DE19944042A1 - Beleuchtungseinheit für eine Vorrichtung für Anwendungen im Bereich der Medizin - Google Patents

Beleuchtungseinheit für eine Vorrichtung für Anwendungen im Bereich der Medizin

Info

Publication number
DE19944042A1
DE19944042A1 DE19944042A DE19944042A DE19944042A1 DE 19944042 A1 DE19944042 A1 DE 19944042A1 DE 19944042 A DE19944042 A DE 19944042A DE 19944042 A DE19944042 A DE 19944042A DE 19944042 A1 DE19944042 A1 DE 19944042A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
lighting unit
unit according
carrier
laser diode
diode array
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19944042A
Other languages
English (en)
Inventor
Bruno Acklin
Stefan Groetsch
Helmut Rost
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19944042A priority Critical patent/DE19944042A1/de
Priority to US09/662,209 priority patent/US6778576B1/en
Publication of DE19944042A1 publication Critical patent/DE19944042A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02255—Out-coupling of light using beam deflecting elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345—Wire-bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02216—Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
    • H01S5/0236—Fixing laser chips on mounts using an adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

Beleuchtungseinheit für eine Vorrichtung, insbesondere zur Durchführung diaphanoskopischer Untersuchungen an einem menschlichen, tierischen oder pflanzlichen Untersuchungsobjekt, umfassend ein monolithisches Halbleiter-Laserdiodenarray (5) mit separat ansteuerbaren, Strahlung emittierenden Laserdioden, sowie wenigstens eine optische Einrichtung (6) zum Kollimieren und/oder Fokussieren eines emittierten Laserstrahls (15), wobei das Laserdiodenarray (5) und die optische Einrichtung (6) an einem gemeinsamen Träger (2) angeordnet sind, und das Laserdiodenarray (5) zur Diodenansteuerung mit trägerseitig vorgesehenen pinartigen Anschlussmitteln (8, 13) verbunden ist, welche ihrerseits mit an einer den Träger (2) aufnehmenden Trägerplatte vorgesehenen Anschlussmitteln verbindbar oder verbunden sind, und wobei ferner eine den Träger (2) kapselnde, strahlungstransparente Abdeckung (22) vorgesehen ist.

Description

Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungseinheit für eine Vor­ richtung, insbesondere für Anwendungen im Bereich der Medi­ zin, z. B. zur Durchführung diaphanoskopischer Untersuchungen an einem menschlichen, tierischen oder pflanzlichen Unter­ suchungsobjekt, der Sensorik, Automobil-, Druck- und Anzeige­ technik.
Aus der nachveröffentlichten Patentanmeldung 198 33 045 ist eine Vorrichtung zur Durchführung derartiger diaphanoskopi­ scher Untersuchungen bekannt, bei welcher eine Beleuchtungs­ einheit umfassend ein monolithisches Halbleiter-Laserdioden­ array mit separat ansteuerbaren, Strahlung emittierenden La­ serdioden vorgesehen ist. Diesem Array ist eine optische Ein­ richtung in Form eines Mikrolinsenarrays zur Beeinflussung des jeweils emittierten Laserstrahls nachgeschaltet. Mit die­ ser Vorrichtung ist es auf Grund der separat ansteuerbaren Laserdioden möglich, in abtastender Weise einen bestimmten Bereich eines bestimmten Bereich eines Untersuchungsobjektes diaphanoskopisch zu untersuchen, beispielsweise einen Finger­ gelenkspalt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine vielseitig verwendbare, kompakt gebaute Beleuchtungseinheit, insbeson­ dere für eine solche Vorrichtung, anzugeben.
Zu diesem Zweck ist eine Beleuchtungseinheit vorgesehen, um­ fassend ein monolithisches Halbleiter-Laserdiodenarray mit separat ansteuerbaren, Strahlung emittierenden Laserdioden, sowie wenigstens eine optische Einrichtung zum Kollimieren und/oder Fokussieren eines emittierten Laserstrahls, wobei das Laserdiodenarray und die optische Einrichtung an einem gemeinsamen Träger angeordnet sind, und das Laserdiodenarray zur Diodenansteuerung mit trägerseitig vorgesehenen pinarti­ gen Anschlussmitteln verbunden ist, welche ihrerseits mit an einer den Träger aufnehmenden Trägerplatte vorgesehenen An­ schlussmitteln verbindbar oder verbunden sind, und wobei fer­ ner eine den Träger kapselnde, strahlungstransparente Ab­ deckung vorgesehen ist.
Bei der erfindungsgemäßen Beleuchtungseinheit sind sämtliche erforderlichen Elemente auf einem einzigen Träger angeordnet und mittels einer strahlungstransparenten Abdeckung gekap­ selt, so dass die einzelnen Elemente gegen äußere Einflüsse wie Staub und Berührung und dergleichen geschützt sind. Der Träger selbst, bei dem es sich erfindungsgemäß um einen Kera­ mikträger handeln kann, ist seinerseits über seine pinartigen Anschlussmittel, die seitlich davon abstehen, und über welche das Laserdiodenarray p-und n-seitig kontaktiert ist, mit ei­ ner weiteren Trägerplatte und den auf dieser vorgesehenen An­ schlussmitteln verbindbar oder verbunden. Im einen Fall kann der Träger im Rahmen der Montage auf eine Trägerplatte der Vorrichtung beziehungsweise der Vorrichtungssteuerung, bei der es sich beispielsweise um eine Leiterplatte handelt, als vorgefertigtes Bauteil aufgesetzt werden. Daneben besteht die Möglichkeit, dass der Träger mit der keramischen Trägerplatte eines Chipgehäuses verbunden ist, das heißt, die gesamte Be­ leuchtungseinheit ist in Form eines Beleuchtungschips reali­ siert, welcher dann seinerseits auf einer Leiterplatte der Steuerungseinheit befestigt wird. Insgesamt stellt die erfin­ dungsgemäße Beleuchtungseinheit eine kleinbauende, einfach zu montierende und kompakte Einheit dar, die insbesondere auf Grund der Kapselung gut geschützt ist.
Um die Möglichkeit eines horizontalen Einbaus der Beleuch­ tungseinheit in das Vorrichtungsgehäuse zu geben, damit die­ ses insgesamt niedrig und klein gehalten werden kann, hat es sich als zweckmäßig erwiesen, wenn die optische Einrichtung erfindungsgemäß wenigstens einen Umlenkspiegel zum Umlenken eines emittierten Laserstrahls umfasst. Hierdurch ist es mög­ lich, die jeweiligen Komponenten der Beleuchtungseinheit be­ ziehungsweise den Träger selbst in horizontaler Ausrichtung bezüglich der Vorrichtung anzuordnen, die vertikale Auskopp­ lung des Laserstrahls wird mittels des Umlenkspiegels reali­ siert. Eine Umlenkung um 90° ist dabei vorteilhaft. Der Um­ lenkspiegel selbst sollte aus einem Keramikteil mit einer be­ dampften Spiegelfläche bestehen.
Das Laserdiodenarray beziehungsweise die einzelnen Dioden selbst sind mittels Bonddrähten mit den pinartigen Anschluss­ mitteln verbunden. Dabei kann jede Laserdiode über einen Bonddraht zur Bildung eines p-Kontakts unmittelbar mit einem pinartigen Anschlussmittel verbunden sein. Weiterhin kann der Träger an der das Laserdiodenarray aufnehmenden Seite zumin­ dest teilweise mit einer elektrisch leitenden Schicht, insbe­ sondere einer Goldschicht belegt sein, mit welcher das auf die Schicht aufgesetzte Laserdiodenarray elektrisch verbunden ist und die zur Bildung eines n-Kontakts für das Laserdioden­ array mit wenigstens einem pinartigen Anschlussmittel über eine Bonddraht verbunden ist. Hierdurch können die erforder­ lichen p-Kontakte sowie der wenigstens einen n-Kontakt, die für die separate Ansteuerung erforderlich sind, auf einfache Weise hergestellt werden.
Um die Beleuchtungseinheiten möglichst stabil ausführen zu können, hat es sich als zweckmäßig erwiesen, wenn am Träger eine seitlich geschlossene Ausnehmung vorgesehen ist, in wel­ cher das Laserdiodenarray und die optische Einrichtung ange­ ordnet sein, wobei die strahlentransparente Abdeckung eine die Ausnehmung verschließende Platte oder Scheibe ist. Am Träger, der bevorzugt ein mehrschichtiger Keramikträger ist, ist eine allseitig geschlossene Ausnehmung zur Aufnahme der relevanten Elemente vorgesehen, die natürlich entsprechend tief ist, so dass die Elemente vollständig aufgenommen wer­ den. Der Keramikträger bietet allseitig hinreichenden Schutz und ist ausreichend stabil, die Ausnehmung selbst wird dann lediglich noch mit der plattenförmigen Abdeckung verschlos­ sen, so dass eine vollständige Kapselung bei einfacher Ausge­ staltung sowohl des Trägers als auch der Abdeckung gegeben ist.
Aus fertigungstechnischen Gründen hat es sich als besonders vorteilhaft erwiesen, wenn die optische Einrichtung ein vor­ gefertigtes Bauteil ist. Die optische Einrichtung, die gemäß dieser Erfindungsausgestaltung nach Art eines Moduls vorge­ fertigt ist, bei dem beispielsweise auf einem kleinen gemein­ samen Träger die entsprechenden Mikrolinsensysteme zur Kolli­ mierung und/oder Fokussierung sowie gegebenenfalls der Um­ lenkspiegel angeordnet ist, wird komplett auf den Träger auf­ gesetzt, was eine beachtliche Montagevereinfachung bietet. Dabei sind die einzelnen Elemente der optischen Einrichtung natürlich auf das jeweils verwendete Laserdiodenarray abge­ stimmt, das heisst, die Aneinanderreihung der Mikrolinsen der jeweiligen Fokussierungssysteme und ihre Anzahl sowie die Länge des Umlenkspiegels sind dem Abstand und der Anzahl der einzelnen Laserdioden des Arrays sowie der Gesamtlänge des Arrays angepasst, wie auch die optische Einrichtung an die emittierte Strahlung etc. angepasst ist. Diese Ausgestaltung lässt es zu, dass nach Art eines Baukastensystems für jedes verwendete Laserdiodenarray das speziell hierfür ausgestal­ tete vorgefertigte Bauteil gewählt werden kann.
Schließlich hat es sich zweckmäßig erwiesen, wenn die opti­ sche Einrichtung zur Erzeugung eines querschnittlich im we­ sentlichen runden Strahls zum Kollimieren eines emittierten Laserstrahls in zwei aufeinander senkrecht stehenden Achsen, die ihrerseits senkrecht zur Stahlrichtung stehen ausgebildet ist. Dies kann mittels zweier oder mehrerer hintereinander geschalteter Mikrolinsen- und gegebenenfalls Mikroprismen­ arrays realisiert werden, die auf Grund ihrer Ausführung den Laserstrahl in der jeweils gewünschten Achse kollimieren. Solche Linsen- oder Prismenarrays sind beispielsweise von der Firma LIMO-Lissotschenko Mikrooptik GmbH, Dortmund, Deutsch­ land, erhältlich.
Um die einzelnen Elemente am Träger zu befestigen hat es sich als vorteilhaft erwiesen, wenn das Laserdiodenarray und die optische Einrichtung gegebenenfalls die Abdeckung mittels ei­ ner Klebeverbindung, bevorzugt unter Verwendung eines tempe­ raturbeständigen Klebers am Träger befestigt sind. Zum Ankle­ ben des Laserdiodenarrays wird zweckmäßigerweise ein Leitkle­ ber verwendet, da hierüber die elektrische Kontaktierung zur Goldbeschichtung realisiert wird. Die Abdeckung selbst sollte aus Glas, insbesondere vergütetem Glas bestehen. Das Laser­ diodenarray kann auch mittels einer Lötverbindung befestigt sein.
Wird der Laser mit geringer Leistung < 15 mW betrieben, ist die dabei entstehende Wärme unkritisch und kann über den Träger abgeführt werden. Bei höheren Laserleitungen im Bereich zwi­ schen 15 mW-100 mW ist dies nicht unbedingt mehr möglich, wes­ halb zur Vermeidung einer Überhitzung und damit einer vor­ schnellen Alterung des Laserdiodenarrays zweckmäßigerweise am Träger eine Einrichtung zum Kühlen desselben insbesondere im Bereich des Laserdiodenarrays vorgesehen ist. Bei der Ein­ richtung handelt es sich bevorzugt um ein Peltier-Element. Dieses ist über entsprechend kontaktierte Pins mit einer Regelung verbunden, so dass die Kühlleistung nach Bedarf ge­ regelt werden kann.
Der Träger selbst ist nach Art eines SMD-Bauteils ausgeführt, welches an der Trägerplatte in einem Lötverfahren, bevorzugt einem Reflow-Verfahren befestigt oder befestigbar ist.
Ferner betrifft die Erfindung eine Vorrichtung zur Durchfüh­ rung diaphanoskopischer Untersuchungen umfassend eine Be­ leuchtungseinheit der vorbeschriebenen Art.
Des weiteren kann eine Beleuchtungseinheit nach der Erfindung bei einer Vorrichtung der Drucktechnik, der Zeichen-Druck­ technik, insbesondere der Schriftzeichen und Bilddrucktech­ nik, beispielsweise der Offset- und Tiefdrucktechnik, sowie bei einer Anzeigevorrichtung, beispielsweise einem Display, Sensorik, insbesondere der Abstandsmeßtechnik und Geschwin­ digkeitsmeßtechnik und/oder Automobiltechnik, besonders be­ vorzugt Anwendung finden.
Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung er­ geben sich aus dem im folgenden beschriebenen Ausführungsbei­ spiel sowie anhand der Zeichnungen. Dabei zeigen:
Fig. 1 eine Prinzipskizze im Schnitt durch eine Beleuch­ tungseinheit, und
Fig. 2 eine Aufsicht auf eine Beleuchtungseinheit einer weiteren Ausführungsform, die einen Chipträger um­ fasst.
Fig. 1 zeigt eine Beleuchtungseinheit 1 einer ersten Ausfüh­ rungsform umfassend einen Träger 2, bevorzugt einen mehr­ schichtigen Keramikträger, an dem eine Ausnehmung 3 vorge­ sehen ist, die über umlaufende Seitenwände 4 seitlich ge­ schlossen ist. In dieser Ausnehmung 3 ist zum einen ein Laserdiodenarray 5 mit einer Vielzahl separat adressierbarer und ansteuerbarer einzelner Laserdioden sowie eine optische Einrichtung 6 aufgenommen. Das monolithische Laserdiodenarray weist typischerweise Abmessungen von Länge × Breite × Höhe = 10 mm × 0,6 mm × 0,115 mm auf. Der Abstand der Laserdioden voneinander kann zwischen 50 µm bis 2000 µm betragen. Techno­ logisch realisierbar sind Längen des monolithischen Laserbar­ rens zwischen 1 mm bis 30 mm. Als Halbleitermaterial kann jedes bekannte Material verwendet werden, dies richtet sich nach der gewünschten Wellenlänge. Die Bandbreite sollte ex­ trem schmal sein und im Bereich von +/-3 Nanometern liegen. Auf Grund der monolithischen Arraytechnologie ist eine gleichmäßige Strahlungsleistung und Richtcharakteristik aller Laserdioden gegeben, so dass jede auf Grund der Strahlung ei­ ner der Laserdioden hervorgerufene diaphanoskopische Bild- oder Datenaufnahme mit anderen vergleichbar ist. Die optische Leistung, (cw) sollte zwischen 10 mW bis 200 mW je einzelnem Laserdiodenelement liegen, wobei die Lichtleistung für die medizinische Anwendung im Bereich von < 100 mW/mm2 bei einem Laserstrahldurchmesser von < 300 µm im Fokus liegen sollte. Der bevorzugte Durchmesser eines Laserstrahlspots beträgt ca. 150 µm bis 200 µm.
Jede einzelne Laserdiode ist über einen eigenen Bonddraht 7 mit einem pinartigen Anschlussmittel 8 verbunden, wobei die­ ses pinartige Anschlussmittel 8 in den mehrschichtigen Kera­ mikträger 2 derart eingebettet ist, dass ein Anschlusspad 9 innerhalb der Ausnehmung 3 zum Befestigen des Bonddrahtes 7 liegt, während zur Kontaktierung des Anschlussmittels 8 mit einer Trägerplatte, die hier nicht näher gezeigt ist, ein außerhalb des Trägers 2 befindlicher Anschlussfuß 10 vorge­ sehen ist. Über die Bonddrähte 7 werden die p-Kontakte jeder einzelnen Laserdiode realisiert.
Zur Realisierung eines n-Kontaktes der Laserdioden ist zum einen die Ausnehmung 3 mit einer leitenden Schicht 11, bevor­ zugt einer aufgedampften Goldschicht belegt. Auf diese lei­ tende Schicht 11 ist das Laserdiodenarray 5 mittels einer Lötverbindung oder einer leitfähigen temperaturbeständigen Klebeverbindung 33 aufgeklebt, wobei der Kleber bevorzugt auch temperaturbeständig ist. Die leitfähige Schicht 11 ist wiederum über einen oder mehrere Bonddrähte 12 mit einem wei­ teren pinartigen Anschlussmittel 13 verbunden, welches in entsprechender Weise wie das pinartige Anschlussmittel 8 in den Keramikträger 2 integriert ist.
Die optische Einrichtung 6 besteht zum einen aus einem ersten Mikrolinsensystem 14 zur Kollimierung des in Fig. 1 gezeig­ ten, von einer Laserdiode emittierten Laserstrahls 15, sowie einem zweiten Mikrolinsensystem 16 zur Fokussierung des Laserstrahls 15. Diese Mikrolinsensysteme 14, 16 sind bevor­ zugt aus Glas gefertigt, wobei speziell das Kollimierungs­ system derart ausgebildet sein kann, dass es in zwei Strahlachsen kollimiert. Zu diesem Zweck kann das Mikrolin­ sensystem 14 auch aus mehreren separaten, hintereinander ge­ schalteten Linsensystemen bestehen.
Ferner umfasst die optische Einrichtung 6 einen Umlenkspiegel 17 bestehend aus einem mit einer Spiegelfläche 18 bedampften Keramikteil. Mittels des Umlenkspiegels 17 wird der Laser­ strahl, der einen Durchmesser zwischen 150 µm und 200 µm be­ sitzt und auf Grund der oben beschriebenen 2-achsigen Kolli­ mierungseigenschaft des Mikrolinsensystems 14 einen runden Querschnitt aufweisen kann, um 90° umgelenkt und ausgekop­ pelt. Dies ermöglicht es, dass der Träger 2 horizontal einge­ baut werden kann, so dass eine die Beleuchtungseinrichtung aufweisende Vorrichtung insgesamt kleinbauend gehalten werden kann.
Wie Fig. 1 zeigt sind die Mikrolinsensysteme 14, 16 sowie der Umlenkspiegel 17 an einem Aufnahmeträger 19 über entspre­ chende temperaturbeständige Klebeverbindungen 20 angeordnet, das heisst, die optische Einrichtung 6 stellt ein einzelnes, vorgefertigtes Bauteil dar. Der Aufnahmeträger 19 ist wie­ derum über eine temperaturbeständige Klebeverbindung 21 mit dem Träger 2 verklebt.
Die Ausnehmung 3 ihrerseits ist mittels einer aus vergütetem Glas bestehenden Abdeckung 22 oberseitig abgeschlossen, so dass sämtliche darunterliegenden Komponenten gegen Staub und Berührung geschützt sind. Die Abdeckung 22 ist für die auszu­ koppelnde Laserstrahlung selbstverständlich transparent. Auch hier kommt zur Befestigung der Abdeckung 22 eine Klebeverbin­ dung 23 zum Einsatz.
Am Träger 2 ist ferner eine weitere Ausnehmung 24 vorgesehen, die unterhalb des Laserdiodenarrays 5 angeordnet ist und zur Aufnahme einer Einrichtung 25 zum Kühlen des Trägers vorge­ sehen ist. Die Einrichtung 25 ist bevorzugt als Peltier-Ele­ ment ausgeführt. Über entsprechende Anschlussmittel 26 kann die Kühleinrichtung 25 an einer Regelungseinrichtung ange­ schlossen werden, über welche die Kühlleistung geregelt wer­ den kann. Vor allem bei Laserleistungen < 15 mW ist die Verwen­ dung einer Kühleinrichtung zweckmäßig, da dann eine vollstän­ dige Wärmeabfuhr über den Träger 2 nicht mehr gewährleistet ist und etwaige Temperaturerhöhungen zu einer Beeinträchti­ gung des Laserdiodenarrays 5 führen können. Selbstverständ­ lich können die Anschlussmittel 26 wiederum als pinartige An­ schlussmittel, die seitlich am Keramikträger 2 abgehen, aus­ gebildet sein.
Die in Fig. 1 beschriebene Beleuchtungseinheit 1 stellt ein kompaktes Bauteil dar, welches lediglich noch mit der nicht gezeigten Steuerungseinrichtung zur Ansteuerung der Laser­ dioden zu verbinden ist. Dies kann im einfachsten Fall da­ durch geschehen, dass der Träger 2 direkt auf eine Träger­ platte, beispielsweise eine Leiterplatte der Steuerungsein­ richtung der nicht gezeigten Vorrichtung zur Durchführung der diaphanoskopischen Untersuchung in einem Reflow-Lötverfahren aufgebracht wird. Bei der Beleuchtungseinheit 1 handelt es sich wie bereits beschrieben um ein SMD-Bauteil.
Fig. 2 zeigt eine weitere Ausführungsform einer Beleuchtungs­ einheit 27. Diese umfasst einen Träger 28, der in entspre­ chender Weise ausführt ist und die gleichen Elemente beinhal­ tet wie der Träger 2 gemäß Fig. 1. In diesem Fall jedoch ist der Träger 28 an einer Trägerplatte 29 eines Keramik-Chipge­ häuses 30 angeordnet. Die gesamte Beleuchtungseinheit 27 bil­ det also einen Beleuchtungschip, welcher ebenfalls vorgefer­ tigt ist. Der Träger 28 ist über seine pinartigen Anschluss­ mittel 31 via nicht gezeigter Leiterbahnen auf der Träger­ platte 29 mit den pinartigen Anschlussmitteln 32 des Chipge­ häuses 30 verbunden. Die Kontaktierung der Beleuchtungsein­ heit 27 mit der nicht gezeigten Steuerungseinrichtung erfolgt in diesem Fall über die pinartigen Anschlussmittel 32.

Claims (23)

1. Beleuchtungseinheit für eine Vorrichtung, aufweisend ein monolithisches Halbleiter-Laserdiodenarray (5) mit ansteuer­ baren, Strahlung emittierenden Laserdioden, sowie wenigstens eine optische Einrichtung (6) zum Kollimieren und/oder Fokus­ sieren der emittierten Laserstrahlung (15), wobei das Laser­ diodenarray (5) und die optische Einrichtung (6) an einem ge­ meinsamen Träger (2) angeordnet sind, und das Laserdioden­ array (5) zur Diodenansteuerung mit trägerseitig vorgesehenen pinartigen Anschlussmitteln (8, 13) verbunden ist, und wobei ferner eine den Träger (2) kapselnde, strahlungstransparente Abdeckung (22) vorgesehen ist.
2. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die optische Ein­ richtung (6) wenigstens einen Umlenkspiegel (17) zum Umlenken eines emittierten Laserstrahls (15) umfasst.
3. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Umlenkspiegel (17) zum Umlenken des Laserstrahls (15) um 90° bezüglich der Emissionsrichtung ausgebildet ist.
4. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 2 oder 3, da­ durch gekennzeichnet, dass der Umlenkspiegel (17) aus einem Keramikteil mit einer bedampften Spiegelfläche (18) besteht.
5. Beleuchtungseinheit nach einem der vorangehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, dass das Laserdiodenarray (5) mittels Bonddrähten (7, 12) mit den pinartigen Anschlussmitteln (8, 13) verbunden ist.
6. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass jede Laserdiode über einen Bonddraht (7) zur Bildung eines p-Kontakts unmittelbar mit einem pinartigen Anschlussmittel (8) verbunden ist, und dass der Träger (2) an der das Laserdiodenarray (5) aufneh­ menden Seite zumindest teilweise mit einer elektrisch leiten­ den Schicht (11), insbesondere einer Goldschicht belegt ist, mit welcher das auf die Schicht (11) aufgesetze Laserdioden­ array (5) elektrisch verbunden ist und die zur Bildung eines n-Kontakts für das Laserdiodenarray (5) mit wenigstens einem pinartigen Anschlussmittel (13) über einen Bonddraht (12) verbunden ist.
7. Beleuchtungseinheit nach einem der vorangehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, dass am Träger (2) eine seitlich geschlossene Ausnehmung (3) vorgesehen ist, in welcher das Laserdiodenarray (5) und die optische Einrichtung (6) angeordnet sind, und dass die strahlentransparente Abdeckung (22) eine die Ausnehmung (3) verschliessende Platte oder Scheibe ist.
8. Beleuchtungseinheit nach einem der vorangehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, dass die optische Einrichtung (6) ein vorgefertigtes Bauteil ist.
9. Beleuchtungseinheit nach einem der vorangehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, dass die optische Einrichtung (6) zur Erzeugung eines quer­ schnittlich im wesentlichen runden Strahls zum Kollimieren eines emittierten Laserstrahls (15) in zwei aufeinander senk­ recht stehenden Achsen, die ihrerseits senkrecht zur Strahl­ richtung stehen ausgebildet ist.
10. Beleuchtungseinrichtung nach einem der vorangehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger (2) ein in Mehrschichttechnik aufgebauter Keramikträger ist.
11. Beleuchtungseinheit nach einem der vorangehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, dass das Laserdiodenarray (5) und die optische Einrichtung (6) und gegebenenfalls die Abdeckung (22) mittels einer Kle­ beverbindung (12, 21, 23) oder im Fall des Laserdiodenarrays (5) mittels einer Lötverbindung am Träger (2) befestigt sind.
12. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass ein temperaturbe­ ständiger Kleber verwendet ist.
13. Beleuchtungseinheit nach einem der vorangehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, dass die Abdeckung (22) aus Glas, insbesondere vergütetem Glas besteht.
14. Beleuchtungseinheit nach einem der vorangehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, dass am Träger (2) eine Einrichtung (25) zum Kühlen desselben insbesondere im Bereich des Laserdiodenarrays (5) vorgesehen ist.
15. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung (25) ein Peltier-Element ist.
16. Beleuchtungseinheit nach einem der vorangehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger (2) ein SMD-Bauteil ist, das an der Träger­ platte (29) in einem Lötverfahren befestigt oder befestigbar ist.
17. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger (2) in einem Reflow-Verfahren an der Trägerplatte (29) angelötet oder anlötbar ist.
18. Beleuchtungseinheit nach einem der vorangehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger (2) an einer in einem Chipgehäuse (30) ange­ ordneten Trägerplatte (29) befestigt ist.
19. Vorrichtung zur Durchführung diaphanoskopischer Unter­ suchungen an einem menschlichen, tierischen oder pflanzlichen Untersuchungsobjekt, umfassend eine Beleuchtungseinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 18.
20. Beleuchtungseinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 18 zur Verwendung bei der Durchführung diaphanoskopischer Unter­ suchungen an einem menschlichen, tierischen oder pflanzlichen Untersuchungsobjekt.
21. Beleuchtungseinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 18 zur Verwendung bei einer Vorrichtung der Drucktechnik.
22. Beleuchtungseinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 18 zur Verwendung bei einer Anzeigevorrichtung.
23. Beleuchtungseinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 18 zur Verwendung bei einer Vorrichtung der Sensorik, zur Ab­ stands- und/oder Geschwindigkeitsmessung.
DE19944042A 1999-09-14 1999-09-14 Beleuchtungseinheit für eine Vorrichtung für Anwendungen im Bereich der Medizin Ceased DE19944042A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19944042A DE19944042A1 (de) 1999-09-14 1999-09-14 Beleuchtungseinheit für eine Vorrichtung für Anwendungen im Bereich der Medizin
US09/662,209 US6778576B1 (en) 1999-09-14 2000-09-14 Encapsulated illumination unit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19944042A DE19944042A1 (de) 1999-09-14 1999-09-14 Beleuchtungseinheit für eine Vorrichtung für Anwendungen im Bereich der Medizin

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19944042A1 true DE19944042A1 (de) 2001-04-12

Family

ID=7921999

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19944042A Ceased DE19944042A1 (de) 1999-09-14 1999-09-14 Beleuchtungseinheit für eine Vorrichtung für Anwendungen im Bereich der Medizin

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6778576B1 (de)
DE (1) DE19944042A1 (de)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE20309017U1 (de) 2003-06-11 2003-09-18 Rosch, Frank, 04808 Thallwitz Trimmtisch mit Untertischbeleuchtung
US6812564B1 (en) * 2000-09-05 2004-11-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Monolithic common carrier
EP1744415A3 (de) * 2005-07-11 2007-06-13 Osram Opto Semiconductors GmbH Gehäuse für ein Laserdiodenbauelement, Laserdiodenbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Laserdiodenbauelements
US7483456B2 (en) 2004-11-25 2009-01-27 Jenoptik Laserdiode Gmbh Diode laser module and method for the production thereof
WO2017165330A1 (en) * 2016-03-25 2017-09-28 Microsoft Technology Licensing, Llc Illumination module
WO2017165335A1 (en) * 2016-03-25 2017-09-28 Microsoft Technology Licensing, Llc Illumination module
CN113013069A (zh) * 2021-03-03 2021-06-22 万博汇电子实业(定南)有限公司 一种玻封二极管加工用端子自动装载设备

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1605560B1 (de) * 2004-02-25 2016-08-03 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Vorrichtung mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement und Verfahren zur Temperaturstabilisierung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements
US20050207458A1 (en) * 2004-03-22 2005-09-22 Tieyu Zheng Optoelectronic module with integrated cooler
US20070164426A1 (en) * 2006-01-18 2007-07-19 International Business Machines Corporation Apparatus and method for integrated circuit cooling during testing and image based analysis
US8811439B2 (en) 2009-11-23 2014-08-19 Seminex Corporation Semiconductor laser assembly and packaging system
CN104426053A (zh) * 2013-09-06 2015-03-18 福州高意通讯有限公司 一种半导体激光器封装结构
US11431146B2 (en) 2015-03-27 2022-08-30 Jabil Inc. Chip on submount module
US10383233B2 (en) 2015-09-16 2019-08-13 Jabil Inc. Method for utilizing surface mount technology on plastic substrates
DE102016106896A1 (de) * 2016-04-14 2017-10-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauteil
US11309680B2 (en) * 2017-09-28 2022-04-19 Nichia Corporation Light source device including lead terminals that cross space defined by base and cap
US11322907B2 (en) * 2018-02-16 2022-05-03 Kyocera Corporation Light emitting element housing package, light emitting device, and light emitting module
JP2019145568A (ja) * 2018-02-16 2019-08-29 京セラ株式会社 発光素子収納用パッケージ、発光装置および発光モジュール
JP6910976B2 (ja) * 2018-02-16 2021-07-28 京セラ株式会社 光モジュール
CN110663147A (zh) * 2018-04-28 2020-01-07 深圳市大疆创新科技有限公司 激光二极管封装模块及发射装置、测距装置、电子设备

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4803689A (en) * 1986-09-12 1989-02-07 Nec Corporation Semiconductor laser module
WO1991002392A1 (de) * 1989-07-29 1991-02-21 Messerschmitt-Bölkow-Blohm Gmbh Integriertes mikrosystem
DE4307570A1 (en) * 1992-03-18 1993-09-23 Rohm Co Ltd Semiconductor laser source emitting beam with circular cross-section - produces beam using cylindrical rod lens at right angles to axis of elliptical beam emerging from diode chip
US5327443A (en) * 1991-10-30 1994-07-05 Rohm Co., Ltd. Package-type semiconductor laser device
EP0660467A1 (de) * 1993-12-22 1995-06-28 Siemens Aktiengesellschaft Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US5446750A (en) * 1993-11-12 1995-08-29 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser diode pumped solid laser
DE4410888A1 (de) * 1994-03-29 1995-10-05 Zeiss Carl Jena Gmbh Anordnung zur Durchstrahlung von menschlichem Gewebe
DE4418477C1 (de) * 1994-05-20 1995-11-16 Siemens Ag Optoelektronische Baugruppe
DE19605726A1 (de) * 1996-02-16 1997-08-21 Sel Alcatel Ag Anordnung zur optischen Ankopplung einer Monitordiode an eine Laserdiode
US5764675A (en) * 1994-06-30 1998-06-09 Juhala; Roland E. Diode laser array
DE19706279A1 (de) * 1997-02-18 1998-08-20 Siemens Ag Laservorrichtung
DE19706276A1 (de) * 1997-02-18 1998-08-20 Siemens Ag Halbleiterlaser-Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaser-Vorrichtung

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3703656A (en) * 1971-02-17 1972-11-21 Gen Electric Monolithic semiconductor display devices
US5500540A (en) * 1994-04-15 1996-03-19 Photonics Research Incorporated Wafer scale optoelectronic package
US5902997A (en) 1994-05-20 1999-05-11 Siemens Aktiengesellschaft Device for spacing at least one lens from an optoelectronic component
US5911022A (en) * 1994-09-29 1999-06-08 Siemens Aktiengesellschaft Optical coupling arrangement
US6259713B1 (en) * 1997-12-15 2001-07-10 The University Of Utah Research Foundation Laser beam coupler, shaper and collimator device
JP4180140B2 (ja) * 1998-02-12 2008-11-12 富士通株式会社 多波長光源
DE19833045A1 (de) 1998-07-22 2000-02-17 Siemens Ag Vorrichtung zur Durchführung diaphanoskopischer Untersuchungen an einem Lebewesen

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4803689A (en) * 1986-09-12 1989-02-07 Nec Corporation Semiconductor laser module
WO1991002392A1 (de) * 1989-07-29 1991-02-21 Messerschmitt-Bölkow-Blohm Gmbh Integriertes mikrosystem
US5327443A (en) * 1991-10-30 1994-07-05 Rohm Co., Ltd. Package-type semiconductor laser device
DE4307570A1 (en) * 1992-03-18 1993-09-23 Rohm Co Ltd Semiconductor laser source emitting beam with circular cross-section - produces beam using cylindrical rod lens at right angles to axis of elliptical beam emerging from diode chip
US5446750A (en) * 1993-11-12 1995-08-29 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser diode pumped solid laser
EP0660467A1 (de) * 1993-12-22 1995-06-28 Siemens Aktiengesellschaft Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE4410888A1 (de) * 1994-03-29 1995-10-05 Zeiss Carl Jena Gmbh Anordnung zur Durchstrahlung von menschlichem Gewebe
DE4418477C1 (de) * 1994-05-20 1995-11-16 Siemens Ag Optoelektronische Baugruppe
US5764675A (en) * 1994-06-30 1998-06-09 Juhala; Roland E. Diode laser array
DE19605726A1 (de) * 1996-02-16 1997-08-21 Sel Alcatel Ag Anordnung zur optischen Ankopplung einer Monitordiode an eine Laserdiode
DE19706279A1 (de) * 1997-02-18 1998-08-20 Siemens Ag Laservorrichtung
DE19706276A1 (de) * 1997-02-18 1998-08-20 Siemens Ag Halbleiterlaser-Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaser-Vorrichtung

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6812564B1 (en) * 2000-09-05 2004-11-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Monolithic common carrier
US7163844B2 (en) * 2000-09-05 2007-01-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Monolithic common carrier
DE20309017U1 (de) 2003-06-11 2003-09-18 Rosch, Frank, 04808 Thallwitz Trimmtisch mit Untertischbeleuchtung
DE102004057454B4 (de) * 2004-11-25 2009-10-22 Jenoptik Laserdiode Gmbh Diodenlasermodul und Verfahren zu dessen Herstellung
US7483456B2 (en) 2004-11-25 2009-01-27 Jenoptik Laserdiode Gmbh Diode laser module and method for the production thereof
EP1744415A3 (de) * 2005-07-11 2007-06-13 Osram Opto Semiconductors GmbH Gehäuse für ein Laserdiodenbauelement, Laserdiodenbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Laserdiodenbauelements
US7502399B2 (en) 2005-07-11 2009-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Package for a laser diode component, laser diode component and method for producing laser diode component
WO2017165330A1 (en) * 2016-03-25 2017-09-28 Microsoft Technology Licensing, Llc Illumination module
WO2017165335A1 (en) * 2016-03-25 2017-09-28 Microsoft Technology Licensing, Llc Illumination module
US10003726B2 (en) 2016-03-25 2018-06-19 Microsoft Technology Licensing, Llc Illumination module for near eye-to-eye display system
US10048498B2 (en) 2016-03-25 2018-08-14 Microsoft Technology Licensing, Llc Illumination module
CN113013069A (zh) * 2021-03-03 2021-06-22 万博汇电子实业(定南)有限公司 一种玻封二极管加工用端子自动装载设备
CN113013069B (zh) * 2021-03-03 2022-12-23 日照鲁光电子科技有限公司 一种玻封二极管加工用端子自动装载设备

Also Published As

Publication number Publication date
US6778576B1 (en) 2004-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19944042A1 (de) Beleuchtungseinheit für eine Vorrichtung für Anwendungen im Bereich der Medizin
EP1843394B1 (de) Halbleiter-strahlungsquelle und lichthärtgerät mit dieser
EP1328976B1 (de) Led-modul
EP0809304B1 (de) Optoelektronischer Wandler und dessen Herstellungsverfahren
DE69322821T2 (de) Halbleiter-Schutzgehäuse für optische Bausteine
EP2583319B1 (de) Optoelektronisches bauteil
EP0335104A2 (de) Vorrichtung zum optischen Verbinden eines oder mehrerer optischer Sender mit einem oder mehreren optischen Detektoren eines oder mehrerer integrierter Schaltkreise
DE102006015336B4 (de) Halbleiter-Strahlungsquelle, Lichthärtgerät mit Halbleiter-Strahlungsquelle, Beleuchtungsgerät mit Halbleiter-Strahlungsquelle und Verwendung eines Beleuchtungsgeräts mit Halbleiter-Strahlungsquelle
EP0878026B1 (de) Leuchtdiodenmatrix
WO2010060420A1 (de) Optoelektronische lampe
EP1968115A2 (de) Lichtemissionsvorrichtung
EP2218118A1 (de) Anordnung mit mindestens einem optoelektronischen halbleiterbauelement
EP0962035B1 (de) Laservorrichtung
EP1168022A2 (de) Optomodul mit durchkontaktiertem Trägersubstrat
DE2601956C3 (de) Optoelektronisches Koppelelement
DE102011005251A1 (de) Optoelektronische Transistorkontur (Transistor Outline, TO)-Hülsensockelbaugruppe, welche eine Konfiguration aufweist, die die Wärmedissipation verbessert und einen thermischen Widerstand reduziert
DE2734798C2 (de)
DE102017102619A1 (de) Led-einheit
WO2009152908A2 (de) Leuchtchip und leuchtvorrichtung mit einem solchen
DE10227544A1 (de) Vorrichtung zur optischen und/oder elektrischen Datenübertragung und/oder -verarbeitung
DE19920638C2 (de) Modul zur parallelen optischen Datenübertragung
EP1153792A1 (de) Leuchtenanordnung mit mehreren LED&#39;s
EP2845235B1 (de) Led-anordnung
EP1042849A2 (de) Mehrkanalige optische sendeeinrichtung
DE102007001667A1 (de) Anordnung zur Kontaktierung von Einzelkomponenten eines Halbleiterlaserdioden-Moduls

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8131 Rejection
8131 Rejection