JP3093704B2 - リードフレーム，リードフレームの製造方法，半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
リードフレーム，リードフレームの製造方法，半導体装置及び半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP3093704B2 JP3093704B2 JP35259897A JP35259897A JP3093704B2 JP 3093704 B2 JP3093704 B2 JP 3093704B2 JP 35259897 A JP35259897 A JP 35259897A JP 35259897 A JP35259897 A JP 35259897A JP 3093704 B2 JP3093704 B2 JP 3093704B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead group
- lead
- inner lead
- group
- frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路チ
ップ、トランジスタなどの半導体チップを搭載する半導
体装置用のリードフレーム，その製造方法，半導体装置
及びその製造方法に関し、特に高信頼性化、多ピン化対
策に関するものである。
ップ、トランジスタなどの半導体チップを搭載する半導
体装置用のリードフレーム，その製造方法，半導体装置
及びその製造方法に関し、特に高信頼性化、多ピン化対
策に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のリードフレームについて、図面を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
【０００３】図２７は、従来のリードフレームの構成を
示す平面図である。図２７に示すように、従来のリード
フレームは、四角形の外枠１１０と、外枠１１０で囲ま
れる領域のほぼ中央部に設けられ半導体チップが載置さ
れる四角形のダイパッド部１０１と、半導体チップが載
置された状態で金属細線等の接続手段により半導体チッ
プと電気的に接続される第１のインナーリード群１０
２，第２のインナーリード群１０３，第３のインナーリ
ード群１０４及び第４のインナーリード群１０５と、上
記第１のインナーリード群１０２，第２のインナーリー
ド群１０３，第３のインナーリード群１０４及び第４の
インナーリード群１０５とそれぞれ連続して設けられ、
外部端子との接続のための第１のアウターリード群１０
６，第２のアウターリード群１０７，第３のアウターリ
ード群１０８及び第４のアウターリード群１０９と、上
記第１のアウターリード群１０６，第２のアウターリー
ド群１０７，第３のアウターリード群１０８及び第４の
アウターリード群１０９を連結固定するダムバー部１１
１と、上記外枠１１０の角部と上記ダイパッド部１０１
の角部とを接続する吊りリード部１１３とにより構成さ
れている。つまり、ダイパッド部１０１は、上記吊りリ
ード部１１３によって支持されている構成であった。
示す平面図である。図２７に示すように、従来のリード
フレームは、四角形の外枠１１０と、外枠１１０で囲ま
れる領域のほぼ中央部に設けられ半導体チップが載置さ
れる四角形のダイパッド部１０１と、半導体チップが載
置された状態で金属細線等の接続手段により半導体チッ
プと電気的に接続される第１のインナーリード群１０
２，第２のインナーリード群１０３，第３のインナーリ
ード群１０４及び第４のインナーリード群１０５と、上
記第１のインナーリード群１０２，第２のインナーリー
ド群１０３，第３のインナーリード群１０４及び第４の
インナーリード群１０５とそれぞれ連続して設けられ、
外部端子との接続のための第１のアウターリード群１０
６，第２のアウターリード群１０７，第３のアウターリ
ード群１０８及び第４のアウターリード群１０９と、上
記第１のアウターリード群１０６，第２のアウターリー
ド群１０７，第３のアウターリード群１０８及び第４の
アウターリード群１０９を連結固定するダムバー部１１
１と、上記外枠１１０の角部と上記ダイパッド部１０１
の角部とを接続する吊りリード部１１３とにより構成さ
れている。つまり、ダイパッド部１０１は、上記吊りリ
ード部１１３によって支持されている構成であった。
【０００４】また、従来のリードフレームは、図２８
（ａ），（ｂ）に示すような製造工程で製造されてい
た。ただし、図２８（ａ），（ｂ）は、従来のリードフ
レームの製造方法を示す図であり、リードフレームの右
上部分を示す部分平面図である。
（ａ），（ｂ）に示すような製造工程で製造されてい
た。ただし、図２８（ａ），（ｂ）は、従来のリードフ
レームの製造方法を示す図であり、リードフレームの右
上部分を示す部分平面図である。
【０００５】まず、図２８（ａ）に示すように、金属板
１１４に対してエッチング処理、またはプレス加工を施
すことにより、金属板１１４中に、ダイパッド部１０１
と、吊りリード部１１３と、上記ダイパッド部１０１と
接続される各インナーリード群１０２〜１０５（１０
３，１０４は図示されていない）と、上記各インナーリ
ード群１０２〜１０５等とそれぞれ連続して設けられ、
外部端子との接続のための各アウターリード群１０６〜
１０９等（１０７，１０８は図示されていない）と、外
枠１１０と、上記各アウターリード群１０６〜１０９同
士を連結固定するダムバー部１１１とを形成し、リード
フレーム構成体１１５を形成する。このとき、各インナ
ーリード群１０２〜１０５中の各インナーリードの２本
ずつが先端で連結固定されている。
１１４に対してエッチング処理、またはプレス加工を施
すことにより、金属板１１４中に、ダイパッド部１０１
と、吊りリード部１１３と、上記ダイパッド部１０１と
接続される各インナーリード群１０２〜１０５（１０
３，１０４は図示されていない）と、上記各インナーリ
ード群１０２〜１０５等とそれぞれ連続して設けられ、
外部端子との接続のための各アウターリード群１０６〜
１０９等（１０７，１０８は図示されていない）と、外
枠１１０と、上記各アウターリード群１０６〜１０９同
士を連結固定するダムバー部１１１とを形成し、リード
フレーム構成体１１５を形成する。このとき、各インナ
ーリード群１０２〜１０５中の各インナーリードの２本
ずつが先端で連結固定されている。
【０００６】次に、図２８（ｂ）に示すように、リード
フレーム構成体１１５の各インナーリード群１０２〜１
０５の先端部を切断（先端カット）して、各インナーリ
ード群１０２〜１０５をダイパッド部１０１から切り離
し、かつ互いに分離させる。なお、図２８（ａ）に示す
工程の終了後図２８（ｂ）に示す工程を行なう前に、リ
ードフレーム構成体１１５にメッキを付すメッキ工程が
設けられる場合もあった。なお、上記図２８（ｂ）に示
す工程では、各インナーリード群１０２〜１０５中の各
インナーリードの２本ずつが連結固定されているので、
その連結固定された先端箇所を切断するものである。
フレーム構成体１１５の各インナーリード群１０２〜１
０５の先端部を切断（先端カット）して、各インナーリ
ード群１０２〜１０５をダイパッド部１０１から切り離
し、かつ互いに分離させる。なお、図２８（ａ）に示す
工程の終了後図２８（ｂ）に示す工程を行なう前に、リ
ードフレーム構成体１１５にメッキを付すメッキ工程が
設けられる場合もあった。なお、上記図２８（ｂ）に示
す工程では、各インナーリード群１０２〜１０５中の各
インナーリードの２本ずつが連結固定されているので、
その連結固定された先端箇所を切断するものである。
【０００７】次に、従来のリードフレームを用いた半導
体装置について説明する。図２９は、従来の半導体装置
を示す平面図である。また、図３０は図２９に示すXXX-
XXX線断面における断面図である。
体装置について説明する。図２９は、従来の半導体装置
を示す平面図である。また、図３０は図２９に示すXXX-
XXX線断面における断面図である。
【０００８】図２９及び図３０に示すように、吊りリー
ド部１１３で支持されたダイパッド部１０１上に半導体
チップ１１６が接合され、半導体チップ１１６の各辺で
ある第１の辺１１６ａ，第２の辺１１６ｂ，第３の辺１
１６ｃ及び第４の辺１１６ｄの近傍には、第１のインナ
ーリード群１０２，第２のインナーリード群１０３，第
３のインナーリード群１０４及び第４のインナーリード
群１０５が配列されている。そして、半導体チップ１１
６の電極パッド１１７と各インナーリード群１１０２，
１０３，１０４，１０５とは金属細線１１８により電気
的に接続されている。そして、半導体チップ１１６，ダ
イパッド部１０１，吊りリード部１１３，各インナーリ
ード群１０２，１０３，１０４，１０５及び金属細線１
１８は封止樹脂１１９により封止され、第１のアウター
リード群１０６，第２のアウターリード群１０７，第３
のアウターリード群１０８及び第４のアウターリード群
１０９が封止樹脂１１９から突出しているものである。
最終工程では、ダムバー部１１１をカットし、外枠１１
０を除去して各アウターリード群１０６，１０７，１０
８，１０９を所望の形状に成形することにより、製品と
する。
ド部１１３で支持されたダイパッド部１０１上に半導体
チップ１１６が接合され、半導体チップ１１６の各辺で
ある第１の辺１１６ａ，第２の辺１１６ｂ，第３の辺１
１６ｃ及び第４の辺１１６ｄの近傍には、第１のインナ
ーリード群１０２，第２のインナーリード群１０３，第
３のインナーリード群１０４及び第４のインナーリード
群１０５が配列されている。そして、半導体チップ１１
６の電極パッド１１７と各インナーリード群１１０２，
１０３，１０４，１０５とは金属細線１１８により電気
的に接続されている。そして、半導体チップ１１６，ダ
イパッド部１０１，吊りリード部１１３，各インナーリ
ード群１０２，１０３，１０４，１０５及び金属細線１
１８は封止樹脂１１９により封止され、第１のアウター
リード群１０６，第２のアウターリード群１０７，第３
のアウターリード群１０８及び第４のアウターリード群
１０９が封止樹脂１１９から突出しているものである。
最終工程では、ダムバー部１１１をカットし、外枠１１
０を除去して各アウターリード群１０６，１０７，１０
８，１０９を所望の形状に成形することにより、製品と
する。
【０００９】なお、図２９の平面図においては、封止樹
脂１１９を透明体として透過させ輪郭のみ示している。
脂１１９を透明体として透過させ輪郭のみ示している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のリードフレーム又はこのリードフレームを使用した
半導体装置において、以下のような問題があった。
来のリードフレーム又はこのリードフレームを使用した
半導体装置において、以下のような問題があった。
【００１１】第１に、そのリードフレームを用いて半導
体装置を構成した場合、半導体装置の側面からアウター
リードが外部端子として突出する構造となり、実装面積
的にも小型化には限界があった。
体装置を構成した場合、半導体装置の側面からアウター
リードが外部端子として突出する構造となり、実装面積
的にも小型化には限界があった。
【００１２】第２に、インナーリード群、アウターリー
ド群を狭ピッチとして、電極パッド数の多い半導体チッ
プを搭載したとしても、多ピン化には限界があり、１６
０ピン程度が限度であった。
ド群を狭ピッチとして、電極パッド数の多い半導体チッ
プを搭載したとしても、多ピン化には限界があり、１６
０ピン程度が限度であった。
【００１３】第３に、リードフレームはダムバーを有し
ているので、半導体装置を製造する際の樹脂封止工程後
には、そのダムバーをカット除去し、アウターリード群
を成形するという工程が必ず必要であり、半導体装置の
製造工程の短縮にも限界があった。
ているので、半導体装置を製造する際の樹脂封止工程後
には、そのダムバーをカット除去し、アウターリード群
を成形するという工程が必ず必要であり、半導体装置の
製造工程の短縮にも限界があった。
【００１４】本発明は、上記従来のリードフレームおよ
びそれを用いた場合の半導体装置の製造工程における種
々の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、半
導体装置の側面から突出するのではなく、半導体装置の
底面に露出する外部端子を設けるのに適したリードフレ
ームの構造に関する手段を講ずることにより、実装面積
の小型化，多ピン化，製造工程の短縮等を実現しうるリ
ードフレーム，その製造方法，半導体装置及びその製造
方法を提供することにある。
びそれを用いた場合の半導体装置の製造工程における種
々の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、半
導体装置の側面から突出するのではなく、半導体装置の
底面に露出する外部端子を設けるのに適したリードフレ
ームの構造に関する手段を講ずることにより、実装面積
の小型化，多ピン化，製造工程の短縮等を実現しうるリ
ードフレーム，その製造方法，半導体装置及びその製造
方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、請求項１〜１２に記載されているリー
ドフレームに関する手段と、請求項１３〜２１に記載さ
れているリードフレームの製造方法に関する手段と、請
求項２２〜３６に記載されている半導体装置に関する手
段と、請求項３７〜４４に記載されている半導体装置の
製造方法に関する手段とを講じている。
に、本発明では、請求項１〜１２に記載されているリー
ドフレームに関する手段と、請求項１３〜２１に記載さ
れているリードフレームの製造方法に関する手段と、請
求項２２〜３６に記載されている半導体装置に関する手
段と、請求項３７〜４４に記載されている半導体装置の
製造方法に関する手段とを講じている。
【００１６】本発明のリードフレームは、請求項１に記
載されているように、半導体チップを内蔵する半導体装
置の製造に使用されるリードフレームであって、外枠
と、上記外枠に接続される支持リード部と、先端部が上
記半導体チップの搭載領域内又はその近傍に、末端部が
上記半導体チップの搭載領域よりも外方にかつ上記外枠
とは切り離されてそれぞれ配置され、互いに分離してい
る内側インナーリード群と、上記支持リード部と上記内
側インナーリード群とにそれらの上面側で固着された絶
縁体とを備え、上記内側インナーリード群は、上記絶縁
体を介して上記支持リード部により支持されている。
載されているように、半導体チップを内蔵する半導体装
置の製造に使用されるリードフレームであって、外枠
と、上記外枠に接続される支持リード部と、先端部が上
記半導体チップの搭載領域内又はその近傍に、末端部が
上記半導体チップの搭載領域よりも外方にかつ上記外枠
とは切り離されてそれぞれ配置され、互いに分離してい
る内側インナーリード群と、上記支持リード部と上記内
側インナーリード群とにそれらの上面側で固着された絶
縁体とを備え、上記内側インナーリード群は、上記絶縁
体を介して上記支持リード部により支持されている。
【００１７】これにより、内側インナーリード群の末端
部が外枠と切り離されているので、このリードフレーム
を用いて半導体装置を製造する際に、樹脂封止工程の後
外枠と内側インナーリード群とを切り離すためのカット
工程が不要となる。つまり、支持リードの外枠に近い部
分において外枠を支持リードから分離することで容易に
外枠を除去できる。したがって、従来必要であった外枠
のカット工程によって封止樹脂の側面に生じるバリ（樹
脂の未カット屑）がない外形精度のよいいわゆるバリレ
スの半導体装置を得ることができる。また、内側インナ
ーリード群の裏面を外部端子として利用すれば外部端子
を二次元的に配置できるので、高密度の実装が可能にな
る。したがって、バリレスで極めて小型化された半導体
装置が得られることになる。
部が外枠と切り離されているので、このリードフレーム
を用いて半導体装置を製造する際に、樹脂封止工程の後
外枠と内側インナーリード群とを切り離すためのカット
工程が不要となる。つまり、支持リードの外枠に近い部
分において外枠を支持リードから分離することで容易に
外枠を除去できる。したがって、従来必要であった外枠
のカット工程によって封止樹脂の側面に生じるバリ（樹
脂の未カット屑）がない外形精度のよいいわゆるバリレ
スの半導体装置を得ることができる。また、内側インナ
ーリード群の裏面を外部端子として利用すれば外部端子
を二次元的に配置できるので、高密度の実装が可能にな
る。したがって、バリレスで極めて小型化された半導体
装置が得られることになる。
【００１８】請求項２に記載されているように、請求項
１のリードフレームにおいて、上記内側インナーリード
群の裏面側に、外部端子となる突出部を設けることが好
ましい。
１のリードフレームにおいて、上記内側インナーリード
群の裏面側に、外部端子となる突出部を設けることが好
ましい。
【００１９】これにより、外部端子が狭い突出部の部位
に形成されるので、ボール電極を設けたり、あるいは突
出部の配列を工夫することで、外部端子を二次元的に多
様に配置することが可能になる。
に形成されるので、ボール電極を設けたり、あるいは突
出部の配列を工夫することで、外部端子を二次元的に多
様に配置することが可能になる。
【００２０】請求項３に記載されているように、請求項
２のリードフレームにおいて、上記内側インナーリード
群の各突出部の底面は平面上で複数の列を構成している
ことが好ましい。
２のリードフレームにおいて、上記内側インナーリード
群の各突出部の底面は平面上で複数の列を構成している
ことが好ましい。
【００２１】これにより、各外部端子同士が接近するの
をできるだけ回避しながら、外部端子を二次元的に広く
分散させることができ、高密度実装に適した構造とな
る。
をできるだけ回避しながら、外部端子を二次元的に広く
分散させることができ、高密度実装に適した構造とな
る。
【００２２】請求項４に記載されているように、請求項
１〜３のうちいずれか１つのリードフレームにおいて、
上記内側インナーリード群と上記外枠との間に、先端部
が上記内側インナーリード群の末端部とは切り離された
外側インナーリード群を介在させておくこともできる。
１〜３のうちいずれか１つのリードフレームにおいて、
上記内側インナーリード群と上記外枠との間に、先端部
が上記内側インナーリード群の末端部とは切り離された
外側インナーリード群を介在させておくこともできる。
【００２３】これにより、二重配列されたインナーリー
ド群の裏面を介してより多くの外部端子を二次元的に配
置することができる。
ド群の裏面を介してより多くの外部端子を二次元的に配
置することができる。
【００２４】請求項５に記載されているように、請求項
４のリードフレームにおいて、上記外側インナーリード
群の末端部を上記外枠に接続しておいてもよい。
４のリードフレームにおいて、上記外側インナーリード
群の末端部を上記外枠に接続しておいてもよい。
【００２５】請求項６に記載されているように、請求項
４のリードフレームにおいて、上記外側インナーリード
群の末端部を上記外枠と切り離しておいて、上記支持リ
ード部と上記外側インナーリード群とにそれらの上面側
で固着される外側絶縁体をさらに備えることができる。
４のリードフレームにおいて、上記外側インナーリード
群の末端部を上記外枠と切り離しておいて、上記支持リ
ード部と上記外側インナーリード群とにそれらの上面側
で固着される外側絶縁体をさらに備えることができる。
【００２６】これにより、高密度実装型かつバリレスの
半導体装置の製造に供することができる。
半導体装置の製造に供することができる。
【００２７】請求項７に記載されているように、請求項
４〜６のうちいずれか１つのリードフレームにおいて、
上記内側インナーリード群の各末端部と上記外側インナ
ーリード群の先端部とを互いの間隙に入り込ませてお
き、互いにほぼ交互に配列することができる。
４〜６のうちいずれか１つのリードフレームにおいて、
上記内側インナーリード群の各末端部と上記外側インナ
ーリード群の先端部とを互いの間隙に入り込ませてお
き、互いにほぼ交互に配列することができる。
【００２８】これにより、半導体装置を形成する際に、
半導体チップの電極パッドと内側インナーリード群の各
末端部との間の距離と、半導体チップの電極パッドと外
側インナーリード群の先端部との間の距離とをほぼ同じ
にすることが可能となるので、半導体装置の製造工程に
おけるワイヤボンディング工程の高効率化に寄与できる
構造となる。
半導体チップの電極パッドと内側インナーリード群の各
末端部との間の距離と、半導体チップの電極パッドと外
側インナーリード群の先端部との間の距離とをほぼ同じ
にすることが可能となるので、半導体装置の製造工程に
おけるワイヤボンディング工程の高効率化に寄与できる
構造となる。
【００２９】請求項８に記載されているように、請求項
４〜７のうちいずれか１つのリードフレームにおいて、
上記外側インナーリード群の裏面側にも外部端子となる
突出部を設けることが好ましい。
４〜７のうちいずれか１つのリードフレームにおいて、
上記外側インナーリード群の裏面側にも外部端子となる
突出部を設けることが好ましい。
【００３０】請求項９に記載されているように、請求項
８のリードフレームにおいて、上記外側インナーリード
群の各突出部の底面も平面上で複数の列を構成している
ことが好ましい。
８のリードフレームにおいて、上記外側インナーリード
群の各突出部の底面も平面上で複数の列を構成している
ことが好ましい。
【００３１】請求項１０に記載されているように、請求
項１〜９のうちいずれか１つのリードフレームにおい
て、上記内側インナーリード群の先端部の内方側の領域
を、開口させておくことができる。
項１〜９のうちいずれか１つのリードフレームにおい
て、上記内側インナーリード群の先端部の内方側の領域
を、開口させておくことができる。
【００３２】これにより、内側インナーリード群の内方
が開口されていても、内側インナーリード群及び支持リ
ード部に固着されている絶縁体が存在することで、半導
体装置の製造工程において、半導体チップを載置するの
に不具合が生じることはない。そして、開口された領域
を利用して半導体装置の各種部材を設けることも可能と
なり、半導体装置の構造の自由度が拡大する請求項１１
に記載されているように、請求項１〜９のうちいずれか
１つのリードフレームにおいて、上記支持リード部を、
上記外枠の１つの部位から延びて上記外枠の他の部位に
接続されている構造とすることもできる。
が開口されていても、内側インナーリード群及び支持リ
ード部に固着されている絶縁体が存在することで、半導
体装置の製造工程において、半導体チップを載置するの
に不具合が生じることはない。そして、開口された領域
を利用して半導体装置の各種部材を設けることも可能と
なり、半導体装置の構造の自由度が拡大する請求項１１
に記載されているように、請求項１〜９のうちいずれか
１つのリードフレームにおいて、上記支持リード部を、
上記外枠の１つの部位から延びて上記外枠の他の部位に
接続されている構造とすることもできる。
【００３３】これにより、外枠の立体的なねじれや平面
的なゆがみに対する抗力の大きいリードフレーム構造と
なる。
的なゆがみに対する抗力の大きいリードフレーム構造と
なる。
【００３４】請求項１２に記載されているように、請求
項１〜９のうちいずれか１つのリードフレームにおい
て、上記内側インナーリード群の内方に上記内側インナ
ーリード群に対してアップセットされたダイパッド部を
形成しておき、上記支持リード部の先端部を上記ダイパ
ッド部に接続しておくこともできる。
項１〜９のうちいずれか１つのリードフレームにおい
て、上記内側インナーリード群の内方に上記内側インナ
ーリード群に対してアップセットされたダイパッド部を
形成しておき、上記支持リード部の先端部を上記ダイパ
ッド部に接続しておくこともできる。
【００３５】これにより、半導体装置の製造工程におい
て、半導体チップの大きさに拘わらず半導体チップをリ
ードフレームのダイパッド上に搭載できる構造となる。
て、半導体チップの大きさに拘わらず半導体チップをリ
ードフレームのダイパッド上に搭載できる構造となる。
【００３６】本発明のリードフレームの製造方法は、請
求項１３に記載されているように、半導体チップを内蔵
する半導体装置の製造に使用されるリードフレームの製
造方法であって、リードフレームを構成する金属板を選
択的に除去する加工を行なって、外枠と上記外枠に接続
される支持リード部と先端部が上記支持リード部に接続
された内側インナーリード群とを形成する第１の工程
と、絶縁体を上記支持リード部と上記内側インナーリー
ド群との上面に固着させる第２の工程と、上記絶縁体を
介して上記内側インナーリード群を上記支持リード部に
より支持した状態で、上記金属板を選択的に除去する加
工を行なって、少なくとも上記内側インナーリード群と
上記支持リード部との接続部を除去する第４の工程とを
備え、先端部が上記半導体チップの搭載領域内又はその
近傍に、末端部が上記半導体チップの搭載領域よりも外
方にかつ上記外枠とは切り離されてそれぞれ配置され、
互いに分離している内側インナーリード群を残存させる
方法である。
求項１３に記載されているように、半導体チップを内蔵
する半導体装置の製造に使用されるリードフレームの製
造方法であって、リードフレームを構成する金属板を選
択的に除去する加工を行なって、外枠と上記外枠に接続
される支持リード部と先端部が上記支持リード部に接続
された内側インナーリード群とを形成する第１の工程
と、絶縁体を上記支持リード部と上記内側インナーリー
ド群との上面に固着させる第２の工程と、上記絶縁体を
介して上記内側インナーリード群を上記支持リード部に
より支持した状態で、上記金属板を選択的に除去する加
工を行なって、少なくとも上記内側インナーリード群と
上記支持リード部との接続部を除去する第４の工程とを
備え、先端部が上記半導体チップの搭載領域内又はその
近傍に、末端部が上記半導体チップの搭載領域よりも外
方にかつ上記外枠とは切り離されてそれぞれ配置され、
互いに分離している内側インナーリード群を残存させる
方法である。
【００３７】この方法により、第２の工程で絶縁体を内
側インナーリード群と支持リード部とに固着してから、
第３の工程で上記内側インナーリード群と上記支持リー
ド部との接続部が除去されるので、内側インナーリード
群の末端部が外枠に接続されていても接続されていなく
ても、内側インナーリード群が常に外枠によって支持さ
れた状態となっている。したがって、請求項１のリード
フレームの構造を容易に実現することができる。
側インナーリード群と支持リード部とに固着してから、
第３の工程で上記内側インナーリード群と上記支持リー
ド部との接続部が除去されるので、内側インナーリード
群の末端部が外枠に接続されていても接続されていなく
ても、内側インナーリード群が常に外枠によって支持さ
れた状態となっている。したがって、請求項１のリード
フレームの構造を容易に実現することができる。
【００３８】請求項１４に記載されているように、請求
項１３のリードフレームの製造方法において、上記第１
の工程の後に、上記内側インナーリード群の裏面側に突
出部を形成する工程をさらに備えることができる。
項１３のリードフレームの製造方法において、上記第１
の工程の後に、上記内側インナーリード群の裏面側に突
出部を形成する工程をさらに備えることができる。
【００３９】この方法により、半導体装置の底面に外部
端子を配置した構造を実現する際に、外部端子として利
用できる突出部を設けることができる。
端子を配置した構造を実現する際に、外部端子として利
用できる突出部を設けることができる。
【００４０】請求項１５に記載されているように、請求
項１４のリードフレームの製造方法において、上記内側
インナーリード群の突出部を形成する工程は、上記第１
の工程の後に、金属板の裏面に少なくとも突出部となる
領域をマスクしたハーフエッチングを施すことにより行
なうことができる。
項１４のリードフレームの製造方法において、上記内側
インナーリード群の突出部を形成する工程は、上記第１
の工程の後に、金属板の裏面に少なくとも突出部となる
領域をマスクしたハーフエッチングを施すことにより行
なうことができる。
【００４１】この方法により、突出部の底面は元の金属
板の裏面と一致するので、内側インナーリード群の各突
出部の底面の高さ位置のばらつきがほとんどない構造と
なる。したがって、このリードフレームを用いた半導体
装置の製造工程における樹脂封止工程で、容易かつ確実
に突出部の底面を封止樹脂から露出させることができ
る。
板の裏面と一致するので、内側インナーリード群の各突
出部の底面の高さ位置のばらつきがほとんどない構造と
なる。したがって、このリードフレームを用いた半導体
装置の製造工程における樹脂封止工程で、容易かつ確実
に突出部の底面を封止樹脂から露出させることができ
る。
【００４２】請求項１６に記載されているように、請求
項１４のリードフレームの製造方法において、上記内側
インナーリード群の突出部を形成する工程を、上記第１
の工程と同時又はその後におけるプレス成形により行な
ってもよい。
項１４のリードフレームの製造方法において、上記内側
インナーリード群の突出部を形成する工程を、上記第１
の工程と同時又はその後におけるプレス成形により行な
ってもよい。
【００４３】この方法により、ハーフエッチング処理よ
りも簡易かつ迅速に突出部を形成することが可能にな
る。
りも簡易かつ迅速に突出部を形成することが可能にな
る。
【００４４】請求項１７に記載されているように、請求
項１３〜１６のうちいずれか１つのリードフレームの製
造方法において、上記第１の工程では、上記内側インナ
ーリード群と上記外枠との間に上記外枠に接続される外
側インナーリード群を形成しておき、上記第３の工程の
終了後において、先端部が上記内側インナーリード群の
各末端部と近接しながら切り離され、末端部が上記外枠
に接続される外側インナーリード群を残存させることが
できる。
項１３〜１６のうちいずれか１つのリードフレームの製
造方法において、上記第１の工程では、上記内側インナ
ーリード群と上記外枠との間に上記外枠に接続される外
側インナーリード群を形成しておき、上記第３の工程の
終了後において、先端部が上記内側インナーリード群の
各末端部と近接しながら切り離され、末端部が上記外枠
に接続される外側インナーリード群を残存させることが
できる。
【００４５】この方法により、二重配列構造のインナー
リード群を有するリードフレームを容易に形成すること
ができる。
リード群を有するリードフレームを容易に形成すること
ができる。
【００４６】請求項１８に記載されているように、請求
項１３〜１６のうちいずれか１つのリードフレームの製
造方法において、上記第１の工程では、上記金属板にお
ける上記内側インナーリード群と上記外枠との間に外側
インナーリード群となる部分を残しておき、上記第２の
工程では、外側絶縁体を上記支持リード部と上記外側イ
ンナーリード群となる領域との上面に固着し、上記第３
の工程では、上記外側インナーリード群の末端部と上記
外枠とを切り離し、上記第３の工程の終了後において、
先端部が上記内側インナーリード群の各末端部に近接し
ながら切り離され、末端部が上記外枠と切り離された外
側インナーリード群を残存させることができる。
項１３〜１６のうちいずれか１つのリードフレームの製
造方法において、上記第１の工程では、上記金属板にお
ける上記内側インナーリード群と上記外枠との間に外側
インナーリード群となる部分を残しておき、上記第２の
工程では、外側絶縁体を上記支持リード部と上記外側イ
ンナーリード群となる領域との上面に固着し、上記第３
の工程では、上記外側インナーリード群の末端部と上記
外枠とを切り離し、上記第３の工程の終了後において、
先端部が上記内側インナーリード群の各末端部に近接し
ながら切り離され、末端部が上記外枠と切り離された外
側インナーリード群を残存させることができる。
【００４７】この方法によっても、二重配列構造のイン
ナーリード群を有するリードフレームを容易に形成する
ことができるとともに、外側インナーリード群の末端部
が外枠と切り離されているので、最終的な形態において
バリレスの半導体装置の製造に供することができる。
ナーリード群を有するリードフレームを容易に形成する
ことができるとともに、外側インナーリード群の末端部
が外枠と切り離されているので、最終的な形態において
バリレスの半導体装置の製造に供することができる。
【００４８】請求項１９に記載されているように、請求
項１７又は１８のリードフレームの製造方法において、
上記第１の工程の後に、上記外側インナーリード群の裏
面側に外部端子となる突出部を形成する工程をさらに備
えることができる。
項１７又は１８のリードフレームの製造方法において、
上記第１の工程の後に、上記外側インナーリード群の裏
面側に外部端子となる突出部を形成する工程をさらに備
えることができる。
【００４９】請求項１９における上記外側インナーリー
ド群の突出部を形成する工程は、請求項２０に記載され
ているように、上記第１の工程の後に、金属板の裏面に
少なくとも突出部となる領域をマスクしたハーフエッチ
ングを施すことにより行なってもよいし、請求項２１に
記載されているように、上記第１の工程と同時又はその
後におけるプレス成形により行なってもよい。
ド群の突出部を形成する工程は、請求項２０に記載され
ているように、上記第１の工程の後に、金属板の裏面に
少なくとも突出部となる領域をマスクしたハーフエッチ
ングを施すことにより行なってもよいし、請求項２１に
記載されているように、上記第１の工程と同時又はその
後におけるプレス成形により行なってもよい。
【００５０】本発明の第１の半導体装置は、請求項２２
に記載されているように、電極パッドを有する半導体チ
ップと、先端部が上記半導体チップの搭載領域内又はそ
の近傍に末端部が上記半導体チップの搭載領域よりも外
方にそれぞれ配置され、互いに分離している内側インナ
ーリード群と、上記内側インナーリード群を支持するた
めの支持リード部と、上記支持リード部と上記内側イン
ナーリード群とにそれらの上面側で固着された絶縁体
と、上記半導体チップの電極パッドと上記内側インナー
リード群の末端部とを電気的に接続するための金属細線
と、上記半導体チップ，上記内側インナーリード群，上
記支持リード部，上記絶縁体及び上記金属細線を封止す
る封止樹脂とを備え、上記内側インナーリード群の末端
部は上記封止樹脂内に埋め込まれている一方、上記支持
リード部は上記封止樹脂の側面まで延びており、上記内
側インナーリード群の裏面の少なくとも一部が上記封止
樹脂に覆われずに露出して外部端子となっている。
に記載されているように、電極パッドを有する半導体チ
ップと、先端部が上記半導体チップの搭載領域内又はそ
の近傍に末端部が上記半導体チップの搭載領域よりも外
方にそれぞれ配置され、互いに分離している内側インナ
ーリード群と、上記内側インナーリード群を支持するた
めの支持リード部と、上記支持リード部と上記内側イン
ナーリード群とにそれらの上面側で固着された絶縁体
と、上記半導体チップの電極パッドと上記内側インナー
リード群の末端部とを電気的に接続するための金属細線
と、上記半導体チップ，上記内側インナーリード群，上
記支持リード部，上記絶縁体及び上記金属細線を封止す
る封止樹脂とを備え、上記内側インナーリード群の末端
部は上記封止樹脂内に埋め込まれている一方、上記支持
リード部は上記封止樹脂の側面まで延びており、上記内
側インナーリード群の裏面の少なくとも一部が上記封止
樹脂に覆われずに露出して外部端子となっている。
【００５１】これにより、内側インナーリード群の各裏
面を利用して半導体装置の底面に外部端子を二次元的に
配置でき、高密度実装された半導体装置が得られる。ま
た、内側インナーリード群の末端部が封止樹脂内に埋ま
っているので、外枠をカットするための工程が不要とな
り、バリレスの半導体装置が得られる。
面を利用して半導体装置の底面に外部端子を二次元的に
配置でき、高密度実装された半導体装置が得られる。ま
た、内側インナーリード群の末端部が封止樹脂内に埋ま
っているので、外枠をカットするための工程が不要とな
り、バリレスの半導体装置が得られる。
【００５２】請求項２３に記載されているように、請求
項２２の半導体装置において、上記支持リード部の先端
を上記絶縁体が固着されている部位よりも内方の位置で
切断しておき、上記半導体チップを上記絶縁体の上に載
置しておくことができる。
項２２の半導体装置において、上記支持リード部の先端
を上記絶縁体が固着されている部位よりも内方の位置で
切断しておき、上記半導体チップを上記絶縁体の上に載
置しておくことができる。
【００５３】これにより、半導体装置の中央部にリード
フレームの部材が存在しない領域が存在するので、この
領域を利用して半導体装置の各種の部材を別途設けるな
どの構造が可能になる。
フレームの部材が存在しない領域が存在するので、この
領域を利用して半導体装置の各種の部材を別途設けるな
どの構造が可能になる。
【００５４】請求項２４に記載されているように、請求
項２２の半導体装置において、上記支持リード部を上記
外枠の１つの部位から延ばして上記外枠の他の部位に接
続させておくことができる。
項２２の半導体装置において、上記支持リード部を上記
外枠の１つの部位から延ばして上記外枠の他の部位に接
続させておくことができる。
【００５５】これにより、リードフレームの強度が補強
されているので、半導体装置の製造工程中の樹脂封止工
程におけるリードフレームの各部の変形が抑制される。
されているので、半導体装置の製造工程中の樹脂封止工
程におけるリードフレームの各部の変形が抑制される。
【００５６】請求項２５に記載されているように、請求
項２２の半導体装置において、上記内側インナーリード
群の内方に上記内側インナーリード群に対してアップセ
ットされたダイパッド部を形成し、上記支持リード部の
先端部を上記ダイパッド部に接続しておいて、上記半導
体チップを上記ダイパッド上に載置することができる。
項２２の半導体装置において、上記内側インナーリード
群の内方に上記内側インナーリード群に対してアップセ
ットされたダイパッド部を形成し、上記支持リード部の
先端部を上記ダイパッド部に接続しておいて、上記半導
体チップを上記ダイパッド上に載置することができる。
【００５７】これにより、半導体チップが小さくて絶縁
体上に載置できない場合にも、半導体チップを確実に固
定することができる。
体上に載置できない場合にも、半導体チップを確実に固
定することができる。
【００５８】請求項２６に記載されているように、請求
項２２〜２５のうちいずれか１つの半導体装置におい
て、上記内側インナーリード群の裏面側に突出部を形成
しておき、上記内側インナーリード群の裏面の露出して
いる部分を上記突出部の底面として、上記内側インナー
リード群の各突出部の底面が平面上で複数の列を構成す
るように配置することが好ましい。
項２２〜２５のうちいずれか１つの半導体装置におい
て、上記内側インナーリード群の裏面側に突出部を形成
しておき、上記内側インナーリード群の裏面の露出して
いる部分を上記突出部の底面として、上記内側インナー
リード群の各突出部の底面が平面上で複数の列を構成す
るように配置することが好ましい。
【００５９】これにより、外部端子がグリッド状に並ん
だ構造となるので、外部端子の二次元配置による半導体
装置の高密度実装化，多ピン化の実効が得られる。
だ構造となるので、外部端子の二次元配置による半導体
装置の高密度実装化，多ピン化の実効が得られる。
【００６０】請求項２７に記載されているように、請求
項２６の半導体装置において、上記突出部の露出してい
る底面上にボール電極を付設することが好ましい。
項２６の半導体装置において、上記突出部の露出してい
る底面上にボール電極を付設することが好ましい。
【００６１】これにより、そのまま母基板上に搭載でき
る高密度に実装され多ピン化された半導体装置が得られ
る。
る高密度に実装され多ピン化された半導体装置が得られ
る。
【００６２】請求項２８に記載されているように、請求
項２２〜２７のうちいずれか１つの半導体装置におい
て、上記内側インナーリード群と上記外枠との間に、先
端部が上記内側インナーリード群の末端部とは切り離さ
れた外側インナーリード群を介在させて、上記外側イン
ナーリード群の裏面の少なくとも一部を上記封止樹脂で
覆わずに露出させておき、上記外側インナーリード群の
先端部と上記半導体チップの電極パッドとを接続する金
属細線をさらに備えることができる。
項２２〜２７のうちいずれか１つの半導体装置におい
て、上記内側インナーリード群と上記外枠との間に、先
端部が上記内側インナーリード群の末端部とは切り離さ
れた外側インナーリード群を介在させて、上記外側イン
ナーリード群の裏面の少なくとも一部を上記封止樹脂で
覆わずに露出させておき、上記外側インナーリード群の
先端部と上記半導体チップの電極パッドとを接続する金
属細線をさらに備えることができる。
【００６３】これにより、二重配列構造のインナーリー
ド群が得られるので、高密度実装化，多ピン化効果をよ
り高めることができる。
ド群が得られるので、高密度実装化，多ピン化効果をよ
り高めることができる。
【００６４】請求項２９に記載されているように、請求
項２８の半導体装置において、上記外側インナーリード
群の末端部を上記封止樹脂内に埋め込んで、上記支持リ
ード部と上記外側インナーリード群とにそれらの上面側
で固着された外側絶縁体をさらに備えることができる。
項２８の半導体装置において、上記外側インナーリード
群の末端部を上記封止樹脂内に埋め込んで、上記支持リ
ード部と上記外側インナーリード群とにそれらの上面側
で固着された外側絶縁体をさらに備えることができる。
【００６５】これにより、二重配列構造のインナーリー
ド群を有するバリレスの半導体装置が得られる。
ド群を有するバリレスの半導体装置が得られる。
【００６６】ただし、請求項３０に記載されているよう
に、請求項２８の半導体装置において、上記外側インナ
ーリード群の末端部を上記封止樹脂の側面まで延ばして
いてもよい。
に、請求項２８の半導体装置において、上記外側インナ
ーリード群の末端部を上記封止樹脂の側面まで延ばして
いてもよい。
【００６７】請求項３１に記載されているように、請求
項２８〜３０のうちいずれか１つの半導体装置におい
て、上記内側インナーリード群の各末端部と上記外側イ
ンナーリード群の先端部とを互いの間隙に入り込ませ
て、互いにほぼ交互に配列することが好ましい。
項２８〜３０のうちいずれか１つの半導体装置におい
て、上記内側インナーリード群の各末端部と上記外側イ
ンナーリード群の先端部とを互いの間隙に入り込ませ
て、互いにほぼ交互に配列することが好ましい。
【００６８】これにより、半導体チップの電極パッドと
内側インナーリード群の各末端部との間の距離と、半導
体チップの電極パッドと外側インナーリード群の先端部
との間の距離とをほぼ同じにすることが可能となるの
で、半導体装置の製造工程におけるワイヤボンディング
工程の高効率化に寄与できる構造となる。
内側インナーリード群の各末端部との間の距離と、半導
体チップの電極パッドと外側インナーリード群の先端部
との間の距離とをほぼ同じにすることが可能となるの
で、半導体装置の製造工程におけるワイヤボンディング
工程の高効率化に寄与できる構造となる。
【００６９】請求項３２に記載されているように、請求
項２８〜３１のうちいずれか１つの半導体装置におい
て、上記外側インナーリード群の裏面側に突出部を形成
しておき、上記外側インナーリード群の裏面の露出して
いる部分を上記突出部の底面として、上記外側インナー
リード群の各突出部の底面が平面上で複数の列を構成す
るように配置することが好ましい。
項２８〜３１のうちいずれか１つの半導体装置におい
て、上記外側インナーリード群の裏面側に突出部を形成
しておき、上記外側インナーリード群の裏面の露出して
いる部分を上記突出部の底面として、上記外側インナー
リード群の各突出部の底面が平面上で複数の列を構成す
るように配置することが好ましい。
【００７０】請求項３３に記載されているように、請求
項２８〜３２のうちいずれか１つの半導体装置におい
て、上記突出部の露出している底面上にもボール電極を
付設することが好ましい。
項２８〜３２のうちいずれか１つの半導体装置におい
て、上記突出部の露出している底面上にもボール電極を
付設することが好ましい。
【００７１】本発明の第２の半導体装置は、請求項３４
に記載されているように、電極パッドを有する半導体チ
ップと、先端部が上記半導体チップの搭載領域内に末端
部が上記半導体チップの搭載領域よりも外方にそれぞれ
配置され、互いに分離している内側インナーリード群
と、上記内側インナーリード群を支持するための支持リ
ード部と、上記半導体チップの電極パッドと上記内側イ
ンナーリード群の末端部とを電気的に接続するための金
属細線と、上記半導体チップ，上記内側インナーリード
群，上記支持リード部及び上記金属細線を封止する封止
樹脂とを備え、上記内側インナーリード群の末端部は上
記封止樹脂内に埋め込まれている一方、上記支持リード
部は上記封止樹脂の側面まで延びており、上記内側イン
ナーリード群の裏面の少なくとも一部が上記封止樹脂に
覆われずに露出していて、上記半導体チップは、上記内
側インナーリード群の上記末端部を除く部分の上に載置
されている。
に記載されているように、電極パッドを有する半導体チ
ップと、先端部が上記半導体チップの搭載領域内に末端
部が上記半導体チップの搭載領域よりも外方にそれぞれ
配置され、互いに分離している内側インナーリード群
と、上記内側インナーリード群を支持するための支持リ
ード部と、上記半導体チップの電極パッドと上記内側イ
ンナーリード群の末端部とを電気的に接続するための金
属細線と、上記半導体チップ，上記内側インナーリード
群，上記支持リード部及び上記金属細線を封止する封止
樹脂とを備え、上記内側インナーリード群の末端部は上
記封止樹脂内に埋め込まれている一方、上記支持リード
部は上記封止樹脂の側面まで延びており、上記内側イン
ナーリード群の裏面の少なくとも一部が上記封止樹脂に
覆われずに露出していて、上記半導体チップは、上記内
側インナーリード群の上記末端部を除く部分の上に載置
されている。
【００７２】これにより、絶縁体を設けなくても請求項
２２と同じ作用効果を発揮する半導体装置が得られる。
２２と同じ作用効果を発揮する半導体装置が得られる。
【００７３】請求項３５に記載されているように、請求
項３４の半導体装置において、上記内側インナーリード
群と上記外枠との間に、先端部が上記内側インナーリー
ド群の末端部とは切り離された外側インナーリード群を
介在させ、上記外側インナーリード群の裏面の少なくと
も一部を上記封止樹脂で覆わずに露出させておいて、上
記外側インナーリード群の先端部と上記半導体チップの
電極パッドとを接続する金属細線をさらに備えることが
好ましい。
項３４の半導体装置において、上記内側インナーリード
群と上記外枠との間に、先端部が上記内側インナーリー
ド群の末端部とは切り離された外側インナーリード群を
介在させ、上記外側インナーリード群の裏面の少なくと
も一部を上記封止樹脂で覆わずに露出させておいて、上
記外側インナーリード群の先端部と上記半導体チップの
電極パッドとを接続する金属細線をさらに備えることが
好ましい。
【００７４】請求項３６に記載されているように、請求
項３５の半導体装置において、上記内側インナーリード
群の各末端部と上記外側インナーリード群の先端部とを
互いの間隙に入り込ませて、互いにほぼ交互に配列する
ことができる。
項３５の半導体装置において、上記内側インナーリード
群の各末端部と上記外側インナーリード群の先端部とを
互いの間隙に入り込ませて、互いにほぼ交互に配列する
ことができる。
【００７５】本発明の第１の半導体装置の製造方法は、
請求項３７に記載されているように、外枠と、上記外枠
に接続される支持リード部と、先端部が半導体チップの
搭載領域内又はその近傍に、末端部が上記半導体チップ
の搭載領域よりも外方にかつ上記外枠とは切り離されて
それぞれ配置され、互いに分離している内側インナーリ
ード群と、上記支持リード部と上記内側インナーリード
群とにそれらの上面側で固着された絶縁体とを有するリ
ードフレームを準備する第１の工程と、上記リードフレ
ームの上に半導体チップを載置する第２の工程と、上記
半導体チップの電極パッドと上記内側インナーリード群
の末端部とを金属細線で電気的に接続する第３の工程
と、上記内側インナーリード群の各裏面のうち少なくと
も一部を露出させながら、上記リードフレームのうちの
外枠を除く部分，上記半導体チップ及び上記金属細線を
封止樹脂により封止する第４の工程と、上記リードフレ
ームを切断して上記外枠を除去する第５の工程とを備え
ている。
請求項３７に記載されているように、外枠と、上記外枠
に接続される支持リード部と、先端部が半導体チップの
搭載領域内又はその近傍に、末端部が上記半導体チップ
の搭載領域よりも外方にかつ上記外枠とは切り離されて
それぞれ配置され、互いに分離している内側インナーリ
ード群と、上記支持リード部と上記内側インナーリード
群とにそれらの上面側で固着された絶縁体とを有するリ
ードフレームを準備する第１の工程と、上記リードフレ
ームの上に半導体チップを載置する第２の工程と、上記
半導体チップの電極パッドと上記内側インナーリード群
の末端部とを金属細線で電気的に接続する第３の工程
と、上記内側インナーリード群の各裏面のうち少なくと
も一部を露出させながら、上記リードフレームのうちの
外枠を除く部分，上記半導体チップ及び上記金属細線を
封止樹脂により封止する第４の工程と、上記リードフレ
ームを切断して上記外枠を除去する第５の工程とを備え
ている。
【００７６】この方法により、請求項１の構成を有する
リードフレームを用いて、高密度実装化，多ピン化され
たバリレスの半導体装置が得られる。その際、外枠をカ
ットする工程が不要となり、かつ、外枠のカットで生じ
うるバリ（樹脂の未カット屑）を除去するための手間が
省け、製造工程の簡素化を図ることができる。
リードフレームを用いて、高密度実装化，多ピン化され
たバリレスの半導体装置が得られる。その際、外枠をカ
ットする工程が不要となり、かつ、外枠のカットで生じ
うるバリ（樹脂の未カット屑）を除去するための手間が
省け、製造工程の簡素化を図ることができる。
【００７７】請求項３８に記載されているように、請求
項３７の半導体装置の製造方法において、上記第１の工
程では、上記内側インナーリード群と上記外枠との間
に、先端部が上記内側インナーリード群の末端部とは切
り離された外側インナーリード群を介在させておき、上
記第３の工程では、上記半導体チップの電極パッドと上
記外側インナーリード群の先端部とをも金属細線で電気
的に接続し、上記第４の工程では、上記外側インナーリ
ード群の各裏面のうち少なくとも一部を露出させておく
ことができる。
項３７の半導体装置の製造方法において、上記第１の工
程では、上記内側インナーリード群と上記外枠との間
に、先端部が上記内側インナーリード群の末端部とは切
り離された外側インナーリード群を介在させておき、上
記第３の工程では、上記半導体チップの電極パッドと上
記外側インナーリード群の先端部とをも金属細線で電気
的に接続し、上記第４の工程では、上記外側インナーリ
ード群の各裏面のうち少なくとも一部を露出させておく
ことができる。
【００７８】この方法により、二重配列構造のインナー
リード群を有する高密度実装化，多ピン化された半導体
装置を得ることができる。
リード群を有する高密度実装化，多ピン化された半導体
装置を得ることができる。
【００７９】請求項３９に記載されているように、請求
項３８の半導体装置の製造方法において、上記第１の工
程では、上記内側インナーリード群の各末端部と上記外
側インナーリード群の先端部とを互いの間隙に入り込ま
せて、互いにほぼ交互に配列させておき、上記第３の工
程を、上記半導体チップの電極パッドと上記内側インナ
ーリード群の末端部との間を接続する金属細線の長さ
と、上記半導体チップの電極パッドと上記外側インナー
リード群の先端部との間を接続する金属細線の長さとが
ほぼ一定になるように行なうことができる。
項３８の半導体装置の製造方法において、上記第１の工
程では、上記内側インナーリード群の各末端部と上記外
側インナーリード群の先端部とを互いの間隙に入り込ま
せて、互いにほぼ交互に配列させておき、上記第３の工
程を、上記半導体チップの電極パッドと上記内側インナ
ーリード群の末端部との間を接続する金属細線の長さ
と、上記半導体チップの電極パッドと上記外側インナー
リード群の先端部との間を接続する金属細線の長さとが
ほぼ一定になるように行なうことができる。
【００８０】この方法により、ワイヤボンディング工程
の高効率化を図ることができる。
の高効率化を図ることができる。
【００８１】請求項４０に記載されているように、請求
項３７〜３９のうちいずれか１つの半導体装置の製造方
法において、上記第１の工程では、上記内側インナーリ
ード群の内方が開口されたリードフレームを準備してお
き、上記第２の工程では、上記半導体チップを上記絶縁
体の上に載置することができる。
項３７〜３９のうちいずれか１つの半導体装置の製造方
法において、上記第１の工程では、上記内側インナーリ
ード群の内方が開口されたリードフレームを準備してお
き、上記第２の工程では、上記半導体チップを上記絶縁
体の上に載置することができる。
【００８２】請求項４１に記載されているように、請求
項３７〜３９のうちいずれか１つの半導体装置の製造方
法において、上記第１の工程では、上記内側インナーリ
ード群の内方に上記内側インナーリード群よりもアップ
セットされたダイパッド部を有するリードフレームを準
備しておき、上記第２の工程では、上記半導体チップを
上記ダイパッド部の上に載置することができる。
項３７〜３９のうちいずれか１つの半導体装置の製造方
法において、上記第１の工程では、上記内側インナーリ
ード群の内方に上記内側インナーリード群よりもアップ
セットされたダイパッド部を有するリードフレームを準
備しておき、上記第２の工程では、上記半導体チップを
上記ダイパッド部の上に載置することができる。
【００８３】本発明の第２の半導体装置の製造方法は、
請求項４２に記載されているように、外枠と、上記外枠
に接続される支持リード部と、各先端部が上記支持リー
ド部に接続され、末端部が上記外枠とは切り離されかつ
半導体チップの搭載領域よりも外方にある内側インナー
リード群とを有するリードフレームを準備する第１の工
程と、上記リードフレームの上に半導体チップを載置す
る第２の工程と、上記半導体チップの電極パッドと上記
内側インナーリード群の末端部とを金属細線で電気的に
接続する第３の工程と、上記内側インナーリード群の各
裏面のうち少なくとも一部と、上記内側インナーリード
群の各先端部と上記支持リード部との間の接続部の裏面
とを露出させながら、上記リードフレームのうちの外枠
を除く部分，上記半導体チップ及び上記金属細線を封止
樹脂により封止する第４の工程と、上記第４の工程の後
に、上記封止樹脂から露出している上記内側インナーリ
ード群の各先端部と上記支持リード部との間の接続部を
除去して、上記内側インナーリード群と上記支持リード
部とを切り離すと共に上記内側インナーリード群を互い
に分離させる第５の工程と、上記リードフレームを切断
して上記外枠を除去する第６の工程とを備えている。
請求項４２に記載されているように、外枠と、上記外枠
に接続される支持リード部と、各先端部が上記支持リー
ド部に接続され、末端部が上記外枠とは切り離されかつ
半導体チップの搭載領域よりも外方にある内側インナー
リード群とを有するリードフレームを準備する第１の工
程と、上記リードフレームの上に半導体チップを載置す
る第２の工程と、上記半導体チップの電極パッドと上記
内側インナーリード群の末端部とを金属細線で電気的に
接続する第３の工程と、上記内側インナーリード群の各
裏面のうち少なくとも一部と、上記内側インナーリード
群の各先端部と上記支持リード部との間の接続部の裏面
とを露出させながら、上記リードフレームのうちの外枠
を除く部分，上記半導体チップ及び上記金属細線を封止
樹脂により封止する第４の工程と、上記第４の工程の後
に、上記封止樹脂から露出している上記内側インナーリ
ード群の各先端部と上記支持リード部との間の接続部を
除去して、上記内側インナーリード群と上記支持リード
部とを切り離すと共に上記内側インナーリード群を互い
に分離させる第５の工程と、上記リードフレームを切断
して上記外枠を除去する第６の工程とを備えている。
【００８４】この方法により、絶縁体を使用しなくて
も、第５の工程で、例えばレーザー加工などによって内
側インナーリード群の各先端部と支持リード部との間の
接続部を除去することで、内側インナーリード群と上記
支持リード部とを切り離すと共に内側インナーリード群
を互いに分離させた構造が実現する。しかも、既に封止
樹脂によって半導体チップ等は封止されているので、内
側インナーリード群がリードフレームの外枠と切り離さ
れていても、不具合は生じない。したがって、絶縁体を
使用することなく、高密度実装化，多ピン化されたバリ
レスの半導体装置が得られる。そして、外枠をカットす
る工程が不要となり、かつ、外枠のカットで生じうるバ
リ（樹脂の未カット屑）を除去するための手間が省け、
製造工程の簡素化を図ることができる。
も、第５の工程で、例えばレーザー加工などによって内
側インナーリード群の各先端部と支持リード部との間の
接続部を除去することで、内側インナーリード群と上記
支持リード部とを切り離すと共に内側インナーリード群
を互いに分離させた構造が実現する。しかも、既に封止
樹脂によって半導体チップ等は封止されているので、内
側インナーリード群がリードフレームの外枠と切り離さ
れていても、不具合は生じない。したがって、絶縁体を
使用することなく、高密度実装化，多ピン化されたバリ
レスの半導体装置が得られる。そして、外枠をカットす
る工程が不要となり、かつ、外枠のカットで生じうるバ
リ（樹脂の未カット屑）を除去するための手間が省け、
製造工程の簡素化を図ることができる。
【００８５】請求項４３に記載されているように、請求
項４２の半導体装置の製造方法において、上記第１の工
程では、上記内側インナーリード群と上記外枠との間
に、先端部が上記内側インナーリード群の末端部とは切
り離された外側インナーリード群を介在させておき、上
記第３の工程では、さらに上記半導体チップの電極パッ
ドと上記外側インナーリード群の先端部とを金属細線で
電気的に接続し、上記第４の工程では、上記外側インナ
ーリード群の各裏面のうち少なくとも一部を露出させて
おくことが好ましい。
項４２の半導体装置の製造方法において、上記第１の工
程では、上記内側インナーリード群と上記外枠との間
に、先端部が上記内側インナーリード群の末端部とは切
り離された外側インナーリード群を介在させておき、上
記第３の工程では、さらに上記半導体チップの電極パッ
ドと上記外側インナーリード群の先端部とを金属細線で
電気的に接続し、上記第４の工程では、上記外側インナ
ーリード群の各裏面のうち少なくとも一部を露出させて
おくことが好ましい。
【００８６】請求項４４に記載されているように、請求
項４２又は４３の半導体装置の製造方法において、上記
第４の工程の前に、少なくとも上記内側インナーリード
群の各先端部と上記支持リード部との間の接続部の裏面
を封止樹脂に対するマスク用部材で被覆する工程をさら
に備え、上記第５の工程を、上記マスク用部材を除去し
てから行なうこともできる。
項４２又は４３の半導体装置の製造方法において、上記
第４の工程の前に、少なくとも上記内側インナーリード
群の各先端部と上記支持リード部との間の接続部の裏面
を封止樹脂に対するマスク用部材で被覆する工程をさら
に備え、上記第５の工程を、上記マスク用部材を除去し
てから行なうこともできる。
【００８７】この方法により、確実に内側インナーリー
ド群の各先端部と上記支持リード部との間の接続部の裏
面に封止樹脂が回り込まないようにできる。
ド群の各先端部と上記支持リード部との間の接続部の裏
面に封止樹脂が回り込まないようにできる。
【００８８】請求項４５に記載されているように、請求
項４４の半導体装置の製造方法において、上記第１の工
程では、少なくとも上記内側インナーリード群の裏面側
にプレス成形によって突出部を形成しておき、上記第４
の工程の前に、上記マスク用部材により上記突出部の底
面をも被覆しておくことができる。
項４４の半導体装置の製造方法において、上記第１の工
程では、少なくとも上記内側インナーリード群の裏面側
にプレス成形によって突出部を形成しておき、上記第４
の工程の前に、上記マスク用部材により上記突出部の底
面をも被覆しておくことができる。
【００８９】この方法により、ハーフエッチングよりも
簡易かつ迅速な加工が可能なプレス成形を利用しなが
ら、プレス成形によって突出部の底面の高さにばらつき
が生じても、上記マスク用部材により上記突出部の底面
に封止樹脂が回り込むのを防止できる。
簡易かつ迅速な加工が可能なプレス成形を利用しなが
ら、プレス成形によって突出部の底面の高さにばらつき
が生じても、上記マスク用部材により上記突出部の底面
に封止樹脂が回り込むのを防止できる。
【００９０】本発明の第３の半導体装置の製造方法は、
請求項４６に記載されているように、外枠と、上記外枠
に接続される支持リード部と、各先端部が上記支持リー
ド部に接続され、末端部が上記外枠とは切り離されかつ
上記半導体チップの搭載領域よりも外方にある内側イン
ナーリード群とを有するリードフレームを準備する第１
の工程と、上記リードフレームの上記内側インナーリー
ド群の上面に半導体チップを固着する第２の工程と、上
記第２の工程の後に、上記内側インナーリード群の各先
端部と上記支持リード部との間の接続部を除去して、上
記内側インナーリード群と上記支持リード部とを切り離
すと共に上記内側インナーリード群を互いに分離させる
第３の工程と、上記半導体チップの電極パッドと上記内
側インナーリード群の末端部とを金属細線で電気的に接
続する第４の工程と、上記内側インナーリード群の各裏
面のうち少なくとも一部を露出させながら、上記リード
フレームのうちの外枠を除く部分，上記半導体チップ及
び上記金属細線を封止樹脂により封止する第５の工程
と、上記リードフレームを切断して上記外枠を除去する
第６の工程とを備えている。
請求項４６に記載されているように、外枠と、上記外枠
に接続される支持リード部と、各先端部が上記支持リー
ド部に接続され、末端部が上記外枠とは切り離されかつ
上記半導体チップの搭載領域よりも外方にある内側イン
ナーリード群とを有するリードフレームを準備する第１
の工程と、上記リードフレームの上記内側インナーリー
ド群の上面に半導体チップを固着する第２の工程と、上
記第２の工程の後に、上記内側インナーリード群の各先
端部と上記支持リード部との間の接続部を除去して、上
記内側インナーリード群と上記支持リード部とを切り離
すと共に上記内側インナーリード群を互いに分離させる
第３の工程と、上記半導体チップの電極パッドと上記内
側インナーリード群の末端部とを金属細線で電気的に接
続する第４の工程と、上記内側インナーリード群の各裏
面のうち少なくとも一部を露出させながら、上記リード
フレームのうちの外枠を除く部分，上記半導体チップ及
び上記金属細線を封止樹脂により封止する第５の工程
と、上記リードフレームを切断して上記外枠を除去する
第６の工程とを備えている。
【００９１】この方法により、絶縁体を使用しなくて
も、第３の工程で、例えばレーザー加工などによって内
側インナーリード群の各先端部と支持リード部との間の
接続部を除去することで、内側インナーリード群と上記
支持リード部とを切り離すと共に内側インナーリード群
を互いに分離させた構造が実現する。しかも、既に半導
体チップを介して内側インナーリードが指示リードによ
り支持された状態となっているので、内側インナーリー
ド群がリードフレームの外枠と切り離されていても、不
具合は生じない。したがって、絶縁体を使用することな
く、高密度実装化，多ピン化されたバリレスの半導体装
置が得られる。そして、外枠をカットする工程が不要と
なり、かつ、外枠のカットで生じうるバリ（樹脂の未カ
ット屑）を除去するための手間が省け、製造工程の簡素
化を図ることができる。
も、第３の工程で、例えばレーザー加工などによって内
側インナーリード群の各先端部と支持リード部との間の
接続部を除去することで、内側インナーリード群と上記
支持リード部とを切り離すと共に内側インナーリード群
を互いに分離させた構造が実現する。しかも、既に半導
体チップを介して内側インナーリードが指示リードによ
り支持された状態となっているので、内側インナーリー
ド群がリードフレームの外枠と切り離されていても、不
具合は生じない。したがって、絶縁体を使用することな
く、高密度実装化，多ピン化されたバリレスの半導体装
置が得られる。そして、外枠をカットする工程が不要と
なり、かつ、外枠のカットで生じうるバリ（樹脂の未カ
ット屑）を除去するための手間が省け、製造工程の簡素
化を図ることができる。
【００９２】請求項４７に記載されているように、請求
項４６の半導体装置の製造方法において、上記第１の工
程では、上記内側インナーリード群と上記外枠との間に
は、先端部が上記内側インナーリード群の末端部とは切
り離された外側インナーリード群を介在させておき、上
記第４の工程では、さらに上記半導体チップの電極パッ
ドと上記外側インナーリード群の先端部とを金属細線で
電気的に接続し、上記第５の工程では、上記外側インナ
ーリード群の各裏面のうち少なくとも一部を露出させて
おくことが好ましい。
項４６の半導体装置の製造方法において、上記第１の工
程では、上記内側インナーリード群と上記外枠との間に
は、先端部が上記内側インナーリード群の末端部とは切
り離された外側インナーリード群を介在させておき、上
記第４の工程では、さらに上記半導体チップの電極パッ
ドと上記外側インナーリード群の先端部とを金属細線で
電気的に接続し、上記第５の工程では、上記外側インナ
ーリード群の各裏面のうち少なくとも一部を露出させて
おくことが好ましい。
【００９３】
【発明の実施の形態】以下、本発明に関する各実施形態
について、図面を参照しながらそれぞれ説明する。
について、図面を参照しながらそれぞれ説明する。
【００９４】（第１の実施形態）図１は本実施形態にお
けるリードフレームの上面図であり、図２は本実施形態
におけるリードフレームの裏面図である。
けるリードフレームの上面図であり、図２は本実施形態
におけるリードフレームの裏面図である。
【００９５】図１及び図２に示すように、本実施形態の
リードフレームは、リードフレームが形成される空間を
取り囲む四角形の外枠２１と、該外枠２１で囲まれる領
域のほぼ中央部に配置された四角形のダイパッド部２０
と、上記外枠２１の４つの角部から延びて上記ダイパッ
ド部２０の４つの角部にそれぞれ接続される支持リード
部２２と、搭載される半導体チップの近傍に先端部があ
りダイパッド−フレーム間の中間付近に末端部があるよ
うに形成された内側インナーリード群２３と、外枠２１
の各辺から延びて内側インナーリード群２３の各末端部
同士間の間隙に入り込んだ位置に先端部を有する外側イ
ンナーリード群２４と、内側インナーリード群２３の末
端部付近を除く領域内の一部と支持リード部２２の一部
とを接着する四角形環状の絶縁テープなどの絶縁体２５
とにより構成されている。すなわち、この絶縁体２５を
介して、内側インナーリード群２３が支持リード部２２
により支持された状態となっている。また、内側インナ
ーリード群２３の各末端部と外側インナーリード群２４
の各先端部とは、平面位置で互いに近接し、かつほぼ交
互に配列されている。
リードフレームは、リードフレームが形成される空間を
取り囲む四角形の外枠２１と、該外枠２１で囲まれる領
域のほぼ中央部に配置された四角形のダイパッド部２０
と、上記外枠２１の４つの角部から延びて上記ダイパッ
ド部２０の４つの角部にそれぞれ接続される支持リード
部２２と、搭載される半導体チップの近傍に先端部があ
りダイパッド−フレーム間の中間付近に末端部があるよ
うに形成された内側インナーリード群２３と、外枠２１
の各辺から延びて内側インナーリード群２３の各末端部
同士間の間隙に入り込んだ位置に先端部を有する外側イ
ンナーリード群２４と、内側インナーリード群２３の末
端部付近を除く領域内の一部と支持リード部２２の一部
とを接着する四角形環状の絶縁テープなどの絶縁体２５
とにより構成されている。すなわち、この絶縁体２５を
介して、内側インナーリード群２３が支持リード部２２
により支持された状態となっている。また、内側インナ
ーリード群２３の各末端部と外側インナーリード群２４
の各先端部とは、平面位置で互いに近接し、かつほぼ交
互に配列されている。
【００９６】また、図２に示すように、内側インナーリ
ード群２３および外側インナーリード群２４の裏面の各
１カ所には、それぞれ突出部２６，２７が形成されてい
る。しかも、内側インナーリード群２３の突出部２６は
全体としてみると千鳥状に配列されており、各外側イン
ナーリード群２４の突出部２７も全体としてみると千鳥
状に配列されている。言い換えると、各インナーリード
群２３又は２３における突出部２６又は２７が全体とし
て複数の環を描くように複数列に配置されている。な
お、この突出部２６，２７は、半導体チップとリードフ
レームとを樹脂封止して形成される半導体装置における
はんだボール等の外部突起電極が付設されるランド部と
なる部分であり、外部端子を構成する部分である。この
突出部２６，２７は、後述するごとくリードフレーム形
成時にハーフエッチング処理により形成してもよく、あ
るいはプレス成形により形成してもよい。なお、内側イ
ンナーリード群２３及び外側インナーリード群２４に突
出部を設けずにフラットな状態で下面を外部端子として
用いることも可能である。
ード群２３および外側インナーリード群２４の裏面の各
１カ所には、それぞれ突出部２６，２７が形成されてい
る。しかも、内側インナーリード群２３の突出部２６は
全体としてみると千鳥状に配列されており、各外側イン
ナーリード群２４の突出部２７も全体としてみると千鳥
状に配列されている。言い換えると、各インナーリード
群２３又は２３における突出部２６又は２７が全体とし
て複数の環を描くように複数列に配置されている。な
お、この突出部２６，２７は、半導体チップとリードフ
レームとを樹脂封止して形成される半導体装置における
はんだボール等の外部突起電極が付設されるランド部と
なる部分であり、外部端子を構成する部分である。この
突出部２６，２７は、後述するごとくリードフレーム形
成時にハーフエッチング処理により形成してもよく、あ
るいはプレス成形により形成してもよい。なお、内側イ
ンナーリード群２３及び外側インナーリード群２４に突
出部を設けずにフラットな状態で下面を外部端子として
用いることも可能である。
【００９７】また、本実施形態では、内側インナーリー
ド群２３の一部で絶縁体２５を介して半導体チップを支
持しており、実質上、ダイパッド部２０上には半導体チ
ップは搭載されない。すなわち、内側インナーリード群
２３は電気的な接続部材としての機能と、半導体チップ
を支持する機能とを有している。ただし、ダイパッド２
０により半導体チップを支持するような構造としてもよ
い。その場合には、支持リード部２２をプレス成形して
アップセットすることが好ましい。
ド群２３の一部で絶縁体２５を介して半導体チップを支
持しており、実質上、ダイパッド部２０上には半導体チ
ップは搭載されない。すなわち、内側インナーリード群
２３は電気的な接続部材としての機能と、半導体チップ
を支持する機能とを有している。ただし、ダイパッド２
０により半導体チップを支持するような構造としてもよ
い。その場合には、支持リード部２２をプレス成形して
アップセットすることが好ましい。
【００９８】ここで、一般的なリードフレームに対する
本実施形態のリードフレームの特徴は、以下の点にある
といえる。
本実施形態のリードフレームの特徴は、以下の点にある
といえる。
【００９９】第１に、基本構造として、従来のリードフ
レームのごとく内側インナーリード群２３がアウターリ
ードを介して外枠２１に直接接続されているのではな
く、絶縁体２５を介して支持リード部２２により支持さ
れている構造となっている。そして、一般的なリードフ
レームには設けられているダムバーが設けられておら
ず、かつダムバーの外方に延びているようなアウターリ
ードも存在しない構造である。
レームのごとく内側インナーリード群２３がアウターリ
ードを介して外枠２１に直接接続されているのではな
く、絶縁体２５を介して支持リード部２２により支持さ
れている構造となっている。そして、一般的なリードフ
レームには設けられているダムバーが設けられておら
ず、かつダムバーの外方に延びているようなアウターリ
ードも存在しない構造である。
【０１００】第２に、内側インナーリード群２３の外側
に、内側インナーリード群とは切り離された外側インナ
ーリード群２４が配列されている構造であり、高密度配
列のためにインナーリード群は二重配列を成しているも
のである。
に、内側インナーリード群とは切り離された外側インナ
ーリード群２４が配列されている構造であり、高密度配
列のためにインナーリード群は二重配列を成しているも
のである。
【０１０１】第３に、内側インナーリード群２３の各末
端部と外側インナーリード群２４の各先端部とは、平面
配置においては近接して互いに相手の間隙に入り込むよ
うにほぼ交互に配列されている。ただし、内側インナー
リード群２３の各末端部と外側インナーリード群２４の
各先端部とを互いに相手の間隙に入り込ませないで、単
に相対向させるように配列させてもよい。
端部と外側インナーリード群２４の各先端部とは、平面
配置においては近接して互いに相手の間隙に入り込むよ
うにほぼ交互に配列されている。ただし、内側インナー
リード群２３の各末端部と外側インナーリード群２４の
各先端部とを互いに相手の間隙に入り込ませないで、単
に相対向させるように配列させてもよい。
【０１０２】そして、上述のような構造上の特徴によっ
て、本実施形態のリードフレームは、従来の一般的な構
造を有するリードフレームに対して以下のような利点を
有している。
て、本実施形態のリードフレームは、従来の一般的な構
造を有するリードフレームに対して以下のような利点を
有している。
【０１０３】第１に、内側インナーリード群２３が絶縁
体２５を介して支持リード部２２により支持されている
構造となっているので、内側インナーリード群２３を外
枠２１と直接連結させる必要がない。そのために、内側
インナーリード群２３の外側に、内側インナーリード群
とは切り離された外側インナーリード群２４を配列する
ことができる。つまり、高密度配列のためにインナーリ
ード群を二重配列することができる。そして、内側イン
ナーリード群２３と外側インナーリード群２４とに突出
部が形成されて、それぞれ母基板との接続端子として機
能するので、多数の端子を設けることができる。すなわ
ち、多ピン化に対応することができるリードフレーム構
造である。
体２５を介して支持リード部２２により支持されている
構造となっているので、内側インナーリード群２３を外
枠２１と直接連結させる必要がない。そのために、内側
インナーリード群２３の外側に、内側インナーリード群
とは切り離された外側インナーリード群２４を配列する
ことができる。つまり、高密度配列のためにインナーリ
ード群を二重配列することができる。そして、内側イン
ナーリード群２３と外側インナーリード群２４とに突出
部が形成されて、それぞれ母基板との接続端子として機
能するので、多数の端子を設けることができる。すなわ
ち、多ピン化に対応することができるリードフレーム構
造である。
【０１０４】第２に、このリードフレームに半導体チッ
プを搭載し、半導体装置を製造する際には、内側インナ
ーリード群２３の末端部と外側インナーリード群２４の
先端部とに半導体チップの電極パッドから金属細線等の
ワイヤーを張って、電気的に接続する工程（ワイヤーボ
ンディング工程）を迅速かつ正確に行なうことができ
る。すなわち、内側インナーリード群２３の各末端部と
外側インナーリード群２４の各先端部と互いに相手の間
隙に入り込んでほぼ交互に配列されているので、ワイヤ
ーを張る際に、ワイヤー同士の接触を避けながら、内側
インナーリード群２３から半導体チップ上の電極パッド
までの距離と、外側インナーリード群２４から電極パッ
ドまでの距離とによって定まるワイヤー長をほぼ同じ一
定値とすることができる。したがって、ボンディングを
直線的に進行させることができ効率的なワイヤーボンド
を行なうことが可能になる。
プを搭載し、半導体装置を製造する際には、内側インナ
ーリード群２３の末端部と外側インナーリード群２４の
先端部とに半導体チップの電極パッドから金属細線等の
ワイヤーを張って、電気的に接続する工程（ワイヤーボ
ンディング工程）を迅速かつ正確に行なうことができ
る。すなわち、内側インナーリード群２３の各末端部と
外側インナーリード群２４の各先端部と互いに相手の間
隙に入り込んでほぼ交互に配列されているので、ワイヤ
ーを張る際に、ワイヤー同士の接触を避けながら、内側
インナーリード群２３から半導体チップ上の電極パッド
までの距離と、外側インナーリード群２４から電極パッ
ドまでの距離とによって定まるワイヤー長をほぼ同じ一
定値とすることができる。したがって、ボンディングを
直線的に進行させることができ効率的なワイヤーボンド
を行なうことが可能になる。
【０１０５】なお、本実施形態では、インナーリード群
は内側インナーリード群と外側インナーリード群とから
なる二重配列構造であるが、インナーリード群を３重配
列以上の多重配列構造としてもよい。例えば、内側イン
ナーリード群と、外側インナーリード群と、中間インナ
ーリード群とからなる３重配列構造とすることもできる
が、その場合には、最外方のインナーリード群を除く、
中間インナーリード群と内側インナーリード群とは、絶
縁支持テープ等を介して支持リード部によって支持され
ていることが必要である。もっとも、外側インナーリー
ド群も絶縁支持テープで支持するようにしてもよい。
は内側インナーリード群と外側インナーリード群とから
なる二重配列構造であるが、インナーリード群を３重配
列以上の多重配列構造としてもよい。例えば、内側イン
ナーリード群と、外側インナーリード群と、中間インナ
ーリード群とからなる３重配列構造とすることもできる
が、その場合には、最外方のインナーリード群を除く、
中間インナーリード群と内側インナーリード群とは、絶
縁支持テープ等を介して支持リード部によって支持され
ていることが必要である。もっとも、外側インナーリー
ド群も絶縁支持テープで支持するようにしてもよい。
【０１０６】なお、絶縁体２５は、ポリイミドテープな
どの絶縁テープで構成されていればよく、支持リード部
２２や内側インナーリード群２３を接着して支持でき、
例えばリードフレームを構成する金属との熱収縮率の差
によって剥がれるなどの悪影響の少ない材質であればよ
い。その厚みは、３０〜１００［μｍ］の範囲が好まし
く、特に５０［μｍ］程度がより好ましい。
どの絶縁テープで構成されていればよく、支持リード部
２２や内側インナーリード群２３を接着して支持でき、
例えばリードフレームを構成する金属との熱収縮率の差
によって剥がれるなどの悪影響の少ない材質であればよ
い。その厚みは、３０〜１００［μｍ］の範囲が好まし
く、特に５０［μｍ］程度がより好ましい。
【０１０７】なお、図中、絶縁体２５は、テープ状に連
続して環状に形成しているが、内側インナーリード群２
３を支持できれば必ずしも閉ループを描いている必要は
なく、部分的に切断されていてもよい。また、内側イン
ナーリード群２３の各インナーリード間および支持リー
ド部２２を絶縁性接着剤で接着して、支持してもよい。
この場合は、半導体装置を構成した時、全体厚を薄くで
きる。
続して環状に形成しているが、内側インナーリード群２
３を支持できれば必ずしも閉ループを描いている必要は
なく、部分的に切断されていてもよい。また、内側イン
ナーリード群２３の各インナーリード間および支持リー
ド部２２を絶縁性接着剤で接着して、支持してもよい。
この場合は、半導体装置を構成した時、全体厚を薄くで
きる。
【０１０８】また、突出部２６，２７の段差としては、
３０〜１５０［μｍ］程度が好ましく、１００［μｍ］
程度がより好ましい。
３０〜１５０［μｍ］程度が好ましく、１００［μｍ］
程度がより好ましい。
【０１０９】なお、支持リード部２２が外枠２１の辺部
とダイパッド部２０の辺部とを接続ものであってもよ
い。
とダイパッド部２０の辺部とを接続ものであってもよ
い。
【０１１０】さらに、内側インナーリード群２３で絶縁
体２５を介して半導体チップを支持するならば、ダイパ
ッド部２０は必ずしも必要ではなく、ダイパッド部を除
去し、その領域を開口部としてもよい。その場合にも、
絶縁体２５を貼付するための支持リード部２２を設ける
必要はあり、例えば支持リード部２２がその開口部に向
かって延びた後内側インナーリード群２３の付近で止ま
っていればよい。また、ダイパッド２０に半導体チップ
を搭載する必要がないのであれば、次の第２の実施形態
におけるリードフレームのごとく、支持リード部２２を
中心まで延ばして、単に筋交い状に設けることも可能で
ある。その場合には、支持リード部２２が途中で切断さ
れている場合よりは、外枠２１を補強してねじれ，ゆが
み等を防止できる利点がある。
体２５を介して半導体チップを支持するならば、ダイパ
ッド部２０は必ずしも必要ではなく、ダイパッド部を除
去し、その領域を開口部としてもよい。その場合にも、
絶縁体２５を貼付するための支持リード部２２を設ける
必要はあり、例えば支持リード部２２がその開口部に向
かって延びた後内側インナーリード群２３の付近で止ま
っていればよい。また、ダイパッド２０に半導体チップ
を搭載する必要がないのであれば、次の第２の実施形態
におけるリードフレームのごとく、支持リード部２２を
中心まで延ばして、単に筋交い状に設けることも可能で
ある。その場合には、支持リード部２２が途中で切断さ
れている場合よりは、外枠２１を補強してねじれ，ゆが
み等を防止できる利点がある。
【０１１１】次に、本実施形態のリードフレームの製造
方法について、図３〜図７を参照しながら説明する。図
３〜図７は、本実施形態のリードフレームの製造方法を
工程順に示すリードフレームの上面図又は裏面図であ
る。
方法について、図３〜図７を参照しながら説明する。図
３〜図７は、本実施形態のリードフレームの製造方法を
工程順に示すリードフレームの上面図又は裏面図であ
る。
【０１１２】まず、図３の上面図に示すように、リード
フレームを構成する銅材等よりなる金属板に対してエッ
チング処理またはプレス加工を施すことにより、四角形
の外枠２１と、外枠２１内の四角形のダイパッド部２０
と、外枠２１の角部とダイパッド部２０の角部とを接続
する支持リード部２２と、ダイパッド部２０の各辺に接
続部２８で接続される先端部とダイパッド部２０−外枠
２１間の中間付近の位置まで延びる末端部とを有する内
側インナーリード群２３と、その内側インナーリード群
２３とは分離されて外枠２１に接続される外側インナー
リード群２４とからなるリードフレーム構成体２９を形
成する。その際、内側インナーリード群２３の各末端部
と外側インナーリード群２４の各先端部とが互いの間隙
に入り込んで、平面位置で互いに近接してほぼ交互に配
列するように、パターニングする。ただし、内側インナ
ーリード群２３の各末端部と外側インナーリード群２４
の各先端部とが互いに相手の間隙に入り込むことなく近
接して相対向するように配列させてもよい。この工程で
は、内側インナーリード群２３が脱落することがないよ
うに、内側インナーリード群２３の各先端部が、接続部
２８でダイパッド２０に接続されている点が特徴であ
る。
フレームを構成する銅材等よりなる金属板に対してエッ
チング処理またはプレス加工を施すことにより、四角形
の外枠２１と、外枠２１内の四角形のダイパッド部２０
と、外枠２１の角部とダイパッド部２０の角部とを接続
する支持リード部２２と、ダイパッド部２０の各辺に接
続部２８で接続される先端部とダイパッド部２０−外枠
２１間の中間付近の位置まで延びる末端部とを有する内
側インナーリード群２３と、その内側インナーリード群
２３とは分離されて外枠２１に接続される外側インナー
リード群２４とからなるリードフレーム構成体２９を形
成する。その際、内側インナーリード群２３の各末端部
と外側インナーリード群２４の各先端部とが互いの間隙
に入り込んで、平面位置で互いに近接してほぼ交互に配
列するように、パターニングする。ただし、内側インナ
ーリード群２３の各末端部と外側インナーリード群２４
の各先端部とが互いに相手の間隙に入り込むことなく近
接して相対向するように配列させてもよい。この工程で
は、内側インナーリード群２３が脱落することがないよ
うに、内側インナーリード群２３の各先端部が、接続部
２８でダイパッド２０に接続されている点が特徴であ
る。
【０１１３】そして、図４の裏面図に示すように、形成
したリードフレーム構成体２９の裏面に対してハーフエ
ッチング処理を施して、リードフレーム構成体２９を厚
み方向に部分的に除去し、内側インナーリード群２３お
よび外側インナーリード群２４の裏面にそれぞれ突出部
２６，２７を形成する。この突出部２６，２７は、ハー
フエッチング処理の際にエッチングされなかった部分で
あり、凸状となっている。そして、この突出部２６，２
７は、後に外部端子用のランドとなる部分である。ただ
し、本発明でいうハーフエッチングとは金属板の厚みの
半分をエッチングに除去することのみを意味するのでは
なく、金属板の厚みの一部のみを除去する部分エッチン
グを意味する。なお、本実施形態では、ハーフエッチン
グ処理により形成された突出部２６，２７の段差を１０
０［μｍ］程度としている。なお、上述のように、プレ
ス成形により突出部２６，２７を形成してもよい。
したリードフレーム構成体２９の裏面に対してハーフエ
ッチング処理を施して、リードフレーム構成体２９を厚
み方向に部分的に除去し、内側インナーリード群２３お
よび外側インナーリード群２４の裏面にそれぞれ突出部
２６，２７を形成する。この突出部２６，２７は、ハー
フエッチング処理の際にエッチングされなかった部分で
あり、凸状となっている。そして、この突出部２６，２
７は、後に外部端子用のランドとなる部分である。ただ
し、本発明でいうハーフエッチングとは金属板の厚みの
半分をエッチングに除去することのみを意味するのでは
なく、金属板の厚みの一部のみを除去する部分エッチン
グを意味する。なお、本実施形態では、ハーフエッチン
グ処理により形成された突出部２６，２７の段差を１０
０［μｍ］程度としている。なお、上述のように、プレ
ス成形により突出部２６，２７を形成してもよい。
【０１１４】また、ダイパッド部２０をアップセットし
たい場合には、例えば支持リード部２２にディプレス加
工を施すことにより、ダイパッド部２０の上面を内側イ
ンナーリード群２３、外側インナーリード群２４の上面
よりも上方に配置することができる。
たい場合には、例えば支持リード部２２にディプレス加
工を施すことにより、ダイパッド部２０の上面を内側イ
ンナーリード群２３、外側インナーリード群２４の上面
よりも上方に配置することができる。
【０１１５】なお、通常は、図３及び図４に示す状態
で、リードフレーム構成体２９に対して、ニッケル，パ
ラジウム，銀，金などの金属メッキを付すメッキ工程が
行なわれる。
で、リードフレーム構成体２９に対して、ニッケル，パ
ラジウム，銀，金などの金属メッキを付すメッキ工程が
行なわれる。
【０１１６】次に、図５の上面図に示すように、リード
フレーム構成体２９に対して、まず内側インナーリード
群２３の上面の先端部付近の一部と支持リード部２２の
一部とに亘って、四角形環状のポリイミドなどよりなる
絶縁テープ等の絶縁体２５を貼付する。また、内側イン
ナーリード群２３の末端部には絶縁体２５が存在しない
ようにする。これは、内側インナーリード群２３の末端
部は、後に金属細線により半導体チップと電気的に接続
する部分であり、絶縁体２５によって覆われていると電
気的な導通ができないためである。なお、図５に示す構
造では、絶縁体２５を四角形環状に形成しているが、す
べての内側インナーリード群２３が分離せず、結果とし
て絶縁体２５により保持された構造で貼付すればよく、
部分的に絶縁体２５を貼付して保持してもよい。
フレーム構成体２９に対して、まず内側インナーリード
群２３の上面の先端部付近の一部と支持リード部２２の
一部とに亘って、四角形環状のポリイミドなどよりなる
絶縁テープ等の絶縁体２５を貼付する。また、内側イン
ナーリード群２３の末端部には絶縁体２５が存在しない
ようにする。これは、内側インナーリード群２３の末端
部は、後に金属細線により半導体チップと電気的に接続
する部分であり、絶縁体２５によって覆われていると電
気的な導通ができないためである。なお、図５に示す構
造では、絶縁体２５を四角形環状に形成しているが、す
べての内側インナーリード群２３が分離せず、結果とし
て絶縁体２５により保持された構造で貼付すればよく、
部分的に絶縁体２５を貼付して保持してもよい。
【０１１７】次に、図６の上面図および図７の裏面図に
示すように、絶縁体２５を貼付し、支持リード部２２と
接続される絶縁体２５により内側インナーリード群２３
が保持された状態のリードフレーム構成体２９に対し
て、リード先端カット処理を施す。この処理は、内側イ
ンナーリード群２３の先端部とダイパッド部２０とを連
結している接続部２８及びその近辺を除去するもので、
このリード先端カット処理により、図示するように、内
側インナーリード群２３は、外側インナーリード群２
４、外枠２１などから分離独立し、かつ互いに分離した
状態となり、絶縁体２５を介して支持リード部２２によ
り保持されている。
示すように、絶縁体２５を貼付し、支持リード部２２と
接続される絶縁体２５により内側インナーリード群２３
が保持された状態のリードフレーム構成体２９に対し
て、リード先端カット処理を施す。この処理は、内側イ
ンナーリード群２３の先端部とダイパッド部２０とを連
結している接続部２８及びその近辺を除去するもので、
このリード先端カット処理により、図示するように、内
側インナーリード群２３は、外側インナーリード群２
４、外枠２１などから分離独立し、かつ互いに分離した
状態となり、絶縁体２５を介して支持リード部２２によ
り保持されている。
【０１１８】以上のような工程により、最終的に、図１
及び図２において説明したとおりのリードフレームの構
造が得られることになる。
及び図２において説明したとおりのリードフレームの構
造が得られることになる。
【０１１９】なお、図３に相当する最初の状態で外側イ
ンナーリード群２４の先端部が内側インナーリード群２
３の末端部と切り離されている必要はなく、例えば絶縁
体２５を固着してから両者が切り離されてもよい。
ンナーリード群２４の先端部が内側インナーリード群２
３の末端部と切り離されている必要はなく、例えば絶縁
体２５を固着してから両者が切り離されてもよい。
【０１２０】（第２の実施形態）次に、上記第１の実施
形態における外側インナーリード群２４を削除したリー
ドフレームに関する第２の実施形態について説明する。
図８は、本実施形態に係るリードフレームの上面図であ
る。なお、裏面図は省略する。
形態における外側インナーリード群２４を削除したリー
ドフレームに関する第２の実施形態について説明する。
図８は、本実施形態に係るリードフレームの上面図であ
る。なお、裏面図は省略する。
【０１２１】図８に示すように、本実施形態のリードフ
レームは、外枠５１と、外枠５１の相対向する角部間を
接続して、中心付近で交わる２つの支持リード部５２
と、搭載される半導体チップの近傍に先端部があり外枠
５１に近接した位置に末端部があるように形成された内
側インナーリード群５３と、内側インナーリード群５３
の末端部付近を除く領域内の一部と支持リード部５２の
一部とを接着する四角形環状の絶縁テープなどの絶縁体
５５とにより構成されている。すなわち、この絶縁体５
５を介して、内側インナーリード群５３が支持リード部
５２により支持された状態となっている点は、上記第１
の実施形態と同じであるが、外側インナーリード群が設
けられていない点と、ダイパッドがなく２つの支持リー
ド部５２が中心付近で交差している点とが第１の実施形
態とは異なる。なお、本実施形態では、内側インナーリ
ード群５３を接着する絶縁体５５上に半導体チップを載
置する構造となる。また、図示しないが、内側インナー
リード群５３の裏面には、図２に示すと同様の千鳥状の
突出部が設けられている。
レームは、外枠５１と、外枠５１の相対向する角部間を
接続して、中心付近で交わる２つの支持リード部５２
と、搭載される半導体チップの近傍に先端部があり外枠
５１に近接した位置に末端部があるように形成された内
側インナーリード群５３と、内側インナーリード群５３
の末端部付近を除く領域内の一部と支持リード部５２の
一部とを接着する四角形環状の絶縁テープなどの絶縁体
５５とにより構成されている。すなわち、この絶縁体５
５を介して、内側インナーリード群５３が支持リード部
５２により支持された状態となっている点は、上記第１
の実施形態と同じであるが、外側インナーリード群が設
けられていない点と、ダイパッドがなく２つの支持リー
ド部５２が中心付近で交差している点とが第１の実施形
態とは異なる。なお、本実施形態では、内側インナーリ
ード群５３を接着する絶縁体５５上に半導体チップを載
置する構造となる。また、図示しないが、内側インナー
リード群５３の裏面には、図２に示すと同様の千鳥状の
突出部が設けられている。
【０１２２】このようなリードフレームを用いて半導体
装置を構成した場合、外枠５１と内側インナーリード群
５３の末端部との間には一定の間隙が形成され、ダムバ
ーに相当する部材を有していないので、封止樹脂が外枠
５１まで存在していなくても封止成形できる。したがっ
て、封止樹脂が外枠５１に形成されないため、外枠５１
と支持リード部５２との接続部においてパッケージ（封
止して構成した半導体装置）を外枠５１から分離する
と、バリのない（以下、「バリレス」という）半導体装
置が得られることになる。そのために、パッケージの側
部の凹凸による外形精度の悪化を確実に防止できる。な
お、バリとは、樹脂をカットした際に樹脂内の硬いフィ
ラーなどがカットされずに残存してパッケージの外方に
延びているものをいい、樹脂成形上不必要な部分であ
る。
装置を構成した場合、外枠５１と内側インナーリード群
５３の末端部との間には一定の間隙が形成され、ダムバ
ーに相当する部材を有していないので、封止樹脂が外枠
５１まで存在していなくても封止成形できる。したがっ
て、封止樹脂が外枠５１に形成されないため、外枠５１
と支持リード部５２との接続部においてパッケージ（封
止して構成した半導体装置）を外枠５１から分離する
と、バリのない（以下、「バリレス」という）半導体装
置が得られることになる。そのために、パッケージの側
部の凹凸による外形精度の悪化を確実に防止できる。な
お、バリとは、樹脂をカットした際に樹脂内の硬いフィ
ラーなどがカットされずに残存してパッケージの外方に
延びているものをいい、樹脂成形上不必要な部分であ
る。
【０１２３】また、内側インナーリード群５３の末端部
と半導体チップの電極パッドとの間でワイヤーを張る
と、その内方側に外部端子となる内側インナーリード群
５３の突出部が存在することになるので、極めて占有面
積の小さい半導体装置となる。よって、本実施形態のリ
ードフレームを用いることにより、極めて小型化された
バリレスの半導体装置を得ることができる。
と半導体チップの電極パッドとの間でワイヤーを張る
と、その内方側に外部端子となる内側インナーリード群
５３の突出部が存在することになるので、極めて占有面
積の小さい半導体装置となる。よって、本実施形態のリ
ードフレームを用いることにより、極めて小型化された
バリレスの半導体装置を得ることができる。
【０１２４】なお、本実施形態において、支持リード部
５２に内側インナーリード群５３を支持する機能のみを
もたせるのであれば、支持リード部５２の先端を内側イ
ンナーリード群５３の先端部付近で止めてもよい。ま
た、ダイパッドを設けて、ダイパッド上に半導体チップ
を搭載してもよいことはいうまでもない。
５２に内側インナーリード群５３を支持する機能のみを
もたせるのであれば、支持リード部５２の先端を内側イ
ンナーリード群５３の先端部付近で止めてもよい。ま
た、ダイパッドを設けて、ダイパッド上に半導体チップ
を搭載してもよいことはいうまでもない。
【０１２５】また、本実施形態おけるリードフレームの
製造工程は、上記第１の実施形態の製造工程から容易に
類推できるので、その説明を省略する。
製造工程は、上記第１の実施形態の製造工程から容易に
類推できるので、その説明を省略する。
【０１２６】（第３の実施形態）次に、上記第１の実施
形態における外側インナーリード群２４も絶縁体を介し
て支持リード部により支持するようにしたリードフレー
ムに関する第３の実施形態について説明する。図９は、
本実施形態に係るリードフレームの上面図である。な
お、裏面図は省略する。
形態における外側インナーリード群２４も絶縁体を介し
て支持リード部により支持するようにしたリードフレー
ムに関する第３の実施形態について説明する。図９は、
本実施形態に係るリードフレームの上面図である。な
お、裏面図は省略する。
【０１２７】図９において、上記第１の実施形態におけ
るリードフレーム中の各部と同じ部分は、同じ符号を付
して説明を省略する。本実施形態では、外側インナーリ
ード群２４が外枠２１と切り離されている。そして、内
側インナーリード群２３は第１絶縁体２５ａを介して、
外側インナーリード群２４は外側絶縁体である第２絶縁
体２５ｂを介して、それぞれ支持リード部２２により支
持されている。そして、支持リード部２２は、外枠２１
の角部から内方に延びた後、内側インナーリード群２３
の先端部と同じ位置付近に先端部を有するように形成さ
れている。すなわち、内側インナーリード群２３や支持
リード部２２の先端部よりも内側は空間となっている。
そして、本実施形態ではダイパッド部がないので、第１
絶縁体２５ａ上に半導体チップが載置されることにな
る。
るリードフレーム中の各部と同じ部分は、同じ符号を付
して説明を省略する。本実施形態では、外側インナーリ
ード群２４が外枠２１と切り離されている。そして、内
側インナーリード群２３は第１絶縁体２５ａを介して、
外側インナーリード群２４は外側絶縁体である第２絶縁
体２５ｂを介して、それぞれ支持リード部２２により支
持されている。そして、支持リード部２２は、外枠２１
の角部から内方に延びた後、内側インナーリード群２３
の先端部と同じ位置付近に先端部を有するように形成さ
れている。すなわち、内側インナーリード群２３や支持
リード部２２の先端部よりも内側は空間となっている。
そして、本実施形態ではダイパッド部がないので、第１
絶縁体２５ａ上に半導体チップが載置されることにな
る。
【０１２８】なお、図示されていないが、内側インナー
リード群２３及び外側インナーリード群２４のいずれの
裏面においても、図２に示すごとく平面上で千鳥状に配
置された突出部が形成されている。
リード群２３及び外側インナーリード群２４のいずれの
裏面においても、図２に示すごとく平面上で千鳥状に配
置された突出部が形成されている。
【０１２９】本実施形態のリードフレームを用いると、
外枠２１に外側インナーリード群２４の末端部を接続さ
せる必要がなくなるので、第２の実施形態と同様に、バ
リレスの半導体装置を得ることができる。すなわち、本
実施形態のリードフレームは、多ピン化に対応でき、か
つバリレスの半導体装置を得ることができるという利点
を有する。
外枠２１に外側インナーリード群２４の末端部を接続さ
せる必要がなくなるので、第２の実施形態と同様に、バ
リレスの半導体装置を得ることができる。すなわち、本
実施形態のリードフレームは、多ピン化に対応でき、か
つバリレスの半導体装置を得ることができるという利点
を有する。
【０１３０】なお、本実施形態においても、第１の実施
形態のごとくダイパッドを設けたり、第２の実施形態の
ごとく筋交い状の支持リード部を設けてもよい。
形態のごとくダイパッドを設けたり、第２の実施形態の
ごとく筋交い状の支持リード部を設けてもよい。
【０１３１】本実施形態におけるリードフレームの製造
工程は、上記第１の実施形態の製造工程から容易に類推
できるものであるが、本実施形態では、例えば図３に示
す状態から外側インナーリード群２４の末端部と外枠２
１とが切り離され、かつ、支持リード部２２からダイパ
ッド部２０が除去される点が特徴である。なお、図３に
相当する最初の状態で外側インナーリード群２４の先端
部が内側インナーリード群２３の末端部と切り離されて
いる必要はなく、例えば外側絶縁体２５ｂを固着してか
ら両者が切り離されてもよい。その場合には、図３に相
当する最初の状態で外側インナーリード群２４の末端部
が外枠２１と連結されていなくてもよいことになる。
工程は、上記第１の実施形態の製造工程から容易に類推
できるものであるが、本実施形態では、例えば図３に示
す状態から外側インナーリード群２４の末端部と外枠２
１とが切り離され、かつ、支持リード部２２からダイパ
ッド部２０が除去される点が特徴である。なお、図３に
相当する最初の状態で外側インナーリード群２４の先端
部が内側インナーリード群２３の末端部と切り離されて
いる必要はなく、例えば外側絶縁体２５ｂを固着してか
ら両者が切り離されてもよい。その場合には、図３に相
当する最初の状態で外側インナーリード群２４の末端部
が外枠２１と連結されていなくてもよいことになる。
【０１３２】（第４の実施形態）次に、上記第１の実施
形態のリードフレームを用いた半導体装置に関する第４
の実施形態について説明する。図１０は本実施形態にお
ける半導体装置の平面図であって、封止樹脂を透明体と
して内部を透過させて輪郭のみを示している。また、図
１１（ａ），（ｂ）は、それぞれ図１０に示すXIa-XIa
線，XIb-XIb 線断面における断面図である。また、図１
２は封止樹脂を透明としない場合の半導体装置の平面
図、図１３は半導体装置の底面図である。
形態のリードフレームを用いた半導体装置に関する第４
の実施形態について説明する。図１０は本実施形態にお
ける半導体装置の平面図であって、封止樹脂を透明体と
して内部を透過させて輪郭のみを示している。また、図
１１（ａ），（ｂ）は、それぞれ図１０に示すXIa-XIa
線，XIb-XIb 線断面における断面図である。また、図１
２は封止樹脂を透明としない場合の半導体装置の平面
図、図１３は半導体装置の底面図である。
【０１３３】図１０〜図１３に示されるように、本実施
形態の半導体装置は、第１の実施形態において説明した
図１及び図２に示すリードフレームから外枠２１をカッ
トしたリードフレームを用いている。すなわち、四角形
のダイパッド部２０と、上記ダイパッド部２０の４つの
角部に接続される支持リード部２２と、半導体チップ３
０の近傍に先端部がありダイパッド−外枠間の中間付近
に末端部があるように形成された内側インナーリード群
２３と、内側インナーリード群２３の各末端部同士間の
間隙に入り込んだ位置に先端部を有する外側インナーリ
ード群２４と、内側インナーリード群２３の末端部付近
を除く領域内の一部と支持リード部２２の一部とを接着
する四角形環状の絶縁テープなどの絶縁体２５とにより
構成されている。そして、絶縁体２５の上には半導体チ
ップ３０が搭載されており、その半導体チップ３０上の
電極パッドと内側インナーリード群２３の末端部との
間、及び半導体チップ３０上の電極パッドと外側インナ
ーリード群２４の先端部との間は金属細線３１により電
気的に接続されている。また、ダイパッド部２０，半導
体チップ３０，支持リード部２２，内側インナーリード
群２３，外側インナーリード群２４及び金属細線３１は
封止樹脂３２により封止されて、全体として１つのパッ
ケージが構成されている。
形態の半導体装置は、第１の実施形態において説明した
図１及び図２に示すリードフレームから外枠２１をカッ
トしたリードフレームを用いている。すなわち、四角形
のダイパッド部２０と、上記ダイパッド部２０の４つの
角部に接続される支持リード部２２と、半導体チップ３
０の近傍に先端部がありダイパッド−外枠間の中間付近
に末端部があるように形成された内側インナーリード群
２３と、内側インナーリード群２３の各末端部同士間の
間隙に入り込んだ位置に先端部を有する外側インナーリ
ード群２４と、内側インナーリード群２３の末端部付近
を除く領域内の一部と支持リード部２２の一部とを接着
する四角形環状の絶縁テープなどの絶縁体２５とにより
構成されている。そして、絶縁体２５の上には半導体チ
ップ３０が搭載されており、その半導体チップ３０上の
電極パッドと内側インナーリード群２３の末端部との
間、及び半導体チップ３０上の電極パッドと外側インナ
ーリード群２４の先端部との間は金属細線３１により電
気的に接続されている。また、ダイパッド部２０，半導
体チップ３０，支持リード部２２，内側インナーリード
群２３，外側インナーリード群２４及び金属細線３１は
封止樹脂３２により封止されて、全体として１つのパッ
ケージが構成されている。
【０１３４】また、図１３の底面図に示すように、内側
インナーリード群２３および外側インナーリード群２４
の裏面側に設けられた複数の突出部２６，２７の底面が
封止樹脂３２より露出しており、この突出部２６，２７
の露出面が実質的にグリッド状の外部端子３３となって
いる。すなわち、封止樹脂３２は、半導体チップ３０が
搭載されていない面側で、内側インナーリード群２３お
よび外側インナーリード群２４の裏面側に設けられた複
数の突出部２６，２７の底面を被覆しておらず、突出部
２６，２７の突出分、すなわち段差分の厚みだけ覆う程
度に封止されている。このような構造によって、各イン
ナーリード群２３，２４の封止樹脂による保持力を高め
るようにしている。なお、半導体チップ３０が搭載され
ている面側では封止樹脂３２が半導体チップ３０および
金属細線３１を覆う程度に形成されており、できるだけ
薄型の構造となっている。
インナーリード群２３および外側インナーリード群２４
の裏面側に設けられた複数の突出部２６，２７の底面が
封止樹脂３２より露出しており、この突出部２６，２７
の露出面が実質的にグリッド状の外部端子３３となって
いる。すなわち、封止樹脂３２は、半導体チップ３０が
搭載されていない面側で、内側インナーリード群２３お
よび外側インナーリード群２４の裏面側に設けられた複
数の突出部２６，２７の底面を被覆しておらず、突出部
２６，２７の突出分、すなわち段差分の厚みだけ覆う程
度に封止されている。このような構造によって、各イン
ナーリード群２３，２４の封止樹脂による保持力を高め
るようにしている。なお、半導体チップ３０が搭載され
ている面側では封止樹脂３２が半導体チップ３０および
金属細線３１を覆う程度に形成されており、できるだけ
薄型の構造となっている。
【０１３５】また、図１４は、図１１（ａ）と同じ断面
における半導体装置の断面図であって、各インナーリー
ド群２３，２４の裏面の突出部２６，２７よりなる外部
端子３３に対して、はんだボール３４を付設して、外部
電極を構成した状態を示している。このような構造によ
って、はんだボール３４を外部電極として、実装基板上
に安定に面実装することができる。
における半導体装置の断面図であって、各インナーリー
ド群２３，２４の裏面の突出部２６，２７よりなる外部
端子３３に対して、はんだボール３４を付設して、外部
電極を構成した状態を示している。このような構造によ
って、はんだボール３４を外部電極として、実装基板上
に安定に面実装することができる。
【０１３６】本実施形態の半導体装置によると、内側イ
ンナーリード群２３の各末端部と外側インナーリード群
２４の各先端部とは相手の間隙に入り込んでおり、平面
位置で互いに近接してほぼ交互に配列されて、内側イン
ナーリード群２３と外側インナーリード群２４とが二重
配列を成しているので、一列配列のようにインナーリー
ド群を狭ピッチ化することなく、高密度でインナーリー
ド群を配置できる。その結果、半導体チップ３０を内側
インナーリード群２３の先端部付近の絶縁体２５上に搭
載し、半導体チップ３０上の電極パッドと、内側インナ
ーリード群２３及び外側インナーリード群２４とを金属
細線３１等の手段で電気的に接続することにより、内側
インナーリード群２３、外側インナーリード群２４の裏
面の突出部２６，２７が外部端子３３となるので、従来
のような側面に外部端子を設けるものとは異なり、底面
にグリッド状に外部端子を設けることができる。言い換
えると、図３０に示す従来の半導体装置のように外部端
子（アウターリード１０６）をパッケージの側面に沿っ
て直線状に配置するのではなく、外部端子を平面上に配
置できるので、小さなパッケージに多数の外部端子を配
置でき、高密度実装が可能になる。すなわち、本実施形
態の半導体装置によると、外部電極をその半導体装置の
底面にグリッド状に配置できるので、より高密度に実装
された半導体装置を実現することができるものである。
ンナーリード群２３の各末端部と外側インナーリード群
２４の各先端部とは相手の間隙に入り込んでおり、平面
位置で互いに近接してほぼ交互に配列されて、内側イン
ナーリード群２３と外側インナーリード群２４とが二重
配列を成しているので、一列配列のようにインナーリー
ド群を狭ピッチ化することなく、高密度でインナーリー
ド群を配置できる。その結果、半導体チップ３０を内側
インナーリード群２３の先端部付近の絶縁体２５上に搭
載し、半導体チップ３０上の電極パッドと、内側インナ
ーリード群２３及び外側インナーリード群２４とを金属
細線３１等の手段で電気的に接続することにより、内側
インナーリード群２３、外側インナーリード群２４の裏
面の突出部２６，２７が外部端子３３となるので、従来
のような側面に外部端子を設けるものとは異なり、底面
にグリッド状に外部端子を設けることができる。言い換
えると、図３０に示す従来の半導体装置のように外部端
子（アウターリード１０６）をパッケージの側面に沿っ
て直線状に配置するのではなく、外部端子を平面上に配
置できるので、小さなパッケージに多数の外部端子を配
置でき、高密度実装が可能になる。すなわち、本実施形
態の半導体装置によると、外部電極をその半導体装置の
底面にグリッド状に配置できるので、より高密度に実装
された半導体装置を実現することができるものである。
【０１３７】なお、この第１の実施形態のリードフレー
ムに代えて、上記第２又は第３の実施形態のリードフレ
ームを用いてもよいことはいうまでもない。
ムに代えて、上記第２又は第３の実施形態のリードフレ
ームを用いてもよいことはいうまでもない。
【０１３８】その場合、第２の実施形態におけるリード
フレームを用いた場合には、極めて小型化されたバリレ
スの半導体装置となる。
フレームを用いた場合には、極めて小型化されたバリレ
スの半導体装置となる。
【０１３９】また、第３の実施形態のリードフレームを
用いた場合には、高密度に実装されたバリレスの半導体
装置となる。
用いた場合には、高密度に実装されたバリレスの半導体
装置となる。
【０１４０】なお、図１１（ａ），（ｂ）では、半導体
チップ３０を内側インナーリード群２３で絶縁体２５を
介して支持した状態が示されている。つまり、ダイパッ
ド部２０は各インナーリード群２３，２４と同一平面に
あり、半導体チップ３０を搭載していない。ただし、支
持リード部２２にディプレス加工を施して、ダイパッド
部２０の上面を各インナーリード群２３，２４の上面に
対してアップセットして、ダイパッド部２０上に直接半
導体チップ３０を接合することもできる。特に、半導体
チップのサイズが小さく、内側インナーリード群２３上
の絶縁体２５に接合できない場合は、ダイパッド部２０
上に接合する必要がある。
チップ３０を内側インナーリード群２３で絶縁体２５を
介して支持した状態が示されている。つまり、ダイパッ
ド部２０は各インナーリード群２３，２４と同一平面に
あり、半導体チップ３０を搭載していない。ただし、支
持リード部２２にディプレス加工を施して、ダイパッド
部２０の上面を各インナーリード群２３，２４の上面に
対してアップセットして、ダイパッド部２０上に直接半
導体チップ３０を接合することもできる。特に、半導体
チップのサイズが小さく、内側インナーリード群２３上
の絶縁体２５に接合できない場合は、ダイパッド部２０
上に接合する必要がある。
【０１４１】また、図１３においては、支持リード部２
２やダイパッド部２０の裏面もハーフエッチングされて
いるために、支持リード２２部やダイパッド部２０の裏
面は表面上に現れていないが、支持リード２２やダイパ
ッド２０の裏面をハーフエッチングせずに両者の裏面が
半導体装置の底面上に露出するようにしてもよい。ただ
し、その場合にもダイパッド部２０の面が内側インナー
リード群２３，外側インナーリード群２４の面に対して
アップセットされるように、支持リード部２２でディプ
レスし、ダイパッド部２０の面で半導体チップ３０を支
持した場合には、支持リード部２２のうちディプレスさ
れた部分よりも外方の部分の裏面は半導体装置の底面上
に露出することになる。
２やダイパッド部２０の裏面もハーフエッチングされて
いるために、支持リード２２部やダイパッド部２０の裏
面は表面上に現れていないが、支持リード２２やダイパ
ッド２０の裏面をハーフエッチングせずに両者の裏面が
半導体装置の底面上に露出するようにしてもよい。ただ
し、その場合にもダイパッド部２０の面が内側インナー
リード群２３，外側インナーリード群２４の面に対して
アップセットされるように、支持リード部２２でディプ
レスし、ダイパッド部２０の面で半導体チップ３０を支
持した場合には、支持リード部２２のうちディプレスさ
れた部分よりも外方の部分の裏面は半導体装置の底面上
に露出することになる。
【０１４２】次に、本実施形態の半導体装置の製造方法
について図面を参照しながら説明する。図１５〜図１８
は半導体装置の製造工程を示す平面図であり、封止樹脂
を透明体として内部を透過させ輪郭のみ示している。
について図面を参照しながら説明する。図１５〜図１８
は半導体装置の製造工程を示す平面図であり、封止樹脂
を透明体として内部を透過させ輪郭のみ示している。
【０１４３】まず、図１５に示すように、リードフレー
ムが形成される空間を取り囲む四角形の外枠２１と、該
外枠２１で囲まれる領域のほぼ中央部に配置された四角
形のダイパッド部２０と、上記外枠２１の４つの角部か
ら延びて上記ダイパッド部２０の４つの角部に接続され
る支持リード部２２と、搭載される半導体チップの近傍
に先端部がありダイパッド−外枠間の中間付近に末端部
があるように形成された内側インナーリード群２３と、
外枠２１の各辺から延びて内側インナーリード群２３の
各末端部同士間の間隙に入り込んだ位置に先端部を有す
る外側インナーリード群２４と、内側インナーリード群
２３の末端部付近を除く領域内の一部と支持リード部２
２の一部とを接着する四角形環状の絶縁テープなどの絶
縁体２５とにより構成されるリードフレームを用意す
る。ただし、図示されていないが、第１の実施形態で説
明したように、内側インナーリード群２３および外側イ
ンナーリード群２４の裏面側には、ランドとなる複数の
突出部が形成されている。また、内側インナーリード群
２３の各末端部と外側インナーリード群２４の各先端部
とは互いに相手の間隙に入り込んで、平面位置で互いに
近接しほぼ交互に配列されている。
ムが形成される空間を取り囲む四角形の外枠２１と、該
外枠２１で囲まれる領域のほぼ中央部に配置された四角
形のダイパッド部２０と、上記外枠２１の４つの角部か
ら延びて上記ダイパッド部２０の４つの角部に接続され
る支持リード部２２と、搭載される半導体チップの近傍
に先端部がありダイパッド−外枠間の中間付近に末端部
があるように形成された内側インナーリード群２３と、
外枠２１の各辺から延びて内側インナーリード群２３の
各末端部同士間の間隙に入り込んだ位置に先端部を有す
る外側インナーリード群２４と、内側インナーリード群
２３の末端部付近を除く領域内の一部と支持リード部２
２の一部とを接着する四角形環状の絶縁テープなどの絶
縁体２５とにより構成されるリードフレームを用意す
る。ただし、図示されていないが、第１の実施形態で説
明したように、内側インナーリード群２３および外側イ
ンナーリード群２４の裏面側には、ランドとなる複数の
突出部が形成されている。また、内側インナーリード群
２３の各末端部と外側インナーリード群２４の各先端部
とは互いに相手の間隙に入り込んで、平面位置で互いに
近接しほぼ交互に配列されている。
【０１４４】次に、図１６に示すように、用意したリー
ドフレームに対して、内側インナーリード群２３の一部
に貼付されている絶縁体２５の上に半導体チップ３０を
載置，固着する。この半導体チップ３０の固着は、例え
ば絶縁性の耐熱接着剤を用いて行うことができる。
ドフレームに対して、内側インナーリード群２３の一部
に貼付されている絶縁体２５の上に半導体チップ３０を
載置，固着する。この半導体チップ３０の固着は、例え
ば絶縁性の耐熱接着剤を用いて行うことができる。
【０１４５】なお、ここでダイパッド部２０をアップセ
ットしたリードフレームを用いる場合には、ダイパッド
部２０上に半導体チップ３０を接合剤により接合すれば
よい。また、本実施形態のように内側インナーリード群
２３で絶縁体２５を介して半導体チップ３０を支持する
場合には、図９に示すごとく、ダイパッド部２０を取り
去って、内側インナーリード群２３の先端部や支持リー
ド部２２の先端部の内方側の領域を開口部としたリード
フレームを用いてもよい。
ットしたリードフレームを用いる場合には、ダイパッド
部２０上に半導体チップ３０を接合剤により接合すれば
よい。また、本実施形態のように内側インナーリード群
２３で絶縁体２５を介して半導体チップ３０を支持する
場合には、図９に示すごとく、ダイパッド部２０を取り
去って、内側インナーリード群２３の先端部や支持リー
ド部２２の先端部の内方側の領域を開口部としたリード
フレームを用いてもよい。
【０１４６】次に、図１７に示すように、半導体チップ
３０の電極パッドとリードフレームの内側インナーリー
ド群２３の末端部とを金属細線３１により電気的に接続
する。同様に、半導体チップ３０の電極パッドとリード
フレームの外側インナーリード群２４の先端部とを金属
細線３１により電気的に接続する。その際、内側インナ
ーリード群２３の各末端部と外側インナーリード群２４
の各先端部とが互いに相手の間隙に入り込んでほぼ交互
に配列されており、内側インナーリード群２３から半導
体チップ上の電極パッドまでの距離と、外側インナーリ
ード群２４から電極パッドまでの距離とによって定まる
ワイヤー長をほぼ一定値にできる構造である。したがっ
て、ボンディングを直線的に進行させることができ効率
的なワイヤーボンドを行なうことができる。
３０の電極パッドとリードフレームの内側インナーリー
ド群２３の末端部とを金属細線３１により電気的に接続
する。同様に、半導体チップ３０の電極パッドとリード
フレームの外側インナーリード群２４の先端部とを金属
細線３１により電気的に接続する。その際、内側インナ
ーリード群２３の各末端部と外側インナーリード群２４
の各先端部とが互いに相手の間隙に入り込んでほぼ交互
に配列されており、内側インナーリード群２３から半導
体チップ上の電極パッドまでの距離と、外側インナーリ
ード群２４から電極パッドまでの距離とによって定まる
ワイヤー長をほぼ一定値にできる構造である。したがっ
て、ボンディングを直線的に進行させることができ効率
的なワイヤーボンドを行なうことができる。
【０１４７】次に、図１８に示すように、封止樹脂３２
により、ダイパッド２０，支持リード部２２，内側イン
ナーリード群２３，外側インナーリード群２４，絶縁体
２５，半導体チップ３０及び金属細線３１を封止するこ
とにより、半導体装置を製造することができる。
により、ダイパッド２０，支持リード部２２，内側イン
ナーリード群２３，外側インナーリード群２４，絶縁体
２５，半導体チップ３０及び金属細線３１を封止するこ
とにより、半導体装置を製造することができる。
【０１４８】なお、本実施形態の製造工程においては、
第１の実施形態のリードフレームを用いており、リード
フレームがダムバー自体を有していないため、従来のよ
うなダムバーをカットする工程は不要となる。
第１の実施形態のリードフレームを用いており、リード
フレームがダムバー自体を有していないため、従来のよ
うなダムバーをカットする工程は不要となる。
【０１４９】（第５の実施形態）次に、絶縁体を用いな
いで上記第４の実施形態と同様の構造を有する半導体装
置に関する第５の実施形態について説明する。図１９〜
図２５は、本実施形態における半導体装置の製造工程を
示す平面図又は断面図である。
いで上記第４の実施形態と同様の構造を有する半導体装
置に関する第５の実施形態について説明する。図１９〜
図２５は、本実施形態における半導体装置の製造工程を
示す平面図又は断面図である。
【０１５０】まず、図１９に示すように、リードフレー
ムが形成される空間を取り囲む四角形の外枠６１と、該
外枠６１で囲まれる領域のほぼ中央部に配置された四角
形のダイパッド部６０と、上記外枠６１の４つの角部か
ら延びて上記ダイパッド部６０の４つの角部に接続され
る支持リード部６２と、搭載される半導体チップの近傍
に先端部がありダイパッド−外枠間の中間付近に末端部
があるように形成された内側インナーリード群６３と、
外枠６１の各辺から延びて内側インナーリード群６３の
各末端部同士間の間隙に入り込んだ位置に先端部を有す
る外側インナーリード群６４とにより構成されるリード
フレームを用意する。ここで、内側インナーリード群６
３の各末端部と外側インナーリード群６４の各先端部と
は、平面位置で互いに近接し、かつほぼ交互に配列され
ている。また、本実施形態では、ダイパッド部２０にデ
ィプレスが施され、各インナーリード群６３，６４に対
してアップセットされている。そして、ディプレスされ
た領域の外側の領域が内側インナーリード群６３と支持
リード６２とを接続するための接続部６８となってい
る。
ムが形成される空間を取り囲む四角形の外枠６１と、該
外枠６１で囲まれる領域のほぼ中央部に配置された四角
形のダイパッド部６０と、上記外枠６１の４つの角部か
ら延びて上記ダイパッド部６０の４つの角部に接続され
る支持リード部６２と、搭載される半導体チップの近傍
に先端部がありダイパッド−外枠間の中間付近に末端部
があるように形成された内側インナーリード群６３と、
外枠６１の各辺から延びて内側インナーリード群６３の
各末端部同士間の間隙に入り込んだ位置に先端部を有す
る外側インナーリード群６４とにより構成されるリード
フレームを用意する。ここで、内側インナーリード群６
３の各末端部と外側インナーリード群６４の各先端部と
は、平面位置で互いに近接し、かつほぼ交互に配列され
ている。また、本実施形態では、ダイパッド部２０にデ
ィプレスが施され、各インナーリード群６３，６４に対
してアップセットされている。そして、ディプレスされ
た領域の外側の領域が内側インナーリード群６３と支持
リード６２とを接続するための接続部６８となってい
る。
【０１５１】図２０は、図１９に示すXX−XX線断面にお
ける断面図である。図２０に示すように、内側インナー
リード群６３および外側インナーリード群６４の裏面側
には、ハーフエッチングによりランドとなる複数の突出
部６６，６７が形成されている。このとき、ディプレス
された領域の外側にある接続部６８よりも内方の領域は
ハーフエッチングされておらず、接続部６８の底面は突
出部６６，６７の底面と同じ高さ位置を有している。
ける断面図である。図２０に示すように、内側インナー
リード群６３および外側インナーリード群６４の裏面側
には、ハーフエッチングによりランドとなる複数の突出
部６６，６７が形成されている。このとき、ディプレス
された領域の外側にある接続部６８よりも内方の領域は
ハーフエッチングされておらず、接続部６８の底面は突
出部６６，６７の底面と同じ高さ位置を有している。
【０１５２】次に、図２１に示すように、リードフレー
ムのダイパッド部６０に半導体チップ７０を搭載する。
そして半導体チップ７０の電極パッドと内側インナーリ
ード群６３，外側インナーリード群６４とをそれぞれ金
属細線７１により電気的に接続する。そして、本実施形
態では、樹脂封止を行なう前に、内側インナーリード群
６３，外側インナーリード群６４の底面側に設けた突出
部６６，６７及び接続部６８に封止樹脂が回り込まない
ように、リードフレームの裏面にマスク用樹脂テープ７
５を貼付するようにしている。この場合、樹脂封止後に
マスク用樹脂テープ７５を除去する必要があるので、マ
スク用樹脂テープ７５の材質としては容易に除去できる
材質を選択しておく。
ムのダイパッド部６０に半導体チップ７０を搭載する。
そして半導体チップ７０の電極パッドと内側インナーリ
ード群６３，外側インナーリード群６４とをそれぞれ金
属細線７１により電気的に接続する。そして、本実施形
態では、樹脂封止を行なう前に、内側インナーリード群
６３，外側インナーリード群６４の底面側に設けた突出
部６６，６７及び接続部６８に封止樹脂が回り込まない
ように、リードフレームの裏面にマスク用樹脂テープ７
５を貼付するようにしている。この場合、樹脂封止後に
マスク用樹脂テープ７５を除去する必要があるので、マ
スク用樹脂テープ７５の材質としては容易に除去できる
材質を選択しておく。
【０１５３】なお、接続部６８に封止樹脂さえ回り込ま
なければよいので、マスク用樹脂テープ７５が接続部６
８さえ覆っていればよく、必ずしも各突出部６７，６８
まで覆っている必要性はない。
なければよいので、マスク用樹脂テープ７５が接続部６
８さえ覆っていればよく、必ずしも各突出部６７，６８
まで覆っている必要性はない。
【０１５４】次に、図２２及び図２３に示すように、封
止樹脂７２により、ダイパッド６０，支持リード部６
２，内側インナーリード群６３，外側インナーリード群
６４，半導体チップ７０及び金属細線７１を封止する。
ただし、図２２は封止樹脂を透明体として内部を透過さ
せ輪郭のみを示す平面図であり、図２３は図２２に示す
XXIII-XXIII 線断面における断面図である。このとき、
マスク用樹脂テープ７５により各突出部６６，６７及び
接続部６８を封止樹脂に対してマスキングすることによ
り、樹脂封止の際の各突出部６６，６７及び接続部６８
への封止樹脂の回り込みが生じない。なお、この例で
は、接続部６８がマスクキングされていることで、ダイ
パッド部６０の裏面側にも封止樹脂の回り込みが生じな
い。
止樹脂７２により、ダイパッド６０，支持リード部６
２，内側インナーリード群６３，外側インナーリード群
６４，半導体チップ７０及び金属細線７１を封止する。
ただし、図２２は封止樹脂を透明体として内部を透過さ
せ輪郭のみを示す平面図であり、図２３は図２２に示す
XXIII-XXIII 線断面における断面図である。このとき、
マスク用樹脂テープ７５により各突出部６６，６７及び
接続部６８を封止樹脂に対してマスキングすることによ
り、樹脂封止の際の各突出部６６，６７及び接続部６８
への封止樹脂の回り込みが生じない。なお、この例で
は、接続部６８がマスクキングされていることで、ダイ
パッド部６０の裏面側にも封止樹脂の回り込みが生じな
い。
【０１５５】次に、図２４及び図２５に示すように、支
持リード部６２及び外側インナーリード群６４の外枠６
１に近い部分を切断して、外枠６１を除去する。さら
に、マスク用樹脂テープ７５を剥離させた後、内側イン
ナーリード群６３とダイパッド部６０との接続部６８に
沿ってレーザーによりリードフレームを切断し、ダイパ
ッド部６０を含む接続部６８の内方側の領域を除去す
る。この除去は、例えばレーザーマーカーに使用するレ
ーザーを用いることにより容易に行なうことができる。
ただし、図２４は封止樹脂を透明体として内部を透過さ
せ輪郭のみを示す平面図であり、図２５は図２４に示す
XXV-XXV 線断面における断面図である。これにより、ダ
イパッド部６０を介して互いに接続されていた内側イン
ナーリード群６３を互いに分離させることができ、半導
体装置を構成することができる。なお、ダイパッド部６
０が除去される結果、半導体チップ７０の底面が露出状
態となっている。また、図示しないが、本実施形態にお
いても、マスク用樹脂テープ７５が剥離されると、半導
体装置の底面には、図１３に示すと同様に、インナーリ
ード群６３の突出部６６と、外側インナーリード群６４
の突出部６７とが露出し、この千鳥状に配列された各突
出部６６，６７の露出面が実質的にグリッド状の外部端
子７３となる。
持リード部６２及び外側インナーリード群６４の外枠６
１に近い部分を切断して、外枠６１を除去する。さら
に、マスク用樹脂テープ７５を剥離させた後、内側イン
ナーリード群６３とダイパッド部６０との接続部６８に
沿ってレーザーによりリードフレームを切断し、ダイパ
ッド部６０を含む接続部６８の内方側の領域を除去す
る。この除去は、例えばレーザーマーカーに使用するレ
ーザーを用いることにより容易に行なうことができる。
ただし、図２４は封止樹脂を透明体として内部を透過さ
せ輪郭のみを示す平面図であり、図２５は図２４に示す
XXV-XXV 線断面における断面図である。これにより、ダ
イパッド部６０を介して互いに接続されていた内側イン
ナーリード群６３を互いに分離させることができ、半導
体装置を構成することができる。なお、ダイパッド部６
０が除去される結果、半導体チップ７０の底面が露出状
態となっている。また、図示しないが、本実施形態にお
いても、マスク用樹脂テープ７５が剥離されると、半導
体装置の底面には、図１３に示すと同様に、インナーリ
ード群６３の突出部６６と、外側インナーリード群６４
の突出部６７とが露出し、この千鳥状に配列された各突
出部６６，６７の露出面が実質的にグリッド状の外部端
子７３となる。
【０１５６】本実施形態によると、内側インナーリード
群６３とダイパッド６０との間の接続部６８の底面をハ
ーフエッチングせずに各インナーリード群６３，６４の
突出部６６，６７と同じ高さ位置になるように形成して
おき、マスク用樹脂テープ７５により接続部６８の裏面
をマスクしてから樹脂封止工程を行ない、その後、リー
ドフレームを接続部６８に沿って切断するようにしたの
で、絶縁体を使用しなくても、内側インナーリード群６
３及び外側インナーリード群６４を互いに分離させた構
造を実現することができる。すなわち、絶縁体を用いな
くても、上述の第４の実施形態における半導体装置と同
様の効果を発揮しうる半導体装置を得ることができる。
群６３とダイパッド６０との間の接続部６８の底面をハ
ーフエッチングせずに各インナーリード群６３，６４の
突出部６６，６７と同じ高さ位置になるように形成して
おき、マスク用樹脂テープ７５により接続部６８の裏面
をマスクしてから樹脂封止工程を行ない、その後、リー
ドフレームを接続部６８に沿って切断するようにしたの
で、絶縁体を使用しなくても、内側インナーリード群６
３及び外側インナーリード群６４を互いに分離させた構
造を実現することができる。すなわち、絶縁体を用いな
くても、上述の第４の実施形態における半導体装置と同
様の効果を発揮しうる半導体装置を得ることができる。
【０１５７】加えて、本実施形態では、樹脂封止工程に
おいて、マスク用樹脂テープ７５により内側インナーリ
ード群６３の突出部６６と、外側インナーリード群６４
の突出部６７とが封止樹脂が回り込まないようにマスキ
ングされているので、各突出部６６，６７を封止樹脂７
２から確実に露出させることができ、後に図１４に示す
ようなはんだボールを外部端子７３に対して付設したと
きの電気的接続の信頼性が向上するという利点もある。
おいて、マスク用樹脂テープ７５により内側インナーリ
ード群６３の突出部６６と、外側インナーリード群６４
の突出部６７とが封止樹脂が回り込まないようにマスキ
ングされているので、各突出部６６，６７を封止樹脂７
２から確実に露出させることができ、後に図１４に示す
ようなはんだボールを外部端子７３に対して付設したと
きの電気的接続の信頼性が向上するという利点もある。
【０１５８】なお、本実施形態では、ダイパッド部６０
の裏面側に封止樹脂７２が入り込まないようにしている
が、図１９に示す状態でディプレスによって傾斜してい
る部分に切り込みをいれるか、接続部６８の裏面のうち
内側インナーリード群６３につながる部分を除く部分を
ハーフエッチングすることで、ダイパッド部６０の下方
にも封止樹脂を回り込ませることも可能である。その場
合には、ダイパッド部６０は残存するものの、接続部６
８のうち封止樹脂から露出している部分（接続部６８の
全体又は一部）をレーザーにより切断することにより、
内側インナーリード群６３をダイパッド部６０から分離
させ、かつ互いに分離独立した状態とすることができ
る。
の裏面側に封止樹脂７２が入り込まないようにしている
が、図１９に示す状態でディプレスによって傾斜してい
る部分に切り込みをいれるか、接続部６８の裏面のうち
内側インナーリード群６３につながる部分を除く部分を
ハーフエッチングすることで、ダイパッド部６０の下方
にも封止樹脂を回り込ませることも可能である。その場
合には、ダイパッド部６０は残存するものの、接続部６
８のうち封止樹脂から露出している部分（接続部６８の
全体又は一部）をレーザーにより切断することにより、
内側インナーリード群６３をダイパッド部６０から分離
させ、かつ互いに分離独立した状態とすることができ
る。
【０１５９】また、ダイパッド部６０を各インナーリー
ド群６３，６４に対してアップセットさせる必要は必ず
しもなく、ダイパッド部６０を含む接続部６８よりも内
方の領域を全てハーフエッチングせずにマスク用樹脂テ
ープ７５で覆うようにしてもよい。その場合には、半導
体チップ６０がある程度大きい場合には、半導体チップ
６０が内側インナーリード群６３によっても支持される
ことになる。そして、半導体チップ６０の電極パッドと
各インナーリード群６３，６４との高さ位置の差が小さ
くなるという利点がある。
ド群６３，６４に対してアップセットさせる必要は必ず
しもなく、ダイパッド部６０を含む接続部６８よりも内
方の領域を全てハーフエッチングせずにマスク用樹脂テ
ープ７５で覆うようにしてもよい。その場合には、半導
体チップ６０がある程度大きい場合には、半導体チップ
６０が内側インナーリード群６３によっても支持される
ことになる。そして、半導体チップ６０の電極パッドと
各インナーリード群６３，６４との高さ位置の差が小さ
くなるという利点がある。
【０１６０】なお、本実施形態では、内側インナーリー
ド群６３及び外側インナーリード群６４の双方を有する
リードフレームを使用した場合について説明したが、本
実施形態においても、第２の実施形態のような内側イン
ナーリード群のみからなる単一のインナーリード群を有
するリードフレーム（ただし、絶縁体のないもの）を用
いてもよい。その場合には、極めて小型化されたバリレ
スの半導体装置を得ることができる。
ド群６３及び外側インナーリード群６４の双方を有する
リードフレームを使用した場合について説明したが、本
実施形態においても、第２の実施形態のような内側イン
ナーリード群のみからなる単一のインナーリード群を有
するリードフレーム（ただし、絶縁体のないもの）を用
いてもよい。その場合には、極めて小型化されたバリレ
スの半導体装置を得ることができる。
【０１６１】また、第３の実施形態のごとく外側インナ
ーリード群は外枠から切り離して絶縁体で支持する一
方、内側インナーリード群は本実施形態のごとく樹脂封
止後のレーザーにより切断するようにしてもよい。その
場合には、高密度に実装されたバリレスの半導体装置と
なる。
ーリード群は外枠から切り離して絶縁体で支持する一
方、内側インナーリード群は本実施形態のごとく樹脂封
止後のレーザーにより切断するようにしてもよい。その
場合には、高密度に実装されたバリレスの半導体装置と
なる。
【０１６２】また、本実施形態では、封止樹脂が接続部
６８の底面に回り込むのを確実に防止すべく、封止樹脂
工程の前にマスク用樹脂テープ７５により接続部６８を
覆うようにしたが、接続部６８の底面が確実に樹脂封止
用金型に接するための精度を確保できるのであれば、マ
スク用樹脂テープは必ずしも使用する必要はない。その
場合にも、第１〜第４の実施形態とは異なり、絶縁体を
用いることなく、内側インナーリード群が外側インナー
リード群と切り離され、かつたがいに分離された構造を
実現することができる。
６８の底面に回り込むのを確実に防止すべく、封止樹脂
工程の前にマスク用樹脂テープ７５により接続部６８を
覆うようにしたが、接続部６８の底面が確実に樹脂封止
用金型に接するための精度を確保できるのであれば、マ
スク用樹脂テープは必ずしも使用する必要はない。その
場合にも、第１〜第４の実施形態とは異なり、絶縁体を
用いることなく、内側インナーリード群が外側インナー
リード群と切り離され、かつたがいに分離された構造を
実現することができる。
【０１６３】（その他の実施形態）上記第５の実施形態
のような絶縁体を設けない構造は、以下のような製造工
程によっても実現できる。例えば上記第１の実施形態に
おいて、絶縁体２５を用いることなく、リードフレーム
の内側インナーリード群２３の各一部と半導体チップ３
０とを接着剤により接合し、裏面から接着剤により接続
されている部分よりも内側の部分をレーザー等によって
切断することによって、内側インナーリード群２３は半
導体チップ３０を介して支持リード部２２により支持さ
れ、かつ互いに分離した構造となる。その後、ワイヤボ
ンディング，樹脂封止，切断等の工程を行なうことによ
り、第５の実施形態と基本的に同じ構造を実現すること
ができる。ただし、この場合には、半導体チップ３０は
各インナーリード群２３，２４に対してアップセットさ
れていない。
のような絶縁体を設けない構造は、以下のような製造工
程によっても実現できる。例えば上記第１の実施形態に
おいて、絶縁体２５を用いることなく、リードフレーム
の内側インナーリード群２３の各一部と半導体チップ３
０とを接着剤により接合し、裏面から接着剤により接続
されている部分よりも内側の部分をレーザー等によって
切断することによって、内側インナーリード群２３は半
導体チップ３０を介して支持リード部２２により支持さ
れ、かつ互いに分離した構造となる。その後、ワイヤボ
ンディング，樹脂封止，切断等の工程を行なうことによ
り、第５の実施形態と基本的に同じ構造を実現すること
ができる。ただし、この場合には、半導体チップ３０は
各インナーリード群２３，２４に対してアップセットさ
れていない。
【０１６４】このような構造は、外側インナーリード群
が存在せずにインナーリード群が単一の構造である場合
（図８参照）や、外側インナーリード群が外枠から切り
離され、絶縁体を介して支持リード部によって支持され
ている場合にも適用できる。
が存在せずにインナーリード群が単一の構造である場合
（図８参照）や、外側インナーリード群が外枠から切り
離され、絶縁体を介して支持リード部によって支持され
ている場合にも適用できる。
【０１６５】次に、上記各実施形態における内側インナ
ーリード群又は外側インナーリード群の断面形状の変形
形態について、図２６（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説
明する。
ーリード群又は外側インナーリード群の断面形状の変形
形態について、図２６（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説
明する。
【０１６６】図２６（ａ）は、上記各実施形態で採用し
たリードフレームの内側インナーリード群２３の突出部
２６付近の形状を示す断面図である。このような構造の
場合、突出部２６をマスクして裏面側をハーフエッチン
グ処理することで、突出部２６が形成される。
たリードフレームの内側インナーリード群２３の突出部
２６付近の形状を示す断面図である。このような構造の
場合、突出部２６をマスクして裏面側をハーフエッチン
グ処理することで、突出部２６が形成される。
【０１６７】図２６（ｂ）は、リードフレームの内側イ
ンナーリード群２３の末端部をプレス成形することによ
って突出部２６を形成した場合の構造を示す断面図であ
る。このような構造の方が内側インナーリード群２３に
対する封止樹脂の保持力が高くなる利点があるが、反
面、突出部２６の底面の高さ位置の精度が必ずしも十分
でない場合がある。しかし、上記第５の実施形態のごと
く、封止樹脂工程の前にマスク用樹脂テープで突出部２
６を覆っておくことで、その不具合を解消することがで
きる。このことは、外側インナーリード群の突出部の構
造についても同様に適用できる。
ンナーリード群２３の末端部をプレス成形することによ
って突出部２６を形成した場合の構造を示す断面図であ
る。このような構造の方が内側インナーリード群２３に
対する封止樹脂の保持力が高くなる利点があるが、反
面、突出部２６の底面の高さ位置の精度が必ずしも十分
でない場合がある。しかし、上記第５の実施形態のごと
く、封止樹脂工程の前にマスク用樹脂テープで突出部２
６を覆っておくことで、その不具合を解消することがで
きる。このことは、外側インナーリード群の突出部の構
造についても同様に適用できる。
【０１６８】図２６（ｃ）は、内側インナーリード群２
３に突出部を設けずにフラットな底面としている場合で
ある。このような構造であっても、内側インナーリード
群２３のて裏面が封止樹脂から露出さえしていれば、母
基板との電気的接続を行なうことができる。ただし、は
んだボールを設ける場合には、ハーフエッチング，プレ
ス成形等により、突出部が形成されていることが好まし
い。
３に突出部を設けずにフラットな底面としている場合で
ある。このような構造であっても、内側インナーリード
群２３のて裏面が封止樹脂から露出さえしていれば、母
基板との電気的接続を行なうことができる。ただし、は
んだボールを設ける場合には、ハーフエッチング，プレ
ス成形等により、突出部が形成されていることが好まし
い。
【０１６９】
【発明の効果】請求項１〜１２によれば、半導体チップ
を内蔵する半導体装置の製造に使用されるリードフレー
ムとして、外枠とは切り離された内側インナーリード群
と支持リード部とに固着された絶縁体を設け、内側イン
ナーリード群を絶縁体を介して支持リード部により支持
する構造としたので、内側インナーリード群の裏面の突
出部を外部端子として利用すれば外部端子をグリッド状
に配置することも可能となり、極めて小型化，高密度実
装化された半導体装置の製造に適したリードフレームを
得ることができる。
を内蔵する半導体装置の製造に使用されるリードフレー
ムとして、外枠とは切り離された内側インナーリード群
と支持リード部とに固着された絶縁体を設け、内側イン
ナーリード群を絶縁体を介して支持リード部により支持
する構造としたので、内側インナーリード群の裏面の突
出部を外部端子として利用すれば外部端子をグリッド状
に配置することも可能となり、極めて小型化，高密度実
装化された半導体装置の製造に適したリードフレームを
得ることができる。
【０１７０】特に、内側インナーリード群と外枠との間
に外側インナーリード群を介在させて、内側インナーリ
ード群の末端部と外側インナーリード群の先端部とを互
いに間隙に入り込ませて交互に配列させることで、高密
度実装化，多ピン化に最適なリードフレームを得ること
ができる。
に外側インナーリード群を介在させて、内側インナーリ
ード群の末端部と外側インナーリード群の先端部とを互
いに間隙に入り込ませて交互に配列させることで、高密
度実装化，多ピン化に最適なリードフレームを得ること
ができる。
【０１７１】このリードフレームの構造は、請求項１３
〜２１のリードフレームの製造方法によってそれぞれ実
現できる。
〜２１のリードフレームの製造方法によってそれぞれ実
現できる。
【０１７２】請求項２２〜３３の半導体装置によれば、
外枠とは切り離され絶縁体を介して支持リードにより支
持された内側インナーリード群（あるいは内側及び外側
インナーリード群）を有するリードフレームと、リード
フレーム上に搭載された半導体チップと、内側インナー
リード群の末端部と半導体チップの電極パッドとを電気
的に接続する金属細線とを封止樹脂内に封止してなる半
導体装置を設け、内側インナーリード群の裏面の少なく
とも一部を露出させて外部端子としたので、高密度実装
化，多ピン化された半導体装置を得ることができる。
外枠とは切り離され絶縁体を介して支持リードにより支
持された内側インナーリード群（あるいは内側及び外側
インナーリード群）を有するリードフレームと、リード
フレーム上に搭載された半導体チップと、内側インナー
リード群の末端部と半導体チップの電極パッドとを電気
的に接続する金属細線とを封止樹脂内に封止してなる半
導体装置を設け、内側インナーリード群の裏面の少なく
とも一部を露出させて外部端子としたので、高密度実装
化，多ピン化された半導体装置を得ることができる。
【０１７３】この構造は、請求項３７〜４１の半導体装
置の製造方法によってそれぞれ実現できる。
置の製造方法によってそれぞれ実現できる。
【０１７４】請求項３４〜３６の半導体装置によれば、
絶縁体を設けずに外枠とは切り離された内側インナーリ
ード群（あるいは内側及び外側インナーリード群）を有
するリードフレームと、リードフレーム上に搭載された
半導体チップと、内側インナーリード群の末端部と半導
体チップの電極パッドとを電気的に接続する金属細線と
を封止樹脂内に封止してなる半導体装置を設け、内側イ
ンナーリード群の裏面の少なくとも一部を露出させて外
部端子としたので、小型化，高密度実装化された半導体
装置を得ることができる。
絶縁体を設けずに外枠とは切り離された内側インナーリ
ード群（あるいは内側及び外側インナーリード群）を有
するリードフレームと、リードフレーム上に搭載された
半導体チップと、内側インナーリード群の末端部と半導
体チップの電極パッドとを電気的に接続する金属細線と
を封止樹脂内に封止してなる半導体装置を設け、内側イ
ンナーリード群の裏面の少なくとも一部を露出させて外
部端子としたので、小型化，高密度実装化された半導体
装置を得ることができる。
【０１７５】この構造は、請求項４２〜４５の半導体装
置の製造方法によってそれぞれ実現できる。
置の製造方法によってそれぞれ実現できる。
【図１】第１の実施形態におけるリードフレームの上面
図である。
図である。
【図２】第１の実施形態におけるリードフレームの裏面
図である。
図である。
【図３】第１の実施形態におけるリードフレームの製造
工程のうち金属板に対してエッチング処理またはプレス
加工を施して構成されるリードフレーム体の上面図であ
る。
工程のうち金属板に対してエッチング処理またはプレス
加工を施して構成されるリードフレーム体の上面図であ
る。
【図４】第１の実施形態におけるリードフレームの製造
工程のうちリードフレーム体のの裏面にハーフエッチン
グ処理を施したときのリードフレームの構造を示す裏面
図である。
工程のうちリードフレーム体のの裏面にハーフエッチン
グ処理を施したときのリードフレームの構造を示す裏面
図である。
【図５】第１の実施形態におけるリードフレームの製造
工程のうち内側インナーリード群と支持リード部の上に
絶縁体を載置したときのリードフレームの構造を示す上
面図である。
工程のうち内側インナーリード群と支持リード部の上に
絶縁体を載置したときのリードフレームの構造を示す上
面図である。
【図６】第１の実施形態におけるリードフレームの製造
工程のうち内側インナーリード群と支持リード部との接
続部を切り離したときのリードフレームの構造を示す上
面図である。
工程のうち内側インナーリード群と支持リード部との接
続部を切り離したときのリードフレームの構造を示す上
面図である。
【図７】第１の実施形態におけるリードフレームの製造
工程のうち内側インナーリード群と支持リード部との接
続部を切り離したときのリードフレームの構造を示す裏
面図である。
工程のうち内側インナーリード群と支持リード部との接
続部を切り離したときのリードフレームの構造を示す裏
面図である。
【図８】第２の実施形態におけるリードフレームの上面
図である。
図である。
【図９】第３の実施形態におけるリードフレームの上面
図である。
図である。
【図１０】第４の実施形態における半導体装置の封止樹
脂を透明体として内部を示す半導体装置の平面図であ
る。
脂を透明体として内部を示す半導体装置の平面図であ
る。
【図１１】それぞれ図１０に示すXIa-XIa 線，XIb-XIb
線断面における断面図である。
線断面における断面図である。
【図１２】第４の実施形態における半導体装置の封止樹
脂を透明としない場合の半導体装置の平面図である。
脂を透明としない場合の半導体装置の平面図である。
【図１３】第４の実施形態における半導体装置の底面図
である。
である。
【図１４】突出部にボール電極が形成された第４の実施
形態の半導体装置の図１０に示すXIa-XIa 線断面におけ
る断面図である。
形態の半導体装置の図１０に示すXIa-XIa 線断面におけ
る断面図である。
【図１５】第４の実施形態の半導体装置の製造工程のう
ちリードフレームを準備する工程におけるリードフレー
ムの平面図である。
ちリードフレームを準備する工程におけるリードフレー
ムの平面図である。
【図１６】第４の実施形態の半導体装置の製造工程のう
ちリードフレーム上に半導体チップを載置したときの状
態を示す平面図である。
ちリードフレーム上に半導体チップを載置したときの状
態を示す平面図である。
【図１７】第４の実施形態の半導体装置の製造工程のう
ち半導体チップの電極パッドと内側インナーリード群，
外側インナーリード群との間でワイヤボンディングを行
なったときの状態を示す平面図である。
ち半導体チップの電極パッドと内側インナーリード群，
外側インナーリード群との間でワイヤボンディングを行
なったときの状態を示す平面図である。
【図１８】第４の実施形態の半導体装置の製造工程のう
ち樹脂封止を行なった後外枠を切り離したときの状態を
封止樹脂を透明体として示す平面図である。
ち樹脂封止を行なった後外枠を切り離したときの状態を
封止樹脂を透明体として示す平面図である。
【図１９】第５の実施形態の半導体装置の製造工程のう
ちリードフレームを準備する工程におけるリードフレー
ムの平面図である。
ちリードフレームを準備する工程におけるリードフレー
ムの平面図である。
【図２０】図１９に示すXX−XX線断面における断面図で
ある。
ある。
【図２１】第５の実施形態の半導体装置の製造工程のう
ちリードフレーム上に半導体チップを載置したときの状
態を図１９のXX−XX線断面で示す断面図である。
ちリードフレーム上に半導体チップを載置したときの状
態を図１９のXX−XX線断面で示す断面図である。
【図２２】第５の実施形態の半導体装置の製造工程のう
ち半導体チップの電極パッドと内側インナーリード群，
外側インナーリード群との間でワイヤボンディングを行
なった後樹脂封止工程を行なったときの状態を示す平面
図である。
ち半導体チップの電極パッドと内側インナーリード群，
外側インナーリード群との間でワイヤボンディングを行
なった後樹脂封止工程を行なったときの状態を示す平面
図である。
【図２３】図２２に示すXXIII-XXIII 線断面における断
面図である。
面図である。
【図２４】第５の実施形態の半導体装置の製造工程のう
ち樹脂封止を行なった外枠を切り離したときの状態を封
止樹脂を透明体として示す平面図である。
ち樹脂封止を行なった外枠を切り離したときの状態を封
止樹脂を透明体として示す平面図である。
【図２５】図２４に示すXXV-XXV 線断面における断面図
である。
である。
【図２６】各実施形態におけるインナーリード群の突出
部をハーフエッチングで形成した構造，プレス成形で形
成した構造及び突出部を設けない構造をそれぞれ示す断
面図である。
部をハーフエッチングで形成した構造，プレス成形で形
成した構造及び突出部を設けない構造をそれぞれ示す断
面図である。
【図２７】従来のリードフレームの構成を示す上面図で
ある。
ある。
【図２８】従来のリードフレームの製造工程のうち金属
板に対してエッチング処理またはプレス加工を施して構
成されるリードフレーム体の構造を右上部分のみで示す
部分平面図、インナーリード群とダイパッドとの接続部
を除去したときのリードフレームの構造を右上部分のみ
で示す部分平面図である。
板に対してエッチング処理またはプレス加工を施して構
成されるリードフレーム体の構造を右上部分のみで示す
部分平面図、インナーリード群とダイパッドとの接続部
を除去したときのリードフレームの構造を右上部分のみ
で示す部分平面図である。
【図２９】従来の半導体装置を封止樹脂を透明体として
示す平面図である。
示す平面図である。
【図３０】図２９に示すXXX-XXX 線断面における断面図
である。
である。
２０ ダイパッド部 ２１ 外枠 ２２ 支持リード部 ２３ 内側インナーリード群 ２４ 外側インナーリード群 ２５ 絶縁体 ２６ 突出部 ２７ 突出部 ２８ 接続部 ２９ リードフレーム構成体 ３０ 半導体チップ ３１ 金属細線 ３２ 封止樹脂 ３３ 外部端子 ３４ はんだボール ５１ 外枠 ５２ 支持リード部 ５３ 内側インナーリード群 ５５ 絶縁体 ６０ ダイパッド部 ６１ 外枠 ６２ 支持リード部 ６３ 内側インナーリード群 ６４ 外側インナーリード群 ６５ 絶縁体 ６６ 突出部 ６７ 突出部 ６８ 接続部 ６９ リードフレーム構成体 ７０ 半導体チップ ７１ 金属細線 ７２ 封止樹脂 ７３ 外部端子 ７４ はんだボール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 南尾 匡紀 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工 業株式会社内 (56)参考文献 特開 平９−64225（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−148504（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−163245（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 23/12
Claims (47)
- 【請求項１】 半導体チップを内蔵する半導体装置の製
造に使用されるリードフレームであって、 外枠と、 上記外枠に接続される支持リード部と、 先端部が上記半導体チップの搭載領域内又はその近傍
に、末端部が上記半導体チップの搭載領域よりも外方に
かつ上記外枠とは切り離されてそれぞれ配置され、互い
に分離している内側インナーリード群と、 上記支持リード部と上記内側インナーリード群とにそれ
らの上面側で固着された絶縁体とを備え、 上記内側インナーリード群は、上記絶縁体を介して上記
支持リード部により支持されていることを特徴とするリ
ードフレーム。 - 【請求項２】 請求項１記載のリードフレームにおい
て、 上記内側インナーリード群の裏面側には、外部端子とな
る突出部が設けられていることを特徴とするリードフレ
ーム。 - 【請求項３】 請求項２記載のリードフレームにおい
て、 上記内側インナーリード群の各突出部の底面は平面上で
複数の列を構成していることを特徴とするリードフレー
ム。 - 【請求項４】 請求項１〜３のうちいずれか１つに記載
のリードフレームにおいて、 上記内側インナーリード群と上記外枠との間には、先端
部が上記内側インナーリード群の末端部とは切り離され
た外側インナーリード群が介在していることを特徴とす
るリードフレーム。 - 【請求項５】 請求項４記載のリードフレームにおい
て、 上記外側インナーリード群の末端部は上記外枠に接続さ
れていることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項６】 請求項４記載のリードフレームにおい
て、 上記外側インナーリード群の末端部は上記外枠と切り離
されていて、 上記支持リード部と上記外側インナーリード群とにそれ
らの上面側で固着される外側絶縁体をさらに備えている
ことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項７】 請求項４〜６のうちいずれか１つに記載
のリードフレームにおいて、 上記内側インナーリード群の各末端部と上記外側インナ
ーリード群の先端部とは互いの間隙に入り込んでおり、
互いにほぼ交互に配列されていることを特徴とするリー
ドフレーム。 - 【請求項８】 請求項４〜７のうちいずれか１つに記載
のリードフレームにおいて、 上記外側インナーリード群の裏面側には外部端子となる
突出部が設けられていることを特徴とするリードフレー
ム。 - 【請求項９】 請求項８記載のリードフレームにおい
て、 上記外側インナーリード群の各突出部の底面は平面上で
複数の列を構成していることを特徴とするリードフレー
ム。 - 【請求項１０】 請求項１〜９のうちいずれか１つに記
載のリードフレームにおいて、 上記内側インナーリード群の先端部の内方側の領域は、
開口されていることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項１１】 請求項１〜９のうちいずれか１つに記
載のリードフレームにおいて、 上記支持リード部は、上記外枠の１つの部位から延びて
上記外枠の他の部位に接続されていることを特徴とする
リードフレーム。 - 【請求項１２】 請求項１〜９のうちいずれか１つに記
載のリードフレームにおいて、 上記内側インナーリード群の内方には、上記内側インナ
ーリード群に対してアップセットされたダイパッド部が
形成されており、 上記支持リード部の先端部は、上記ダイパッド部に接続
されていることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項１３】 半導体チップを内蔵する半導体装置の
製造に使用されるリードフレームの製造方法であって、 リードフレームを構成する金属板を選択的に除去する加
工を行なって、外枠と、上記外枠に接続される支持リー
ド部と、先端部が上記支持リード部に接続された内側イ
ンナーリード群とを形成する第１の工程と、 絶縁体を上記支持リード部と上記内側インナーリード群
との上面に固着させる第２の工程と、 上記絶縁体を介して上記内側インナーリード群を上記支
持リード部により支持した状態で、上記金属板を選択的
に除去する加工を行なって、少なくとも上記内側インナ
ーリード群と上記支持リード部との接続部を除去する第
３の工程とを備え、 先端部が上記半導体チップの搭載領域内又はその近傍
に、末端部が上記半導体チップの搭載領域よりも外方に
かつ上記外枠とは切り離されてそれぞれ配置され、互い
に分離している内側インナーリード群を残存させること
を特徴とするリードフレームの製造方法。 - 【請求項１４】 請求項１３記載のリードフレームの製
造方法において、 上記内側インナーリード群の裏面側に突出部を形成する
工程をさらに備えていることを特徴とするリードフレー
ムの製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１４記載のリードフレームの製
造方法において、 上記内側インナーリード群の突出部を形成する工程は、
上記第１の工程の後に、金属板の裏面に少なくとも突出
部となる領域をマスクしたハーフエッチングを施すこと
により行なわれることを特徴とするリードフレームの製
造方法。 - 【請求項１６】 請求項１４記載のリードフレームの製
造方法において、 上記内側インナーリード群の突出部を形成する工程は、
上記第１の工程と同時又はその後におけるプレス成形に
より行なわれることを特徴とするリードフレームの製造
方法。 - 【請求項１７】 請求項１３〜１６のうちいずれか１つ
に記載のリードフレームの製造方法において、 上記第１の工程では、上記内側インナーリード群と上記
外枠との間に上記外枠に接続される外側インナーリード
群を形成しておき、 上記第３の工程の終了後において、先端部が上記内側イ
ンナーリード群の各末端部に近接しながら切り離され、
末端部が上記外枠と切り離された外側インナーリード群
を残存させることを特徴とするリードフレームの製造方
法。 - 【請求項１８】 請求項１３〜１６のうちいずれか１つ
に記載のリードフレームの製造方法において、 上記第１の工程では、上記金属板における上記内側イン
ナーリード群と上記外枠との間に外側インナーリード群
となる部分を残しておき、 上記第２の工程では、外側絶縁体を上記支持リード部と
上記外側インナーリード群となる領域との上面に固着
し、 上記第３の工程では、上記外側インナーリード群の末端
部と上記外枠とを切り離し、 上記第３の工程の終了後において、先端部が上記内側イ
ンナーリード群の各末端部に近接し末端部が上記外枠に
接続される外側インナーリード群を残存させることを特
徴とするリードフレームの製造方法。 - 【請求項１９】 請求項１７又は１８記載のリードフレ
ームの製造方法において、 上記第１の工程の後に、上記外側インナーリード群の裏
面側に外部端子となる突出部を形成する工程をさらに備
えていることを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 【請求項２０】 請求項１９記載のリードフレームの製
造方法において、 上記外側インナーリード群の突出部を形成する工程は、
上記第１の工程の後に、金属板の裏面に少なくとも突出
部となる領域をマスクしたハーフエッチングを施すこと
により行なわれることを特徴とするリードフレームの製
造方法。 - 【請求項２１】 請求項２０記載のリードフレームの製
造方法において、 上記外側インナーリード群の突出部を形成する工程は、
上記第１の工程と同時又はその後におけるプレス成形に
より行なわれることを特徴とするリードフレームの製造
方法。 - 【請求項２２】 電極パッドを有する半導体チップと、 先端部が上記半導体チップの搭載領域内又はその近傍
に、末端部が上記半導体チップの搭載領域よりも外方に
それぞれ配置され、互いに分離している内側インナーリ
ード群と、 上記内側インナーリード群を支持するための支持リード
部と、 上記支持リード部と上記内側インナーリード群とにそれ
らの上面側で固着された絶縁体と、 上記半導体チップの電極パッドと上記内側インナーリー
ド群の末端部とを電気的に接続するための金属細線と、 上記半導体チップ，上記内側インナーリード群，上記支
持リード部，上記絶縁体及び上記金属細線を封止する封
止樹脂とを備え、 上記内側インナーリード群の末端部は上記封止樹脂内に
埋め込まれている一方、上記支持リード部は上記封止樹
脂の側面まで延びており、 上記内側インナーリード群の裏面の少なくとも一部が上
記封止樹脂に覆われずに露出して外部端子となっている
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２３】 請求項２２記載の半導体装置におい
て、 上記支持リード部の先端は、上記絶縁体が固着されてい
る部位よりも内方の位置で切断されており、 上記半導体チップは、上記絶縁体の上に載置されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２４】 請求項２２記載の半導体装置におい
て、 上記支持リード部は、上記外枠の１つの部位から延びて
上記外枠の他の部位に接続されていることを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項２５】 請求項２２記載の半導体装置におい
て、 上記内側インナーリード群の内方には、上記内側インナ
ーリード群に対してアップセットされたダイパッド部が
形成されており、 上記支持リード部の先端部は上記ダイパッド部に接続さ
れていて、 上記半導体チップは上記ダイパッド上に載置されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２６】 請求項２２〜２５のうちいずれか１つ
に記載の半導体装置において、 上記内側インナーリード群の裏面側には突出部が形成さ
れており、 上記内側インナーリード群の裏面の露出している部分
は、上記突出部の底面であり、 上記内側インナーリード群の各突出部の底面は平面上で
複数の列を構成していることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２７】 請求項２６記載の半導体装置におい
て、 上記突出部の露出している底面上にはボール電極が付設
されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２８】 請求項２２〜２７のうちいずれか１つ
に記載の半導体装置において、 上記内側インナーリード群と上記外枠との間には、先端
部が上記内側インナーリード群の末端部とは切り離され
た外側インナーリード群が介在しており、 上記外側インナーリード群の裏面の少なくとも一部が上
記封止樹脂に覆われずに露出していて、 上記外側インナーリード群の先端部と上記半導体チップ
の電極パッドとを接続する金属細線をさらに備えている
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２９】 請求項２８記載の半導体装置におい
て、 上記外側インナーリード群の末端部は上記封止樹脂内に
埋め込まれていて、 上記支持リード部と上記外側インナーリード群とにそれ
らの上面側で固着された外側絶縁体をさらに備えている
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３０】 請求項２８記載の半導体装置におい
て、 上記外側インナーリード群の末端部は上記封止樹脂の側
面まで延びていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３１】 請求項２８〜３０のうちいずれか１つ
に記載の半導体装置において、 上記内側インナーリード群の各末端部と上記外側インナ
ーリード群の先端部とは互いの間隙に入り込んでおり、
互いにほぼ交互に配列されていることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項３２】 請求項２８〜３１のうちいずれか１つ
に記載の半導体装置において、 上記外側インナーリード群の裏面側には突出部が形成さ
れており、 上記外側インナーリード群の裏面の露出している部分
は、上記突出部の底面であり、 上記外側インナーリード群の各突出部の底面は平面上で
複数の列を構成していることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３３】 請求項２８〜３２のうちいずれか１つ
に記載の半導体装置において、 上記突出部の露出している底面上にはボール電極が付設
されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３４】 電極パッドを有する半導体チップと、 先端部が上記半導体チップの搭載領域内に、末端部が上
記半導体チップの搭載領域よりも外方にそれぞれ配置さ
れ、互いに分離している内側インナーリード群と、 上記内側インナーリード群を支持するための支持リード
部と、 上記半導体チップの電極パッドと上記内側インナーリー
ド群の末端部とを電気的に接続するための金属細線と、 上記半導体チップ，上記内側インナーリード群，上記支
持リード部及び上記金属細線を封止する封止樹脂とを備
え、 上記内側インナーリード群の末端部は上記封止樹脂内に
埋め込まれている一方、上記支持リード部は上記封止樹
脂の側面まで延びており、 上記内側インナーリード群の裏面の少なくとも一部が上
記封止樹脂に覆われずに露出していて、 上記半導体チップは、上記内側インナーリード群の上記
末端部を除く部分の上に載置されていることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項３５】 請求項３４記載の半導体装置におい
て、 上記内側インナーリード群と上記外枠との間には、先端
部が上記内側インナーリード群の末端部とは切り離され
た外側インナーリード群が介在しており、 上記外側インナーリード群の裏面の少なくとも一部が上
記封止樹脂に覆われずに露出していて、 上記外側インナーリード群の先端部と上記半導体チップ
の電極パッドとを接続する金属細線をさらに備えている
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３６】 請求項３５記載の半導体装置におい
て、 上記内側インナーリード群の各末端部と上記外側インナ
ーリード群の先端部とは互いの間隙に入り込んでおり、
互いにほぼ交互に配列されていることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項３７】 外枠と、上記外枠に接続される支持リ
ード部と、先端部が半導体チップの搭載領域内又はその
近傍に、末端部が上記半導体チップの搭載領域よりも外
方にかつ上記外枠とは切り離されてそれぞれ配置され、
互いに分離している内側インナーリード群と、上記支持
リード部と上記内側インナーリード群とにそれらの上面
側で固着された絶縁体とを有するリードフレームを準備
する第１の工程と、 上記リードフレームの上に半導体チップを載置する第２
の工程と、 上記半導体チップの電極パッドと上記内側インナーリー
ド群の末端部とを金属細線で電気的に接続する第３の工
程と、 上記内側インナーリード群の各裏面のうち少なくとも一
部を露出させながら、上記リードフレームのうちの外枠
を除く部分，上記半導体チップ及び上記金属細線を封止
樹脂により封止する第４の工程と、 上記リードフレームを切断して上記外枠を除去する第５
の工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項３８】 請求項３７記載の半導体装置の製造方
法において、 上記第１の工程では、上記内側インナーリード群と上記
外枠との間に、先端部が上記内側インナーリード群の末
端部とは切り離された外側インナーリード群を介在させ
ておき、 上記第３の工程では、上記半導体チップの電極パッドと
上記外側インナーリード群の先端部とをも金属細線で電
気的に接続し、 上記第４の工程では、上記外側インナーリード群の各裏
面のうち少なくとも一部を露出させておくことを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項３９】 請求項３８記載の半導体装置の製造方
法において、 上記第１の工程では、上記内側インナーリード群の各末
端部と上記外側インナーリード群の先端部とを互いの間
隙に入り込ませて、互いにほぼ交互に配列させておき、 上記第３の工程は、上記半導体チップの電極パッドと上
記内側インナーリード群の末端部との間を接続する金属
細線の長さと、上記半導体チップの電極パッドと上記外
側インナーリード群の先端部との間を接続する金属細線
の長さとがほぼ一定になるように行なわれることを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４０】 請求項３７〜３９のうちいずれか１つ
に記載の半導体装置の製造方法において、 上記第１の工程では、上記内側インナーリード群の内方
が開口されたリードフレームを準備しておき、 上記第２の工程では、上記半導体チップを上記絶縁体の
上に載置することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４１】 請求項３７〜３９のうちいずれか１つ
に記載の半導体装置の製造方法において、 上記第１の工程では、上記内側インナーリード群の内方
に、上記内側インナーリード群よりもアップセットされ
たダイパッド部を有するリードフレームを準備してお
き、 上記第２の工程では、上記半導体チップを上記ダイパッ
ド部の上に載置することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項４２】 外枠と、上記外枠に接続される支持リ
ード部と、各先端部が上記支持リード部に接続され、末
端部が上記外枠とは切り離されかつ半導体チップの搭載
領域よりも外方にある内側インナーリード群とを有する
リードフレームを準備する第１の工程と、 上記リードフレームの上に半導体チップを載置する第２
の工程と、 上記半導体チップの電極パッドと上記内側インナーリー
ド群の末端部とを金属細線で電気的に接続する第３の工
程と、 上記内側インナーリード群の各裏面のうち少なくとも一
部と、上記内側インナーリード群の各先端部と上記支持
リード部との間の接続部の裏面とを露出させながら、上
記リードフレームのうちの外枠を除く部分，上記半導体
チップ及び上記金属細線を封止樹脂により封止する第４
の工程と、 上記第４の工程の後に、上記封止樹脂から露出している
上記内側インナーリード群の各先端部と上記支持リード
部との間の接続部を除去して、上記内側インナーリード
群と上記支持リード部とを切り離すと共に上記内側イン
ナーリード群を互いに分離させる第５の工程と、 上記リードフレームを切断して上記外枠を除去する第６
の工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項４３】 請求項４２記載の半導体装置の製造方
法において、 上記第１の工程では、上記内側インナーリード群と上記
外枠との間には、先端部が上記内側インナーリード群の
末端部とは切り離された外側インナーリード群を介在さ
せておき、 上記第３の工程では、さらに上記半導体チップの電極パ
ッドと上記外側インナーリード群の先端部とを金属細線
で電気的に接続し、 上記第４の工程では、上記外側インナーリード群の各裏
面のうち少なくとも一部を露出させておくことを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項４４】 請求項４２又は４３記載の半導体装置
の製造方法において、 上記第４の工程の前に、少なくとも上記内側インナーリ
ード群の各先端部と上記支持リード部との間の接続部の
裏面を封止樹脂に対するマスク用部材で被覆する工程を
さらに備え、 上記第５の工程は、上記マスク用部材を除去してから行
なわれることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４５】 請求項４４記載の半導体装置の製造方
法において、 上記第１の工程では、少なくとも上記内側インナーリー
ド群の裏面側にプレス成形によって突出部を形成してお
き、 上記第４の工程の前に、上記マスク用部材により上記突
出部の底面をも被覆しておくことを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項４６】 外枠と、上記外枠に接続される支持リ
ード部と、各先端部が上記支持リード部に接続され、末
端部が上記外枠とは切り離されかつ上記半導体チップの
搭載領域よりも外方にある内側インナーリード群とを有
するリードフレームを準備する第１の工程と、 上記リードフレームの上記内側インナーリード群の上面
に半導体チップを固着する第２の工程と、 上記第２の工程の後に、上記内側インナーリード群の各
先端部と上記支持リード部との間の接続部を除去して、
上記内側インナーリード群と上記支持リード部とを切り
離すと共に上記内側インナーリード群を互いに分離させ
る第３の工程と、 上記半導体チップの電極パッドと上記内側インナーリー
ド群の末端部とを金属細線で電気的に接続する第４の工
程と、 上記内側インナーリード群の各裏面のうち少なくとも一
部を露出させながら、上記リードフレームのうちの外枠
を除く部分，上記半導体チップ及び上記金属細線を封止
樹脂により封止する第５の工程と、 上記リードフレームを切断して上記外枠を除去する第６
の工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項４７】 請求項４６記載の半導体装置の製造方
法において、 上記第１の工程では、上記内側インナーリード群と上記
外枠との間には、先端部が上記内側インナーリード群の
末端部とは切り離された外側インナーリード群を介在さ
せておき、 上記第４の工程では、さらに上記半導体チップの電極パ
ッドと上記外側インナーリード群の先端部とを金属細線
で電気的に接続し、 上記第５の工程では、上記外側インナーリード群の各裏
面のうち少なくとも一部を露出させておくことを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35259897A JP3093704B2 (ja) | 1996-12-24 | 1997-12-22 | リードフレーム，リードフレームの製造方法，半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-342997 | 1996-12-24 | ||
| JP34299796 | 1996-12-24 | ||
| JP35259897A JP3093704B2 (ja) | 1996-12-24 | 1997-12-22 | リードフレーム，リードフレームの製造方法，半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242363A JPH10242363A (ja) | 1998-09-11 |
| JP3093704B2 true JP3093704B2 (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=26577397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35259897A Expired - Fee Related JP3093704B2 (ja) | 1996-12-24 | 1997-12-22 | リードフレーム，リードフレームの製造方法，半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3093704B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4173346B2 (ja) | 2001-12-14 | 2008-10-29 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
| EP1470587A1 (en) * | 2002-02-01 | 2004-10-27 | Infineon Technologies AG | A lead frame |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP35259897A patent/JP3093704B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10242363A (ja) | 1998-09-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3062192B1 (ja) | リ―ドフレ―ムとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP3780122B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6489182B2 (en) | Method of fabricating a wire arrayed chip size package | |
| JP4091050B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3436159B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH11312706A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法、リードフレーム | |
| JP2004071801A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
| JP2000294719A (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置ならびにその製造方法 | |
| JPH1168006A (ja) | リードフレーム及びこれを用いた半導体装置及びこれらの製造方法 | |
| JP3046024B1 (ja) | リ―ドフレ―ムおよびそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP3470111B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP3072291B1 (ja) | リ―ドフレ―ムとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3478139B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP3292082B2 (ja) | ターミナルランドフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH04233244A (ja) | 集積回路アセンブリ | |
| JP3430976B2 (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3093704B2 (ja) | リードフレーム，リードフレームの製造方法，半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPS61183936A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH11260990A (ja) | リードフレーム，樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| KR100281298B1 (ko) | 볼그리드어레이용리드프레임과,그것을이용한반도체장치및그제조방법 | |
| JPH11260989A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2001077283A (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP3992877B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP3959898B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2001077285A (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000711 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070728 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080728 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090728 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090728 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100728 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110728 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110728 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120728 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |