JP3129169B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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ball
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和人 辻
政一 織茂
英治 迫田
隆司 埜本
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度実装を可能
とするリードレス表面実装型の樹脂封止型パッケージの
構造及び製造方法に関する。近年、電子機器の小型化に
より樹脂封止型パッケージに設けられるリードのピッチ
が小さくなる傾向にある。そのため、樹脂封止型パッケ
ージにおいて新たな構造、製造方法が必要になる。
【０００２】
【従来の技術】図３０，３１は従来の薄型の樹脂封止型
パッケージの断面を示す図である。図３０において、１
は樹脂，２はチップ，３はアウターリード，４は金アル
ミニウム等からなるボンディングワイヤ，５はダイパッ
ドを示す。このパッケージはＳＳＯＰ（Shrink Small O
utline Package）と呼ばれるタイプのものであり、アウ
ターリード３がガルウイング状に曲げられ、基板に実装
される。
【０００３】また、図３１において、１は樹脂，２はチ
ップ，４は金アルミニウム等からなるボンディングワイ
ヤ，６はハンダボール，７はチップ２を搭載する搭載基
板を示す。このパッケージはＢＧＡ（Ball Grid Array
）と呼ばれるタイプのものであり、基板に実装される
端子部分がハンダボール６により形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図３０に示されるＳＳ
ＯＰタイプのパッケージでは、樹脂１内に占めるインナ
ーリード８からアウターリード３への引き回し部分９の
面積や、アウターリード３自身の占める面積が大きく、
実装面積が大きくなってしまうという問題があった。
【０００５】また、図３１に示されるＢＧＡタイプのパ
ッケージでは、搭載基板７を用いる点で、コストが高く
なってしまうという問題があった。そこで本発明は，実
装面積が小さく、コストの低い樹脂封止型半導体装置と
その製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、半導体チップと、半導体チップを封止する樹脂パッ
ケージと、樹脂パッケージの内部に設けられ、樹脂パッ
ケージの実装面とほぼ同一の面から露出するボンディン
グボールと、一端が該半導体チップ上の電極パッドに接
続され、他端がボンディングボールに接続されたボンデ
ィングワイヤとを備え、樹脂パッケージの所定の面に樹
脂突起が設けられ、樹脂突起の表面でボンディングボー
ルが露出することを特徴とする半導体装置である。請求
項２に記載の発明は、ボンディングボールの露出部分上
に、ハンダボールを設けることを特徴とする請求項１記
載の半導体装置である。請求項３に記載の発明は、半導
体チップを所定の部分に凹部が設けられたリードフレー
ムに搭載する工程と、半導体チップの電極パッドとリー
ドフレームの凹部とをボンディングワイヤによりボンデ
ィングし、凹部にその径より大きなボンディングボール
を形成して凹部を該ボンディングボールで埋める工程
と、半導体チップ及びボンディングワイヤとを樹脂封止
し、樹脂パッケージを形成する工程と、樹脂パッケージ
とリードフレームとを分離する工程とを有することを特
徴とする半導体装置の製造方法である。請求項４に記載
の発明は、半導体チップを第１のリードフレームのダイ
ステージ上に搭載する工程と、第１のリードフレーム
と、第１のリードフレームのダイステージより大きな面
積のステージを有する第２のリードフレームとを張り合
わせる工程と、半導体チップの電極パッドと第２のリー
ドフレームの所定の場所とをボンディングワイヤにより
ボンディングする工程と、半導体チップ及びボンディン
グワイヤとを樹脂封止し、樹脂パッケージを形成する工
程と、樹脂パッケージと該第２のリードフレームとを分
離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製
造方法である。請求項５に記載の発明は、半導体チップ
と、半導体チップを載置し、所定の場所に貫通孔が設け
られたダイステージと、半導体チップを封止する樹脂パ
ッケージと、一端が半導体チップ上の電極パッドとボン
ディングされてファーストボールを形成し、他端が該ダ
イステージの貫通孔を貫通し、ダイステージの半導体チ
ップ載置面の反対側の面にセカンドボールを形成したボ
ンディングワイヤとを備えていることを特徴とする半導
体装置。請求項６に記載の発明は、半導体チップを所定
の場所に貫通孔が形成されたリードフレームのダイステ
ージ上に搭載する工程と、半導体チップの電極パッドに
対してファーストボンディングを行う工程と、ダイステ
ージに形成された貫通孔を貫通し、半導体チップの載置
面の反対側の面にボンディングボールを形成するように
セカンドボンディングを行う工程と、半導体チップ及び
ボンディングワイヤとを樹脂封止し、樹脂パッケージを
形成する工程と、樹脂パッケージと第リードフレームと
を分離する工程とを有することを特徴とする半導体装置
の製造方法である。
【０００７】
【０００８】
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【発明の実施の形態】
〔第１実施形態〕以下本発明の実施形態を、図１〜２９
により具体的に説明する。図１は、本発明の第１実施形
態を示す図である。図中、１１はチップ、１２は電極パ
ッド、１３はボンディングワイヤ、１４はモールド樹
脂、１５はワイヤー露出部、１６はハンダボールを示し
ている。
【００１６】チップ１１上の電極パッド１２に対し、ボ
ンディングワイヤー１３の一端がボンディングされ、そ
の他端が樹脂パッケージを構成するモールド樹脂１４の
底面よりワイヤー露出部１５において露出している。こ
のワイヤー露出部１５の径は、ボンディングワイヤ１３
の径より大きくなっている。また、樹脂パッケージの底
面とほぼ同一平面になっている。
【００１７】ハンダボール１６は、ボンディングワイヤ
ー１３がモールド樹脂１４の表面に露出しているワイヤ
ー露出部１５において接合されている。この構造によ
り、従来のＳＳＯＰのようなインナーリードやアウター
リードが不要となり、インナーリードからアウターリー
ドへの引き回しのための面積や、アウターリード自身の
面積が不要となる。また、従来のＢＧＡのようなハンダ
ーボールを形成するために搭載基板を用いる必要がな
い。
【００１８】従って、本実施形態では、インナーリード
やアウターリードが不要で、ハンダボールのみで実装す
ることにより実装面積を小さくでき、かつ搭載基板が不
要であることにより、コストを低くできる。次に、本実
施形態の製造方法を図２〜５に従って説明する。まず、
図２に示されるように、チップ１１をダイス付け剤１８
によりリードフレーム１７に搭載する。リードフレーム
は、４２アロイや銅合金等から形成されており、板厚
は、０．１〜０．２ｍｍ程度である。その後、チップ上
の電極パッド１２とリードフレーム上の所定の位置にボ
ンディングワイヤ１３をボンディングする。ボンディン
グされる場所には、Au,Ag,Pd等のメッキが施されてい
る。
【００１９】次に、図３に示されるように、チップ１１
を搭載したリードフレーム１７を金型（不図示）に収
め、モールドする。この際、モールド樹脂は、ワイヤ露
出部１５の回りを囲むモールドライン１９で示される領
域までモールドされる。次に、図４に示されるように、
モールド樹脂１４をリードフレーム１７から分離する。
これは、モールド樹脂１４とリードフレーム１７との線
膨張係数の差や、モールド樹脂１４とリードフレーム１
７との密着を悪くする処理、例えばリードフレー表面の
メッキや、リードフレーム表面の平坦化等により、両者
を分離しやすくして、モールド樹脂１４とリードフレー
ム１７とを分離する。
【００２０】分離した後パッケージを下から見た図を図
５に示す。ワイヤー露出部１５が、チップの回りを囲む
ように位置している。このワイヤー露出部１５の面積
は、リードフレーム１７にボンディングされる際に、ワ
イヤの先端がネールヘッド状につぶされるため、ワイヤ
自身の断面積より大きくなっている。図５に示される状
態で、基板に実装してもよいが、さらにワイヤー露出部
に図１に示されるようなハンダボール１６を形成しても
よい。このハンダボール１６を形成する方法は、予めハ
ンダボール（φ0.5 〜φ0.8 程度）を形成しておき、フ
ラックスをからめてワイヤ露出部に置き、リフロー加熱
を施して、球状の形状にする。 〔第２実施形態〕次に図６〜１１に従って本発明の第２
実施形態を説明する。
【００２１】図６中、樹脂突起２１以外は、第１実施形
態と同じ構成要件であり、同じ要件にはそれぞれ同じ参
照番号を付してある。樹脂突起２１は、パッケージの底
面より0.05〜0.1mm 突出しており、ボンディングワイヤ
ー１３は、樹脂突起の底面において露出しており、この
ワイヤー露出部の面積は、ボンディングワイヤの断面積
よりも大きくなっている。
【００２２】樹脂突起の形状は、図７に示されるような
直方体や、図８に示されるような円筒形等種々変形が考
えられる。ワイヤー露出部１５には、ハンダボール１６
が接合されるが、樹脂突起によりハンダーボールがパッ
ケージ底面とは同一平面ではなくなり、これによりパッ
ケージの反り等を吸収できるようになり、また半田のブ
リッジも減少する。
【００２３】次に、本実施形態の製造方法を図９〜１１
に従って説明する。まず、図９に示されるように、チッ
プ１１をダイス付け剤１８によりリードフレーム１７に
搭載する。その後、チップ上の電極パッドとリードフレ
ーム１７上に設けられた凹部２２にボンディングワイヤ
１３をボンディングする。リードフレーム１７に設けら
れた凹部２２の底面には、ワイヤーボンディングが可能
となるようなメッキが施されている。
【００２４】次に、第１実施形態と同様に、チップ１１
を搭載したリードフレーム１７を金型（不図示）に収
め、モールドする。この際、モールド樹脂は、第１実施
形態と同様に、ワイヤ露出部１５の回りを囲む領域まで
モールドされる。次に、図１０に示されるように、モー
ルド樹脂１４をリードフレーム１７から分離する。分離
する方法は、第１実施形態と同様である。
【００２５】分離した後パッケージを下から見た図を図
１１に示す。樹脂突起２１にて露出しているワイヤー露
出部１５が、チップの回りを囲むように位置している。
このワイヤー露出部１５の面積は、第１実施形態同様ワ
イヤ自身の断面積より大きくなっている。図１１に示さ
れる状態で、基板のランドにハンダペーストを塗布して
基板に実装してもよいが、さらにワイヤー露出部に 図
６に示されるようなハンダボール１６を形成してもよ
い。このハンダボール１６は、第１実施形態と同様な方
法で形成可能である。
【００２６】次に、本発明の参考例を説明する。図１２
中、樹脂凹部２３とハンダ埋め込み部２４以外は、第１
実施形態と同じ構成要件であり、同じ要件にはそれぞれ
同じ参照番号を付してある。本参考例では、ハンダーボ
ール１６がハンダ埋め込み部２４を介してボンディング
ワイヤ１３と接続されている。ハンダーボール１６が搭
載される前で、ハンダ埋め込み部２４が形成される前の
パッケージの状態を 図１３に示す。樹脂凹部２３は、
パッケージの底面より深さ0.05〜0.2mm 程度窪んでお
り、ボンディングワイヤー１３は、樹脂凹部において露
出しており、このワイヤー露出部の面積は、ボンディン
グワイヤの断面積よりも大きくなっている。
【００２７】樹脂凹部の形状は、図示していないが、直
方体や円筒形等種々変形が考えられる。ワイヤー露出部
１５には、ハンダボール１６が接合されるが、ハンダボ
ール１６とワイヤー露出部１５との間は、ハンダ埋め込
み部２４で埋められている。これにより、第１，第２実
施形態に比べ、ハンダボール１６とワイヤー露出部１５
との接合強度が、ハンダ埋め込み部２４によりハンダ部
分がモールド樹脂１４内に埋められている分強固になっ
ている。
【００２８】次に、本参考例の製造方法を 図１４〜１
６に従って説明する。まず、 図１４に示されるよう
に、チップ１１をダイス付け剤１８によりリードフレー
ム１７に搭載する。その後、チップ上の電極パッドとリ
ードフレーム１７上に設けられた凸部２５にボンディン
グワイヤ１３をボンディングする。リードフレーム１７
に設けられた凸部２５には、ワイヤーボンディングが可
能となるようなメッキが施されている。
【００２９】リードフレーム１７は、図１５の斜線で示
されるように、凸部２５以外の領域でハーフエッチング
が施されている。これにより、リードフレーム１７に凸
部２５を形成することができる。また、ハーフエッチン
グ以外にもスタンピング処理（実装端子になる部分にパ
ンチを設け、これによりリードフレームを塑性変形させ
る処理）により凸部を形成してもよい。
【００３０】次に、第１実施形態と同様に、チップ１１
を搭載したリードフレーム１７を金型（不図示）に収
め、モールドする。この際、モールド樹脂は、第１実施
形態と同様に、ワイヤ露出部１５の回りを囲む領域まで
モールドされる。次に、図１６に示されるように、モー
ルド樹脂１４をリードフレーム１７から分離する。分離
する方法は、第１実施形態と同様である。
【００３１】分離した後パッケージを下から見た図を図
１１に示す。この図は第２実施形態の説明でも用いた
が、凹凸の関係は底面図には現れないので共用する。樹
脂凹部２３にて露出しているワイヤー露出部１５が、チ
ップの回りを囲むように位置している。このワイヤー露
出部１５の面積は、第１実施形態同様ワイヤ自身の断面
積より大きくなっている。
【００３２】この半導体装置は、ワイヤー露出部に 図
１２に示されるようなハンダボール１６を形成して実装
される。このハンダボール１６は、直接凹部にハンダボ
ールを入れ、リフロー加熱後球状の形状とする。これに
より、ハンダ埋め込み部にもハンダが充填される。ま
た、ハンダ埋め込み部にハンダペーストを印刷法で埋
め、ここにハンダボールを設けて加熱し、球状の形状と
してもよい。
【００３３】〔参考例〕 次に 図１７，１８に従って本発明の参考例を説明す
る。図１７中、ボンディングボール２６以外は、第１実
施形態と同じ構成要件であり、同じ要件にはそれぞれ同
じ参照番号を付してある。本参考例と第１実施形態との
違いは、ボンディングボール２６が、ワイヤ１３の先端
とハンダボール１６との間に形成されている点であり、
露出部の面積は、ボンディングボール２６の方がワイヤ
先端より大きいため、実装部として確実なコンタクトが
可能となる。
【００３４】次に、本参考例の製造方法を 図１８によ
り説明する。まず、チップ１１をリードフレーム１７に
搭載した後、チップ上の電極パッドとリードフレーム１
７上に設けられたボンディングボール２６にボンディン
グワイヤ１３をボンディングする。ボンディングボール
２６は、チップ１１をリードフレーム１７に搭載する後
であって、ワイヤ１３を打つ前に、予めリードフレーム
１７上の所定の位置に形成しておく。ボンディングボー
ル２６は、ワイヤボンダーで通常の方法でワイヤ先端に
ボールを形成する。
【００３５】次に、第１実施形態と同様に、チップ１１
を搭載したリードフレーム１７を金型（不図示）に収
め、モールドし、さらにモールド樹脂をリードフレーム
１７から分離する。分離する方法は、第１実施形態と同
様である。この状態で基板に実装してもよいが、さらに
ワイヤー露出部１５に図１７に示されるようなハンダボ
ール１６を形成してもよい。このハンダボール１６は、
第１実施形態と同様な方法で形成される。 〔第５実施形態〕次に図１９に従って本発明の第５実施
形態を説明する。
【００３６】本実施形態は、図６に示される第２実施形
態と図１７に示される第４実施形態とを組み合わせたも
のであり、図１９中第２実施形態と第４実施形態と同じ
構成要件にはそれぞれ同じ参照番号を付してある。本実
施形態の特徴は、ボンディングボール２６を樹脂突起２
１の表面で露出させ、ここにハンダボール１６を形成し
た点である。
【００３７】これにより、パッケージの反り等を吸収で
きるようになり、また半田のブリッジも減少させること
ができ、また、露出部の面積が、ボンディングボール２
６の方がワイヤ先端より大きくなるため、実装部として
確実なコンタクトが可能とすることができる。 〔第６実施形態〕次に図２０，２１に従って本発明の第
６実施形態を説明する。
【００３８】図中、ボンディングボール２７、凹部２８
以外は、第１実施形態と同じ構成要件であり、同じ要件
にはそれぞれ同じ参照番号を付してある。本実施形態で
は、上述した各実施形態のハンダボール１６の代わり
に、図２０に示されるような形状のボンディングボール
２７により、実装用の端子を構成している。
【００３９】このようなボンディングボール２７を用い
ることにより、樹脂パッケージの表面より、数十μ程度
の突起が形成されるため、ハンダボールを付けなくて
も、実装が容易となる効果が得られる。次に、本実施形
態の製造方法を図２１に従って説明する。まず、上述の
各実施形態と同様に、チップ１１をダイス付け剤により
リードフレーム１７に搭載する。その後、チップ上の電
極パッドとリードフレーム１７上に設けられた凹部２８
にボンディングワイヤ１３をボンディングする。
【００４０】この時、凹部２８の径は、ボンディングボ
ール２７の径よりも小さく設定されており、ボンディン
グボールがこの凹部２８に押さえつけられることによ
り、ボンディングボールの一部が凹部２８に充填され、
図のような形状となる。なお、リードフレーム１７に設
けられた凹部２８の底面には、ワイヤーボンディングが
可能となるようなメッキが施されている。
【００４１】次に、第１実施形態と同様に、チップ１１
を搭載したリードフレーム１７を金型（不図示）に収
め、モールドする。この際、モールド樹脂は、第１実施
形態と同様に、ワイヤ露出部の回りを囲む領域までモー
ルドされる。次に、モールド樹脂１４をリードフレーム
１７から分離する。分離する方法は、第１実施形態と同
様である。 ＃７ 次に図２２に従って本発明の第７実施形態を説明する。
【００４２】図中、ボンディングボール２９以外は、第
３実施形態と同じ構成要件であり、同じ要件にはそれぞ
れ同じ参照番号を付してある。本実施形態では、ハンダ
ーボール１６がハンダ埋め込み部２４を介してボンディ
ングワイヤ１３と接続されている。そして、ハンダ埋め
込み部２４とボンディングワイヤ１３との間には、ボン
ディングボール２９が形成されている。
【００４３】これにより、ハンダボール１６の接合強度
が、ハンダ埋め込み部２４によりハンダ部分がモールド
樹脂１４内に埋められている分強固になっているととも
に、露出部の面積は、ボンディングボール２６の方がワ
イヤ先端より大きいため、実装部として確実なコンタク
トが可能となるという効果が得られる。 ＃８ 次に図２３〜２６に従って本発明の第８実施形態を説明
する。
【００４４】上述した実施形態では、チップ１１がパッ
ケージの裏面から露出する構造となっていたが、本実施
形態では、チップ１１をダイステージ３２に搭載し、ダ
イステージ３２をパッケージ裏面から露出するようにし
たものである。リードフレームを２枚重ねることによ
り、樹脂パッケージからボンディングを行ったリードフ
レームを引き剥がしても、樹脂パッケージはもう１枚の
リードフレームに残るため、後のハンダボールを形成す
る工程等のハンドリング性が良好となる効果が得られ
る。
【００４５】次に、本実施形態の製造方法を図２３〜２
６に従って説明する。まず、チップ１１をダイス付け剤
によりリードフレーム３１のダイステージ３２に搭載す
る。その後、リードフレーム３０の上にリードフレーム
３１を重ねて、スポット溶接等で張り合わせる。次に、
チップ上の電極パッドとリードフレーム上の所定の位置
にボンディングワイヤ１３をボンディングする。なお、
リードフレーム上には、ボンディング可とするようなメ
ッキがされている。
【００４６】次に、図２３に示されるように、チップ１
１を搭載したリードフレーム１７を金型（不図示）に収
め、モールドする。この際、モールド樹脂は、ワイヤ露
出部１５の回りを囲むモールドライン１９で示される領
域までモールドされる。次に、リードフレーム３０のみ
をモールド樹脂１４から機械的に引き剥がして分離す
る。 〔第９実施形態〕次に図２７〜２９に従って本発明の第
９実施形態を説明する。
【００４７】図中、第１実施形態と同じ構成要件には同
じ参照番号を付してある。本実施形態では、第２７図に
示されるように、チップ１１上の電極パッド１２にＰｂ
−Ｓｎを主成分とするハンダワイヤ３４がボンディング
されてファーストボール３５を形成し、さらにこのハン
ダワイヤ３４がリードフレーム３３を貫通して、チップ
１１の反対側の面にセカンドボール３６を形成してい
る。
【００４８】実装基板へ実装する際には、セカンドボー
ル３６と実装基板のフットプリントとを半田付けをすれ
ば、実装が完了する。このように、実装基板への実装端
子をハンダワイヤの先端のセカンドボールにて形成する
ことにより、一度のワイヤボンディングでワイヤを張る
ことと、実装端子を形成することとを同時に行うことが
できる。
【００４９】次に、本実施形態の製造方法を図２８，２
９に従って説明する。まず、図２８に示されるように、
ダイステージ部分の周囲を残すように中心部分にハーフ
エッチングを施して、ハーフエッチングエリア３７を形
成し、この周囲に貫通孔３８を形成したリードフレーム
３３を準備する。次に、チップ１１をダイス付け剤によ
りリードフレーム３３のダイステージに搭載する。
【００５０】次に、ハンダワイヤ３４により、チップ１
１上の電極パッド１２に対しファーストボンディングを
行い、その後リードフレーム３３上の所定の位置にセカ
ンドボンディングを行う。この時、リードフレーム３３
へのセカンドボンディングは、スパークにより形成され
たハンダボールをキャピラリ（不図示）の先端で貫通孔
３８に押し当てることにより、ハンダボールを貫通孔３
８から押し出し、図２７に示されるように、リードフレ
ーム３３のチップ搭載面と反対の面にセカンドボール３
６を形成することにより行う。
【００５１】その後、第１実施形態と同様に、チップ１
１を搭載したリードフレーム３３を金型（不図示）に収
め、モールドする。この際、モールド樹脂は、第１実施
形態と同様に、セカンドボール３６の回りを囲む領域ま
でモールドされる。次に、モールド樹脂１４をリードフ
レーム３３から分離する。以上のように、本発明はパッ
ケージの樹脂内にインナーリードがなくアウターリード
もないので、実装面積を小さくでき、また、チップを搭
載するための搭載基板も不要なのでコストを低く抑えら
れるという効果が得られる。
【００５２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、実装面積
が小さく、コストの低い樹脂封止型半導体装置とその製
造方法を提供することができる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態の構造を示す図である。
【図２】第１実施形態の製造方法を示す図である。
【図３】第１実施形態の製造方法を示す図である。
【図４】第１実施形態の製造方法を示す図である。
【図５】第１実施形態の製造方法を示す図である。
【図６】第２実施形態の構造を示す図である。
【図７】第２実施形態の構造を示す図である。
【図８】第２実施形態の構造を示す図である。
【図９】第２実施形態の製造方法を示す図である。
【図１０】第２実施形態の製造方法を示す図である。
【図１１】第２実施形態の製造方法を示す図である。
【図１２】第３実施形態の構造を示す図である。
【図１３】第３実施形態の構造を示す図である。
【図１４】第３実施形態の製造方法を示す図である。
【図１５】第３実施形態の製造方法を示す図である。
【図１６】第３実施形態の製造方法を示す図である。
【図１７】第４実施形態の構造を示す図である。
【図１８】第４実施形態の構造を示す図である。
【図１９】第５実施形態の構造を示す図である。
【図２０】第６実施形態の構造を示す図である。
【図２１】第６実施形態の構造を示す図である。
【図２２】第７実施形態の構造を示す図である。
【図２３】第８実施形態の構造及び製造方法を示す図で
ある。
【図２４】第８実施形態の構造及び製造方法を示す図で
ある。
【図２５】第８実施形態の構造及び製造方法を示す図で
ある。
【図２６】第８実施形態の構造及び製造方法を示す図で
ある。
【図２７】第９実施形態の構造及び製造方法を示す図で
ある。
【図２８】第９実施形態の構造及び製造方法を示す図で
ある。
【図２９】第９実施形態の構造及び製造方法を示す図で
ある。
【図３０】従来例の構造を示す図である。
【図３１】従来例の構造を示す図である。
【符号の説明】
１・・・樹脂 ２・・・チッ
プ ３・・・アウターリード ４・・・ワイ
ヤ ５・・・ダイステージ ６・・・ハン
ダボール ７・・・搭載基板 ８・・・イン
ナーリード 11・・・チップ 12・・・電極
パッド 13・・・ボンディングワイヤ 14・・・モー
ルド樹脂 15・・・ワイヤ露出部 16・・・ハン
ダボール 17・・・リードフレーム 18・・・ダイ
ス付け剤 19・・・モールドライン 20・・・チッ
プ搭載部 21・・・樹脂突起 22・・・凹部 23・・・樹脂凹部 24・・・ハン
ダ埋め込み部 25・・・凸部 26・・・ボン
ディングボール 27・・・ボンディングボール 28・・・凹部 29・・・ボンディングボール 30・・・リー
ドフレーム 31・・・リードフレーム 32・・・ダイ
ステージ 33・・・リードフレーム 34・・・ハン
ダワイヤ 35・・・ファーストボール 36・・・セカ
ンドボール 37・・・ハーフエッチングエリア 38・・・貫通
孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 迫田 英治 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 埜本 隆司 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−208756（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−35545（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−219131（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−244633（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−63017（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/28 H01L 21/56 H01L 21/60 301

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体チップと、 該半導体チップを封止する樹脂パッケージと、 該樹脂パッケージの内部に設けられ、該樹脂パッケージ
    の実装面とほぼ同一の面から露出するボンディングボー
    ルと、 一端が該半導体チップ上の電極パッドに接続され、他端
    が該ボンディングボールに接続されたボンディングワイ
    ヤとを備え、 前記樹脂パッケージの所定の面に樹脂突起が設けられ、
    該樹脂突起の表面で前記ボンディングボールが露出する
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】前記ボンディングボールの露出部分上に、
    ハンダボールを設けることを特徴とする請求項１記載の
    半導体装置。
  3. 【請求項３】半導体チップを所定の部分に凹部が設けら
    れたリードフレームに搭載する工程と、 該半導体チップの電極パッドと該リードフレームの凹部
    とをボンディングワイヤによりボンディングし、該凹部
    にその径より大きなボンディングボールを形成して該凹
    部を該ボンディングボールで埋める工程と、 該半導体チップ及びボンディングワイヤとを樹脂封止
    し、樹脂パッケージを形成する工程と、 該樹脂パッケージと該リードフレームとを分離する工程
    とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】半導体チップを第１のリードフレームのダ
    イステージ上に搭載する工程と、 該第１のリードフレームと、該第１のリードフレームの
    ダイステージより大きな面積のステージを有する第２の
    リードフレームとを張り合わせる工程と、 該半導体チップの電極パッドと該第２のリードフレーム
    の所定の場所とをボンディングワイヤによりボンディン
    グする工程と、 該半導体チップ及びボンディングワイヤとを樹脂封止
    し、樹脂パッケージを形成する工程と、 該樹脂パッケージと該第２のリードフレームとを分離す
    る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  5. 【請求項５】半導体チップと、 該半導体チップを載置し、所定の場所に貫通孔が設けら
    れたダイステージと、 該半導体チップを封止する樹脂パッケージと、 一端が該半導体チップ上の電極パッドとボンディングさ
    れてファーストボールを形成し、他端が該ダイステージ
    の貫通孔を貫通し、該ダイステージの半導体チップ載置
    面の反対側の面にセカンドボールを形成したボンディン
    グワイヤとを備えていることを特徴とする半導体装置。
  6. 【請求項６】半導体チップを所定の場所に貫通孔が形成
    されたリードフレームのダイステージ上に搭載する工程
    と、 該半導体チップの電極パッドに対してファーストボンデ
    ィングを行う工程と、 該ダイステージに形成された貫通孔を貫通し、該半導体
    チップの載置面の反対側の面にボンディングボールを形
    成するようにセカンドボンディングを行う工程と、 該半導体チップ及びボンディングワイヤとを樹脂封止
    し、樹脂パッケージを形成する工程と、 該樹脂パッケージと該第リードフレームとを分離する工
    程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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