KR930002802B1 - 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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유타카 토미자와
도시카즈 후쿠다
카즈히코 이노우에
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가부시키가이샤 도시바
아오이 죠이치
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Abstract

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Description

반도체장치 및 그 제조방법
제 1 도는 본 발명의 1실시예에 따른 반도체장치가 전자기기의 기판에 장착된 상태를 도시한 측면도.
제 2 도a 내지 c는 제 1 도의반도체장치의 제조공정을 도시한 단면도.
제 3 도는 제 1 도의 반도체장치에 자기를 검출하는 반도체칩을 내장하여 전자기기의 기판에 장착한 경우에 장착면에 평행한 방향으로부터 도래하는 자력선을 검출하는 모양을 도시한 측면도.
제 4 도는 제 3 도중 반도체장치의 자기검출특성을 도시한 도면.
제 5 도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체장치가 전자기기의 기판에 장착된 상태를 도시한 측면도.
제 6 도a 내지 c의 제 5 도의 반도체장치의 제조공정을 도시한 단면도.
제 7 도는 제 6 도b의 제조공정에서 사용되는 외위기형성용(外圍器形成用) 틀의 1예를 도시한 단면도.
제 8 도a 및 b는 종래의 자립형(自立型) 반도체장치의 1예를 도시한 전면도 및 측면도.
제 9 도는 제 8 도의 자립형 반도체장치를 전자기기의 기판에 장착한 모양을 도시한 측면도.
제 10 도a 및 b 내지 재13도a 및 b는 종래의 표면실장형(表面實裝型) 반도체장치를 도시한 정면도 및 측면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10, 50 : 표면실장형(表面實裝型) 반도체장치 11, 51 : 반도체칩
12, 52 : 외위기(外圍器) 13, 53 : 외부리드
21, 61 : 리드프레임 22, 62 : 금속세선(金屬細線)
70 : 외위기형성용 주형(外圍器形成用 鑄型) 71 : 상형(上型)
72 : 하형(下型) 90 : 전자기기의 기판
[산업상의 이용분야]
본 발명은 자기 또는 광 등을 검출하는 반도체칩을 내장한 반도체장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 표면실장형(表面實裝型) 반도체장치의 구조 및 반도체칩의 수지봉지방법(樹指封止方法)에 관한 것이다.
[종래의 기술 및 문제점]
자기 또는 광 등을 검출하는 반도체칩을 내장한 반도체장치는 종래, 제 8 도a 및 b에 도시된 바와 같이 구성되어 있고, 제 9 도에 도시된 바와 같이 전자기기의 기판에 장착된다. 즉, 칩(81)이 주면과 외위기(82 ; 外圍器)가 평행으로 되도록 칩(81)이 절연수지외위기(80 ; 絶緣樹指外圍器)내에 봉지(封止)되어 있고, 칩(81)의 수면에 평행한 방향으로 외부리드(83)가 돌출되어 있고, 이른바 SIP(single in-line package)형 또는 자립형이라 불리는 외형을 갖추고 있다. 그리고, 검출되는 자력선(또는 광 등)의 도래방향에 대해서 칩(81)의 주면이 수직으로 향하도록 반도체장치(80)가 전자기기의 기판(90)에 대해서 수직으로 장착되어 있다.
그런데, 최근 전자기기의 경박단소화(輕薄短小化)는 놀랍게 발전하고 있고, 그에 사용되는 부품도 소형화가 요구된다. 특히, 반도체장치는 사용수가 증가하고 있고, 반도체장치가 장착된 전자기기의 기판은 전자기기의 경박단소화에 수반하여 장착밀도를 향상시키고, 장착두께를 박막화하여 반도체장치외형의 소형화, 경량화가 필요하다. 또, 전자기기의 기판에 대한 반도체장치의 장착작업의 자동화를 위해 반도체장치를 소형, 박형(薄型)의 표면실장형으로 발전시킬 수 있다.
여기서 제10도a, b 내지 제13도a, b를 참조해서 종래의 표면실장형 반도체장치(100 ; SMD ; surface-mounted device)의 여러가지 예를 도시한다. 제10도a, b 내지 제12도a, b는 각각 박형 외위기(102 ; 薄型 外圍器)의 양측면부로부터 외부리드(103)가 돌출되고, 이 외부리드(103)가 도중에 하방(외위기밑면방향)으로 휘어져 있다. 그리고, 외부리드(10)의 선단부(先端部)가 그대로 전자기기의 기판(90)에 설치된 구멍 또는 소켓구멍에 삽입되도록 되어 있고, 또는 외부리드(103)의 선단부가 다시 휘어져 외측 또는 외위기밑면 아래로 뻗어 전자기기의 기판(90)상면에 접착되도록 되어 있다. 제13도a, b는 박형 외위기(102)의 4측면부로부터 외부리드(103)가 돌출되고, 이 외부리드(103)가 도중에 아랫방향으로 휘어지고, 그 선단부가 다시 휘어져 외측으로 뻗어 전자기기의 기판(90)상면에 접착되도록 되어 있다.
또, 종래의 표면실장형 반도체장치는 상기에 한정되지 않는 여러가지 외형이 있지만 모두 칩의 주면과 외위기의 상면이 평행으로 되도록 칩이 수지봉지(樹指封止)되어 있고, 반도체장치가 전자기기의 기판에 대해서 수평으로 장착된다.
그러나, 상기한 바와 같은 자기 또는 광 등을 검출하는 반도체칩(81)을 내재한 종래의 자립형 반도체장치(80)는 제 9 도에 도시된 바와 같이 검출하는 자기 또는 광 등의 도래방향에 대해서 칩(81)의 주면이 수직으로 향하도록 전자기기의 기판(90)에 대해서 수직으로 장착되므로, 이 기판(90)의 장착면에 평행한 방향으로부터 자기 또는 광 등이 도래하는 경우에는 사용할 수 없고, 상기 기판(90)의 장착두께를 박막화할 수 없다.
또, 자기 또는 광 등을 검출하는 반도체칩(101)을 그 주면과 외위기(102)의 상면이 평행하게 되도록 내장하여 상기한 바와 같이 표면실장형 반도체장치(100)를 형성하고, 이 반도체장치(100)를 전자기기의 기판(90)에 대해서 수평으로 장착한 경우, 이 기판(90)의 장착두께를 박막화할 수 있지만, 자기 또는 광 등이 상기 기판(90)의 장착면에 수직인 방향으로부터 도래하는 경우에는 사용할 수 없다.
상기한 바와 같이 종래의 표면실장형 반도체장치에 기기 또는 광 등을 검출하는 반도체칩을 내장하고, 이 반도체장치를 전자기기의 기판에 대해서 수평으로 장착한 경우, 자기 또는 광 등이 상기 기판의 장착면에 수직인 방향으로부터 도래하는 경우에는 사용할 수 없게 된다는 문제가 있다.
[발명의 목적]
본 발명은 상기한 점을 감안해서 발명된 것으로, 자기 또는 광 등이 전자기기의 기판의 장착면에 수직인 방향으로부터 도래하는 경우뿐만 아니라 이 기판의 장착면에 평행한 방향으로부터 도래하는 경우에도 사용할 수 있고, 또 상기 기판의 장착두께를 박막화할 수 있는 표면실장형 반도체장치를 제공함에 그 목적이 있다.
또, 본 발명은 반도체칩의 주면이 절연수지외위기의 상면에 대해서 소정의 경사를 갖도록 칩이 절연수지외위기내에 봉지되는 표면실장형 반도체장치를 간이(間易)하고, 또 저가로 얻는 반도체장치의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
[발명의 구성]
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 반도체칩을 내장한 표면실장형 반도체장치에 있어서, 상기 칩의 주면이 이 반도체장치를 실장하는 경우의 전자기기의 기판의 실장면에 대해서 소정의 경사를 갖는 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명은 반도체칩의 주면이 절연수지외위기의 상면에 대해서 소정의 경사를 갖도록 칩을 절연수지외위기내에 봉지해서 표면실장형 반도체장치를 제조하는 경우, 외위기밑면으로부터 외위기양측면부의 외부리드돌출부분까지의 높이가 외위기의 편방측과 타방측에서 상이하도록 외위기형성용 틀을 제조하고 이 외우기형성용 틀을 이용해서 반도체칩의 수지봉지를 행하는 것을 특징으로 한다.
[작용]
상기와 같이 구성된 본 발명에 의하면, 반도체칩의 주면이 이 반도체장치를 장착하는 경우의 전자기기기판의 장착면에 대해서 소정의 경사를 갖추므로, 자기 또는 광 등의 검출이 가능한 특성을 지닌 반도체칩을 내장함으로써 자기 또는 광 등이 전자기기의 기판의 장착면에 수직인 방향으로부터 도래되는 경우뿐만 아니고, 이 기판의 장착면에 평행한 방향으로부터 도래되는 경우에도 실용적인 검출감도를 갖도록 되어, 상기 어떤 경우에도 사용할 수 있게 되고 또, 상기 기판의 장착두께를 박막화할 수 있게 된다.
또, 본 발명에 따른 반도체장치의 제조방법을 외위기의 양측면부로부터 외부리드가 돌출되는 부분이 외위기밑면으로부터의 높이가 외위기의 편방측과 타방측에서 상이하도록 외위기형성용 틀을 제작하고, 이 외위기형성용 틀을 이용해서 반도체칩의 수지봉지를 행하므로, 반도체칩의 주면이 절연수지외위기의 상면에 대해서 소정의 경사를 갖도록 칩이 절연수지외위기내에 봉지되는 표면실장형 반도체장치를 간이하고 또 저가로 제조할 수 있게 된다.
[실시예]
이하, 도면을 참조해서 본 발명에 따른 1실시예를 상세히 설명한다.
제 1 도에 있어서, 참조부호 10은 자기 또는 광 등을 검출하는 반도체칩(11)을 내재한 표면실장형 반도체장치이고, 그 외부리드(1)의 선단부가 전자기기 기판(90)의 상면에 예컨대 접착됨에 따라 장착된 상태를 도시하고 있다. 이 반도체장치(10)는 이 반도체장치(10)를 장착하는 경우의 전자기기의 기판(90)의 장착면에 대해서 칩(11)의 주면이 소정의 경사(θ)를 갖고 있다. 즉, 반도체칩(11)의 주면과 예컨대 절연수지로 이루어진 외위기(12)의 상면이 평행으로 되도록 칩(11)이 외위기(12)내에 봉지되어 있고, 이 외위기(12)의 양측면부로부터 돌출된 외부리드(13)가 상기 장착면 방향으로 수직하게 뻗은 부분의 길이는 외위기(12)의 편방향측에 있어서의 길이(ι1)와 타방측에 있어서의 길이(ι2)가 상이하게 되어 있다.
제 2 도a 내지 c는 제 1 도의 반도체장치(10)의 제조공정을 도시하고 있다. 우선 리드프레임(21)상에 반도체칩(11)을 접착하고, 이 반도체칩(11)상의 필요한 부분과 리드프레임(21)상의 외부리드(1)의 필요한 부분을 금속세선(22 ; 金屬細線)에 의해 접속한다. 이어서, 이 반도체칩(11) 및 외부리드(13)의 일부를 금속세선(22)과 더불어 봉지되도록 주형(鑄型)을 이용해서 합성수지 등의 절연수지를 성형하여 박형의 외위기(12)를 형성한다. 이 경우, 반도체칩(11)의 주면과 외위기(12)의 상면이 평행으로 되도록 결국, 외위기(12)의 양측면부의 거의 같은 위치로부터 외부리드(13)가 돌출되도록 봉지한다.
이어서, 리드프레임(21)으로부터 외부리드(1)를 필요한 길이로 절단하고 외부리드(13)를 도중에 하방[기판(90)의 장착면방향]으로 구부림과 더불어, 외부리드(13)의 선단부가 외측으로 다시 휘어지도록 형성한다. 이 경우, 외부리드(13)가 상기 장착면 방향으로 수직하게 뻗은 부분의 길이는 외우기(12)의 편방측에 있어서의 길이(ι1)가 외위기(12)의 타방측에 있어서의 길이(ι2)보다도 짧게 되도록 형성한다.
여기서, 제 2 도c에 있어서, 외위기(12)의 양측면부의 외부리드(13, 13)상호간의 치수(d)를 1.5mm로 하고, 외위기(12)의 양면측으로부터 돌출된 외부리드(13)의 상기 장착면방향으로 수직하게 뻗은 부분의 길이의 차(ι2-ι1)를 0.87mm로 함으로써, 전자기기 기판(제 1 도중 참조부호 90)의 장착면에 대해서 칩(11)의 주면이 갖는 경사(θ)를 약 30˚로 할 수 있다.
제 3 도는 제 1 도의 반도체장치(10)로 자기를 검출하는 반도체칩(11)을 내장한 경우에 칩(11)의 횡방향으로부터 도래하는 자력선을 검출하는 모양을 도시하고 있다. 이 경우의 반도체장치(10)의 자기검출특성을 제 4 도에 도시하고 있다. 여기서 θ는 자력선도래방향과 칩(11)의 주면이 갖는 경사이고, 검출출력(磁電變換出力)의 레벨(Vh)은 θ=90˚일때 최대치(Vhm)로 되고, θ=0˚일때 최소("0")로 되어 다음 식과 같은 정현함수로 나타나는 것이 판명됐다.
Vh=Vhm·sinθ
상기 실시예에 따른 표면실장형 반도체장치(10)에 의하면, 예컨대 θ=30˚로 하면, 최대치(Vhm)의 50%의 출력이 얻어지고, 제 9 도에 도시된 바와 같이 종래의 자립형 반도체장치(80)의 자기검출특성에 비해서 출력은 저하되지만 전자기기의 기판(90)의 장착두께를 박막화할 수 있다. 상기 출력저하는 반도체칩(11)자체의 개선이나 다른 수단에 의해 보충될 수 있으므로 이것은 본 발명의 효과를 저하시키는 것은 아니고, 상기 실시예의 반도체장치(10)는 충분히 사용가능하다.
또 θ=0˚[종래의 표면실장형 반도체장치(100)에 상당함]일때는 이론적으로 출력이 "영"이고 사용불가능한 것을 의미한다.
또, 칩(11)이 수직인 종방향으로부터 도래하는 자력선에 대해서도 자력선도래방향과 칩(11)의 주면이 갖는 경사를 θ로 하면 제 4 도와 같은 자기검출특성이 얻어진다.
또, 제 2 도a 내지 c에 도시된 바와 같은 제조방법에 의하면, 종래방법에 비해서 외부리드(13)의 형상을 형성하는 틀을 변경하는 정도에 그치고, 기존의 설비의 대다수 특히, 고가인 조립설비를 그대로 이용할 수 있으므로, 반도체장치(10)를 간이하고 저가로 제조할 수 있다.
제 5 도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체장치(50)의 외부리드(53)의 선단부가 전자기기의 기판(90)의 상면에 예컨대 접착에 의해 장착된 상태를 도시한 것이고, 이 반도체장치(50)는 상기 장착면에 대해서 칩(51)의 주면이 소정의 경사(θ)를 갖고 있다. 즉, 이 반도체장치(50)는 반도체장치(51)의 주면과 외위기(52)의 상면이 소정의 경사(θ)를 갖도록 칩(51)이 외위기(52)내에 봉지되어 있고, 이 외위기(52)의 양측면부로부터 돌출된 외부리드(53)가 외우기밑면방향으로 수직하게 뻗은 높이는 외위기(52)의 편방측에 있어서의 길이(ι1)와 타방측에 있어서의 길이(ι2)가 상이하게 되어 있다.
제 6 도a 내지 c는 제 5 도의 반도체장치(50)의 제조공정을 도시하고 있고, 우선 리드프레임(61)상에 반도체칩(51)을 접착하고, 이 반도체칩(51)상의 필요한 부분과 리드프레임(61)상의 외부리드(53)의 필요한 부분을 금속세선(62)에 의해 접속한다. 이어서 이 반도체칩(51) 및 외부리드(53)의 일부가 금속세선(62)과 더불어 봉지되도록 주형을 이용해서 합성수지 등의 절연수지를 성형해서 박형인 외위기(52)를 형성한다. 이 경우, 반도체칩(51)이 주면과 외위기(52)의 상면이 소정의 경사(θ)를 갖도록 결국, 외위기(52)의 양측면부가 서로 다른 높이의 위치로부터 외부리드(53, 53)가 돌출되도록 봉지한다.
이를 위해서는 제 7 도에 도시된 바와 같이 외위기밑면으로부터 외위기양측면부의 외부리드돌출부분까지의 높이가 외위기편방측과 타방측에서 서로 다르게 되는 주입형상을 갖는 상형(71) 및 하형(72)으로 이루어진 외위기형성용 주형(70)을 제작하고, 이 외위기형성용 주형(70)의 상형(71)과 하형(72) 서로에 평행한 대접면(對接面)사이에 리드프레임(61)을 삽입하고 반도체칩(51)을 수치로 봉지한다.
이어서, 리드프레임(61)으로부터 외부리드(53)를 필요한 길이로 절단하고 이 외부리드(53)를 도중에 하방[외위기(52)의 밑면방향]으로 구부림과 더불어 외부리드(53)의 선단부가 외측으로 다시 휘어지도록 성형한다. 이 경우, 외부리드(53)가 상기 외위기밑면방향으로 수직하게 뻗은 부분의 길이는 외위기(52)의 편방측에 있어서의 길이(ι1)가 외위기(52)의 타방측에 있어서의 길이(ι2)보다도 짧게 되도록 형성한다.
여기서, 제 6 도c에 있어서, 외위기(52)의 양측면부의 외부리드(53, 53)상호간의 치수(d)를 1.5mm로 하고 외위기(12)의 양측면부로부터 돌출된 외부리드(53, 53)가 상기 외위기밑면방향으로 수직하게 뻗은 부분의 길이의 차(ι2-ι1)를 0.87mm로 함에 따라 전자기기 기판(제 5 도중 참조부호 90)의 장착면에 대해서 칩(51)의 주면이 갖는 경사(θ)를 약 30˚로 할 수 있다.
상기와 같이 다른 실시예에 따른 표면실장형 반도체장치(50)도 상기 실시예의 반도체장치(10)와 같은 효과가 얻어진다.
또, 제 6 도a 내지 c에 도시된 바와 같은 제조방법에 의하면, 종래의 제조방법에 비해서 외우기형성용 주형(70) 및 외부리드(53)의 형상을 형성하는 틀을 변형하는 정도에서 그치고, 기존의 설비의 대다수, 특히 고가인 조립설비를 그대로 이용할 수 있으므로 반도체장치(50)를 간이하고 저가로 제조할 수 있다.
또, 본 발명은 상기 각 실시예의 표면실장형 반도체장치에 한정되지 않고, 각양 각색의 외형을 갖는 표면실장형 반도체장치에도 적용할 수 있음은 물론이다.
[발명의 효과]
상기한 바와 같이 본 발명의 표면실장형 반도체장치에 따르면, 자기 또는 광 등의 검출이 가능한 특성을 지닌 반도체칩을 내장함으로써, 자기 또는 광 등이 전자기기 기판의 장착면에 수직인 방향으로부터 도래하는 경우뿐만 아니라, 이 기판의 장착면에 평행한 방향으로부터 도래하는 경우에는 사용할 수 있고, 또 자기기판의 장착두께를 박막화할 수 있다.
또, 상기한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체장치의 제조방법에 의하면, 반도체칩의 주면이 절연수지외위기의 상면에 대해서 소정의 경사를 갖도록 칩이 절연수지외위기내에 봉지되게 되는 표면실장형 반도체장치를 간이하고 저가로 제조할 수 있다.

Claims (5)

  1. 반도체칩(11, 51)을 내재한 표면실장형 반도체장치(10, 50)에 있어서, 상기 칩(11, 51)의 주면이 이 반도체장치(10, 50)를 장착하는 경우의 전자기기의 기판(90)의 장착면에 대해서 소정의 경사를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체칩(11, 51)은 자기검출할 수 있는 특성을 지닌 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체칩(11)의 주면과 외위기의 상면이 평행하게 되도록 칩(11)이 외위기내에 봉지되어 있고, 이 외위기의 양측면부로부터 돌출된 외부리드(13)가 상기 장착면 방향으로 수직하게 뻗은 부분의 길이(ι1, ι2)가 외우기의 편방측(片方側)과 타방측(他方側)에서 서로 다른 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체칩(51)의 주면과 외위기의 상면이 소정의 경사를 갖도록 칩(51)이 외위기내에 봉지되어 있고, 이 외위기의 양측면부로부터 돌출된 외부리드(53)가 외위기밑면방향으로 수직하게 뻗은 높이(ι1, ι2)가 외위기의 편방측과 타방측에서 서로 다른 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  5. 반도체칩(51)의 주면이 절연수지외위기(52)의 상면에 대해서 소정의 경사를 갖도록 칩(51)을 절연수지외위기(52)내에 봉지해서 표면실장형 반도체장치(50)를 제조하는 경우, 외위기밑면으로부터 외위기양측면부의 외부리드(53)돌출부분까지의 높이가 외위기의 편방측과 타방측에서 서로 다르게 되도록 외위기형성용 주형(70)을 제조하고, 이 외위기형성용 주형(70)을 이용해서 반도체칩(51)의 수지봉지를 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3127555B2 (ja) * 1992-04-02 2001-01-29 富士電機株式会社 透明樹脂封止形半導体素子の成形用金型、およびその半導体素子の成形方法
EP0741395A1 (en) 1995-05-04 1996-11-06 AT&T IPM Corp. Post-mountable planar magnetic device and method of manufacture thereof
EP0741396A1 (en) 1995-05-04 1996-11-06 AT&T IPM Corp. Power magnetic device employing a leadless connection to a printed circuit board and method of manufacture thereof
DE19518027C2 (de) * 1995-05-17 1997-05-15 Lust Hybrid Technik Gmbh Verfahren zur abstandsgenauen Umhüllung mit funktionstragenden Schichten versehener Bauelemente und danach hergestellte Bauelemente
US6384407B1 (en) 1998-11-12 2002-05-07 Tab Products Co Infrared receiver mount with directional reception capabilities
US6740870B1 (en) * 1998-11-18 2004-05-25 Micron Technology, Inc. Clear plastic packaging in a CMOS active pixel image sensor
US7187063B2 (en) * 2002-07-29 2007-03-06 Yamaha Corporation Manufacturing method for magnetic sensor and lead frame therefor
DE10234585B4 (de) * 2002-07-30 2004-07-22 Behr-Hella Thermocontrol Gmbh Optoelektronisches SMD-Bauteil für den Empfang von elektromagnetischer Strahlung, insbesondere Sonnenlicht, und dessen Verwendung in einem Strahlungssensor
US7016802B2 (en) 2003-09-05 2006-03-21 Tyco Electronics Corporation Photocontrol devices having flexible mounted photosensors and methods of calibrating the same
US7547876B2 (en) 2007-08-23 2009-06-16 Tyco Electronics Corporation Photocontrol devices and methods for forming the same
US20100038519A1 (en) * 2008-08-12 2010-02-18 Cho-Yi Lin Image Sensing Module
DE102008048259A1 (de) * 2008-09-22 2010-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauteil
EP2590236A1 (de) * 2011-11-07 2013-05-08 Odelo GmbH Leuchtdiode und Leuchtmittel mit wenigstens zwei Leuchtdioden als Lichtquellen
JP5814863B2 (ja) * 2012-06-07 2015-11-17 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法
JP2016039213A (ja) 2014-08-06 2016-03-22 ローム株式会社 基板内蔵パッケージ、半導体装置およびモジュール
CN211297011U (zh) * 2019-06-15 2020-08-18 徐晓军 一种低成本且便于使用的插脚式灯珠

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1950354A (en) * 1932-01-16 1934-03-06 Bats Jean Hubert Louis De Improved pressure molding method
US2378480A (en) * 1943-10-15 1945-06-19 Tennessee Coal Anode mold
US3740672A (en) * 1971-11-22 1973-06-19 Rca Corp Semiconductor carrier for microwave applications
JPS6080357A (ja) * 1983-10-08 1985-05-08 Ricoh Co Ltd 電子回路担持装置
JPS6256111A (ja) * 1985-09-05 1987-03-11 Sony Corp 樹脂封止金型
JPS62260384A (ja) * 1986-05-06 1987-11-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS6384054A (ja) * 1986-09-29 1988-04-14 Hitachi Ltd 樹脂封止型半導体装置
JPH01270256A (ja) * 1988-04-21 1989-10-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

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DE69034090T2 (de) 2004-04-15
JPH02303176A (ja) 1990-12-17
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KR900019205A (ko) 1990-12-24
JPH0783082B2 (ja) 1995-09-06
US5122045A (en) 1992-06-16

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