JPWO2020036053A1 - 発光装置および投射型表示装置 - Google Patents

発光装置および投射型表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2020036053A1
JPWO2020036053A1 JP2020537399A JP2020537399A JPWO2020036053A1 JP WO2020036053 A1 JPWO2020036053 A1 JP WO2020036053A1 JP 2020537399 A JP2020537399 A JP 2020537399A JP 2020537399 A JP2020537399 A JP 2020537399A JP WO2020036053 A1 JPWO2020036053 A1 JP WO2020036053A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting device
base plate
emitting element
accommodating member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020537399A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7428129B2 (ja
Inventor
久良 本林
久良 本林
秀和 川西
秀和 川西
由朗 滝口
由朗 滝口
雅洋 村山
雅洋 村山
宮原 宏之
宏之 宮原
土門 大志
大志 土門
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Sony Group Corp
Original Assignee
Sony Corp
Sony Group Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp, Sony Group Corp filed Critical Sony Corp
Publication of JPWO2020036053A1 publication Critical patent/JPWO2020036053A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7428129B2 publication Critical patent/JP7428129B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/14Details
    • G03B21/20Lamp housings
    • G03B21/208Homogenising, shaping of the illumination light
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02208Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02216Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02218Material of the housings; Filling of the housings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02257Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02315Support members, e.g. bases or carriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0239Combinations of electrical or optical elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02469Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031Edge-emitting structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4087Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/14Details
    • G03B21/20Lamp housings
    • G03B21/2006Lamp housings characterised by the light source
    • G03B21/2013Plural light sources
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/14Details
    • G03B21/20Lamp housings
    • G03B21/2006Lamp housings characterised by the light source
    • G03B21/2033LED or laser light sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02253Out-coupling of light using lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02255Out-coupling of light using beam deflecting elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0233Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345Wire-bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0235Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355Fixing laser chips on mounts
    • H01S5/0237Fixing laser chips on mounts by soldering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02476Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4018Lasers electrically in series

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Projection Apparatus (AREA)
  • Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)

Abstract

発光素子と、前記発光素子から出射された光を反射する反射部材と、前記発光素子および前記反射部材を収容する封止空間とを有するパッケージ体と、前記パッケージ体が複数載置されたベースプレートと、前記複数のパッケージ体を間にして前記ベースプレートに対向し、各々の前記パッケージ体に対向するレンズとを備えた発光装置。

Description

本技術は、例えば半導体レーザ素子等の発光素子を有する発光装置およびこれを備えた投射型表示装置に関する。
例えば半導体レーザ素子等の複数の発光素子を含む発光装置の開発が進められている(例えば、特許文献1参照)。複数の半導体レーザ素子は、例えば一括して気密封止されている。
特開2017−208484号公報
このような発光装置では、気密封止された空間から外部への気体流動(以下、リークという)の発生を抑えることが望まれている。
したがって、リークの発生を抑えることが可能な発光装置およびこれを備えた投射型表示装置を提供することが望ましい。
本技術の一実施の形態に係る発光装置は、発光素子と、発光素子から出射された光を反射する反射部材と、発光素子および反射部材を収容する封止空間とを有するパッケージ体と、パッケージ体が複数載置されたベースプレートと、複数のパッケージ体を間にしてベースプレートに対向し、各々のパッケージ体に対向するレンズとを備えたものである。
本技術の一実施の形態に係る投射型表示装置は、上記本技術の一実施の形態に係る発光装置を備えたものである。
本技術の一実施の形態に係る発光装置および投射型表示装置では、複数のパッケージ体各々に発光素子が設けられている。換言すれば、発光素子各々が、封止空間に収容される。
本技術の一実施の形態に係る発光装置および投射型表示装置によれば、個々の発光素子を封止空間に収容するようにしたので、複数の発光素子を一括封止する場合に比べてリークの発生を抑えることができる。よって、リークの発生を抑えることが可能となる。
尚、上記内容は本開示の一例である。本開示の効果は、上述したものに限らず、他の異なる効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
本技術の第1の実施の形態に係る発光装置の概略構成を表す側面模式図である。 図1に示した発光装置の模式的な構成を表す分解斜視図である。 図1等に示したパッケージ体の具体的な構成を表す分解斜視図である。 図1等に示したパッケージ体の裏面の構成の一例を表す平面模式図である。 図4に示したパッケージ体とともに、ベースプレートの表面の構成を表す平面模式図である。 図1等に示したパッケージ体の裏面の構成の他の例を表す平面模式図である。 図6示したパッケージ体とともに、ベースプレートの表面の構成を表す平面模式図である。 変形例2に係るパッケージ体の上面の構成を表す平面模式図である。 図8に示したパッケージ体とレンズ保持部材の端子部との接続について説明するための斜視図である。 本技術の第2の実施の形態に係る発光装置の概略構成を表す分解斜視図である。 図1等に示した発光装置が適用された投射型表示装置の構成の一例を表す図である。
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。

1.第1の実施の形態(複数のパッケージ体各々に発光素子が封止されている発光装置の例)
2.変形例1(互いに異なる波長域の光を出射する発光素子を有する例)
3.変形例2(パッケージ体の表面側に電極取出部を有する例)
4.第2の実施の形態(保持部が設けられたベースプレートを有する発光装置の例)
5.適用例(投射型表示装置の例)
〔第1の実施の形態〕
<発光装置1の構造>
図1は、本技術の一実施の形態に係る発光装置(発光装置1)の模式的な側面の構成を表したものであり、図2は、図1に示した発光装置1の分解斜視図である。発光装置1は、ベースプレート11、パッケージ体12、レンズ保持部材13およびアレイレンズ14を有している。パッケージ体12には、発光素子121等が設けられている。アレイレンズ14は、各々のパッケージ体12に対応するレンズ141を有している。
(ベースプレート11)
ベースプレート11は、パッケージ体12を載置するための部材である。ベースプレート11は、例えば平板状の部材であり、互いに対向する表面11Aおよび裏面11Bを有している。表面11Aには、複数のパッケージ体12が設けられており、裏面11Bは例えばヒートシンク等(図示せず)と熱的に接続されている。ベースプレート11の表面11Aには、発光素子121と電気的に接続された配線(後述の図5,図7の配線11W)が設けられている。
ベースプレート11は、例えば、セラミック材料または金属材料等により構成されている。金属材料により構成されたベースプレート11では、放熱性を高めることが可能となる。金属材料としては、例えば、鉄(Fe),鉄合金,銅(Cu)および銅合金等が挙げられる。銅合金としては、例えば銅―タングステン(CuW)等が挙げられる。セラミック材料としては、例えば窒化アルミニウム(AlN)等が挙げられる。ベースプレート11には、冷却用の水路が設けられていてもよい。
ベースプレート11には、パッケージ体12を載置するための凹部が設けられていてもよい。ベースプレート11の凹部にパッケージ体12を設けることにより、パッケージ体12を保護することができる。
(パッケージ体12)
ベースプレート11の表面11Aには、複数のパッケージ体12が載置されている。複数のパッケージ体12は、例えば、ベースプレート11の表面11Aにマトリクス状に配置されている(図2のX方向およびY方向)。例えば、マトリクス状に配置されたパッケージ体12の一部が抜けていてもよい。この一部のパッケージ体12の抜けは、例えば、不良品の除去または面内の一部のパワー密度を下げる目的等のためである。パッケージ体12の配置は、例えば、略六角形状または千鳥状等、他の配置であってもよい。複数のパッケージ体12各々が、発光素子121、サブマウント122、ミラー123(反射部材)、収容部材124(第1収容部材)およびカバー125(第2収容部材)を有している(図1)。
本実施の形態では、このように、ベースプレート11の表面11Aに複数のパッケージ体12が設けられ、個々のパッケージ体12に発光素子121が封止されている。詳細は後述するが、これにより、複数の発光素子121を一括して封止する場合に比べて、リークの発生を抑えることが可能となる。
図3は、パッケージ体12の具体的な構成を表す分解斜視図である。収容部材124の中央部には、凹部124Rが設けられており、この凹部124Rに、発光素子121、サブマウント122およびミラー123が収容されている。カバー125は、凹部124Rを覆っている。即ち、ベースプレート11側から、収容部材124およびカバー125の順に設けられている。
発光素子121は、例えば、パッケージ体12毎に、1つずつ設けられている。この発光素子121は、例えば、LD(Laser Diode)等の半導体レーザ素子により構成されている。発光素子121は、例えば窒化ガリウム(GaN)系の半導体材料を含んでおり、青色波長域の光を出射する。発光素子121から出射された光の光路に蛍光体等の波長変換部材を配置するようにしてもよい。発光素子121は、例えば、ガリウム砒素(GaAs)系等の半導体材料を含んでいてもよい。発光素子121のアノードおよびカソードは、例えばワイヤWを用いたワイヤボンディングにより、収容部材124の電極接続部に接続されている。ワイヤWは、例えば金(Au)により構成されている。
サブマウント122は、発光素子121を実装するためのものであり、発光素子121と収容部材124の底面(より具体的には、凹部124Rの底面)との間に設けられている。サブマウント122は例えば板状の部材であり、サブマウント122の厚み(図3のZ方向の大きさ)により、発光素子121の位置を調整するようにしてもよい。このサブマウント122は、例えば、窒化アルミニウム(AlN),シリコン(Si),炭化シリコン(SiC),ダイアモンドまたは酸化ベリリウム(BeO)等の絶縁材料により構成されている。
サブマウント122は、例えば銅タングステン(Cu−W),銅モリブデン(Cu−Mo),銅ダイアモンドおよびグラファイト等の導電性材料を用いて構成するようにしてもよい。導電性のサブマウント122を用いることにより、発光素子121の電極の一方を、サブマウント122を介して収容部材124内部の電極に導通させることができる。これにより、例えば、発光素子121につなぐワイヤWの数が減るので、パッケージ体12の大きさを小さくすることが可能となる。パッケージ体12の大きさが小さくなると、コストを抑えることが可能となる。また、ベースプレート11の表面11Aに、より密にパッケージ体12を載置することが可能となる。更に、詳細は後述するが、パッケージ体12の大きさが小さくなると、収容部材124とカバー125との接合領域が小さくなり、接合領域への応力の集中に起因した収容部材124等の割れおよびリークの発生を抑えることができる。
発光素子121は、サブマウント122に例えばAuSn(金―錫)により共晶接合されており、サブマウント122は、収容部材124の底面に例えばAuSnにより共晶接合されている。サブマウント122は、収容部材124の底面に例えば、銀(Ag)ペースト,焼結金(Au)または焼結銀(Ag)等により接合されていてもよい。
ミラー123は、発光素子121から出射された光を反射するためのものである。発光素子121から出射された光は、ミラー123により反射され、カバー125側から出射されるようになっている。ミラー123は、サブマウント122に実装された発光素子121とともに、収容部材124の凹部124Rに設けられている。凹部124R内には、例えば段差が設けられており、ミラー123は発光素子121よりも低い位置(凹部124Rの底面に近い位置)に配置されている(図1)。凹部124R内は平坦面であってもよく、ミラー123と、サブマウント122に実装された発光素子121とが、同一面上に配置されていてもよい。
ミラー123は例えば傾斜面を有しており、この傾斜面が発光素子121の光出射面に対向して配置されている。ミラー123の傾斜面は、例えば、収容部材124の底面に対して45°傾斜している。これにより、ミラー123の傾斜面で反射された光を、収容部材124の底面に対して、垂直方向に取り出すことが可能となる。ミラー123の傾斜面の角度を調整することにより、光の取り出し方向を変えることも可能である。ミラー123は、例えば、ガラス,合成石英,シリコン,サファイアおよびアルミニウム等により構成されている。ミラー123の傾斜面には、例えば、金属膜または誘電体多層膜等の反射膜が設けられていてもよい。発光素子121から出射された光に対して、この反射膜は例えば90%以上の反射率を有している。反射膜は99%以上の反射率を有することが好ましい。
凹部124Rを有する収容部材124は、カバー125と接合されており、カバー125とともに、サブマウント122に実装された発光素子121とミラー123とを封止している。即ち、凹部124Rおよびカバー125により、封止空間が構成されている。凹部124Rは、例えば矩形状の平面形状を有している。収容部材124は、例えば、セラミック部分124Sおよび金属部分124Mを含んでいる。セラミック部分124Sは、収容部材124の立体形状を形成するためのものであり、収容部材124の大部分を構成している。セラミック部分124Sは、例えば、窒化アルミニウム(AlN),酸化アルミニウム(アルミナ)または炭化シリコン(SiC)等の焼結体を含んでいる。
金属部分124Mは、例えば、凹部124Rの底面と、凹部124Rの外側の上面(カバー125との接合面)とに配置されている。このような金属部分124Mは、例えば、金(Au)等を含んでいる。凹部124Rの底面に金属部分124Mを設けることにより、効率的に放熱することができ、また、サブマウント122との半田接合を容易にすることができる。この凹部124Rの底面の金属部分124Mは、後述の電極取出部12E(後述の図4等)とは、例えば絶縁されている。凹部124Rの外側の上面に設けられた金属部分124Mは、カバー125に接合される部分であり、凹部124Rを縁状に囲んでいる。この金属部分124Mとカバー125(具体的には、後述の金属部分125M)とが、例えば、SnAgCu(錫−銀−銅)系等の半田を用いて接合されている。この半田には、AuSn(金−錫)系,Sn(錫)系またはIn(インジウム)系等を用いるようにしてもよい。
過剰な半田に起因した不具合の発生を抑えるため、凹部124Rの外側の金属部分124Mは、凹部124Rを囲む額縁部分の内側に配置されていることが好ましい。具体的に、凹部124Rを囲む額縁部分とは、凹部124Rの周縁を形成する内縁124iと、収容部材124の外形を形成する外縁124oとの間の部分である。凹部124Rの外側の金属部分124Mは、この内縁124iおよび外縁124oの少なくとも一方には接していないことが望ましい。
このような半田接合等を用いることにより、収容部材124とカバー125との間で、発光素子121等は気密封止(ハーメチックシール)されていることが好ましい。以下、この理由について説明する。
半導体レーザ素子により構成された発光素子121を駆動すると、大気中のシロキサンが発光点近傍で光と反応し、発光素子121の端面に反応物が堆積しやすい。この反応物が端面反射率の変化を引き起こし、光特性の低下および発光素子121の破壊が生じるおそれがある。発光素子121から出射される光の波長が、例えば、500nm以下、特には460nm以下の短波長であるとき、この大気中のシロキサンに起因した不具合が発生しやすい。収容部材124とカバー125との間で、発光素子121等を気密封止することにより、この大気中のシロキサンに起因した不具合の発生を抑えることが可能となる。
収容部材124の上面側はカバー125に覆われており、収容部材124の下面側は、例えば、銀(Ag)ペースト等によりベースプレート11の表面11Aに保持されている。
図4は、収容部材124のベースプレート11との接合面(以下、収容部材124の裏面という)の平面構成の一例を表したものである。収容部材124の裏面には、例えば2つの電極取出部12Eと、放熱部12Rとが設けられている。2つの電極取出部12Eは、発光素子121のアノードおよびカソードから電極が引き出されている部分である。収容部材124には、例えばビア(via)が設けられており、発光素子121のアノードおよびカソードが、ワイヤWおよびビアを介して収容部材124の裏面に引き出されるようになっている。放熱部12Rは、電極取出部12Eと異なる位置に配置されており、発光素子121で発生した熱をベースプレート11に放熱するための部分である。放熱部12Rは、平面(例えば、図3のXY平面)視で、発光素子121に重なる位置、即ち、発光素子121の直下に配置されていることが好ましい。このように、収容部材124の裏面に電極取出部12Eおよび放熱部12Rを設けることにより、各々のパッケージ体12との電気的な接続および熱的な接続を行うことができる。例えば、略直方体の収容部材124の長辺方向(図4のX方向)の一方に放熱部12Rが設けられ、他方に電極取出部12Eが設けられている。2つの電極取出部12Eは、例えば、収容部材124の短辺方向(図4のY方向)に並んで配置されている。
図5は、収容部材124の電極取出部12Eおよび放熱部12Rと、ベースプレート11(表面11A)との接続状態の一例を表したものである。ベースプレート11の表面11Aには、例えば、複数の配線11Wが設けられており、この配線11Wに銀(Ag)ペーストを介して電極取出部12Eが接合されている。これにより、発光素子121のアノードおよびカソードと、配線11Wとが電気的に接続され、発光素子121に電流が流れるようになっている。ベースプレート11の表面11Aには、パッケージ体12毎に放熱部11Rが設けられている。この放熱部11Rは、銀(Ag)ペーストを介して、収容部材124の放熱部12Rに接合される部分である。隣り合うパッケージ体12の放熱部12R(あるいは、ベースプレート11の放熱部11R)が、銀ペーストを介して連続していてもよい。例えば、後述のように、全てのパッケージ体12をベースプレート11の表面11Aに配置した後、一括してキュアすることにより、隣り合うパッケージ体12の放熱部12Rが銀ペーストを介して連続して形成される。このように、隣り合うパッケージ体12の放熱部12Rを互いに熱的に接続することにより、放熱経路が広がり、放熱特性を向上させることができる。ここでは、銀ペーストが本技術の熱伝導部材の一具体例に対応する。
図6は、収容部材124の裏面の平面構成の他の例を表したものであり、図7は、図6に示した電極取出部12Eおよび放熱部12Rと、ベースプレート11(表面11A)との接続状態の一例を表したものである。このように、略直方体の収容部材124の長辺方向(図6のX方向)に沿って、電極取出部12E、放熱部12Rおよび電極取出部12Eをこの順に配置するようにしてもよい。図5および図7には、配線11Wを介して、複数のパッケージ体12を直列に接続する例を示したが、例えば、配線11Wを介して複数のパッケージ体12が並列に接続されていてもよい。電極取出部12Eおよび放熱部12Rの配置は、図4および図6に示した例に限定されるものではない。
収容部材124に接合されたカバー125では、発光素子121から出射された光が取り出されるようになっている。カバー125は、例えば、矩形状の平面形状を有する板状部材であり、少なくとも収容部材124の凹部124Rを覆っている。このカバー125は、収容部材124の金属部分124Mに半田接合された金属部分125Mと、透光部分125Tとを含んでいる。金属部分125Mは、下面(収容部材124との対向面)に設けられている。この金属部分125Mは、収容部材124の金属部分124Mの平面形状と、略同じ平面形状を有している。具体的には、金属部分125Mは、凹部124Rを囲む額縁状の形状を有しており、金属部分125Mの幅は、金属部分124Mの幅と略同じである。金属部分125Mは、例えば、金(A)等を含んでいる。カバー125のうち、少なくとも凹部124Rを覆う部分の一部は透光部分125Tにより構成されている。例えば、カバー125の大部分は、透光部分125Tにより構成されている。この透光部分125Tは、発光素子121から出射された波長の光に対して、高い透過率を有する材料により構成されている。透光部分125Tは、例えばガラス等により構成されている。
ベースプレート11の表面11Aにマトリクス状に配置された、複数のパッケージ体12の間隔は、例えば、θ⊥方向の間隔よりもθ//方向の間隔の方が小さくなっている。θ//方向のFFP(Far Field Pattern)半値幅は、θ⊥方向のFFP半値幅よりも狭いため、θ//方向のパッケージ体12の間隔を小さくすることが可能となる。これにより、光密度を向上させることが可能となる。複数のパッケージ体12を一列に配置するようにしてもよい。
(レンズ保持部材13)
ベースプレート11とアレイレンズ14との間に設けられたレンズ保持部材13は、例えば、ベースプレート11の表面11Aに載置された複数のパッケージ体12を囲む枠状の形状を有している(図2)。即ち、枠状のレンズ保持部材13の内側に、複数のパッケージ体12が設けられている。レンズ保持部材13の平面形状は、例えば、四角形状である。このレンズ保持部材13は、例えば、四角形の枠形状を有する保持部131と、この保持部131の内側および外側に拡幅して設けられた拡幅部132とを有している。拡幅部132は、例えば、四角形の保持部131の対向する2辺に設けられている。レンズ保持部材13は、ベースプレート11の全周にわたって設けられていなくてもよく、例えば、四角形状のベースプレート11の3辺に設けられていてもよい。あるいは、四角形状のベースプレート11の対向する2辺にレンズ保持部材13を設けるようにしてもよい。
レンズ保持部材13は、例えば、ネジ等(図示せず)を用いてベースプレート11に固定されている。レンズ保持部材13をベースプレート11に固定する方法は、どのような方法であってもよく、例えば接着剤を用いてレンズ保持部材13をベースプレート11に固定するようにしてもよい。接着剤は、例えば樹脂材料により構成されている。あるいは、レンズ保持部材13およびベースプレート11は、インサートモールド工程等を用いて一括成形されていてもよい。
保持部131の厚み(図2のZ方向の大きさ)は、例えば、拡幅部132の厚みよりも大きくなっている。この保持部131は、ベースプレート11およびアレイレンズ14に接している。したがって、保持部131の厚みにより、各々のパッケージ体12とレンズ141との距離の大きさが調整されるようになっている。ここで、レンズ保持部材13が、本技術の距離調整部材の一具体例に対応する。保持部131の厚みは、カバー125とアレイレンズ14との間、およびベースプレート11とアレイレンズ14との間に、気体流動可能な大きさの空間を維持できる程度の大きさであることが好ましい。気体流動可能な大きさとは、例えば、メカによる加工公差程度の0.01mmあるいは、樹脂成形での公差0.5mm程度である。カバー125とアレイレンズ14とが接近し過ぎていると、接着剤等に起因する脱離物がこれらの間に滞留する。この脱離物が光と反応し、カバー125またはアレイレンズ14に吸着すると、光学特性が低下する。カバー125とアレイレンズ14との間に気体流動可能な大きさの空間を設けることにより、このような光学特性の低下を抑えることができる。保持部131の厚みは、例えば1mm〜30mm程度である。保持部131の厚みは、例えば、レンズ141の焦点距離およびパッケージ体12内の光路長等に応じて調整すればよい。保持部131は、例えば樹脂材料により構成されている。
拡幅部132には、例えば、端子部132Eが設けられている。この端子部132Eは、例えば、配線11Wを介してパッケージ体12(発光素子121)と外部とを電気的に接続するためのものであり、拡幅部132の内側から外側にわたって複数設けられている。端子部132Eは、例えばアルミニウム(Al)等の導電性金属材料により構成されている。端子部132E以外の部分の拡幅部132は、例えば、保持部131と同じ樹脂材料により構成されている。拡幅部132と保持部131とを、異なる樹脂材料により構成するようにしてもよい。
このような端子部132Eを含むレンズ保持部材13は、例えば一体成形により形成されたものであり、一体化された1つの部品により構成されていることが好ましい。これにより、コストを抑えることが可能となる。また、一体成型によりレンズ保持部材13を形成することにより、コストを抑えることが可能となる。レンズ保持部材13を、アルミニウム(Al),SUS(Steel Use Stainless),鉄(Fe)および銅(Cu)等の金属材料により構成するようにしてもよい。あるいは、レンズ保持部材13をセラミック材料等により構成するようにしてもよい。レンズ保持部材13の形状は、切削加工等の機械加工により形成されていてもよく、あるいは、ダイキャストまたは焼結等により形成されていてもよい。
(アレイレンズ14)
アレイレンズ14は、複数のパッケージ体12を間にしてベースプレート11に対向している。このアレイレンズ14は、例えば中央部のアレイ部14Aと、このアレイ部14Aを囲む枠部14Fとを有している。アレイ部14Aでは、各々のパッケージ体12に対向する位置に複数のレンズ141が設けられている。各々のレンズ141は、例えば、平面視で発光素子121およびミラー123に重なる位置に配置されている。レンズ141は、例えば凸レンズにより構成されている。レンズ141は、平凸レンズ,両凸レンズおよびメニスカスレンズ等により構成されていてもよい。各々のパッケージ体12のカバー125を透過した光が、レンズ141を通過することにより、コリメートされるようになっている。アレイレンズ14は、下面(例えば、ベースプレート11との対向面)側と上面側とで、互いに異なる構成を有していてもよい。例えば、アレイレンズ14の一方の面側がFAC(Fast Axis Collimator)機能を有し、他方の面側がSAC(Slow Axis Collimator)機能を有していてもよい。このときのアレイレンズ14では、例えば、互いに直交する方向で配置されたレンチキュラーレンズの平坦面が貼り合わされている。
アレイ部14Aの周囲の枠部14Fは、例えば、四角形状の平面形状を有しており、この枠部14Fがレンズ保持部材13の保持部131に接している。枠部14Fは、例えば接着剤等(図示せず)により、保持部131に固定されている。この接着剤としてはUV(Ultra Violet)硬化性樹脂等の光硬化性樹脂等を用いることができる。光硬化によって樹脂が収縮すると、アレイレンズ14とレンズ保持部材13との間で位置ずれが生じやすいので、例えば数%程度以下の硬化収縮量を有する樹脂材料を用いることが好ましく、1%以下の硬化収縮量を有する樹脂材料を用いることがより好ましい。アレイレンズ14は、例えばネジ等によりレンズ保持部材13に固定されていてもよい。あるいは、アレイレンズ14とレンズ保持部材13とが、インサートモールド工程等により一括成形されていてもよい。上述のように、アレイ部14Aとベースプレート11との間、およびアレイ部14Aとパッケージ体12との間には、気体流動可能な大きさの空間が設けられている。アレイレンズ14は、例えばホウケイ酸ガラス等により構成されている。
<発光装置1の製造方法>
まず、パッケージ体12を形成する。具体的には、収容部材124の凹部124Rに、サブマウント122、発光素子121およびミラー123を配置した後、例えば半田を用いて収容部材124にカバー125を接合する。これにより、発光素子121等が気密封止され、パッケージ体12が形成される。
次いで、個々のパッケージ体12をベースプレート11の表面11Aに実装する。このとき、個々のパッケージ体12の電極取出部12Eを配線11Wに接続する。個々のパッケージ体12の位置は、例えば、ベースプレート11に設けたマーカーにより決定するようにしてもよい。あるいは、ベースプレート11に設けた突起物に、パッケージ体12を突き当てて位置決めを行うようにしてもよい。1つ目のパッケージ体12をベースプレート11に配置した後は、ベースプレート11に配置したパッケージ体12の外形または発光点を目印にして、以降のパッケージ体12を配置することも可能である。各々のパッケージ体12の裏面の放熱部12Rを順次、銀(Ag)ペーストによりベースプレート11の放熱部11Rに接合するようにしてもよく、全てのパッケージ体12をベースプレート11に配置した後、一括して、銀ペーストによりキュアするようにしてもよい。全てのパッケージ体12を一括してキュアすることにより、キュア時間を短縮することができる。
ここでは、個々のパッケージ体12に、発光素子121とともに、サブマウント122およびミラー123が封止されているので、ベースプレート11に載置する前の時点で、個々のパッケージ体12の発光点および発振方向が決定されている。したがって、この時点での個々のパッケージ体12の光特性を測定しておくことで、個々のパッケージ体12と光特性とを紐づけることができ、発光素子121の個体差および加工精度に起因したパッケージ体12間のばらつきの発生を抑えることができる。また、個々のパッケージ体12の光特性から、パッケージ体12の配置位置を算出し、面内の光特性を均一化することが可能となる。
ベースプレート11の表面11Aに複数のパッケージ体12をマトリクス状に載置した後、例えばネジを用いてベースプレート11にレンズ保持部材13を固定する。次に、例えば、配線11Wを端子部132Eに接続する。この後、例えば、樹脂材料等により、レンズ保持部材13の保持部131にアレイレンズ14の枠部14Fを固定する。ここでは、複数のパッケージ体12に対応するレンズ141を含む1つの部品(アレイレンズ14)の配置を固定すればよいので、パッケージ体12各々に、1つずつレンズを配置する場合に比べて、短時間で配置を固定することができる。また、各々のパッケージ体12とレンズ141との位置精度を高めることも可能である。例えば、このようにして発光装置1を完成させることができる。
<発光装置1の動作>
発光装置1では、例えば、以下のようにして光が取り出される。ベースプレート11に載置された各々のパッケージ体12では、発光素子121から出射された光(例えば、青色波長域の光)が、ミラー123で反射され、カバー125を透過する。このカバー125を透過した光は、各々のパッケージ体12に対応する位置のレンズ141を通り、コリメート光となる。したがって、各々のレンズ141を通過した光の進行方向は、互いに平行となり、発光装置1から取り出される。
<発光装置1の作用・効果>
発光装置1では、複数のパッケージ体12各々に発光素子121が設けられている。換言すれば、個々の発光素子121は、収容部材124とカバー125との間に封止されている。これにより、複数の発光素子121を一括して封止する場合に比べてリークの発生を抑えることができる。以下、この作用効果について説明する。
複数の発光素子を、一つの収容部材とカバーとの間に一括して封止する場合には、収容部材の体積が大きくなり、収容部材とカバーとの接合領域も広くなる。この広い接合領域に応力が集中し、収容部材およびカバー等の割れおよびリークが発生するおそれがある。
また、リークが発生した場合には、収容部材に封止された複数の発光素子を全て廃棄するので、歩留まりがコストに大きく影響する。
これに対し、本実施の形態では、個々の発光素子121が、収容部材124とカバー125との間に封止されるので、収容部材124の体積を大きくする必要がない。したがって、収容部材124とカバー125との接合領域を小さくすることができる。よって、接合領域への応力の集中に起因した収容部材124およびカバー125等の割れおよびリークの発生を抑えることができる。
また、仮に一つのパッケージ体12にリークが発生した場合には、一つの発光素子121を廃棄すればよいので廃棄部材によるコストへの影響を抑えることができる。
更に、ベースプレート11には、複数のパッケージ体12が載置されているので、仮に一つのパッケージ体12に不具合が生じた場合には、このパッケージ体12のみの取り替えが可能である。したがって、複数の発光素子を一括して封止する場合に比べて、修理がしやすい。
加えて、個々の発光素子121がパッケージ体12に封止されているので、複数の発光素子を一括して封止する場合に比べて、各々のパッケージ体12内(収容部材124とカバー125との間)に存在する気体の量が少なくなる。したがって、各々のパッケージ体12内に存在する有害気体に起因した信頼性の低下を抑えることができる。有害気体とは、例えば水分等である。
以上説明したように、本実施の形態では、個々の発光素子121を収容部材124とカバー125との間に封止するようにしたので、複数の発光素子を一括封止する場合に比べてリークの発生を抑えることができる。よって、リークの発生を抑えることが可能となる。
また、複数のパッケージ体12が載置されたベースプレート11とアレイレンズ14との間に、レンズ保持部材13(より具体的には保持部131)が設けられているので、各々のパッケージ体12とレンズ141との間の距離を、所望の大きさに調整することができる。
更に、一つのパッケージ体12に、発光素子121とともに、サブマウント122およびミラー123が封止されているので、ベースプレート11にパッケージ体12を実装する前に、各々のパッケージ体12の発光点および発振方向を決定することができる。仮に、ベースプレート11に、発光素子121とミラー123とを別々に実装すると、各々の実装位置にばらつきが生じやすく、位置精度を高めることが困難である。これに対し、発光装置1では、一つのパッケージ体12に、発光素子121とともに、サブマウント122およびミラー123が封止されているので、ベースプレート11に複数のパッケージ体12を載置する際の位置精度を向上させることが可能となる。
以下、上記第1の実施の形態の変形例および他の実施の形態について説明するが、以降の説明において上記第1の実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
〔変形例1〕
ベースプレート11に載置された複数のパッケージ体12(発光素子121)各々から出射される光の波長域が、複数存在していてもよい。ベースプレート11に載置された複数のパッケージ体12が、例えば、赤色波長域の光を出射する発光素子121を含むパッケージ体12と、青色波長域の光を出射する発光素子121を含むパッケージ体12と、緑波長域の光を出射する発光素子121を含むパッケージ体12とを有していてもよい。視感度曲線および出力(mW,Im)から各色のパッケージ体12の比率および配置を調整する。これにより、発光装置1から白色光を取り出すことができる。このとき、例えば、発光装置1は、拡散板等を有し、パッケージ体12から出射された光が、レンズ141および拡散板等を通過するようになっている。
このように、互いに異なる波長域の光を出射するパッケージ体12(発光素子121)は、所望の比率および所望の配置で、容易にベースプレート11に載置することができる。よって、全体の光バランスを容易に調整することができる。
発光素子121は、LED(Light Emitting Diode)等により構成することも可能であるが、半導体レーザ素子により構成された発光素子121では、LEDにより発光素子121を構成する場合に比べて、より光強度を強め、より遠い位置での光の認識が可能となる。
〔変形例2〕
上記第1の実施の形態では、パッケージ体12の裏面に発光素子121からの電極取出部12Eを設けた場合について説明したが、電極取出部12Eは、パッケージ体12の裏面以外の場所に設けるようにしてもよい。
図8は、上面に電極取出部12Eを有するパッケージ体12の平面構成の一例を表したものである。2つの電極取出部12Eが、カバー125から露出された部分のパッケージ体12の上面に設けられている。
図9は、図8に示したパッケージ体12を、レンズ保持部材13の端子部132Eとともに表したものである。例えば、発光素子121の一方の電極が、例えばワイヤWを介して一方の電極取出部12Eに電気的に接続され、発光素子121の他方の電極が、導電性のサブマウント122を介して、他方の電極取出部12Eに電気的に接続されている。複数のパッケージ体12各々の上面に設けられた電極取出部12Eは、例えば、ワイヤ(ワイヤWA)を介して、互いに接続されている。レンズ保持部材13の端子部132Eに最も近い位置に配置されたパッケージ体12の電極取出部12Eが、ワイヤWAを介して端子部132Eに接続されている。これにより、外部と、パッケージ体12の発光素子121とを接続することができる。
上面に電極取出部12Eを設けたとき、隣り合うパッケージ体12の裏面の放熱部12R(あるいは、ベースプレート11の放熱部11R)が、銀ペーストを介して連続していてもよい。上記第1の実施の形態で説明したのと同様に、隣り合うパッケージ体12の放熱部12Rを互いに熱的に接続することにより、放熱経路が広がり、放熱特性を向上させることができる。
このように、上面に電極取出部12Eを有するパッケージ体12では、パッケージ体12の裏面の放熱部12R(図4,図6)をより大きくすることが可能となる。よって、裏面に電極取出部12Eを有するパッケージ体12に比べて放熱性および接着強度を向上させることが可能となる。
〔第2の実施の形態〕
図10は、本開示の第2の実施の形態に係る発光装置(発光装置2)の要部の模式的な分解斜視図である。この発光装置2は、ベースプレート11、パッケージ体12およびアレイレンズ14をこの順に有している。即ち、発光装置2には、レンズ保持部材(例えば、図2のレンズ保持部材13)が設けられていない。発光装置2のベースプレート11は、例えば、プレート部111、保持部112および端子部113Eを有している。この点を除き、第2の実施の形態に係る発光装置2は、上記第1の実施の形態の発光装置1と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
ベースプレート11のプレート部111は、例えば四角形状の平面形状を有する板状部材である。このプレート部111に複数のパッケージ体12が、例えばマトリクス状に載置されている。
保持部112は、プレート部111の中央部に配置された複数のパッケージ体12を囲む四角形の枠状の平面形状を有している。保持部112は、プレート部111およびアレイレンズ14(枠部14F)に接しており、保持部112の厚みの大きさにより、各々のパッケージ体12とレンズ141との間の距離の大きさが調整されるようになっている。ここで、このベースプレート11の保持部112が、本技術の「距離調整部材」の一具体例に対応する。
端子部113Eは、例えば、一方向(図10のY方向)に延びる帯状の平面形状を有しており、プレート部111上に設けられている。この端子部113Eは、保持部112の内側から外側にかけて延在している。この端子部113Eにパッケージ体12の電極取出部12E(図4,図6)が電気的に接続されることにより、発光素子121と外部とが電気的に接続されるようになっている。
プレート部111、保持部112および端子部113Eは、例えば一体化されている。プレート部111は例えばアルミニウム、保持部112は例えばPEEK(ポリエーテルエーテルケトン)、端子部113Eは、金属材料により構成されている。プレート部111および保持部112は、例えば、インサート・インジェクションモールド成形等により一括成形されている。プレート部111を、例えば、銅(Cu),銅タングステン(Cu−W)または窒化アルミニウム(AlN)等により構成し、保持部112を、例えば、アルミナ,窒化アルミニウムまたはコバール等により構成するようにしてもよい。このとき、プレート部111および保持部112と端子部113Eとは、例えば、低融点ガラス等により絶縁される。
このように、レンズ保持部材13に代えて、他の部材(例えば、ベースプレート11)にパッケージ体12とレンズ141との間の距離の大きさを調整する機能を付与するようにしてもよい。
〔適用例〕
上記第1の実施の形態および第2の実施の形態で説明した発光装置1,2は、例えば投射型表示装置に適用することができる。
図11は、光源として発光装置1,2が適用された投射型表示装置(投射型表示装置200)の構成例を示す図である。この投射型表示装置200は、例えばスクリーンに画像を投射する表示装置である。投射型表示装置200は、例えばPC等のコンピュータや各種画像プレーヤ等の外部の画像供給装置にI/F(インターフェイス)を介して接続されており、このI/Fに入力される画像信号に基づいて、スクリーン等への投影を行うものである。なお、以下に説明する投射型表示装置200の構成は一例であり、本技術に係る投射型表示装置は、このような構成に限定されるものではない。
投射型表示装置200は、発光装置1,2、マルチレンズアレイ212、PbSアレイ213、フォーカスレンズ214、ミラー215、ダイクロイックミラー216、217、光変調素子218a〜218c、ダイクロイックプリズム219、および投写レンズ220を備える。
発光装置1,2では、発光素子121から出射された光が、アレイレンズ14を通過し、コリメート光として取り出される。この光は、マルチレンズアレイ212に入射するようになっている。マルチレンズアレイ212は、複数のレンズ素子がアレイ状に設けられた構造であり、発光装置1,2から出射された光を集光する。PbSアレイ213は、マルチレンズアレイ212によって集光された光を、所定の偏光方向の光、例えばP偏光波に偏光する。フォーカスレンズ214は、PbSアレイ213によって所定の偏光方向の光に変換された光を集光する。
ダイクロイックミラー216は、フォーカスレンズ214、ミラー215を介して入射してきた光のうちの赤色光Rを透過し、緑色光G、青色光Bを反射する。ダイクロイックミラー216によって透過された赤色光Rは、ミラー215を介して光変調素子218aに導かれる。
ダイクロイックミラー217は、ダイクロイックミラー216によって反射された光のうちの青色光Bを透過し、緑色光Gを反射する。ダイクロイックミラー217によって反射された緑色光Gは、光変調素子218bに導かれる。一方、ダイクロイックミラー217によって透過された青色光Bは、ミラー215を介して光変調素子218cに導かれる。
光変調素子218a〜218cの各々は、入射された各色光を光変調し、光変調された各色光をダイクロイックプリズム219に入射する。ダイクロイックプリズム219は、光変調されて入射してきた各色光を1つの光軸に合成する。合成された各色光は、投写レンズ220を介してスクリーン等に投影される。
投射型表示装置200では、色の3原色である赤、緑、青の3色に対応した3つの光変調素子218a〜218cが組み合わされ、あらゆる色が表示される。即ち、投射型表示装置200は、いわゆる3板式の投射型表示装置である。
以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態において例示した発光装置1,2の構成要素、配置および数等は、あくまで一例であり、全ての構成要素を備える必要はなく、また、他の構成要素を更に備えていてもよい。
また、上記発光装置1,2では、発光素子121と外部とを電気的に接続するための端子部132E,113Eをレンズ保持部材13またはベースプレート11に設ける場合について説明したが、レンズ保持部材13およびベースプレート11とは別に、端子部を設けるようにしてもよい。
また、上記実施の形態等では、レンズ保持部材13またはベースプレート11の保持部112が、距離調整部材として機能する例を示したが、距離調整部材は、レンズ保持部材13およびベースプレート11とは別に設けるようにしてもよい。
また、上記実施の形態等では、凹部124Rを有する収容部材124と、平板状のカバー125とにより封止空間が構成される場合について説明したが、発光素子121等を収容する封止空間は、平板状の収容部材124と、凹部を有するカバー125とにより構成されていてもよい。
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であってこれに限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
なお、本技術は、以下のような構成も可能である。
(1)
発光素子と、前記発光素子から出射された光を反射する反射部材と、前記発光素子および前記反射部材を収容する封止空間とを有するパッケージ体と、
前記パッケージ体が複数載置されたベースプレートと、
前記複数のパッケージ体を間にして前記ベースプレートに対向し、各々の前記パッケージ体に対向するレンズと
を備えた発光装置。
(2)
前記レンズは、アレイレンズである
前記(1)に記載の発光装置。
(3)
前記ベースプレートと前記アレイレンズとの間には間隙が設けられている
前記(2)に記載の発光装置。
(4)
更に、前記パッケージ体と前記レンズとの間の距離を所定の大きさに調整する距離調整部材を有する
前記(1)ないし(3)のうちいずれか1つに記載の発光装置。
(5)
前記距離調整部材は枠状の形状を有しており、前記枠の内側に複数の前記パッケージ体が配置されている
前記(4)に記載の発光装置。
(6)
前記距離調整部材は、前記発光素子と外部とを電気的に接続するための端子部を有している
前記(4)または(5)に記載の発光装置。
(7)
前記距離調整部材は一体化されている
前記(4)ないし(6)のうちいずれか1つに記載の発光装置。
(8)
前記距離調整部材は、前記ベースプレートに一体化されている
前記(4)ないし(6)のうちいずれか1つに記載の発光装置。
(9)
前記発光素子は、半導体レーザにより構成されている
前記(1)ないし(8)のうちいずれか1つに記載の発光装置。
(10)
前記半導体レーザは窒化ガリウム(GaN)系半導体を含む
前記(9)に記載の発光装置。
(11)
前記パッケージ体は、更に、凹部が設けられた第1収容部材と、前記凹部を封止する第2収容部材とを有し、
前記封止空間は、前記第1収容部材および前記第2収容部材により構成されている
前記(1)ないし(10)のうちいずれか1つに記載の発光装置。
(12)
前記ベースプレート側から、前記第1収容部材および前記第2収容部材がこの順に設けられ、
前記パッケージ体は、更に、前記発光素子と前記第1収容部材との間に設けられたサブマウントを有する
前記(11)に記載の発光装置。
(13)
前記サブマウントは導電性を有する
前記(12)に記載の発光装置。
(14)
前記ベースプレート側から、前記第1収容部材および前記第2収容部材がこの順に設けられ、
前記第1収容部材の、前記ベースプレートとの接合面に、前記発光素子の電極に電気的に接続された電極取出部が設けられている
前記(11)ないし(13)のうちいずれか1つに記載の発光装置。
(15)
前記ベースプレート側から、前記第1収容部材および前記第2収容部材がこの順に設けられ、
前記第1収容部材の、前記第2収容部材から露出された上面に、前記発光素子の電極に電気的に接続された電極取出部が設けられている
前記(11)ないし(13)のうちいずれか1つに記載の発光装置。
(16)
互いに異なる波長の光を出射する前記発光素子を含む
前記(1)ないし(15)のうちいずれか1つに記載の発光装置。
(17)
前記反射部材はミラーにより構成されている
前記(1)ないし(16)のうちいずれか1つに記載の発光装置。
(18)
更に、前記パッケージ体と前記ベースプレートとの間に熱伝導部材を有し、
隣り合う前記パッケージ体が、前記熱伝導部材を介して接続されている
前記(1)ないし(17)のうちいずれか1つに記載の発光装置。
(19)
発光素子と、前記発光素子から出射された光を反射する反射部材と、前記発光素子および前記反射部材を収容する封止空間とを有するパッケージ体と、
前記パッケージ体が複数載置されたベースプレートと、
前記複数のパッケージ体を間にして前記ベースプレートに対向し、各々の前記パッケージ体に対向するレンズと
を含む発光装置を備えた投射型表示装置。
本出願は、日本国特許庁において2018年8月15日に出願された日本特許出願番号第2018−152939号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願の全ての内容を参照によって本出願に援用する。
当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

Claims (19)

  1. 発光素子と、前記発光素子から出射された光を反射する反射部材と、前記発光素子および前記反射部材を収容する封止空間とを有するパッケージ体と、
    前記パッケージ体が複数載置されたベースプレートと、
    前記複数のパッケージ体を間にして前記ベースプレートに対向し、各々の前記パッケージ体に対向するレンズと
    を備えた発光装置。
  2. 前記レンズは、アレイレンズである
    請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記ベースプレートと前記アレイレンズとの間には間隙が設けられている
    請求項2に記載の発光装置。
  4. 更に、前記パッケージ体と前記レンズとの間の距離を所定の大きさに調整する距離調整部材を有する
    請求項2に記載の発光装置。
  5. 前記距離調整部材は枠状の形状を有しており、前記枠の内側に複数の前記パッケージ体が配置されている
    請求項4に記載の発光装置。
  6. 前記距離調整部材は、前記発光素子と外部とを電気的に接続するための端子部を有している
    請求項4に記載の発光装置。
  7. 前記距離調整部材は一体化されている
    請求項4に記載の発光装置。
  8. 前記距離調整部材は、前記ベースプレートに一体化されている
    請求項4に記載の発光装置。
  9. 前記発光素子は、半導体レーザにより構成されている
    請求項1に記載の発光装置。
  10. 前記半導体レーザは窒化ガリウム(GaN)系半導体を含む
    請求項9に記載の発光装置。
  11. 前記パッケージ体は、更に、凹部が設けられた第1収容部材と、前記凹部を封止する第2収容部材とを有し、
    前記封止空間は、前記第1収容部材および前記第2収容部材により構成されている
    請求項1に記載の発光装置。
  12. 前記ベースプレート側から、前記第1収容部材および前記第2収容部材がこの順に設けられ、
    前記パッケージ体は、更に、前記発光素子と前記第1収容部材との間に設けられたサブマウントを有する
    請求項11に記載の発光装置。
  13. 前記サブマウントは導電性を有する
    請求項12に記載の発光装置。
  14. 前記ベースプレート側から、前記第1収容部材および前記第2収容部材がこの順に設けられ、
    前記第1収容部材の、前記ベースプレートとの接合面に、前記発光素子の電極に電気的に接続された電極取出部が設けられている
    請求項11に記載の発光装置。
  15. 前記ベースプレート側から、前記第1収容部材および前記第2収容部材がこの順に設けられ、
    前記第1収容部材の、前記第2収容部材から露出された上面に、前記発光素子の電極に電気的に接続された電極取出部が設けられている
    請求項11に記載の発光装置。
  16. 互いに異なる波長の光を出射する前記発光素子を含む
    請求項1に記載の発光装置。
  17. 前記反射部材はミラーにより構成されている
    請求項1に記載の発光装置。
  18. 更に、前記パッケージ体と前記ベースプレートとの間に熱伝導部材を有し、
    隣り合う前記パッケージ体が、前記熱伝導部材を介して接続されている
    請求項1に記載の発光装置。
  19. 発光素子と、前記発光素子から出射された光を反射する反射部材と、前記発光素子および前記反射部材を収容する封止空間とを有するパッケージ体と、
    前記パッケージ体が複数載置されたベースプレートと、
    前記複数のパッケージ体を間にして前記ベースプレートに対向し、各々の前記パッケージ体に対向するレンズと
    を含む発光装置を備えた投射型表示装置。
JP2020537399A 2018-08-15 2019-07-26 発光装置および投射型表示装置 Active JP7428129B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018152939 2018-08-15
JP2018152939 2018-08-15
PCT/JP2019/029400 WO2020036053A1 (ja) 2018-08-15 2019-07-26 発光装置および投射型表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2020036053A1 true JPWO2020036053A1 (ja) 2021-09-24
JP7428129B2 JP7428129B2 (ja) 2024-02-06

Family

ID=69525523

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020537399A Active JP7428129B2 (ja) 2018-08-15 2019-07-26 発光装置および投射型表示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US12044956B2 (ja)
JP (1) JP7428129B2 (ja)
DE (1) DE112019004114T5 (ja)
WO (1) WO2020036053A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116195147A (zh) * 2020-08-27 2023-05-30 青岛海信激光显示股份有限公司 激光器

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011243642A (ja) * 2010-05-14 2011-12-01 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置および光装置
US20130003937A1 (en) * 2010-06-21 2013-01-03 Miller Zachary A Adjustable dynamic filter
JP2013254889A (ja) * 2012-06-08 2013-12-19 Idec Corp 光源装置および照明装置
JP2015228401A (ja) * 2014-05-30 2015-12-17 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置
JP2016219779A (ja) * 2015-05-20 2016-12-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2017085036A (ja) * 2015-10-30 2017-05-18 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2017207732A (ja) * 2016-05-17 2017-11-24 セイコーエプソン株式会社 光源装置およびプロジェクター
JP2018006477A (ja) * 2016-06-29 2018-01-11 セイコーエプソン株式会社 光源装置およびプロジェクター
JP2018512745A (ja) * 2015-03-27 2018-05-17 ジャビル インク レーザー投影モジュール

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006019598A (ja) * 2004-07-05 2006-01-19 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
DE102010012604A1 (de) 2010-03-24 2011-09-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaserlichtquelle
CN112503405B (zh) * 2015-05-20 2023-01-17 日亚化学工业株式会社 发光装置
US10054849B2 (en) 2016-05-17 2018-08-21 Seiko Epson Corporation Light source device and projector

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011243642A (ja) * 2010-05-14 2011-12-01 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置および光装置
US20130003937A1 (en) * 2010-06-21 2013-01-03 Miller Zachary A Adjustable dynamic filter
JP2013254889A (ja) * 2012-06-08 2013-12-19 Idec Corp 光源装置および照明装置
JP2015228401A (ja) * 2014-05-30 2015-12-17 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置
JP2018512745A (ja) * 2015-03-27 2018-05-17 ジャビル インク レーザー投影モジュール
JP2016219779A (ja) * 2015-05-20 2016-12-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2017085036A (ja) * 2015-10-30 2017-05-18 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2017207732A (ja) * 2016-05-17 2017-11-24 セイコーエプソン株式会社 光源装置およびプロジェクター
JP2018006477A (ja) * 2016-06-29 2018-01-11 セイコーエプソン株式会社 光源装置およびプロジェクター

Also Published As

Publication number Publication date
JP7428129B2 (ja) 2024-02-06
US20210181614A1 (en) 2021-06-17
WO2020036053A1 (ja) 2020-02-20
US12044956B2 (en) 2024-07-23
DE112019004114T5 (de) 2021-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5636877B2 (ja) 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2019212752A (ja) 発光装置
US12027816B2 (en) Method of manufacturing laser light source
JP2024128141A (ja) 発光モジュールの製造方法、発光モジュール及びプロジェクタ
JP2019079847A (ja) 発光装置及びそれに用いる蓋体
CN113917774B (zh) 投影仪
WO2021210348A1 (ja) 光源装置
WO2021085164A1 (ja) 光源装置および照明装置
JP7428129B2 (ja) 発光装置および投射型表示装置
US20210083451A1 (en) Light emission device
US10680405B2 (en) Semiconductor light-emitting device
US10816166B2 (en) Light source apparatus and projector
JP2023161108A (ja) レーザ光源およびその製造方法
JP7371642B2 (ja) 半導体発光デバイス
JP2021190463A (ja) 発光装置
WO2021070587A1 (ja) 発光デバイス
JP7513033B2 (ja) 半導体デバイス
WO2024148971A1 (zh) 激光器
US20230031544A1 (en) Laser light source
CN217507923U (zh) 激光器
US20240039249A1 (en) Light-emitting module
WO2023284880A1 (zh) 激光器和激光投影设备
WO2023013418A1 (ja) 多波長光源モジュール
JP6759714B2 (ja) 光源装置およびプロジェクター
JP2017220529A (ja) 光源装置の製造方法、光源装置、およびプロジェクター

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220719

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230418

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230612

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230822

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231016

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20231226

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240108

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7428129

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151