JP4165760B2 - 半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
しておいても、このAuメッキが上記焼成により侵食されるおそれが無い。したがって、上記ステムなどの表面処理として、様々なメッキなどより多くの表面処理を採用することができる。また、上記ステムの酸化防止を図るのに好適である。また、上記半導体レーザ素子は、高耐湿型の半導体レーザ素子として構成されるため、比較的湿度の高い環境においてこの半導体レーザ素子を使用しても、上記半導体レーザ素子の出射端面などが侵食されるおそれが少なく、適切に作動させることができる。
1 ステム
1A ベース
1B ブロック
2 半導体レーザ素子
3 受光素子
4A,4B,4C リード
5 キャップ
6 樹脂
7 ワイヤ
8Aa,8Ab Auメッキ
8B Pdメッキ
8C Niメッキ
11 サブマウント
Claims (6)
- レーザ光を出射する半導体レーザ素子と、
上記半導体レーザ素子が設けられたブロック、およびこのブロックに対して上記レーザ光の出射方向反対側に位置するベースを含むステムと、
上記ベースを上記出射方向に貫通し、かつ上記半導体レーザ素子に導通するリードと、
上記半導体レーザ素子および上記リードの一端部を囲うキャップと、を備えた半導体レーザ装置であって、
上記キャップには、上記出射方向に挿通する開口が形成されており、
上記半導体レーザ素子から上記出射方向に向けて開放した構造とされており、
上記ステムは、上記ブロックと上記ベースとが一体成形された構造であり、
上記リードは、樹脂を介して上記ベースに固着されており、
上記ステムには、ともにAu層の厚さが0.01μm以下とされたNi/Pd/Auメッキ、またはNi/Auメッキが施されており、
上記リードには、その厚さが0.1μm以上とされたAuメッキが施されており、
上記半導体レーザ素子の出射端面はTiOまたはSiO2が混入されたAl2O3からなるコーティングによって覆われていることを特徴とする、半導体レーザ装置。 - 上記ステムは、CuまたはCu合金からなる、請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 上記樹脂は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、またはポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリフタルアミド樹脂、液晶ポリエステル樹脂などの熱可塑性樹脂、あるいはシリカ粉末が混入されたシリコーン樹脂である、請求項1または2に記載の半導体レーザ装置。
- ブロックおよびベースを有するステムを形成する工程と、
上記ベースに設けた孔にリードを貫通させて固着する工程と、
上記ブロックに半導体レーザ素子を搭載する工程と、
上記半導体レーザ素子および上記リードの一端部を囲うようにキャップを上記ベースに接合する工程と、を有する半導体レーザ装置の製造方法であって、
上記半導体レーザ素子として、出射端面がTiOまたはSiO2が混入されたAl2O3からなるコーティングによって覆われたものを用い、
上記ステムを形成する工程においては、上記ブロックと上記ベースとを一体成形し、
上記リードを固着する工程は、あらかじめ上記リードにその厚さが0.1μm以上とされたAuメッキを施した後に樹脂を用いて行い、
上記ステムを形成する工程の後、上記リードを固着する工程の前に、上記ステムにともにAu層の厚さが0.01μm以下とされたNi/Pd/Auメッキ、またはNi/Auメッキを施す工程を有し、
上記キャップとして、上記レーザ素子の出射方向に挿通する開口が形成されたものを用いることを特徴とする、半導体レーザ装置の製造方法。 - 上記ステムを形成する工程は、Cu材料またはCu合金材料を用いて冷間鍛造により行う、請求項4に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
- 上記樹脂としては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、またはポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリフタルアミド樹脂、液晶ポリエステル樹脂などの熱可塑性樹脂、あるいはシリカ粉末が混入されたシリコーン樹脂を用いる、請求項4または5に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
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