JPH0451553A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH0451553A
JPH0451553A JP16060690A JP16060690A JPH0451553A JP H0451553 A JPH0451553 A JP H0451553A JP 16060690 A JP16060690 A JP 16060690A JP 16060690 A JP16060690 A JP 16060690A JP H0451553 A JPH0451553 A JP H0451553A
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JP
Japan
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inner leads
semiconductor device
thin metal
semiconductor
wires
Prior art date
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Pending
Application number
JP16060690A
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English (en)
Inventor
Hitoshi Sasaki
仁志 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP16060690A priority Critical patent/JPH0451553A/ja
Publication of JPH0451553A publication Critical patent/JPH0451553A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置に係り、特に半導体装置の組立
工程に使用するリードフレームに関するものである。
〔従来の技術〕
第４図〜第６図は従来のリードフし・−ムを用いて組み
立てられた半導体装置を示す図で、第４図は平面図、第
５図は断面図、第６図は部分拡大斜視図である。これら
の図において、半導体装置用リードフレームのグイパッ
ド部１に搭載した半導体チップ２上の電極５とインナリ
ード３間に金属細線４がワイヤボンディングにより接続
されている。
多ピン構造の半導体装置では、インナリード３のリード
幅が細くなり、リード間隔も狭くなり、さらに、長ルー
プのために第７図に示すような金属細線４どうしの曲が
りによる近接不良、および第８図に示すような金属細線
４の垂れ下がりによる半導体チップ２のエツジとの近接
不良が発生する。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記のように構成された従来の半導体装置は、多ピン構
造の半導体装置になるとインナリード３のリード幅が細
くなり、また、リード間隔も狭くなる。したがって、金
属細線４どうしの曲がりによる近接不良、および金属細
ＩｊＩ４の垂れ下がりによる半導体チップ２のエツジと
の近接不良等が発生し、歩留りが低下する等の問題点が
あった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、一定間隔てインナリードの長さを変えると
ともに、長くしたインナリードを段付は構造とし、金属
細線どうしの近接不良、および金属細線と半導体ヂッゴ
のエツジとの近接不良の発生しない信頼性の高い半導体
装置を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、半導体チップ上の各電極
と多数のインナリードとの間をそれぞれ金属細線で接続
した多ピン構造の半導体装置において、多数のインナリ
ードの長さを交互に変えるとともに、長くしたインナリ
ードの一部を下方へ折り曲げた段付は構造としたもので
ある。
〔作用〕
この発明における半導体装置は、インナリードの長さを
交互に変えるとともに、長くしたインナリードの一部を
折り曲げて段付は構造としたことから、ルーピングモー
ドを変化させることができ、金属細線どうしの近接不良
や、金属細線と半導体チップのエツジとの近接不良等は
発生しない。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。
第１図〜第３図はこの発明の多ピン構造の半導体装置の
一実施例を示す図で、第１図は上面図、第２図は側断面
図、第３図は部分拡大斜視図である。半導体フレームの
グイパッド部１上に搭載された半導体チップ２の各電極
５と多数のインナリド３，３８間がそれぞれ金属細線４
で接続されており、多数のインナリード３のうち一定間
隔に、つまり交互にその長さを変えるとともに、長くし
たインナリード３ａの一部を下方へ折り曲げて段付は部
３ｂを形成したものである。
このように、長くしたインナリード３ａを交互に配設し
、この長くしたインナリード３ａを、段付は構造とする
ことにより、金属細線４どうじの近接不良、また、隣接
する電極５とインナリード３間の距離が異なるため、テ
ィーチノブ時／Ｌ−ピングモードを変化させ、金属細線
４の高さを変えることにより、半導体チップ２のエツジ
との近接不良も発生しない。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明は、半導体チップ上の各
電極と多数のインナリードとの間をそれぞれ金属細線で
接続した多ピン構造の半導体装置における多数のインナ
リードの長さを交互に変えるとともに、長くしたインナ
リードの一部を下方へ折り曲げた段付は構造としたので
、金属細線どうしの近接不良や、金属細線と半導体チッ
プのエツジとの近接不良等はなくなり、信頼性の高い半
導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第３図は乙の発明の半導体装置の一実施例を示
す図で、第１図は平面図、第２図は側断面図、第３図は
部分拡大斜視図、第４図〜第６図は従来の半導体装置を
示す図で、第４図は平面図、第５図は側断面図、第６図
は部分拡大斜視図、第７図、第８図は従来の半導体装置
の問題点を示す部分拡大斜視図である。 図において、１はグイパッド部、２は半導体チップ、３
．３８はインナリード、３ｂは段付は部、４は金属細線
、５は電極である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　（外２名）第 図 ５．１１を 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 ／

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　半導体チップ上の各電極と多数のインナリードとの間
    をそれぞれ金属細線で接続した多ピン構造の半導体装置
    において、前記多数のインナリードの長さを交互に変え
    るとともに、前記長くしたインナリードの一部を下方へ
    折り曲げた段付け構造としたことを特徴とする半導体装
    置。
JP16060690A 1990-06-19 1990-06-19 半導体装置 Pending JPH0451553A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16060690A JPH0451553A (ja) 1990-06-19 1990-06-19 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16060690A JPH0451553A (ja) 1990-06-19 1990-06-19 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0451553A true JPH0451553A (ja) 1992-02-20

Family

ID=15718579

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16060690A Pending JPH0451553A (ja) 1990-06-19 1990-06-19 半導体装置

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JP (1) JPH0451553A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6838755B2 (en) * 2000-05-23 2005-01-04 Stmicroelectronics S.R.L. Leadframe for integrated circuit chips having low resistance connections

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6838755B2 (en) * 2000-05-23 2005-01-04 Stmicroelectronics S.R.L. Leadframe for integrated circuit chips having low resistance connections

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