JPS60227454A - 半導体素子用リ−ドフレ−ム - Google Patents

半導体素子用リ−ドフレ−ム

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Publication number
JPS60227454A
JPS60227454A JP8443884A JP8443884A JPS60227454A JP S60227454 A JPS60227454 A JP S60227454A JP 8443884 A JP8443884 A JP 8443884A JP 8443884 A JP8443884 A JP 8443884A JP S60227454 A JPS60227454 A JP S60227454A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
lead
terminals
semiconductor element
glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8443884A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuyuki Yamamichi
山道 信行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP8443884A priority Critical patent/JPS60227454A/ja
Publication of JPS60227454A publication Critical patent/JPS60227454A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517Additional leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体素子用リードフレームに関し、特にリ
ード端子数が多い半導体素子を搭載するのに適したリー
ドフレームに関するものである。
〔従来技術〕
リードフレームには半導体素子の電極引き出し用リード
端子のパターンが該素子を中心として放射状に設けであ
る。従来、リード端子数が多い半導体素子の搭載用リー
ドフレームを製作するKは、プレスにより打ち抜く方法
と、エツチングによる方法とがあった。リード端子のパ
ターンは半導体素子を中心として放射状に設けであるか
ら、端子数が増すことにより、リード端子の半導体素子
側先端部分の間隔及び隣合うリード端子の間隔が狭くな
る。
従来の製作方法はいずれもがリード端子部分を残してそ
の間を除くものであるから、リード端子の先端部分を形
成するにあたっては限界があり、端子数の増加に対処で
きないという欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明は前記問題点を解消するもので、端子数の増加に
対処できるリードフレームを提供するものである。
1〔発明の構成〕 本発明はリードフレーム本体に、半導体素子を中心とし
てその電極引き出し用リード端子のパターンを放射状に
設けてなる半導体素子用リードフレームにおいて、前記
リード端子の半導体素子側のリードフレーム上に絶縁体
を付し、その上に金属被膜によるパターンを形成し、該
金属被膜によるパターンをリードフレーム本体のパター
ンに接続したことを特徴とする半導体素子用リードフレ
ームである。
〔実施例〕
以下に、本発明の一実施例を図により説明する。
第1図において、本発明はリードフレーム本体1の半導
体素子載置部2の周囲に一定巾で絶縁体3を設け、該絶
縁体3よシ外側に放射状に設けられたリード端子パター
ン4.4・・・の先端部分のパターン4 a+ 4 a
・・を形成する金属被膜5を絶縁体3上に被着させたも
のである。
次に本発明のリードフレームを製造する方法について説
明する。第2図に示すように、リードフレーム本体lへ
の支持部分を残して半導体素子載置部2の周囲をエツチ
ング法により一定巾で除去し、この除去された部分1a
に第8図のように例えばガラスなどの絶縁体3を埋め込
む。
次に第4図に示すように、リードフレーム本体1の絶縁
体3より外側部分をプレス加工或いはエツチング加工に
より除去して、半導体素子の電極引き出し用リード端子
パターン4,4・・・を放射状に形成する。
この段階において、第5図に示すようにリード端子4,
4・・・に一部をオーバラップさせて、例えばアルミ蒸
着、膜などの金属被膜5を絶縁体3上に被着する。
最後に、絶縁体3上に被着させた金属被膜5を第1図の
ように各リード端子4,4・・・の先端部分のパターン
4a、4a・・にパターニングしてリードフレームを完
成させる。
尚、第1図、第4図、第5図ではリードフレーム本体l
の外周部分のパターンは省略しである。
絶縁体3はガラス以外に、樹脂等を用いることができ、
又金属被膜5はアルミ以外に、金、銀等の被膜を用いる
ことができる。被着方法としては蒸着以外に、イ副ンプ
レーティング、スパッター等も使用できる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明はリード端子の半導体素子
側先端部分のパターンを金属被膜により形成したので、
プレス及びエツチング加工技術では不可能な微細加工を
行なうことができ、この微細加工によりリード端子の先
端部分の間隔を狭くすることができ、したがって端子数
の増加に対処することができる効果を有するものである
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るリードフレームを示す正面図、第
2図〜第5図は本発明に係るリードフレームの製造工程
図である。 l・・・リードフレーム本体、2・・・半導体素子載置
部、3・絶縁体、4・・・リード端子のノでターン、4
a・ リード端子の半導体素子側先端部分のノくターン
、5・・金属被膜。 特許出願人 日本電気株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)リードフレーム本体に搭載される半導体素子を中
    心としてその電極引き出し用リード端子のパターンを放
    射状に設けてなる半導体素子用リードフレームにおいて
    、半導体素子側のリードフレームfに絶縁体を併重その
    上に金属被膜によるパターンを形成し、該金属被膜によ
    るパターンをリードフレーム本体のパターンに接続した
    ことを特徴とする半導体素子用リードフレーム。
JP8443884A 1984-04-26 1984-04-26 半導体素子用リ−ドフレ−ム Pending JPS60227454A (ja)

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JP8443884A JPS60227454A (ja) 1984-04-26 1984-04-26 半導体素子用リ−ドフレ−ム

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JP8443884A JPS60227454A (ja) 1984-04-26 1984-04-26 半導体素子用リ−ドフレ−ム

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Publication Number Publication Date
JPS60227454A true JPS60227454A (ja) 1985-11-12

Family

ID=13830593

Family Applications (1)

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JP8443884A Pending JPS60227454A (ja) 1984-04-26 1984-04-26 半導体素子用リ−ドフレ−ム

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JP (1) JPS60227454A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6324647A (ja) * 1986-05-27 1988-02-02 エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション 半導体パッケ−ジ
JPS6436059A (en) * 1987-07-31 1989-02-07 Kyushu Nippon Electric Lead frame of semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6324647A (ja) * 1986-05-27 1988-02-02 エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション 半導体パッケ−ジ
JPS6436059A (en) * 1987-07-31 1989-02-07 Kyushu Nippon Electric Lead frame of semiconductor device

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