JP2005032744A - 半導体パッケージ - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体素子の搭載数を最大限に高めて高密度実装が可能な半導体パッケージを提供する。
【解決手段】アルミナメタライズ基板1の上側表面には、メタライズパターン12を形成し、下側表面にはメタライズパターンを形成し、両者を貫通ビア11で接続する。金属ステム4には貫通孔を形成し、貫通孔にペレットとピン2の他端とを挿入し、ピン2の一方の先端面をアルミナメタライズ基板1の下側表面のメタライズパターンに当接させてロウ付けする。アルミナメタライズ基板1の下端面を金属ステム4の上段部41の上端面に接触させてアルミナメタライズ基板1を金属ステム4に積層し、ピン2を金属ステム4に固着する。アルミナメタライズ基板1上に発光素子5や受光素子6を配置し、メタライズパターン12とワイヤーボンディング接続する。
【選択図】図2
【解決手段】アルミナメタライズ基板1の上側表面には、メタライズパターン12を形成し、下側表面にはメタライズパターンを形成し、両者を貫通ビア11で接続する。金属ステム4には貫通孔を形成し、貫通孔にペレットとピン2の他端とを挿入し、ピン2の一方の先端面をアルミナメタライズ基板1の下側表面のメタライズパターンに当接させてロウ付けする。アルミナメタライズ基板1の下端面を金属ステム4の上段部41の上端面に接触させてアルミナメタライズ基板1を金属ステム4に積層し、ピン2を金属ステム4に固着する。アルミナメタライズ基板1上に発光素子5や受光素子6を配置し、メタライズパターン12とワイヤーボンディング接続する。
【選択図】図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体パッケージに関し、特に、レーザダイオード(LD)やフォトダイオード(PD)や発光ダイオード(LED)が搭載され、通信用途や民生用途などで幅広く使用されている半導体パッケージに関する。
【0002】
【従来の技術】
光通信の分野では、電気ー光信号変換用の発光素子や、光ー電気信号変換用の受光素子のマウントとして光半導体パッケージが多用されている。そのような例の半導体ステムが特開平11−135690号公報に記載されている。
【0003】
図10は特開平11−135690号公報に記載されている半導体ステムの要部概略を示す斜視図である。セラミックス板21は円板状に形成されており、その平坦部22の表面に、その表面と5°〜20°の角度で傾斜した傾斜面部37が形成されているとともに、その表面から垂直に突出した突起部40が形成されている。傾斜面部37にはフォトダイオード38が配置され、突起部40の垂直面にはレーザダイオード39が配置される。
【0004】
セラミックス板21には2箇所に貫通孔31,32が形成されており、これらの貫通孔31,32には金属リード35,36が挿入され、ガラスなどの絶縁体33,34によってセラミックス板21に封止されている。金属リード35とレーザダイオード39とはワイヤーボンディング接続され、金属リード36とフォトダイオード38とはワイヤーボンディング接続されている。
【0005】
また最近では、光通信容量の増大に伴う波長の多重化や、波長の高精度制御の必要性から、1つの半導体パッケージ上に複数の素子を搭載する必要が生じており、そのような半導体パッケージが特開平6−69375号公報や特開平7−297314号公報に記載されている。
【0006】
【特許文献1】
特開平11−135690号公報
【0007】
【特許文献2】
特開平6−69375号公報
【0008】
【特許文献3】
特開平7−297314号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、複数の素子またはアレイ状大型素子を半導体パッケージに搭載するためには、複数の素子またはアレイ状大型素子を接続するためのピンも素子の数に対応して設けなければならない。通常ピンはガラスなどの絶縁体で金属ベースに接合する必要があり、接合に要する絶縁体の面積が大きくなり、素子を配列するスペースに制約を受ける問題がある。
【0010】
前記問題に対応するためのこの発明の主たる目的は、半導体素子の搭載数または搭載面積を最大限に高めて高密度実装が可能な半導体パッケージを提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
この発明は、半導体素子を搭載するための半導体パッケージであって、一方表面に半導体素子に接続される表面導体が形成された基板と、表面導体に接続されるピンが絶縁体によって封止されかつ基板の他方面に接して設けられる金属ステムとを備え、金属ステムの基板に接する面積の範囲内における絶縁体部分を除いた面積に比べて、基板の表面導体を除いた面積の方が大きいことを特徴とする。
【0012】
これにより、基板上に絶縁体部分が露出することがなく、表面導体を除く領域を半導体素子を搭載するための領域として活用できるので、半導体素子の搭載数を最大限に高めて高密度実装が可能になる。
【0013】
好ましくは、半導体素子はアレイ状またはバー状の大型半導体素子を含む。
好ましくは、基板は、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムで形成される。
【0014】
好ましくは、基板はその一方表面から他方表面に達する導通孔と、導通孔の内周面に形成されるかまたは内周面に充填されて表面導体に接続される内導体と、内導体に接続されかつ他方表面側に形成される裏面導体とを含み、ピンはその先端面が裏面導体に接続される。導通孔は内部配線に接続していてもよいし、一方表面から他方表面に貫通していてもよい。
【0015】
好ましくは、ピンは裏面導体にロウ付けまたは半田付けされる。
好ましくは、基板はその一方表面から他方表面に貫通する貫通孔を含み、表面導体は貫通孔の一方表面側の開口部を囲うように形成されていて、ピンはその先端部が基板の貫通孔に挿入されて、表面導体に接続される。貫通孔内周面には導体が充填されていてもよい。
【0016】
好ましくは、ピンは表面導体にロウ付けまたは半田付けされる。
好ましくは、基板は一方表面側から他方表面側に形成される貫通孔と、貫通孔の一方表面側内周面に形成される内導体とを含み、ピンはその先端部が基板の他方表面側から貫通孔に挿入されて内導体に接続される。
ピンは内導体にロウ付けまたは半田付けされる。
【0017】
【発明の実施の形態】
図1はこの発明の一実施形態における半導体パッケージの分解斜視図であり、図2は半導体パッケージを組み立てた状態を示す斜視図であり、図3は図2の線III−IIIに沿う断面図である。
【0018】
図1において、アルミナメタライズ基板1は、円板状のアルミナセラミックによって形成されており、平坦部の周囲には例えば5箇所に直径0.2mmの貫通ビア11が等間隔で形成されている。貫通ビア11は貫通孔の一方表面側から他方表面側にかけてその内周面に内導体を形成したものである。なお、貫通ビア11はスルーホールであってもよい。アルミナメタライズ基板1の上側表面には貫通ビア11に接続されるメタライズパターン12と、その上に半導体素子が装着されるアルミナメタライズパターン16が形成されており、下側表面には図3(a)に示すように直径1.0mmの裏面導体としてのメタライズパターン13が形成されている。
【0019】
なお、図3(b)に示すように貫通孔内に内導体を充填してもよい。さらに、図3(c)に示すように、メタライズドパターン12と13とを接続する内導体として、アルミナメタライズ基板1の上側表面から下側表面に貫通させることなく、メタライズパターン12側とメタライズパターン13側とで中心軸がずれた導通孔を形成し、上側表面からメタライズパターン12に接続される内導体25を埋め込み、この内導体25に接続されて下側表面側に露出する内導体26を形成し、この内導体26にメタライズパターン13を接続してもよい。
【0020】
これらのメタライズパターン12,13,16や内導体は、タングステン,モリブデンのような高融点金属をポストメタメタライズ法または同時焼成法で形成してもよいし、ニッケルや銅メッキ法によって形成してもよい。さらに、これらのメタライズパターン12,13,16には、無電解めっき法によって、2μmの厚みでNiめっきが施されている。
【0021】
ピン2は、例えばニッケル,コバルト,タングステン,モリブデン,鉄,銅またはこれらの合金で形成されるが、図1においてはピン2はFe−Co−Ni合金を直径0.5mmで形成しており、好ましくはNiめっきが全体に施されている。
【0022】
アルミナメタライズ基板1をカーボン製治具に搭載し、ピン2の一方の先端面をアルミナメタライズ基板1のメタライズパターン13に当接させて、800℃の雰囲気下で銀ロウ材によってロウ付けすることで、ピン2が接合されたアルミナメタライズ基板1が得られる。なお、ロウ付けに限ることなく半田付けするようにしてもよい。その場合、メタライズパターン13およびピン2には、Niメッキに代えてもしくはNiメッキ上にAuメッキを施してもよい。
【0023】
一方、金属ステム4は、例えばニッケル,コバルト,タングステン,モリブデン,鉄,銅またはこれらの合金で形成されるが、図1においてはFe−Co−Ni合金をプレスまたは切削法により上段部41と下段部42とを有するように円板状に形成され、ピン2に対応して、上段部41と下段部42とを貫通する貫通孔43が形成されている。貫通孔43は直径が1mmを有するように形成される。
【0024】
金属ステム4の上段部41の直径はアルミナメタライズ基板1とほぼ等しく形成されており、下段部42はアルミナメタライズ基板1および上段部41を覆うキャップ(図示せず)の下部を保持するために、上段部41よりも直径が大きく形成されている。
【0025】
このようにして形成された金属ステム4と、前述のピン2の一端が接合されたアルミナメタライズ基板1をカーボン製治具に搭載し、貫通孔43に低融点ガラス粉末で製作したペレット3と、ピン2の他端とを挿入する。そして、アルミナメタライズ基板1の下端面が金属ステム4の上段部41の上端面に接触させることでアルミナメタライズ基板1を金属ステム4に積層し、400℃の温度で加熱することでピン2を金属ステム4に固着する。さらに半田濡れ性を向上させるために、全体に1μmの厚みでAuめっきが施される。
【0026】
このようにして形成されたアルミナメタライズ基板1のメタライズパターン16上に、図2に示すように発光素子5や受光素子6が装着され、発光素子5および受光素子6がメタライズパターン12にボンディングワイヤー7によりボンディング接続される。
【0027】
したがって、この実施形態によれば、金属ステム4に対してピン2のロウ付けを行うことにより、アルミナメタライズ基板1上には、比較的径の小さな貫通ビア11と比較的面積の小さなメタライズパターン12とが現れるだけであり、従来の半導体ステムのように金属ピンを封止するためのガラスによって、その面積が占有されてしまうことがなく、発光素子5や受光素子6などの複数の半導体素子を高密度で実装できる。すなわち、この実施形態では、金属ステム4うちのアルミナメタライズ基板1に接する面積の範囲内において、ガラスを除いて露出している金属部分の面積に比べて、メタライズパターン12,16を除いてアルミナメタライズ基板1の露出している面積の方が大きいことを特徴としている。
【0028】
図4はこの発明の他の実施形態における半導体パッケージの分解斜視図であり、図5は半導体パッケージを組み立てた状態を示す斜視図であり、図6は図5の線VI−VIに沿う断面図である。
【0029】
アルミナメタライズ基板1には、図6に示すようにピン2を挿入するための直径0.55mmの貫通孔14を形成するとともに、貫通孔14を囲むようにメタライズパターン12を形成する。メタライズパターン12には無電解めっき法により2μmの厚みでNiめっきが施される。
【0030】
金属ステム4は前述の実施形態と同様にして構成され、ペレット3はホウケイ酸ガラス粉末をプレス法により作成する。ピン2はFe−Co−Ni合金を用いて直径が0.5mmとなるように作製する。次に、金属ステム4とピン2とを大気炉にて500℃の温度で加熱して酸化膜を作成し、これらをカーボン製治具に搭載し、1000℃の温度で溶融封着させる。
【0031】
そして、アルミナメタライズ基板1と、ピン2がガラス封止された金属ステム4とをカーボン製治具に搭載し、ピン2の先端部をアルミナメタライズ基板1の裏面から貫通孔14に挿入し、銀ロウ材によって温度800℃でピン2の先端部の周囲をメタライズパターン12にロウ付けするとともにピン2をアルミナメタライズ基板1にロウ付けする。なお、ピン2とメタライズパターン12およびアルミナメタライズ基板1との接合は、ロウ付けに限ることなく、AuSnやPbSnのような半田材で行ってもよい。なお、金属ステム4とピン2とをガラス封止する際、封止しない貫通孔を設け、基板とのロウ付け時に金属ステム4ともロウ付けし、グランド電極として利用してもよい。このようにして形成された半導体パッケージには、半田濡れ性向上のために、全体に1μmの厚みでAuめっきが施される。
【0032】
この実施形態においても、アルミナメタライズ基板1上にはメタライズパターン12が現れるだけであるため、従来の半導体ステムのように金属ピンを封止するためのガラスによって、その面積が占有されてしまうことがなく、発光素子5や受光素子6などの複数の半導体素子を高密度で実装できる。
【0033】
図7はこの発明のさらに他の実施形態におけるアルミナメタライズ基板とピンの断面図である。図7(a)に示した例は図6に示したメタライズパターン12にピン2の先端部がメタライズパターン12から突出するように孔を形成し、ピン2の先端部とメタライズパターン12とをロウ付けあるいは半田付けした例である。
【0034】
図7(b)に示した例は、メタライズパターン12にピン2の先端面が露出するように孔を形成し、その孔を囲むようにメタライズパターン15を形成したものである。図7(c)は貫通ビア11内にピン2を挿入し、ピン2の先端部とメタライズパターン12とをロウ付けあるいは半田付けするものである。
【0035】
図8はこの発明のさらに他の実施形態におけるアルミナメタライズ基板とピンの断面図である。
この実施形態は、図1〜図3の実施形態と図4〜図6の実施形態とを組み合わせたものである。すなわち、図8に示すようにアルミナメタライズ基板1の上面側には貫通ビア11とこの貫通ビア11から中心方向へ帯状に延びるメタライズパターン12とが形成され、アルミナメタライズ基板1の下面側には貫通ビア11に連なる貫通孔14が形成されている。
【0036】
金属ステム4とピン2は図1〜図6の実施形態と同様にして形成され、アルミナメタライズ基板1と、ピン2がガラス封止された金属ステム4とをカーボン製治具に搭載し、ピン2の先端部をアルミナメタライズ基板1の裏面から貫通孔14に挿入し、ピン2の先端面を銀ロウ材によって温度800℃で貫通ビア11の下端面にロウ付けする。
【0037】
この実施形態においても、アルミナメタライズ基板1上には比較的径の小さな貫通ビア11と比較的面積の小さなメタライズパターン12とが現れるだけであるため、複数の半導体素子を配列する上でのレイアウトの自由度を確保できる。
【0038】
図9はこの発明のさらに他の実施形態における半導体パッケージの外観斜視図である。この実施形態は、アルミナメタライズ基板1をセラミックの積層構造とし、アルミナメタライズ基板1上にアレイ状大型半導体素子18を搭載し、メタライズパターン12とアレイ状大型半導体素子18とをワイヤーボンディング接続したものである。なお、アレイ状大型半導体素子18に代えてバー状大型半導体素子を搭載するようにしてもよい。
【0039】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、基板の一方表面に例えばアレイ状半導体素子やバー状半導体素子などに接続される表面導体が形成され、表面導体に接続されるピンが導電性に優れたロウ材または半田によって強固に固着されかつ基板の他方面に接した金属ステムが設けられ、金属ステムの基板に接する面積の範囲内における絶縁体部分を除いた面積に比べて、基板の表面導体を除いた面積の方を大きくすることにより、基板上に絶縁体部分が露出することがなく、表面導体を除く領域を半導体素子を搭載するための領域として活用できる。したがって、半導体素子の搭載数を最大限に高めて高密度実装が可能になり、複数の半導体素子を配列するときのレイアウトの自由度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態における半導体パッケージの分解斜視図である。
【図2】この発明の一実施形態における半導体パッケージを組み立てた状態を示す斜視図である。
【図3】図2の線III−IIIに沿う断面図および貫通孔内を内導体で充填した例の断面図である。
【図4】この発明の他の実施形態における半導体パッケージの分解斜視図である。
【図5】この発明の他の実施形態における半導体パッケージを組み立てた状態を示す斜視図である。
【図6】図5の線VI−VIに沿う断面図である。
【図7】この発明のさらに他の実施形態におけるアルミナメタライズ基板とピンの断面図である。
【図8】この発明のさらに他の実施形態におけるアルミナメタライズ基板とピンの断面図である。
【図9】この発明のさらに他の実施形態における半導体パッケージの外観斜視図である。
【図10】特開平11−135690号公報に記載されている半導体ステムの要部概略を示す斜視図である。
【符号の説明】
1 アルミナメタライズ基板
2 ピン、
3 ペレット
4 金属ステム
5 発光素子
6 受光素子
7 ボンディングワイヤー
11 貫通ビア
12,13、16 メタライズパターン
14 孔
18 アレイ状半導体素子
25,26 内導体
41 上段部
42 下段部
43 貫通孔
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体パッケージに関し、特に、レーザダイオード(LD)やフォトダイオード(PD)や発光ダイオード(LED)が搭載され、通信用途や民生用途などで幅広く使用されている半導体パッケージに関する。
【0002】
【従来の技術】
光通信の分野では、電気ー光信号変換用の発光素子や、光ー電気信号変換用の受光素子のマウントとして光半導体パッケージが多用されている。そのような例の半導体ステムが特開平11−135690号公報に記載されている。
【0003】
図10は特開平11−135690号公報に記載されている半導体ステムの要部概略を示す斜視図である。セラミックス板21は円板状に形成されており、その平坦部22の表面に、その表面と5°〜20°の角度で傾斜した傾斜面部37が形成されているとともに、その表面から垂直に突出した突起部40が形成されている。傾斜面部37にはフォトダイオード38が配置され、突起部40の垂直面にはレーザダイオード39が配置される。
【0004】
セラミックス板21には2箇所に貫通孔31,32が形成されており、これらの貫通孔31,32には金属リード35,36が挿入され、ガラスなどの絶縁体33,34によってセラミックス板21に封止されている。金属リード35とレーザダイオード39とはワイヤーボンディング接続され、金属リード36とフォトダイオード38とはワイヤーボンディング接続されている。
【0005】
また最近では、光通信容量の増大に伴う波長の多重化や、波長の高精度制御の必要性から、1つの半導体パッケージ上に複数の素子を搭載する必要が生じており、そのような半導体パッケージが特開平6−69375号公報や特開平7−297314号公報に記載されている。
【0006】
【特許文献1】
特開平11−135690号公報
【0007】
【特許文献2】
特開平6−69375号公報
【0008】
【特許文献3】
特開平7−297314号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、複数の素子またはアレイ状大型素子を半導体パッケージに搭載するためには、複数の素子またはアレイ状大型素子を接続するためのピンも素子の数に対応して設けなければならない。通常ピンはガラスなどの絶縁体で金属ベースに接合する必要があり、接合に要する絶縁体の面積が大きくなり、素子を配列するスペースに制約を受ける問題がある。
【0010】
前記問題に対応するためのこの発明の主たる目的は、半導体素子の搭載数または搭載面積を最大限に高めて高密度実装が可能な半導体パッケージを提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
この発明は、半導体素子を搭載するための半導体パッケージであって、一方表面に半導体素子に接続される表面導体が形成された基板と、表面導体に接続されるピンが絶縁体によって封止されかつ基板の他方面に接して設けられる金属ステムとを備え、金属ステムの基板に接する面積の範囲内における絶縁体部分を除いた面積に比べて、基板の表面導体を除いた面積の方が大きいことを特徴とする。
【0012】
これにより、基板上に絶縁体部分が露出することがなく、表面導体を除く領域を半導体素子を搭載するための領域として活用できるので、半導体素子の搭載数を最大限に高めて高密度実装が可能になる。
【0013】
好ましくは、半導体素子はアレイ状またはバー状の大型半導体素子を含む。
好ましくは、基板は、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムで形成される。
【0014】
好ましくは、基板はその一方表面から他方表面に達する導通孔と、導通孔の内周面に形成されるかまたは内周面に充填されて表面導体に接続される内導体と、内導体に接続されかつ他方表面側に形成される裏面導体とを含み、ピンはその先端面が裏面導体に接続される。導通孔は内部配線に接続していてもよいし、一方表面から他方表面に貫通していてもよい。
【0015】
好ましくは、ピンは裏面導体にロウ付けまたは半田付けされる。
好ましくは、基板はその一方表面から他方表面に貫通する貫通孔を含み、表面導体は貫通孔の一方表面側の開口部を囲うように形成されていて、ピンはその先端部が基板の貫通孔に挿入されて、表面導体に接続される。貫通孔内周面には導体が充填されていてもよい。
【0016】
好ましくは、ピンは表面導体にロウ付けまたは半田付けされる。
好ましくは、基板は一方表面側から他方表面側に形成される貫通孔と、貫通孔の一方表面側内周面に形成される内導体とを含み、ピンはその先端部が基板の他方表面側から貫通孔に挿入されて内導体に接続される。
ピンは内導体にロウ付けまたは半田付けされる。
【0017】
【発明の実施の形態】
図1はこの発明の一実施形態における半導体パッケージの分解斜視図であり、図2は半導体パッケージを組み立てた状態を示す斜視図であり、図3は図2の線III−IIIに沿う断面図である。
【0018】
図1において、アルミナメタライズ基板1は、円板状のアルミナセラミックによって形成されており、平坦部の周囲には例えば5箇所に直径0.2mmの貫通ビア11が等間隔で形成されている。貫通ビア11は貫通孔の一方表面側から他方表面側にかけてその内周面に内導体を形成したものである。なお、貫通ビア11はスルーホールであってもよい。アルミナメタライズ基板1の上側表面には貫通ビア11に接続されるメタライズパターン12と、その上に半導体素子が装着されるアルミナメタライズパターン16が形成されており、下側表面には図3(a)に示すように直径1.0mmの裏面導体としてのメタライズパターン13が形成されている。
【0019】
なお、図3(b)に示すように貫通孔内に内導体を充填してもよい。さらに、図3(c)に示すように、メタライズドパターン12と13とを接続する内導体として、アルミナメタライズ基板1の上側表面から下側表面に貫通させることなく、メタライズパターン12側とメタライズパターン13側とで中心軸がずれた導通孔を形成し、上側表面からメタライズパターン12に接続される内導体25を埋め込み、この内導体25に接続されて下側表面側に露出する内導体26を形成し、この内導体26にメタライズパターン13を接続してもよい。
【0020】
これらのメタライズパターン12,13,16や内導体は、タングステン,モリブデンのような高融点金属をポストメタメタライズ法または同時焼成法で形成してもよいし、ニッケルや銅メッキ法によって形成してもよい。さらに、これらのメタライズパターン12,13,16には、無電解めっき法によって、2μmの厚みでNiめっきが施されている。
【0021】
ピン2は、例えばニッケル,コバルト,タングステン,モリブデン,鉄,銅またはこれらの合金で形成されるが、図1においてはピン2はFe−Co−Ni合金を直径0.5mmで形成しており、好ましくはNiめっきが全体に施されている。
【0022】
アルミナメタライズ基板1をカーボン製治具に搭載し、ピン2の一方の先端面をアルミナメタライズ基板1のメタライズパターン13に当接させて、800℃の雰囲気下で銀ロウ材によってロウ付けすることで、ピン2が接合されたアルミナメタライズ基板1が得られる。なお、ロウ付けに限ることなく半田付けするようにしてもよい。その場合、メタライズパターン13およびピン2には、Niメッキに代えてもしくはNiメッキ上にAuメッキを施してもよい。
【0023】
一方、金属ステム4は、例えばニッケル,コバルト,タングステン,モリブデン,鉄,銅またはこれらの合金で形成されるが、図1においてはFe−Co−Ni合金をプレスまたは切削法により上段部41と下段部42とを有するように円板状に形成され、ピン2に対応して、上段部41と下段部42とを貫通する貫通孔43が形成されている。貫通孔43は直径が1mmを有するように形成される。
【0024】
金属ステム4の上段部41の直径はアルミナメタライズ基板1とほぼ等しく形成されており、下段部42はアルミナメタライズ基板1および上段部41を覆うキャップ(図示せず)の下部を保持するために、上段部41よりも直径が大きく形成されている。
【0025】
このようにして形成された金属ステム4と、前述のピン2の一端が接合されたアルミナメタライズ基板1をカーボン製治具に搭載し、貫通孔43に低融点ガラス粉末で製作したペレット3と、ピン2の他端とを挿入する。そして、アルミナメタライズ基板1の下端面が金属ステム4の上段部41の上端面に接触させることでアルミナメタライズ基板1を金属ステム4に積層し、400℃の温度で加熱することでピン2を金属ステム4に固着する。さらに半田濡れ性を向上させるために、全体に1μmの厚みでAuめっきが施される。
【0026】
このようにして形成されたアルミナメタライズ基板1のメタライズパターン16上に、図2に示すように発光素子5や受光素子6が装着され、発光素子5および受光素子6がメタライズパターン12にボンディングワイヤー7によりボンディング接続される。
【0027】
したがって、この実施形態によれば、金属ステム4に対してピン2のロウ付けを行うことにより、アルミナメタライズ基板1上には、比較的径の小さな貫通ビア11と比較的面積の小さなメタライズパターン12とが現れるだけであり、従来の半導体ステムのように金属ピンを封止するためのガラスによって、その面積が占有されてしまうことがなく、発光素子5や受光素子6などの複数の半導体素子を高密度で実装できる。すなわち、この実施形態では、金属ステム4うちのアルミナメタライズ基板1に接する面積の範囲内において、ガラスを除いて露出している金属部分の面積に比べて、メタライズパターン12,16を除いてアルミナメタライズ基板1の露出している面積の方が大きいことを特徴としている。
【0028】
図4はこの発明の他の実施形態における半導体パッケージの分解斜視図であり、図5は半導体パッケージを組み立てた状態を示す斜視図であり、図6は図5の線VI−VIに沿う断面図である。
【0029】
アルミナメタライズ基板1には、図6に示すようにピン2を挿入するための直径0.55mmの貫通孔14を形成するとともに、貫通孔14を囲むようにメタライズパターン12を形成する。メタライズパターン12には無電解めっき法により2μmの厚みでNiめっきが施される。
【0030】
金属ステム4は前述の実施形態と同様にして構成され、ペレット3はホウケイ酸ガラス粉末をプレス法により作成する。ピン2はFe−Co−Ni合金を用いて直径が0.5mmとなるように作製する。次に、金属ステム4とピン2とを大気炉にて500℃の温度で加熱して酸化膜を作成し、これらをカーボン製治具に搭載し、1000℃の温度で溶融封着させる。
【0031】
そして、アルミナメタライズ基板1と、ピン2がガラス封止された金属ステム4とをカーボン製治具に搭載し、ピン2の先端部をアルミナメタライズ基板1の裏面から貫通孔14に挿入し、銀ロウ材によって温度800℃でピン2の先端部の周囲をメタライズパターン12にロウ付けするとともにピン2をアルミナメタライズ基板1にロウ付けする。なお、ピン2とメタライズパターン12およびアルミナメタライズ基板1との接合は、ロウ付けに限ることなく、AuSnやPbSnのような半田材で行ってもよい。なお、金属ステム4とピン2とをガラス封止する際、封止しない貫通孔を設け、基板とのロウ付け時に金属ステム4ともロウ付けし、グランド電極として利用してもよい。このようにして形成された半導体パッケージには、半田濡れ性向上のために、全体に1μmの厚みでAuめっきが施される。
【0032】
この実施形態においても、アルミナメタライズ基板1上にはメタライズパターン12が現れるだけであるため、従来の半導体ステムのように金属ピンを封止するためのガラスによって、その面積が占有されてしまうことがなく、発光素子5や受光素子6などの複数の半導体素子を高密度で実装できる。
【0033】
図7はこの発明のさらに他の実施形態におけるアルミナメタライズ基板とピンの断面図である。図7(a)に示した例は図6に示したメタライズパターン12にピン2の先端部がメタライズパターン12から突出するように孔を形成し、ピン2の先端部とメタライズパターン12とをロウ付けあるいは半田付けした例である。
【0034】
図7(b)に示した例は、メタライズパターン12にピン2の先端面が露出するように孔を形成し、その孔を囲むようにメタライズパターン15を形成したものである。図7(c)は貫通ビア11内にピン2を挿入し、ピン2の先端部とメタライズパターン12とをロウ付けあるいは半田付けするものである。
【0035】
図8はこの発明のさらに他の実施形態におけるアルミナメタライズ基板とピンの断面図である。
この実施形態は、図1〜図3の実施形態と図4〜図6の実施形態とを組み合わせたものである。すなわち、図8に示すようにアルミナメタライズ基板1の上面側には貫通ビア11とこの貫通ビア11から中心方向へ帯状に延びるメタライズパターン12とが形成され、アルミナメタライズ基板1の下面側には貫通ビア11に連なる貫通孔14が形成されている。
【0036】
金属ステム4とピン2は図1〜図6の実施形態と同様にして形成され、アルミナメタライズ基板1と、ピン2がガラス封止された金属ステム4とをカーボン製治具に搭載し、ピン2の先端部をアルミナメタライズ基板1の裏面から貫通孔14に挿入し、ピン2の先端面を銀ロウ材によって温度800℃で貫通ビア11の下端面にロウ付けする。
【0037】
この実施形態においても、アルミナメタライズ基板1上には比較的径の小さな貫通ビア11と比較的面積の小さなメタライズパターン12とが現れるだけであるため、複数の半導体素子を配列する上でのレイアウトの自由度を確保できる。
【0038】
図9はこの発明のさらに他の実施形態における半導体パッケージの外観斜視図である。この実施形態は、アルミナメタライズ基板1をセラミックの積層構造とし、アルミナメタライズ基板1上にアレイ状大型半導体素子18を搭載し、メタライズパターン12とアレイ状大型半導体素子18とをワイヤーボンディング接続したものである。なお、アレイ状大型半導体素子18に代えてバー状大型半導体素子を搭載するようにしてもよい。
【0039】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、基板の一方表面に例えばアレイ状半導体素子やバー状半導体素子などに接続される表面導体が形成され、表面導体に接続されるピンが導電性に優れたロウ材または半田によって強固に固着されかつ基板の他方面に接した金属ステムが設けられ、金属ステムの基板に接する面積の範囲内における絶縁体部分を除いた面積に比べて、基板の表面導体を除いた面積の方を大きくすることにより、基板上に絶縁体部分が露出することがなく、表面導体を除く領域を半導体素子を搭載するための領域として活用できる。したがって、半導体素子の搭載数を最大限に高めて高密度実装が可能になり、複数の半導体素子を配列するときのレイアウトの自由度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態における半導体パッケージの分解斜視図である。
【図2】この発明の一実施形態における半導体パッケージを組み立てた状態を示す斜視図である。
【図3】図2の線III−IIIに沿う断面図および貫通孔内を内導体で充填した例の断面図である。
【図4】この発明の他の実施形態における半導体パッケージの分解斜視図である。
【図5】この発明の他の実施形態における半導体パッケージを組み立てた状態を示す斜視図である。
【図6】図5の線VI−VIに沿う断面図である。
【図7】この発明のさらに他の実施形態におけるアルミナメタライズ基板とピンの断面図である。
【図8】この発明のさらに他の実施形態におけるアルミナメタライズ基板とピンの断面図である。
【図9】この発明のさらに他の実施形態における半導体パッケージの外観斜視図である。
【図10】特開平11−135690号公報に記載されている半導体ステムの要部概略を示す斜視図である。
【符号の説明】
1 アルミナメタライズ基板
2 ピン、
3 ペレット
4 金属ステム
5 発光素子
6 受光素子
7 ボンディングワイヤー
11 貫通ビア
12,13、16 メタライズパターン
14 孔
18 アレイ状半導体素子
25,26 内導体
41 上段部
42 下段部
43 貫通孔
Claims (9)
- 半導体素子を搭載するための半導体パッケージであって、
一方表面に半導体素子に接続される表面導体が形成された基板と、
前記表面導体に接続されるピンが絶縁体によって封止されかつ前記基板の他方面に接して設けられる金属ステムとを備え、
前記金属ステムの前記基板に接する面積の範囲内における前記絶縁体部分を除いた面積に比べて、前記基板の前記表面導体を除いた面積の方が大きいことを特徴とする半導体パッケージ。 - 前記半導体素子は、アレイ状またはバー状の大型半導体素子を含む、請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記基板は、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムで形成される、請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記基板は、その一方表面から他方表面に達する導通孔と、前記導通孔の内周面に形成されるかまたは内周面に充填されて前記表面導体に接続される内導体と、前記内導体に接続されかつ他方表面側に形成される裏面導体とを含み、
前記ピンはその先端面が前記裏面導体に接続される、請求項1または3に記載の半導体パッケージ。 - 前記ピンは前記裏面導体にロウ付けまたは半田付けされる、請求項4に記載の半導体パッケージ。
- 前記基板は、その一方表面から他方表面に貫通する貫通孔を含み、前記表面導体は前記貫通孔の一方表面側の開口部を囲うように形成されていて、
前記ピンはその先端部が前記基板の前記貫通孔に挿入されて、前記表面導体に接続される、請求項1または3に記載の半導体パッケージ。 - 前記ピンは前記表面導体にロウ付けまたは半田付けされる、請求項6に記載の半導体パッケージ。
- 前記基板は、一方表面側から他方表面側に形成される貫通孔と、前記貫通孔の前記一方表面側内周面に形成される内導体とを含み、
前記ピンはその先端部が前記基板の他方表面側から前記貫通孔に挿入されて前記内導体に接続される、請求項1または3に記載の半導体パッケージ - 前記ピンは前記内導体にロウ付けまたは半田付けされる、請求項8に記載の半導体パッケージ。
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