に示したような製造方法
によれば、従来の製造方法に比べて外部リード13の形状
を成形すべき型を変更する程度で済み、既存の設備の大
多数、特に高価な組立て設備をそのまま利用できるの
で、半導体装置10を簡易かつ安価に製造することができ
る。
第５図は、本発明の他の実施例に係る半導体装置50の外
部リード53の先端部が電子機器の基板90の上面に例えば
接着により実装された状態を示しており、この半導体装
置50は、上記実装面に対してチップ51の主面が所定の傾
きθを持っている。即ち、この半導体装置50は、半導体
チップ51の主面と外囲器52の上面とが所定の傾きθを持
つようにチップ51が外囲器52内に封止されており、この
外囲器52の両側面部から突出した外部リード53の外囲器
底面方向へ垂直に延びる高さ部分の長さは、外囲器52の
片方側における長さl1と他方側における長さl2とが相異
なっている。
第６図（ａ）乃至（ｃ）は、第５図の半導体装置50の製
造工程を示しており、先ず、リードフレーム61上に半導
体チップ51を装着し、この半導体チップ51上の所要部と
リードフレーム61上の外部リード53の所要部とを金属細
線62により接続する。次に、この半導体チップ51および
外部リード53の一部を金属細線62と共に封止するよう
に、鋳型を用いて合成樹脂等の絶縁樹脂を成型して薄型
の外囲器52を形成する。この場合、半導体チップ51の主
面と外囲器52の上面とが所定の傾きθを持つように、つ
まり、外囲器52の両側面部の相異なる高さ位置から外部
リード53、53を突出させるように封止する。
このためには、第７図に示すように、外囲器底面から外
囲器両側面部の外部リード突出部分までの高さ位置が、
外囲器の片方側と他方側とで相異なるような鋳込み形状
を有する上型71および下型72からなる外囲器形成用鋳型
70を作り、この外囲器形成用鋳型70の上型71と下型72と
の互いに平行な対接面間にリードフレーム61を挟み、半
導体チップ51の樹脂封止を行う。
次に、リードフレーム61から外部リード53を所要の長さ
に切り離し、この外部リード53を途中で下方（外囲器52
の底面方向）に折り曲げると共に、外部リード53の先端
部を外側へ再び折り曲げるように成形する。この場合、
外部リード53の前記外囲器底面方向へ垂直に延びる部分
の長さは、外囲器52の片方側における長さl1の方が外囲
器52の他方側における長さl2よりも短くなるように形成
する。
ここで、第６図（ｃ）において、外囲器52の両側面部の
外部リード53、53相互間の寸法ｄを1.5mmとし、外囲器5
2の両側面部から突出した外部リード53、53の前記外囲
器底面方向へ垂直に延びる部分の長さの差（l2−l1）を
0.87mmとすることにより、電子機器の基板（第５図90）
の実装面に対してチップ51の主面が持つ傾きθを約30゜
とすることができる。
上記したような他の実施例に係る表面実装型の半導体装
置50も、前記実施例の半導体装置10と同様の効果が得ら
れる。
また、第６図（ａ）乃至（ｃ）に示したような製造方法
によれば、従来の製造方法に比べて外囲器形成用鋳型70
および外部リード53の形状を成形すべき型を変更する程
度で済み、既存の設備の大多数、特に高価な組立て設備
をそのまま利用できるので、半導体装置50を簡易かつ安
価に製造することができる。
なお、本発明は、上記各実施例の表面実装型の半導体装
置に限らず、その他の様々な外形を有する表面実装型の
半導体装置にも適用できることは勿論である。
［発明の効果］ 上述したように本発明の表面実装型の半導体装置によれ
ば、磁気あるいは光などの検出が可能な特性を有する半
導体チップを内蔵させることにより、磁気あるいは光な
どが電子機器の基板の実装面に垂直な方向から到来する
場合だけでなく、この基板の実装面に平行な方向から到
来する場合にも使用でき、しかも、上記基板の実装厚さ
を薄くすることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例に係る半導体装置が電子機器
の基板に実装された状態を示す側面図、第２図（ａ）乃
至（ｃ）は第１図の半導体装置の製造工程を示す断面
図、第３図は第１図の半導体装置に磁気を検出する半導
体チップを内蔵させて電子機器の基板に実装した場合に
実装面に平行な方向から到来する磁力線を検出する様子
を示す側面図、第４図は第３図中の半導体装置の磁気検
出特性を示す図、第５図は本発明の他の実施例に係る半
導体装置が電子機器の基板に実装された状態を示す側面
図、第６図（ａ）乃至（ｃ）は第５図の半導体装置の製
造工程を示す断面図、第７図は第６図（ｂ）の製造工程
で使用される外囲器形成用型の一例を示す断面図、第８
図（ａ）及び（ｂ）は従来の自立型の半導体装置の一例
を示す前面図および側面図、第９図は第８図の自立型の
半導体装置を電子機器の基板に実装した様子を示す側面
図、10図（ａ）及び（ｂ）乃至第13図（ａ）及び（ｂ）
は従来の表面実装型の半導体装置を示す正面図および側
面図である。 10,50……表面実装型の半導体装置、11,51……半導体チ
ップ、12,52……外囲器、13,53……外部リード、21,61
……リードフレーム、22,62……金属細線、70……外囲
器形成用鋳型、71……上型、72……下型、90……電子機
器の基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−84054（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−270256（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−41729（ＪＰ，Ｕ)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】磁気あるいは光検出が可能な特性を有する
    半導体チップと、 この半導体チップを、その主面が上面と平行となるよう
    に封止してなる外囲器と、 この外囲器の両側面部のほぼ等位置から突出されて、そ
    の位置から本半導体装置を実装する場合の電子機器の基
    板の実装面方向にそれぞれ垂直に延びる部分の長さが前
    記外囲器の片方側と他方側とで相異され、かつ各先端部
    が外側へ折り曲げられてなる外部リードと を具備したことを特徴とする半導体装置。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3127555B2 (ja) * 1992-04-02 2001-01-29 富士電機株式会社 透明樹脂封止形半導体素子の成形用金型、およびその半導体素子の成形方法
EP0741396A1 (en) * 1995-05-04 1996-11-06 AT&T IPM Corp. Power magnetic device employing a leadless connection to a printed circuit board and method of manufacture thereof
EP0741395A1 (en) 1995-05-04 1996-11-06 AT&T IPM Corp. Post-mountable planar magnetic device and method of manufacture thereof
DE19518027C2 (de) * 1995-05-17 1997-05-15 Lust Hybrid Technik Gmbh Verfahren zur abstandsgenauen Umhüllung mit funktionstragenden Schichten versehener Bauelemente und danach hergestellte Bauelemente
US6384407B1 (en) 1998-11-12 2002-05-07 Tab Products Co Infrared receiver mount with directional reception capabilities
US6740870B1 (en) * 1998-11-18 2004-05-25 Micron Technology, Inc. Clear plastic packaging in a CMOS active pixel image sensor
KR100563584B1 (ko) * 2002-07-29 2006-03-22 야마하 가부시키가이샤 자기 센서의 제조 방법과 그 리드 프레임, 자기 센서, 및센서 장치
DE10234585B4 (de) * 2002-07-30 2004-07-22 Behr-Hella Thermocontrol Gmbh Optoelektronisches SMD-Bauteil für den Empfang von elektromagnetischer Strahlung, insbesondere Sonnenlicht, und dessen Verwendung in einem Strahlungssensor
US7016802B2 (en) 2003-09-05 2006-03-21 Tyco Electronics Corporation Photocontrol devices having flexible mounted photosensors and methods of calibrating the same
US7547876B2 (en) 2007-08-23 2009-06-16 Tyco Electronics Corporation Photocontrol devices and methods for forming the same
US20100038519A1 (en) * 2008-08-12 2010-02-18 Cho-Yi Lin Image Sensing Module
DE102008048259A1 (de) * 2008-09-22 2010-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauteil
EP2590236A1 (de) * 2011-11-07 2013-05-08 Odelo GmbH Leuchtdiode und Leuchtmittel mit wenigstens zwei Leuchtdioden als Lichtquellen
JP5814863B2 (ja) * 2012-06-07 2015-11-17 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法
JP2016039213A (ja) 2014-08-06 2016-03-22 ローム株式会社 基板内蔵パッケージ、半導体装置およびモジュール
CN211297011U (zh) * 2019-06-15 2020-08-18 徐晓军 一种低成本且便于使用的插脚式灯珠

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1950354A (en) * 1932-01-16 1934-03-06 Bats Jean Hubert Louis De Improved pressure molding method
US2378480A (en) * 1943-10-15 1945-06-19 Tennessee Coal Anode mold
US3740672A (en) * 1971-11-22 1973-06-19 Rca Corp Semiconductor carrier for microwave applications
JPS6080357A (ja) * 1983-10-08 1985-05-08 Ricoh Co Ltd 電子回路担持装置
JPS6256111A (ja) * 1985-09-05 1987-03-11 Sony Corp 樹脂封止金型
JPS62260384A (ja) * 1986-05-06 1987-11-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS6384054A (ja) * 1986-09-29 1988-04-14 Hitachi Ltd 樹脂封止型半導体装置
JPH01270256A (ja) * 1988-04-21 1989-10-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

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