JPH01238151A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH01238151A JPH01238151A JP63066450A JP6645088A JPH01238151A JP H01238151 A JPH01238151 A JP H01238151A JP 63066450 A JP63066450 A JP 63066450A JP 6645088 A JP6645088 A JP 6645088A JP H01238151 A JPH01238151 A JP H01238151A
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- leads
- insulating plate
- wiring
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- Pending
Links
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用リードフレームに関し、特にリー
ドフレームのリード先端部の構造に関するものである・ 〔従来の技術〕 従来の半導体装置用リードフレームは、そのリードのパ
ターンを成形するために金属フレームをプレス加工で打
抜くか又は、化学的にエツチングして加工を行なってい
た。
ドフレームのリード先端部の構造に関するものである・ 〔従来の技術〕 従来の半導体装置用リードフレームは、そのリードのパ
ターンを成形するために金属フレームをプレス加工で打
抜くか又は、化学的にエツチングして加工を行なってい
た。
上述した従来のリードフレーム加工技術では、パッケー
ジの多ピン化やリードフレームのファイン化に伴なうリ
ード形状及びリードピッチの微細化のために要求される
加工精度を満足することができなくなってきている０例
えば、微細加工向きとされるエツチング加工においても
リードピッチはリードフレームの板厚の８０％程度の間
隔が最小限度とされており、微細加工に限度があった。
ジの多ピン化やリードフレームのファイン化に伴なうリ
ード形状及びリードピッチの微細化のために要求される
加工精度を満足することができなくなってきている０例
えば、微細加工向きとされるエツチング加工においても
リードピッチはリードフレームの板厚の８０％程度の間
隔が最小限度とされており、微細加工に限度があった。
本発明の目的は、上記の金属フレームをプレス加工ある
いはエツチングにより成形した従来のリードフレームと
全く異なる新規な構造の微細化加工が可能なリードフレ
ームを提供することにある。
いはエツチングにより成形した従来のリードフレームと
全く異なる新規な構造の微細化加工が可能なリードフレ
ームを提供することにある。
本発明のリードフレームは、リード部が、複合構造をな
し、基部リード部と、該基部リード部の各リード先端に
またがって固着された絶縁板の表面に、各リードに対応
して形成された金属薄膜の配線リードパターンとからな
り、該配線リードパターンの各配線リードの１端が前記
基部リード部の対応する各リードと電気的接続がなされ
、他端がワイヤポンディング部となっているものである
。
し、基部リード部と、該基部リード部の各リード先端に
またがって固着された絶縁板の表面に、各リードに対応
して形成された金属薄膜の配線リードパターンとからな
り、該配線リードパターンの各配線リードの１端が前記
基部リード部の対応する各リードと電気的接続がなされ
、他端がワイヤポンディング部となっているものである
。
絶縁板表面上の金属薄膜の配線リードパターンは、エツ
チングまたは蒸着等により微細にその間隔を形成できる
。一方、基部リード部は、半導体素子より離れて形成さ
れるので、相互間隔は大きく、またそのリード幅も広い
ので、金属フレームから通常の方法による打抜きにより
形成できる。配線リードと基部リードとの電気的接続は
、例えば絶縁板に設けた貫通孔をとおして行なうことが
できる。
チングまたは蒸着等により微細にその間隔を形成できる
。一方、基部リード部は、半導体素子より離れて形成さ
れるので、相互間隔は大きく、またそのリード幅も広い
ので、金属フレームから通常の方法による打抜きにより
形成できる。配線リードと基部リードとの電気的接続は
、例えば絶縁板に設けた貫通孔をとおして行なうことが
できる。
以下、本発明の実施例につき図面を参照して説明する。
第１図は、第１実施例の平面図で、半導体素子を搭載し
てワイヤポンディングした状態を示す図である。第２図
は第１図のＡ−Ａ’線断面図である。
てワイヤポンディングした状態を示す図である。第２図
は第１図のＡ−Ａ’線断面図である。
１はリードフレームの外枠部、２はダムリード、４はタ
ブリードである。ダムリード２にその一端を連結されて
複数個の基部リード３が、またタブリード２の先端部に
半導体素子５を搭載するタブ６が成形されているが、こ
れらの各部はすべて金属フレームの打抜き加工による。
ブリードである。ダムリード２にその一端を連結されて
複数個の基部リード３が、またタブリード２の先端部に
半導体素子５を搭載するタブ６が成形されているが、こ
れらの各部はすべて金属フレームの打抜き加工による。
なお、第１図では、ｘ−ｘ’線に対して、リード構造が
対称となっているので、右側部分は一部省いている。
対称となっているので、右側部分は一部省いている。
各基部リード３の先端部にまたがって、絶縁板として耐
熱性の硬質樹脂枠８が、固着されている。硬質樹脂枠８
はその表面に金属薄膜による配線リード１０のパターン
が形成されている。この配線リード１０は、蒸着金属膜
のエツチングあるいは真空蒸着等によるコーティングに
より、微細構造とすることができる。配線リード１０と
基部リード３との電気接続は、硬質樹脂枠８の一端に設
けた貫通孔７を通してなされる。タブ６は、高さを調整
して、基部リード３より低く吊下げられ、その上に銀ペ
ースト９によって半導体素子５が溶着され、金属細線１
１によって、配線リード１０とのワイヤポンディングが
なされる。
熱性の硬質樹脂枠８が、固着されている。硬質樹脂枠８
はその表面に金属薄膜による配線リード１０のパターン
が形成されている。この配線リード１０は、蒸着金属膜
のエツチングあるいは真空蒸着等によるコーティングに
より、微細構造とすることができる。配線リード１０と
基部リード３との電気接続は、硬質樹脂枠８の一端に設
けた貫通孔７を通してなされる。タブ６は、高さを調整
して、基部リード３より低く吊下げられ、その上に銀ペ
ースト９によって半導体素子５が溶着され、金属細線１
１によって、配線リード１０とのワイヤポンディングが
なされる。
次に、第２実施例につき説明する。この実施例では、タ
ブを廃止し、絶縁板に直接半導体素子を搭載する。第３
図は、その断面図で、第２図に対応する。絶縁板１２は
耐熱性の硬質樹脂より形成するが、中央部１２Ａは凹部
を形成し、ここに半導体素子５を融着する。絶縁板１２
の周縁部に複数個の配線リード１０のパターンを形成し
、各配線リード１０を対応する基部リード３と電気接続
をなすことは第１実施例と同様である。
ブを廃止し、絶縁板に直接半導体素子を搭載する。第３
図は、その断面図で、第２図に対応する。絶縁板１２は
耐熱性の硬質樹脂より形成するが、中央部１２Ａは凹部
を形成し、ここに半導体素子５を融着する。絶縁板１２
の周縁部に複数個の配線リード１０のパターンを形成し
、各配線リード１０を対応する基部リード３と電気接続
をなすことは第１実施例と同様である。
第２実施例では、半導体素子搭載部のサイズを自由に決
定できるので、単一のリードフレームで絶縁板の形状お
よび配線リードパターンを変えることで、多数の半導体
素子に対応することができる。
定できるので、単一のリードフレームで絶縁板の形状お
よび配線リードパターンを変えることで、多数の半導体
素子に対応することができる。
以上説明したように本発明は、リード部を複合構造とし
、基部リード部と９表面に金属９ｉ膜で配線リードパタ
ーンを形成した絶縁板とから構成し、基部リード先端部
に電気的導通をとりながら絶縁板を固着することにより
、配線リード先端部のパターンの微細化とリード間ピッ
チの向上が可能になり、また半導体素子を前記絶縁板に
搭載するようにすれば、リードフレームのタブ部が不要
となるので、単一リードフレームで多種類の半導体素子
に対応できるという効果がある。
、基部リード部と９表面に金属９ｉ膜で配線リードパタ
ーンを形成した絶縁板とから構成し、基部リード先端部
に電気的導通をとりながら絶縁板を固着することにより
、配線リード先端部のパターンの微細化とリード間ピッ
チの向上が可能になり、また半導体素子を前記絶縁板に
搭載するようにすれば、リードフレームのタブ部が不要
となるので、単一リードフレームで多種類の半導体素子
に対応できるという効果がある。
第１図は本発明の第１実施例の平面図、第２図は第１図
のＡ−Ａ’線断面図、第３図は第２実施例の第２図に相
応する断面図である。 ２・・・ダムリード、 ３・・・基部リード、４・
・・タブリード、 ５・・・半導体素子、６・・・
タブ、 ８・・・耐熱硬質樹脂枠（絶縁板）、 １０・・・配線リード、 １２・・・絶縁板。 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 内 原 晋第１図 Ｘ′ 第２図
のＡ−Ａ’線断面図、第３図は第２実施例の第２図に相
応する断面図である。 ２・・・ダムリード、 ３・・・基部リード、４・
・・タブリード、 ５・・・半導体素子、６・・・
タブ、 ８・・・耐熱硬質樹脂枠（絶縁板）、 １０・・・配線リード、 １２・・・絶縁板。 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 内 原 晋第１図 Ｘ′ 第２図
Claims (1)
- 半導体装置用リードフレームにおいて、リード部は、
複合構造をなし、基部リード部と、該基部リード部の各
リード先端にまたがって固着された絶縁板の表面に、各
リードに対応して形成された金属薄膜の配線リードパタ
ーンとからなり、該配線リードパターンの各配線リード
の１端が前記基部リード部の対応する各リードと電気的
接続がなされ、他端がワイヤボンディング部となってい
ることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63066450A JPH01238151A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63066450A JPH01238151A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01238151A true JPH01238151A (ja) | 1989-09-22 |
Family
ID=13316120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63066450A Pending JPH01238151A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01238151A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05129507A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-05-25 | Hitachi Cable Ltd | 複合リードフレーム |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61183936A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS62232948A (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-13 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リ−ドフレ−ム |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP63066450A patent/JPH01238151A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61183936A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS62232948A (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-13 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リ−ドフレ−ム |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05129507A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-05-25 | Hitachi Cable Ltd | 複合リードフレーム |
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