CN108012573A - 激光投影模块 - Google Patents

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Abstract

一种激光投影模块，该激光投影模块包括：激光投影模块盖体，该激光投影模块盖体包括顶部、底部和一个或多个侧部，以在所述盖体内限定空腔，其中所述顶部配置成连结光学透镜。引线框架可以至少部分一体形成在所述激光投影模块的盖体的底部，其中所述引线框架包括相对于所述盖体的外引线框架部和内引线框架部，其中所述内引线框架部配置成在所述空腔内将激光二极管组件连结在所述内引线框架部的一个区域内。

Description

激光投影模块
相关申请的交叉引用
本发明要求2015年3月27日提交的、名称为“激光投影模块”的美国临时专利申请No.62/139,409的优先权，该申请的全部内容通过引用结合于此。
技术领域
本发明涉及用于激光投影模块的设备、系统以及方法。更具体地，本申请涉及用于3D扫描装置的激光投影模块的设备、系统以及方法，该3D扫描装置包括具有改进了制造工艺的简化配置。
背景技术
激光扫描包括激光束的受控偏转，无论是可见的还是不可见的，其中扫描激光束可以用于光固化机(stereolithography machines)、快速成形、材料加工机械、激光雕刻机、用于老花眼治疗的眼科激光系统、共聚焦显微镜、激光打印机、激光显示、激光电视、激光雷达、以及条形码扫描仪等。激光扫描还可以包括激光束的受控转向然后在每一指向进行距离测量。通常被称为3D物体扫描或3D激光扫描的技术用于快速捕捉物体、建筑和景观的形状。激光测距仪是一种利用激光束来确定物体距离的装置。
激光扫描仪通常利用可移动的反光镜来使激光束转向。光束的转向可以是一维、二维(2D)或者三维(3D)的。对于3D转向或焦点定位，可以利用伺服控制透镜系统、或“聚焦器”或“Z轴移位器”来实现。另外，激光扫描仪的反光镜能够进行周期运动(例如，在条形码扫描仪或谐振式检流计扫描仪中旋转反光镜多边形)或者自由可寻址运动(例如伺服控制检流计扫描仪)。为了控制扫描运动，扫描仪通常利用以所需角度或相位为电机或检流计提供合适电流的旋转编码器和控制电子设备。软件系统通常控制扫描运动，并且如果进行3D扫描的话还控制测量数据的采集。
传统激光模块设计的问题在于，昂贵并且需要复杂的印刷电路板组件(PCBA)以及需要专门设计的夹具、工具和设备进行互连。因此，传统的激光模块设计的周期时间相当长、工艺流程复杂，并且不利于全自动化。因而，需要一种能够简单有效地将激光模块设计配置成可以全自动地简易制造的设备、系统以及方法。
发明内容
因此，在一些示例性实施方式中，公开了一种用于激光投影模块的设备、系统和方法，该激光投影模块包括：激光投影模块盖体，该激光投影模块盖体包括顶部、底部和一个或多个侧部，以在所述盖体内限定空腔，其中所述顶部配置成连结光学透镜；以及引线框架，该引线框架至少部分一体形成在所述激光投影模块的盖体的底部，所述引线框架包括相对于所述盖体的外引线框架部和内引线框架部，其中所述内引线框架部配置成在所述空腔内将激光二极管组件连结在所述内引线框架部的一个区域内。所述激光投影模块还可以包括：衍射光学元件，该衍射光学元件连结到所述激光投影模块盖体的所述顶部并位于所述光学透镜的下方；以及透镜和反光镜/棱镜，该反光镜/棱镜配置成接收从所述透镜发射的光并将所接收的光反射到所述光学透镜。
在一些示例性实施方式中，所述激光二极管组件包括激光二极管、载芯片基板、热沉以及晶粒接合垫部，并且所述激光二极管组件可以与所述内引线框架部引线键合。所述激光二极管组件的所述热沉可以配置在所述激光投影模块盖体的内侧或外侧。在一些示例性实施方式中，所述激光二极管组件包括连结于激光二极管基板的激光二极管，该激光二极管基板连结于所述盖体的所述空腔内的晶粒接合垫部。
因此，所公开的实施方式提供了一种能够改进激光投影模块和装置的制造的设备、系统和方法。这些实施方式可以提供对公知技术的功能改进，并且可以提供将通过下文的详细描述而更加明了的其他优势特征。
附图说明
通过下面的详细描述和仅作为示例给出而不是限制本发明的附图，将更加全面地理解本发明，其中：
图1显示了根据一种示例性实施方式的包括引线框架、盖体和激光投影部件的激光投影模块的俯视图；
图2显示了根据一种示例性实施方式的包括引线框架、盖体和激光投影部件的激光投影模块的侧视图，其中热沉部件位于所述盖体内侧；
图3显示了根据一种示例性实施方式的包括引线框架、盖体和激光投影部件的激光投影模块的侧视图，其中热沉部件位于所述盖体外侧；
图4显示了根据一种示例性实施方式的激光投影模块和盖组件的俯视图；
图5显示了根据一种示例性实施方式的图4所示激光投影模块和盖组件的侧视图；
图6A-图6F显示了用于激光投影模块中的基板的各种实施方式，该基板配置成容纳激光二极管；
图7显示了根据一种示例性实施方式的利用了基板以及棱镜结构的激光投影模块的侧视图；
图8显示了根据一种示例性实施方式的利用了基板以及模块引线框架和盖体引线框架的激光投影模块的俯视图；
图9显示了根据一种示例性实施方式的配置用于激光投影模块中的引线框架；
图10显示了根据一种示例性实施方式的用于激光投影模块的盖体中的盖体引线框架；
图11显示了根据一种示例性实施方式的用于组装激光投影模块的方法；以及
图12显示了根据一种示例性实施方式的组装好的激光投影模块的三维透视图。
具体实施方式
本文所给出的附图和描述已进行了简化，以说明与清楚理解本文所描述的装置、系统以及方法相关的各个方面，同时为了清楚的目的，去掉了可以在典型的类似装置、系统以及方法中找到的其它方面。本领域普通技术人员因此可以认识到其它元件和/或操作可能是需要的和/或必须的以实现本文所描述的装置、系统以及方法。但是由于这些元件和操作是本领域公知的，并且由于它们不便于更好地理解本发明，所以本文没有对这些元件和操作进行讨论。然而，本发明被认为本身包括本领域普通技术人员公知的所有这些元件以及对所描述各方面的变形和修改。
提供示例性实施方式以使本文所公开的内容对于本领域技术人员来说足以彻底且全面地传达所公开实施方式的范围。列举了许多具体细节，例如具体部件、装置以及方法的示例，以充分理解本发明的实施方式。然而，对于本领域技术人员来说显而易见的，无需采用具体公开的细节，可以以不同形式实现示例性实施方式。这样，示例性实施方式不应解释为对本发明范围的限制。在一些示例性实施方式中，公知的工艺、公知的装置结构以及公知的技术不再详细描述。
本文所用的术语仅仅是为了描述特定的示例性实施方式，而不是为了限制。如本文所用的，单数形式“一”、“一个”以及“所述”也可能包括复数形式，除非上下文另有明确指示。术语“包括”、“包含”以及“具有”均包括并因此指定所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或增加。本文所描述的这些步骤、工艺和操作不应被解释为必需各自以所讨论或示例的特定顺序执行，除非特别指示为执行的优选顺序。还应当理解的是，还可以采用其他的或替代的步骤。
当提及一个元件或层“在”、“接合到”、“连接到(connected to)”或“连结到(coupled to)”另一元件或层上时，其可能直接在、接合到、连接到或连结到另一元件或层上，或者可能存在中间元件或层。相反，当提及一个元件“直接在”、“直接接合到”、“直接连接到”或“直接连结到”另一元件或层时，则可能不存在中间元件或层。用于描述元件之间关系的其它用词也应当以类似的方式解释(例如，“在……之间(between)”和“直接在……之间”、“相邻”和“直接相邻”等)。如本文所用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的所有任意组合。
尽管本文使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应被这些术语所限制。这些术语仅用于区分一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分。术语例如“第一”、“第二”以及本文所用的其它数字术语并未隐含顺序或次序的意思，除非上下文明确指明。因此，下文所讨论的第一元件、第一部件、第一区域、第一层或第一部分也可以称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二部分，而不会脱离示例性实施方式的教导。
此外，本领域技术人员应该理解的是，尽管本文的某些示例和内容可能提供了具体的数字、数值、尺寸和/或范围，但是这些仅仅是为了说明的目的，而不是为了限制，并且任何适当的替代和/或另外的数字、数值、尺寸和/或范围在不脱离本发明范围的前提下也可以用于其它应用。
参照图1，显示了根据一种示例性实施方式的激光投影模块组件100，该激光投影模块组件100包括盖体120和引线框架(例如900，见图9)，该引线框架具有配置在盖体120外侧的外引线框架部102和配置在盖体120内侧的内引线框架部104。在一种实施方式中，引线框架102-104可以包括带镍-钯(NiPd)镀层的铜引线框架。如图所示，内引线框架部104可以配置成具有连结到发光二极管组件的框架部的蜿蜒框架，在图1的实例中，所述发光二极管组件包括晶粒接合垫(die attach pad，DAP)部106，晶粒接合垫部106由热沉(heat sink)108和配置成容纳激光二极管112的载芯片基板(chip on sub-mount，CoS)部110覆盖。
所述激光二极管112和CoS部110可以通过接合引线(wire-bonding)122电连接到内引线框架部104。透镜114可以通过安装座118A和118B连结到组件100，并且配置成使从激光二极管112向反光镜116发射的光通过，以反射到组件100的盖体120的外侧。在一些示例性实施方式中，内引线框架部104可以包括从盖体120的侧面延伸的虚引线(虚引线显示为从内引线框架部104延伸的虚线)。
在一些示例性实施方式中，所述激光投影模块100可以小型化以用于小型或便携式设备，例如智能手机。在一个实例中，部件的尺寸(H×L×W)如下：激光二极管112的尺寸为0.14×1.0×0.225mm，CoS部110的尺寸为0.23×1.60×0.65mm，热沉108的尺寸可以为2.0×2.2×1.8mm，DAP部106的尺寸为0.025×2.2×3.0mm，反光镜的尺寸为0.3×2.2×4.8mm，透镜114的尺寸为3.8mm×2.7×6.3mm。
图2显示了激光投影组件200的侧视图，该激光投影组件200包括引线框架，该引线框架具有位于盖体壁206，212外侧的外引线框架部102A和位于盖体壁206，212内侧的内引线框架部104A。在图2的实施方式中，激光投影组件200配置成使得热沉108位于空腔区域214内。为了容纳热沉108，内引线框架部104A可以包括延伸部104C，这使得更加有利于引线键合到激光二极管112和CoS部110。内引线框架部104A可以连结到DAP部106A，在此实例中，该DAP部106A配置成在热沉108下面，该热沉108配置成位于空腔214内。
如图2所示，透镜114可以配置成使从激光二极管112向反光镜116发射的光通过，以通过衍射光学元件204和光学盖体202反射到组件100的盖体120的外侧。在一些示例性实施方式中，光学盖体或透镜202包括光学玻璃。在其他示例性实施方式中，根据光学应用，光学盖体202可以包括塑料或聚合物材料并且还可以包括适合的光学涂层。衍射光学元件204可以配置成利用干涉和衍射操作的薄的相位元件，以使来自反光镜116的光产生图案或任意分布，并且可以配置有二元和/或模拟相位轮廓。衍射光学元件204可以包括但不限于衍射透镜、分束器(点阵列)、衍射扩散器以及校正板。衍射透镜能够用于减少传统透镜系统中的元件数量并消除在校正色差中对特殊材料的需要。衍射透镜可以配置成总深度高度等于λ/(n-1)的非常薄的元件，其中λ为工作波长，n为折射率。衍射透镜可以由向透镜边缘变细的一系列区域组成。
分束器(或点阵列)衍射光学元件204可以配置成将来自激光二极管112的激光束分成一系列的光点。这样，入射到衍射光学元件204上的普通准直光束被分成阵列(例如，1D，2D等)。形成分束器的衍射元件可以认为是配置有预定形状能够生成所需光点分布的格栅。衍射扩散元件204还能够用作扩散器，以为某些专门的应用(例如，光刻照明系统)提供控制照明。衍射扩散器(相比折射扩散器)的一个优点在于强度急剧下降，其与在工作波长对应于入射光束尺寸的衍射极限点同宽。在一些实施方式中，在光学系统的一些点处需要一定的波前，但是无论什么原因，实际的波前不显示所需的形式。如果偏离理想情况的波前是一致的且可重复的，则可将校正板引入204，以通过在孔的各个点引入适当的相位延迟来校正波前，从而产生所需的波前。
衍射光学元件204和玻璃盖体202可以安装在第一上盖部208和第二上盖部210的脊的顶部。在一些示例性实施方式中，第一上盖部208可以连结到盖体壁206，第二上盖部210可以连结到盖体壁212。在其他示例性实施方式中，第一上盖部208和盖体壁206可以一体形成为一个单独盖部，同时第二上盖部210和盖体壁212可以一体形成为另一单独盖部。盖部206-210可以连结到盖基座216，该盖基座216在组装过程中与内引线框架部104A形成为一体。
参照图3，显示了与图2实施方式类似的激光投影组件300的实施方式，不同之处在于热沉108配置在激光投影组件盖体的外侧，这样可以有利地减少空腔314内潜在的热量积聚。随着热沉108的升高，外引线框架部102B升高到高于热沉108的位置以简化与发光二极管组件的引线键合(wire bonding)，并且内引线框架部104B延伸进入激光投影组件300的空腔314内并延伸到DAP106B，然后回到容纳透镜114和反光镜116的空腔区域内的内引线框架部104B。与图2类似，内引线框架部104B可以在组装过程中与盖基座216形成为一体，并且还可以包括支撑件216B，该支撑件104B用于将与升高的外引线框架部102B连结的内引线框架部104B固定。
参照图4，显示了根据一种示例性实施方式的激光投影组件400的盖体410的俯视图。如同之前的实施方式，激光投影组件400包括具有外引线框架部102的引线框架，该外引线框架部102配置成利用如图所示与PCB互连的有源引线(active leads)402、虚引线406和连结条(tie bars)404操作。本领域技术人员应当能够理解，用于引线框架102，104的虚引线406可以配置成从激光投影组件盖体410的一侧延伸(如图4所示)，或者可以从激光投影组件盖体的多侧延伸(如图1所示，见虚线)。如同其他实施方式，外引线框架部102连结(couple)到内引线框架部104，该内引线框架部104配置成电连接透镜114、反光镜116和发光二极管组件，在图4的实例中，该发光二极管组件包括由热沉108和激光二极管112覆盖的金属引线框架晶粒接合垫(MLF DAP)部406。在一种实施方式中，MLF的材料可以由厚度为245-305μm的铜组成。
图4中的盖体410可以配置成具有盖壁架，以利于配置成容纳上盖部和其他部件。在图4的实例中，配置在发光二极管组件108，112，406和透镜114上面的盖部可以具有在盖体410的至少两个内壁上面延伸的脊部412，以定位并连结上盖部。配置在反光镜116上面的盖部可以具有在盖体410的至少两个内壁上面延伸的第一脊部414和第二脊部416，以定位并连结光学盖体和衍射光学元件。
图5显示了图4所示激光投影组件的侧视图500，其中盖体或壳体410包括支撑盖体壁502-504的盖基座508。盖体壁502可以包括配置成容纳并连结上盖506的壁架412，上盖506制成包括与盖体壁504的壁架414，416对应的壁架414，416。如图所示，衍射光学元件204可以定位并连结在壁架416中，并由定位并容纳在壁架414中的光学盖体202覆盖。
图5所示实施方式还包括暴露的晶粒接合垫(an exposed die attach pad)510，由于热沉108配置在激光投影组件500的空腔514内，该晶粒接合垫510在此实例中用于提供与发光二极管112和相关电路的电连接。在热沉108配置在壳体外侧的情况下(例如见图3)，暴露的晶粒接合垫510是不必要的。
现在参照图6A-图6F，显示了激光二极管基板600的各种示例性实施方式，如图所示，该激光二极管基板600可以涂覆在正极导电膜602和负极导电膜604上。在一种实施方式中，导电膜的厚度可以小于0.025mm。激光二极管基板600可以配置成如图所示通过引线键合122与激光二极管112连结。在一种实施方式中，激光二极管基板600可以由铝镍(AlNi)材质制成，并镀有镍-金(NiAu)。激光二极管基板可以利用金-锡(AuSn)焊料(例如80％金，20％锡)与其他部件焊接。在一种实施方式中，激光二极管基板可以配置有通孔602以便于电连接。
现在参照图7，显示了激光投影模块组件700的一种示例性实施方式，该激光投影模块组件700包括带有安装的发光二极管112的激光二极管基板600，该发光二极管112配置在激光投影模块组件700的空腔704内。二极管基板600可以黏附到DAP部106，或者引线框架104的其它适合部位，使得照明光能够通过透镜704照向棱镜706，该棱镜706使光通过衍射光学元件204和光学盖体202反射到激光投影模块组件700外的区域。
在图7的实施方式中，衍射光学元件204可以与光学盖体202间隔开。该间隔可以通过将两个元件隔开的盖体壁架702限定，其中衍射光学元件204可以黏附到盖体壁架702的底部，而光学盖体202可以定位并连结到盖体壁架702的顶部。棱镜706可以配置成具有能够折射光的平坦的抛光的表面的透明光学元件。棱镜706的至少两个平坦的表面之间具有夹角，并且可以具有例如三角棱镜的几何形状，该三角棱镜具有三角形底部和矩形侧面。棱镜706可以由对于所设计波长是透明的任何材料制成，包括但不限于玻璃、塑料和萤石(fluorite)。
参照图8，显示了根据一种示例性实施方式的图7所示激光投影模块组件的俯视图800，其中激光基板600连同透镜704被连结/固定(例如表面安装、胶粘剂等)在合适的位置，透镜704可以利用区域806内的胶粘剂连结/固定，胶粘剂包括但不限于低温胶(low-tempglue)、快速固化胶(snap-cure glue)和/或UV固化胶。在图8的实施方式中还显示了引线框架102，104和盖体引线框架804，这些将在下文结合图9-图10进行阐述。
图9显示了适合于本文所公开的任何实施方式的引线框架900，其中外引线框架部102可以限定为配置在盖体(或“盒体”)边缘904外侧的引线框架部，而内引线框架部104可以限定为配置在盖体(或“盒体”)边缘904内侧的引线框架部。如上文结合图1实施方式所阐述的，内引线框架部104可以在该内引线框架部104的至少一部分形成有蜿蜒路径(ameandering path)，并且配置成容纳和/或连接发光二极管投影部件。在一些非限制的示例性实施方式中，引线框架900可以由具有较低热膨胀系数(CTE)的适合的金属(例如铜)制成，且厚度为10-12密耳(0.254-0.305mm)。在其他示例性实施方式中，引线框架可以由带有镍-钯-金(NiPdAu)镀层的钯预镀材料(palladium pre-plated material)制成。引线框架900可以配置成单行或者包括多行。本领域技术人员应当理解的是，本发明仔细考虑了多种配置，并不限于本文所公开的具体配置。
图10显示了可以应用于本文所公开的任何实施方式的盖体引线框架1000。在一些示例性实施方式中，盖体引线框架100可以用于固定上盖部(例如208，210)。与图9的引线框架类似，盖体引线框架1000可以由具有较低热膨胀系数(CTE)的适合的金属(例如铜)制成，且厚度为10-12密耳(0.254-0.305mm)。在其他示例性实施方式中，引线框架可以由带有镍-钯-金(NiPdAu)镀层的钯预镀材料制成。引线框架1000可以配置成单行或者包括多行。本领域技术人员应当理解的是，本发明仔细考虑了多种配置，并不限于本文所公开的具体配置。
参照图11，公开了根据一种实施方式制造激光投影模块的示例性方法1100。所述方法可以从方框1102开始，其中引线框架(例如900，1000)在方框1104中执行的盖体成型过程中制造并结合。盖体成型可以利用塑料执行，以形成开放的空腔盖体，引线框架可以连结到盖体成型制品内。在方框1106中，可以接合并组装发光二极管(例如112)。在不使用基板的情况下，发光二极管(例如112)可以组装到载芯片基板(CoS)部(例如110)、热沉(例如108)以及晶粒接合垫(DAP)部(例如106)。这些部件的顺序可以取决于是否将热沉(例如108)配置在盖体的空腔的内侧或外侧(例如见图2和图3)。发光二极管组件可以利用导热环氧树脂或其他适合的材料进行连结及引线键合。
如果使用激光二极管基板(例如600)，则可以在方框1108中先将基板连结到引线框架和盖体，随后接合激光二极管(例如112)。在方框1110中，反光镜或棱镜利用非导电胶接合到模块，随后在方框1112中进行透镜接合和主动调准。可以用于主动调准的一种技术包括机械调准，其中透镜单元和透镜本身可以由相对严格的直径公差制成。壳体单元壁和透镜外径之间的间隙可以设计成最小的间隔。然后透镜在壳体内常规地居中，并且将多个(例如3个)同等厚度的垫片插在单元壁和透镜之间。可以应用黏合剂，一旦黏合剂凝固，常规地将垫片从组件移除。
作为选择或者另外，透镜还能够利用硬件(例如挡圈)进行固定。为实现此组装工艺，机械调准方法需要依靠光学和机械学的固有公差，包括垫片和居中过程。在方框904中利用UV固化黏合剂现场固化透镜在合适的位置，然后利用RTV室温硫化或热固化黏合剂进行最终的结合。
在其他示例性实施方式中，方框1112中的主动透镜调准可以包括光学调准，其中透镜插入透镜单元中，并通过监测透镜表面的反射回返(reflected return)或透射回返将其主动移动到位。在反射中，可以使用透镜表面的曲率中心。可以使用自动准直仪(autocollimator)来提供光学回返(the optical return)。在透射中，为透镜的焦点。在一些示例性实施方式中，可以通过结合斐索干涉仪和监测条纹图获得精度的提高。在一些示例性实施方式中，优选主动调准软件来调准透镜，并且通过调整透镜在其安装表面上的位置，光轴可以相对于单元的机械轴进行微调。与机械调准方法不同，主动光学方法不需要某些部件具有非常严格的公差。
一旦透镜调准并固化，则衍射光学元件(例如204)和光学盖体(例如202)被接合。衍射光学元件和光学盖体可以利用非导电胶进行连结。根据所采用的热沉(例如108)配置，在方框1116中可以利用焊料或导热环氧树脂或者其它适合的材料将热沉接合到晶粒接合垫(例如106)。在方框1118中，可以通过焊接(例如具有多个传感器头的激光焊料)接合激光投影模块，或者另外将激光投影模块适当地连结到PCB，在方框1120中进行最后的测试。
图12显示了根据一种示例性实施方式的组装好的激光投影模块1200的三维透视图。该实例中的激光投影模块1200可以由上文关于图7-图8阐述的示例性配置进行组装。在该实例中，衍射光学元件(例如204)和光学盖体(例如202)可以利用将两个元件隔开的盖体壁架702间隔开。棱镜706可以配置成具有能够折射光的、平坦的、抛光的表面的透明光学元件。激光基板600连同透镜704被连结/固定(例如表面安装、胶粘剂等)在合适的位置，透镜704可以利用黏合剂连结/固定，黏合剂包括但不限于低温胶、快速固化胶和/或UV固化胶。在图12的实施方式中还显示了引线框架102，104和盖体引线框架804，这些已在上文阐述。
本领域技术人员应当理解的是，本发明提供了具有相对较低的Z轴高度(例如＜6mm)的光投影模块的各种优选配置，其更易于制造，因此周期时间更快、设备成本更低、激光安全性更好、有源部件连接性更好、且可靠性更高。通过将衬底作为基板并将元件放置/调准在基板上可以实现一些优势特征。然后有源元件(the active elements)可以连接到基板以形成光投影模块，其中模块可以简单地连接到PCB。而且，尽管本文的一些实施方式显示光投影模块盖体具有大体矩形的形状，但是本领域技术人员应当能够理解任何适合的三维形状都可以使用。
在前述具体描述中，可以看出，为使本文内容简洁，将各种特征一起组合在了单个实施方式中。本发明的方法不应理解为是随后要求保护的实施方式需要比每项权利要求中明确列举的更多的特征。
此外，本发明的描述是为使本领域任何技术人员都能够实施或使用本发明的实施方式。本发明的各种修改对于相关技术领域的普通技术人员来说是显而易见的，并且在不脱离本发明精神或范围的前提下本文所限定的一般原理可以应用于其它变型。因此，本发明并不限于本文所描述的实例和设计，而是被赋予与本文所公开的原理和新颖特征相一致的最广泛的范围。也就是说，根据本文所作的示范性公开，后附的各项权利要求分别被赋予最广泛的范围。

Claims (20)

1.一种激光投影模块，该激光投影模块包括：
激光投影模块盖体，该激光投影模块盖体包括顶部、底部和一个或多个侧部，以在所述盖体内限定空腔，其中所述顶部配置成连结光学透镜；以及
引线框架，该引线框架至少部分一体形成在所述激光投影模块的盖体的所述底部，所述引线框架包括相对于所述盖体的外引线框架部和内引线框架部，其中所述内引线框架部配置成在所述空腔内将激光二极管组件连结在所述内引线框架部的一个区域内。
2.根据权利要求1所述的激光投影模块，其中，所述激光二极管组件包括激光二极管、载芯片基板、热沉以及晶粒接合垫部。
3.根据权利要求2所述的激光投影模块，其中，所述激光二极管组件与所述内引线框架部引线键合。
4.根据权利要求2所述的激光投影模块，其中，所述激光二极管组件的所述热沉配置在所述激光投影模块盖体的外侧。
5.根据权利要求4所述的激光投影模块，其中，所述晶粒接合垫部包括暴露部分。
6.根据权利要求2所述的激光投影模块，其中，所述激光二极管组件的所述热沉配置在所述激光投影模块盖体的所述空腔内。
7.根据权利要求1所述的激光投影模块，其中，所述激光二极管组件包括连结于激光二极管基板的激光二极管，该激光二极管基板连结于位于所述盖体的所述空腔内的晶粒接合垫部。
8.根据权利要求1所述的激光投影模块，其中，所述内引线框架部的一部分形成蜿蜒路径。
9.根据权利要求1所述的激光投影模块，所述激光投影模块还包括衍射光学元件，该衍射光学元件连结到所述激光投影模块盖体的所述顶部并位于所述光学透镜的下方。
10.根据权利要求9所述的激光投影模块，其中，所述衍射光学元件包括衍射透镜、分束器、衍射扩散器以及校正板中的一者。
11.根据权利要求1所述的激光投影模块，所述激光投影模块还包括透镜，该透镜配置成接收从所述激光二极管组件发射的光。
12.根据权利要求11所述的激光投影模块，所述激光投影模块还包括反光镜，该反光镜配置成接收从所述透镜发射的光并将所接收的光反射到所述光学透镜。
13.根据权利要求11所述的激光投影模块，所述激光投影模块还包括棱镜，该棱镜配置成接收从所述透镜发射的光并将所接收的光反射到所述光学透镜。
14.根据权利要求1所述的激光透镜模块，所述激光投影模块还包括盖体引线框架，该盖体引线框架配置成连结到所述激光投影模块盖体的所述顶部。
15.根据权利要求1所述的激光投影模块，其中，所述引线框架包括至少一个有源引线、至少一个虚引线、以及连结条。
16.一种组装激光投影模块的方法，该方法包括：
形成激光投影模块盖体，该激光投影模块盖体包括顶部、底部和一个或多个侧部，以在所述盖体内限定空腔，其中所述顶部配置成连结光学透镜；
形成引线框架，该引线框架包括相对于所述盖体的外引线框架部和内引线框架部；
将所形成的引线框架至少部分一体形成在所述激光投影模块的盖体的所述底部；
在所述激光投影模块的所述空腔内的所述内引线框架部的一个区域中连结激光二极管组件；以及
将所述激光投影模块盖体连结到所述引线框架。
17.根据权利要求16所述的方法，该方法还包括在将所述激光投影模块盖体连结到所述引线框架之前，将透镜、以及反光镜和棱镜中的一者连结到所述内引线框架部。
18.根据权利要求16所述的方法，该方法还包括将所述光学透镜和衍射光学元件连结到所述激光投影模块盖体的所述顶部。
19.根据权利要求16所述的方法，其中，连结激光二极管组件包括连结激光二极管、载芯片基板、热沉、以及晶粒接合垫部并将所述激光二极管组件引线键合到所述内引线框架部。
20.根据权利要求16所述的方法，其中，连结激光二极管组件包括将激光二极管连结到激光二极管基板，该激光二极管基板连结于位于所述盖体的所述空腔内的晶粒接合垫部。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109412017A (zh) * 2018-10-30 2019-03-01 上海索晔国际贸易有限公司 一种vcsel激光器件
CN117783199A (zh) * 2024-02-27 2024-03-29 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种线膨胀系数检测装置及方法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014114618A1 (de) * 2014-10-08 2016-04-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102016106896A1 (de) 2016-04-14 2017-10-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauteil
DE102017124147A1 (de) * 2017-10-17 2019-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Bauelement
RU2756788C1 (ru) 2017-11-01 2021-10-05 Нубуру, Инк. Лазерная система многокиловаттного класса с излучением в голубой области спектра
US10763639B2 (en) * 2018-02-12 2020-09-01 Lumentum Operations Llc Emitter-on-sub-mount device
KR102111635B1 (ko) 2018-02-23 2020-05-26 주식회사 옵티맥 레이저 프로젝터
WO2019165879A1 (zh) 2018-02-27 2019-09-06 Oppo广东移动通信有限公司 激光投射模组、深度相机及电子装置
CN108490632B (zh) * 2018-03-12 2020-01-10 Oppo广东移动通信有限公司 激光投射模组、深度相机和电子装置
US20210181614A1 (en) * 2018-08-15 2021-06-17 Sony Corporation Light-emitting device and projection display apparatus
US11611193B2 (en) 2018-10-30 2023-03-21 Excelitas Canada, Inc. Low inductance laser driver packaging using lead-frame and thin dielectric layer mask pad definition
US11264778B2 (en) 2018-11-01 2022-03-01 Excelitas Canada, Inc. Quad flat no-leads package for side emitting laser diode
US10788632B2 (en) * 2019-01-29 2020-09-29 Google Llc Device and method for coupling laser to a photonic integrated circuit
CN114938693A (zh) * 2019-12-26 2022-08-23 日亚化学工业株式会社 激光光源
DE102020114371A1 (de) 2020-05-28 2021-12-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
DE102021129698A1 (de) * 2021-11-15 2023-05-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils
US20230237701A1 (en) * 2022-01-21 2023-07-27 Motional Ad Llc Active alignment of an optical assembly with intrinsic calibration
WO2023229017A1 (ja) * 2022-05-27 2023-11-30 京セラ株式会社 レーザ装置及び光学部品搭載用パッケージ

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5905750A (en) * 1996-10-15 1999-05-18 Motorola, Inc. Semiconductor laser package and method of fabrication
CN1599156A (zh) * 2003-09-19 2005-03-23 三星电机株式会社 具有印刷电路板型引线框架的半导体激光二极管
TW200640098A (en) * 2005-01-11 2006-11-16 Rohm Co Ltd Semiconductor laser device and its manufacturing method
US20070289764A1 (en) * 2006-04-27 2007-12-20 Finisar Corporation Low inductance optical transmitter submount assembly
EP1909126A1 (en) * 2006-10-04 2008-04-09 Yazaki Corporation Optical element module and method of assembling the optical element module
CN101499446A (zh) * 2009-02-26 2009-08-05 旭丽电子(广州)有限公司 导线架料片、封装结构以及发光二极管封装结构
US20110149565A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Phoseon Technology, Inc. Lighting module with diffractive optical element
CN202178295U (zh) * 2011-03-02 2012-03-28 惠州科锐半导体照明有限公司 发光二极管封装件
CN102544340A (zh) * 2010-11-02 2012-07-04 嘉盛(马来西亚)私人有限公司 用于led的带凹腔的引线框架封装
CN102854924A (zh) * 2011-05-20 2013-01-02 苹果公司 用于提供数字信号的扩展坞
CN103457150A (zh) * 2012-05-31 2013-12-18 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种光纤耦合输出半导体激光器封装结构及其封装方法
CN103883918A (zh) * 2012-12-20 2014-06-25 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发光二极管光源装置及具有该光源装置的灯条
CN103972357A (zh) * 2013-02-06 2014-08-06 光宝电子(广州)有限公司 发光二极管封装件及其导线架
CN104241500A (zh) * 2010-02-05 2014-12-24 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管封装结构和显示装置

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2910113B2 (ja) * 1990-01-19 1999-06-23 ソニー株式会社 光集積回路及び集積回路用パッケージ
NL9000161A (nl) * 1990-01-23 1991-08-16 Koninkl Philips Electronics Nv Halfgeleiderinrichting bevattende een drager en werkwijze voor het vervaardigen van de drager.
JPH0497581A (ja) 1990-08-15 1992-03-30 Nec Corp 半導体レーザのヒートシンク
JPH06203403A (ja) * 1992-10-22 1994-07-22 Matsushita Electron Corp 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置
JPH06188516A (ja) 1992-12-16 1994-07-08 Matsushita Electron Corp 光半導体装置およびその製造方法
JPH0758414A (ja) * 1993-08-17 1995-03-03 Fuji Electric Co Ltd 光モジュール
US5748658A (en) * 1993-10-22 1998-05-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser device and optical pickup head
US5355382A (en) * 1993-11-22 1994-10-11 Xerox Corporation Composite laser array support
EP0705484B1 (en) * 1994-04-15 1999-02-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a device whereby a support bar is provided with conductor tracks for electrically contacting a semiconductor element
KR100373801B1 (ko) 1994-07-29 2003-05-09 산요 덴키 가부시키가이샤 반도체레이저장치및이를이용한광픽업장치
JP3485645B2 (ja) * 1994-07-29 2004-01-13 三洋電機株式会社 半導体レーザ装置とこれを用いた光ピックアップ装置
JPH10256648A (ja) * 1997-03-13 1998-09-25 Hitachi Ltd レーザダイオード・モジュール
US6282352B1 (en) * 1997-04-08 2001-08-28 Hitachi, Ltd. Optical module, method for manufacturing optical module and optical communication apparatus
US5844257A (en) 1997-06-12 1998-12-01 Quarton, Inc. Multi-directional light emitting semiconductor device
DE19944042A1 (de) * 1999-09-14 2001-04-12 Siemens Ag Beleuchtungseinheit für eine Vorrichtung für Anwendungen im Bereich der Medizin
JP2001189027A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Pioneer Electronic Corp ハイブリッド光モジュールのパッケージ構造ならびにその製造方法
JP2002374027A (ja) * 2001-06-14 2002-12-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置
KR100400081B1 (ko) 2001-11-24 2003-09-29 한국전자통신연구원 광전 모듈용 서브마운트 및 이를 이용한 실장 방법
JP3866993B2 (ja) * 2002-03-12 2007-01-10 シャープ株式会社 半導体レーザ装置及びそれを用いた光ピックアップ
JP2003309314A (ja) * 2002-04-17 2003-10-31 Sony Corp 集積光学素子及びその製造方法
JP2004022760A (ja) 2002-06-14 2004-01-22 Oki Electric Ind Co Ltd レーザダイオード
US7692206B2 (en) * 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
US7061025B2 (en) * 2003-03-10 2006-06-13 Mccolloch Lawrence R Optoelectronic device packaging assemblies and methods of making the same
JP2004289010A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 Sony Corp 発光装置
JP4161899B2 (ja) * 2003-12-22 2008-10-08 松下電工株式会社 光導波路モジュール
CN101032034A (zh) * 2004-06-30 2007-09-05 克里公司 用于封装发光器件的芯片级方法和芯片级封装的发光器件
JP2006066739A (ja) 2004-08-27 2006-03-09 Kyocera Corp サブマウントおよびその製造方法
JP2006072232A (ja) * 2004-09-06 2006-03-16 Mitsubishi Electric Corp 光送受信モジュール
TWI385764B (zh) 2004-09-13 2013-02-11 Taiwan Semiconductor Mfg 於微機械結構中密封包裝之光學組件
CN1790845A (zh) * 2004-12-17 2006-06-21 上海飞恩微电子有限公司 高速宽频光电传输to－can组件
DE102005006052A1 (de) * 2004-12-21 2006-07-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Linse, Laseranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Laseranordnung
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
JP4922663B2 (ja) * 2006-05-18 2012-04-25 スタンレー電気株式会社 半導体光学装置
JP2008198716A (ja) * 2007-02-09 2008-08-28 Eudyna Devices Inc 光半導体装置
JP5384819B2 (ja) * 2007-12-07 2014-01-08 日本特殊陶業株式会社 光電気混載パッケージ、光電気混載モジュール
JP5033688B2 (ja) * 2008-03-18 2012-09-26 株式会社リコー 光源装置、光走査装置及び画像形成装置
JP4492733B2 (ja) * 2008-05-27 2010-06-30 ソニー株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US20090310635A1 (en) * 2008-06-12 2009-12-17 Applied Optoelectronics, Inc. Wavelength locker and laser package including same
KR101192183B1 (ko) 2010-11-26 2012-10-17 (주)포인트엔지니어링 Ｌｅｄ 패키지와 ｌｅｄ 패키지용 금속 서브마운트 및 그 제조방법
US9449941B2 (en) * 2011-07-07 2016-09-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Connecting function chips to a package to form package-on-package
US8897327B2 (en) * 2012-04-16 2014-11-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laser diode devices
US10439112B2 (en) * 2012-05-31 2019-10-08 Cree, Inc. Light emitter packages, systems, and methods having improved performance
US20140218892A1 (en) * 2013-02-05 2014-08-07 Intematix Corporation Wide emission angle led package with remote phosphor component
DE102013201931B4 (de) * 2013-02-06 2022-03-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Laserbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
CN103178193B (zh) 2013-03-29 2016-02-17 上海大学 防止大功率发光二极管芯片偏移的封装结构及其制备工艺
US9300112B2 (en) * 2013-12-18 2016-03-29 Lumentum Operations Llc Packaged laser diode and method of packaging a laser diode
JP5834125B1 (ja) * 2014-09-29 2015-12-16 株式会社フジクラ 光ファイバモジュール

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5905750A (en) * 1996-10-15 1999-05-18 Motorola, Inc. Semiconductor laser package and method of fabrication
CN1599156A (zh) * 2003-09-19 2005-03-23 三星电机株式会社 具有印刷电路板型引线框架的半导体激光二极管
TW200640098A (en) * 2005-01-11 2006-11-16 Rohm Co Ltd Semiconductor laser device and its manufacturing method
US20070289764A1 (en) * 2006-04-27 2007-12-20 Finisar Corporation Low inductance optical transmitter submount assembly
EP1909126A1 (en) * 2006-10-04 2008-04-09 Yazaki Corporation Optical element module and method of assembling the optical element module
CN101499446A (zh) * 2009-02-26 2009-08-05 旭丽电子(广州)有限公司 导线架料片、封装结构以及发光二极管封装结构
US20110149565A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Phoseon Technology, Inc. Lighting module with diffractive optical element
CN104241500A (zh) * 2010-02-05 2014-12-24 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管封装结构和显示装置
CN102544340A (zh) * 2010-11-02 2012-07-04 嘉盛(马来西亚)私人有限公司 用于led的带凹腔的引线框架封装
CN202178295U (zh) * 2011-03-02 2012-03-28 惠州科锐半导体照明有限公司 发光二极管封装件
CN102854924A (zh) * 2011-05-20 2013-01-02 苹果公司 用于提供数字信号的扩展坞
CN103457150A (zh) * 2012-05-31 2013-12-18 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种光纤耦合输出半导体激光器封装结构及其封装方法
CN103883918A (zh) * 2012-12-20 2014-06-25 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发光二极管光源装置及具有该光源装置的灯条
CN103972357A (zh) * 2013-02-06 2014-08-06 光宝电子(广州)有限公司 发光二极管封装件及其导线架

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
FLORA HO: "Ultralow-Cost Optical Transceiver Modules Based on Leadframe Plastic-Package Technology", 《PROCEEDINGS ELECTRONIC COMPONENTS AND TECHNOLOGY》 *
纪亚飞: "带驱动级的环氧封装脉冲激光二极管", 《 红外与激光工程》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109412017A (zh) * 2018-10-30 2019-03-01 上海索晔国际贸易有限公司 一种vcsel激光器件
CN117783199A (zh) * 2024-02-27 2024-03-29 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种线膨胀系数检测装置及方法
CN117783199B (zh) * 2024-02-27 2024-05-14 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种线膨胀系数检测装置及方法

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