JPS59208756A - 半導体装置のパツケ−ジの製造方法 - Google Patents
半導体装置のパツケ−ジの製造方法Info
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- JPS59208756A JPS59208756A JP58083188A JP8318883A JPS59208756A JP S59208756 A JPS59208756 A JP S59208756A JP 58083188 A JP58083188 A JP 58083188A JP 8318883 A JP8318883 A JP 8318883A JP S59208756 A JPS59208756 A JP S59208756A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置のパンケージの製造方法に関する
。
。
背景技術とその問題点
従来、プリント基板上の実装密度の高いパッケージとし
て、チンプキャリアタイプのパンケージが知られてい
る。このパッケージはリードレスタイプのパッケージで
、パッケージの裏面に引き出されているノ・ンダ付は可
能な電極をプリント基板の導体バタンに直接ノ・ンダ付
けして接続することにより実装を行うものである。
て、チンプキャリアタイプのパンケージが知られてい
る。このパッケージはリードレスタイプのパッケージで
、パッケージの裏面に引き出されているノ・ンダ付は可
能な電極をプリント基板の導体バタンに直接ノ・ンダ付
けして接続することにより実装を行うものである。
このチップキャリアタイプパンケージには、セラミック
タイプとプラスチックタイプとがある。
タイプとプラスチックタイプとがある。
セラミックタイプはパッケージ自体が高価であるばかり
でなく、プリント基板に直接ノ・ンダ付けすると、温度
サイクル時にセラミック)上記ノ・ンダ及び上記導体と
の間の熱膨張係数の差によって接続部にはがれやクラン
クが生じる恐れがあるという欠点を有している。一方、
プラスチックタイプはパッケージが安価であるという利
点を有しているが、熱放散性が悪(、また形状がパッケ
ージの製造の自動化に適していないという欠点を有して
いる。
でなく、プリント基板に直接ノ・ンダ付けすると、温度
サイクル時にセラミック)上記ノ・ンダ及び上記導体と
の間の熱膨張係数の差によって接続部にはがれやクラン
クが生じる恐れがあるという欠点を有している。一方、
プラスチックタイプはパッケージが安価であるという利
点を有しているが、熱放散性が悪(、また形状がパッケ
ージの製造の自動化に適していないという欠点を有して
いる。
このような従来のプラスチックタイプのチップキャリア
タイプパンケージの構造を第1図に示す。
タイプパンケージの構造を第1図に示す。
このパンケージ(1)は、銅箔製の電極(2)が予め形
成されているプリント基板(3)上に半導体装置を構成
するチップ(4)を載置し、ワイヤポンディング法によ
り上記チップ(4)と上記電極(2)の一端とをAuの
細線から成るワイヤ(5)で接続した後、上方より液状
のエポキシ樹脂を滴下させて硬化成形することによって
作る。
成されているプリント基板(3)上に半導体装置を構成
するチップ(4)を載置し、ワイヤポンディング法によ
り上記チップ(4)と上記電極(2)の一端とをAuの
細線から成るワイヤ(5)で接続した後、上方より液状
のエポキシ樹脂を滴下させて硬化成形することによって
作る。
このパンケージ(1)において、チップ(4)は樹脂層
(6)とプリント基板(3)とによって囲まれている。
(6)とプリント基板(3)とによって囲まれている。
これらの樹脂層(6)及びプリント基板(3)の熱抵抗
は共に大きいので、その動作時においてチップ(4)で
発散性が悪いという欠点を有している。また上記の液状
のエポキシ樹脂を滴下する際に、微量の樹脂を一定量、
シかも高速で滴下することが難しく、このためにパッケ
ージ(1)はパンケージの製造の自動化に適していない
という欠点を有している。
は共に大きいので、その動作時においてチップ(4)で
発散性が悪いという欠点を有している。また上記の液状
のエポキシ樹脂を滴下する際に、微量の樹脂を一定量、
シかも高速で滴下することが難しく、このためにパッケ
ージ(1)はパンケージの製造の自動化に適していない
という欠点を有している。
一方、上述のチップキャリアタイプパッケージとは異な
るパッケージにテープキャリアタイプパッケージがある
。このタイプのパンケージは従来のチップキャリアタイ
プパンケージよりもさらに小形化できるという利点を有
するが、チップが樹脂層によって完全に覆われているた
め熱放散性が良好でないこと、テープを用いているため
に特殊な装置が必要である等の欠点を有している。
るパッケージにテープキャリアタイプパッケージがある
。このタイプのパンケージは従来のチップキャリアタイ
プパンケージよりもさらに小形化できるという利点を有
するが、チップが樹脂層によって完全に覆われているた
め熱放散性が良好でないこと、テープを用いているため
に特殊な装置が必要である等の欠点を有している。
発明の目的
本発明は、上述の問題にかんがみ、熱放散性が良好でか
つ信頼性の高い半導体装置のパッケージの製造方法を提
供することを目的とする。
つ信頼性の高い半導体装置のパッケージの製造方法を提
供することを目的とする。
発明の概要
本発明に係る半導体装置のパンケージの製造方法は、選
択エツチング可能な材料から成る基板上に半導体装置を
載置し、接続用ワイヤを上記半導体装置に接続すると共
にこの接続用ワイヤの外部電極部鏝を上記基板の外部電
極接続部位に接続し、次いで上記基板上において上記半
導体装置及び上記接続用ワイヤを一体に樹脂モールドし
、しかる後上記基板をエツチング除去するようにしてい
る。
択エツチング可能な材料から成る基板上に半導体装置を
載置し、接続用ワイヤを上記半導体装置に接続すると共
にこの接続用ワイヤの外部電極部鏝を上記基板の外部電
極接続部位に接続し、次いで上記基板上において上記半
導体装置及び上記接続用ワイヤを一体に樹脂モールドし
、しかる後上記基板をエツチング除去するようにしてい
る。
このようにすることによって、熱放散性が良好でかつ信
頼性の高いリードレスタイプのパッケージを、簡便かつ
安価な方法によって自動的に製造することかできる。な
お上記外部電極部は上記接続用ワイヤ自体が兼ねていて
もよいし、上記接続用ワイヤとは別(こ設けられかつ上
記接続用ワイヤが1妾イ売されているものでもよい。
頼性の高いリードレスタイプのパッケージを、簡便かつ
安価な方法によって自動的に製造することかできる。な
お上記外部電極部は上記接続用ワイヤ自体が兼ねていて
もよいし、上記接続用ワイヤとは別(こ設けられかつ上
記接続用ワイヤが1妾イ売されているものでもよい。
実施例
以下本発明に係る半導体装置のパッケージの製造方法の
′44施例につき図面を参照しながら説明する0 第2A図〜第2D図は本発明の第1実施例による半導体
装置のパッケージの製造方法を説明するための工程図で
ある。以下第2AI凶から工程順に説りj]する。
′44施例につき図面を参照しながら説明する0 第2A図〜第2D図は本発明の第1実施例による半導体
装置のパッケージの製造方法を説明するための工程図で
ある。以下第2AI凶から工程順に説りj]する。
まず第2A図において、厚さ65〔μ〕のFe製の基板
0υの上tこ、厚さ1〔μ〕のAu層o2)、厚さ1〔
μ〕のNi 層a3)及び厚さ5〔μ〕のAu層(1,
oを順次メッキして、半導体装置を構成するチップu5
)の載置部(16J及び外部電極部a、naaのそれぞ
れを上記基板(lυの所定のチップ載置部位(11g)
及び外部電極接続部位(11h) (11i)のそれぞ
れに設ける。第2A図に示す工程終了後の上記基板01
1の平面図を第6図に示す。次に第2B図において、上
記チップ載置部α6)にチップ(15)を載置した後、
ワイヤボンディング法によってこのチップ(15)と上
記外部電極部u7)(18)とをそれぞれAuの細線か
ら成るワイヤu樟で接続する。次に第2C図において、
第2B図の基板(1])の上に設けられた上記外部電極
部位ηu8)、チップ載置部(1(i) 、チップ(1
5)及びワイヤ(19)を一体とするために、公知のト
ランスファーモールド法(移送成形法)を用いて、エポ
キシから成る樹脂モールド層(2Q)を上記基板圓上に
形成する。なお本実施例においては、上記樹脂モールド
層(20)の厚さtを1(m−:)とした。
0υの上tこ、厚さ1〔μ〕のAu層o2)、厚さ1〔
μ〕のNi 層a3)及び厚さ5〔μ〕のAu層(1,
oを順次メッキして、半導体装置を構成するチップu5
)の載置部(16J及び外部電極部a、naaのそれぞ
れを上記基板(lυの所定のチップ載置部位(11g)
及び外部電極接続部位(11h) (11i)のそれぞ
れに設ける。第2A図に示す工程終了後の上記基板01
1の平面図を第6図に示す。次に第2B図において、上
記チップ載置部α6)にチップ(15)を載置した後、
ワイヤボンディング法によってこのチップ(15)と上
記外部電極部u7)(18)とをそれぞれAuの細線か
ら成るワイヤu樟で接続する。次に第2C図において、
第2B図の基板(1])の上に設けられた上記外部電極
部位ηu8)、チップ載置部(1(i) 、チップ(1
5)及びワイヤ(19)を一体とするために、公知のト
ランスファーモールド法(移送成形法)を用いて、エポ
キシから成る樹脂モールド層(2Q)を上記基板圓上に
形成する。なお本実施例においては、上記樹脂モールド
層(20)の厚さtを1(m−:)とした。
次に第2C図において、Fe のみを選択的にエツチ
ングするが樹脂モールド層(20)及びAu 層(12
)はエツチングしないエツチング液、例えば塩化第二鉄
(FeCA3)溶液を用いて、基板(11)の裏面(1
1a)側からスプレーエツチングすることにより、上記
基板圓を除去して、第2D図に示すリードレスタイプの
パッケージ(21)を完成させる。上記エツチングによ
って露出されたAu 層(12の下面のうち外部電極
部(lη0功のAu 層(121の下面が外部電極面(
12b)(12c)となり、またチップ載置部(161
のAu 層圓の下面が熱放散面(12a)となる。
ングするが樹脂モールド層(20)及びAu 層(12
)はエツチングしないエツチング液、例えば塩化第二鉄
(FeCA3)溶液を用いて、基板(11)の裏面(1
1a)側からスプレーエツチングすることにより、上記
基板圓を除去して、第2D図に示すリードレスタイプの
パッケージ(21)を完成させる。上記エツチングによ
って露出されたAu 層(12の下面のうち外部電極
部(lη0功のAu 層(121の下面が外部電極面(
12b)(12c)となり、またチップ載置部(161
のAu 層圓の下面が熱放散面(12a)となる。
上述のようにして完成されたパンケージ(2υをプリン
ト基板上に実装する場合には、第2D図に示す上記外部
電極面(12b) (12c)をプリント基板上の導体
バタンに直接ハンダ付けして接続すればよい。
ト基板上に実装する場合には、第2D図に示す上記外部
電極面(12b) (12c)をプリント基板上の導体
バタンに直接ハンダ付けして接続すればよい。
上述の第1実施例の熱放散面(12a)は、その動作時
においてチップ(旧から発生する熱の放散面となってい
る。金属の熱伝導度は非常に高いので、テップ(151
から発生する熱は金属製のチップ載置部(1G)を外方
に向かって迅速に流れて、熱放散面(12a)から放散
されることによって効果的に除去される。
においてチップ(旧から発生する熱の放散面となってい
る。金属の熱伝導度は非常に高いので、テップ(151
から発生する熱は金属製のチップ載置部(1G)を外方
に向かって迅速に流れて、熱放散面(12a)から放散
されることによって効果的に除去される。
しかし、より効果的にチップ(15)の発生熱を除去す
るためには、広い表面積を有する放熱フィンの一部を上
記熱放散面(12a)に押し当てて空冷により熱を放散
させるのが好ましい。
るためには、広い表面積を有する放熱フィンの一部を上
記熱放散面(12a)に押し当てて空冷により熱を放散
させるのが好ましい。
上述の第1実施例のパッケージシ1)は第2A図〜第2
D図に示すような簡単な工程によって作ることができる
ばかりでなく、全ての製造工程に従来から用いられてい
る装置を用いることができるので、テープキャリアタイ
プのパッケージにおいて必要な既述の特殊な装置が不要
である。従って、簡便かつ安価な方法によりパンケージ
(2υを製造することができる。さらに上述の第1実施
例では樹脂モールド層(2Gを形成する方法としてトラ
ンスファ・モールド法(移送成形法)を用いている。こ
の方法は信頼性の高い樹脂封止ができるばかりでなく、
モールドの機械化、量産化が容易であるためにパンケー
ジを自動的に製造できるという利点を有している。
D図に示すような簡単な工程によって作ることができる
ばかりでなく、全ての製造工程に従来から用いられてい
る装置を用いることができるので、テープキャリアタイ
プのパッケージにおいて必要な既述の特殊な装置が不要
である。従って、簡便かつ安価な方法によりパンケージ
(2υを製造することができる。さらに上述の第1実施
例では樹脂モールド層(2Gを形成する方法としてトラ
ンスファ・モールド法(移送成形法)を用いている。こ
の方法は信頼性の高い樹脂封止ができるばかりでなく、
モールドの機械化、量産化が容易であるためにパンケー
ジを自動的に製造できるという利点を有している。
なお上述の第1実施例において、第2A図に示す場合と
同様にチップ載置部α6)及び外部電極部(17)賭を
設けた後に、基板(1υの上面を既述のFeC15溶液
を用いて僅かにエツチングすることにより、第4A図に
示すようにチップ載置部(16)及び外部電極部αηα
印の下部の基板(Lυにアンダーカット部(11a)〜
(Ilf)を形成し、次に第2B図〜第2D図と同様な
方法によって第4B図に示すパッケージ(24を完成さ
せることができる。このように上記のエンチングによっ
てチップ載置部!i6)及び外部電極部(17)(18
)の下部に上記アンダーカント部(11a) 〜(11
f)が形成されるので、これらの部分に樹脂が回り込ん
で突出部(20a )〜(2Of)が形成される。従っ
てこれらの突出部(20a)〜(2Df)によって上記
テンプ載置部(1G)及び上記外部電極部(lη賭が下
方から保持される描造となるので、上記チップ載置部(
[6)及び上記外部電極部←7) (L8jがパンケー
ジ(221の使用時において樹脂モールド層(20)か
ら抜は出てしまうのを防止することができる吉いう利点
がある。さらにチップ載置部(Ifi)及び外部電極部
(1η賭が樹脂モールド層(20)の下面から抜出する
ことなく形成されるので、これらのチップ載置部(■6
)及び外部電極部(1η(18)を保護することができ
る乏いう利点もある。
同様にチップ載置部α6)及び外部電極部(17)賭を
設けた後に、基板(1υの上面を既述のFeC15溶液
を用いて僅かにエツチングすることにより、第4A図に
示すようにチップ載置部(16)及び外部電極部αηα
印の下部の基板(Lυにアンダーカット部(11a)〜
(Ilf)を形成し、次に第2B図〜第2D図と同様な
方法によって第4B図に示すパッケージ(24を完成さ
せることができる。このように上記のエンチングによっ
てチップ載置部!i6)及び外部電極部(17)(18
)の下部に上記アンダーカント部(11a) 〜(11
f)が形成されるので、これらの部分に樹脂が回り込ん
で突出部(20a )〜(2Of)が形成される。従っ
てこれらの突出部(20a)〜(2Df)によって上記
テンプ載置部(1G)及び上記外部電極部(lη賭が下
方から保持される描造となるので、上記チップ載置部(
[6)及び上記外部電極部←7) (L8jがパンケー
ジ(221の使用時において樹脂モールド層(20)か
ら抜は出てしまうのを防止することができる吉いう利点
がある。さらにチップ載置部(Ifi)及び外部電極部
(1η賭が樹脂モールド層(20)の下面から抜出する
ことなく形成されるので、これらのチップ載置部(■6
)及び外部電極部(1η(18)を保護することができ
る乏いう利点もある。
第5 A+w〜第5C図は本発明の第2実施例による半
導体装置のパッケージの製造方法を説明するための工程
図である。以下第5A図から工程順に1悦明する。
導体装置のパッケージの製造方法を説明するための工程
図である。以下第5A図から工程順に1悦明する。
まず第5A図において、厚さ35〔μ〕のCu製の基板
圓の上面に公知のフォトレジストを塗布した後に所定の
パターンニングを行う。次いでCuのみを選択的にエツ
チングするエンチング液、例えば既述のFeC75溶液
を用いて上記基板旧)の表面を僅かにエンチングするこ
とによって、上記基板Uυの表面にチップ載置部位(1
1g)及び外部電極接続部位(11h) (lit)を
それぞれ形成する。上記フォトレジストを除去した後に
第5B図において、第1実施例と同様に、上記テンプ載
置部位(11g)にハンダ層C23)を介してチップ(
151を載置した後、ワイヤボンディング法によってこ
のチップ(151と上記外部電極接続部位(11h)
(11i)とをそれぞれAgの細線から成るワイヤ([
■で接続する。なお本実施例においては、後述の理由に
より、第1実施例で用いたワイヤよりも径の大きいワイ
ヤを用いた。次に第1実施例さ同様に樹脂モールド層(
20)を上記基板(lυ上に形成する。次に上記基板←
υを第1実施例と同様な方法でエツチング除去してパッ
ケージC24)を完成させる。上記エツチングにより露
出されたワイヤHの端部が外部電極部(I7)α樽とな
り、またハンダ層(23)の下面が熱放散面(23a)
となる。
圓の上面に公知のフォトレジストを塗布した後に所定の
パターンニングを行う。次いでCuのみを選択的にエツ
チングするエンチング液、例えば既述のFeC75溶液
を用いて上記基板旧)の表面を僅かにエンチングするこ
とによって、上記基板Uυの表面にチップ載置部位(1
1g)及び外部電極接続部位(11h) (lit)を
それぞれ形成する。上記フォトレジストを除去した後に
第5B図において、第1実施例と同様に、上記テンプ載
置部位(11g)にハンダ層C23)を介してチップ(
151を載置した後、ワイヤボンディング法によってこ
のチップ(151と上記外部電極接続部位(11h)
(11i)とをそれぞれAgの細線から成るワイヤ([
■で接続する。なお本実施例においては、後述の理由に
より、第1実施例で用いたワイヤよりも径の大きいワイ
ヤを用いた。次に第1実施例さ同様に樹脂モールド層(
20)を上記基板(lυ上に形成する。次に上記基板←
υを第1実施例と同様な方法でエツチング除去してパッ
ケージC24)を完成させる。上記エツチングにより露
出されたワイヤHの端部が外部電極部(I7)α樽とな
り、またハンダ層(23)の下面が熱放散面(23a)
となる。
上述のよ−5gこして完成されたパンケージI24)を
プリント基板上に実装する場合には、第1実施例と同様
に、第5C図に示す上記外部電極部αη(18)をプリ
ント基板上の導体バタンに直接ハンダ付けして接続すれ
ばよい。このことから明らかなように、本実施例におい
てはワイヤ(1,9+の端部をそのまま外部電極部(1
,7) (+8)として用いるために、ワイヤ([9)
の径を既述のように大きくするのが好ましい。なお熱放
散面(2ろa)の機能は第1実施例と同様である。
プリント基板上に実装する場合には、第1実施例と同様
に、第5C図に示す上記外部電極部αη(18)をプリ
ント基板上の導体バタンに直接ハンダ付けして接続すれ
ばよい。このことから明らかなように、本実施例におい
てはワイヤ(1,9+の端部をそのまま外部電極部(1
,7) (+8)として用いるために、ワイヤ([9)
の径を既述のように大きくするのが好ましい。なお熱放
散面(2ろa)の機能は第1実施例と同様である。
上述の第2実施例のパンケージ(24)は、第1実施例
のパッケージ圓と異なって、フォトレジスト工程及びエ
ツチング工程によって基板旧)に設けられた外部゛電極
接続部位(llh) (11i)にワイヤQ、9)を直
接接続するようにしているので、第1実施例のパンケー
ジ(21)におけるAu 層(12) (14及びNi
層(13)を形成する必要がない。上記のフォトレ
ジスト工程及びエツチング工程は第1実施例のパッケー
ジ(2I)で用いたメッキ工程よりもさらに簡便である
。またこれらのフォトレジスト工程及びエツチング工程
を用いることにより、Au 等の貴金属を用いる必要
がなくなるという利点がある。
のパッケージ圓と異なって、フォトレジスト工程及びエ
ツチング工程によって基板旧)に設けられた外部゛電極
接続部位(llh) (11i)にワイヤQ、9)を直
接接続するようにしているので、第1実施例のパンケー
ジ(21)におけるAu 層(12) (14及びNi
層(13)を形成する必要がない。上記のフォトレ
ジスト工程及びエツチング工程は第1実施例のパッケー
ジ(2I)で用いたメッキ工程よりもさらに簡便である
。またこれらのフォトレジスト工程及びエツチング工程
を用いることにより、Au 等の貴金属を用いる必要
がなくなるという利点がある。
上述の第1実施例及び第2実施例においては、1個のチ
ップをチップ載置部に載置してこれを樹脂モールドする
場合につき述べたが、基板上に多数のチップ載置部を設
け、それぞれのチップ載置部に同一のチップを載置して
、これらのチップを一体に樹脂モールドした後に切断分
離することにより、それぞれ1個のチップを有する同一
のパンケージを多数個同時に作ることもできる。また鍾
棟のチップと、コンデンサや抵抗等の受動素子とを基板
上に載置した後にこれらを一体に樹脂モールドすれば、
種々の機能を有するパンケージを作ることができると共
に、回路素子の集積度の高いパンケージを作ることがで
きるという利点がある。
ップをチップ載置部に載置してこれを樹脂モールドする
場合につき述べたが、基板上に多数のチップ載置部を設
け、それぞれのチップ載置部に同一のチップを載置して
、これらのチップを一体に樹脂モールドした後に切断分
離することにより、それぞれ1個のチップを有する同一
のパンケージを多数個同時に作ることもできる。また鍾
棟のチップと、コンデンサや抵抗等の受動素子とを基板
上に載置した後にこれらを一体に樹脂モールドすれば、
種々の機能を有するパンケージを作ることができると共
に、回路素子の集積度の高いパンケージを作ることがで
きるという利点がある。
上述の第1実施例の基板の材料は選択エツチングが可能
であればCu#の他の金属であってもよく、また第2実
施例の基板の材料もFe 等の他の金属であってもよ
い。第1笑施例においてはさらに金属以外の材料、例え
ばポリイミドアミド系樹脂を用いることも可能である。
であればCu#の他の金属であってもよく、また第2実
施例の基板の材料もFe 等の他の金属であってもよ
い。第1笑施例においてはさらに金属以外の材料、例え
ばポリイミドアミド系樹脂を用いることも可能である。
この場合には既述のエンチング液としては、ヒドラジン
とエチレンジアミンとの混合液を用いればよい。
とエチレンジアミンとの混合液を用いればよい。
発明の効果
本発明に係る半導体装置のパッケージの製造方法によれ
ば、その動作時において半導体装置から発生する熱の放
11ケ性が良好でありかつ信頼性、・り5高い小形のパ
ッケージを、極めて簡便かつ安価な方−法によって自動
的に製造することができる。
ば、その動作時において半導体装置から発生する熱の放
11ケ性が良好でありかつ信頼性、・り5高い小形のパ
ッケージを、極めて簡便かつ安価な方−法によって自動
的に製造することができる。
第1図は従来のプラスチックタイプのチンプキャリアタ
イプバンケージの構造を示す断面図、第2A図〜第2D
図は本発明の第1実施例による半導体装置のパッケージ
の製造方法を説明するための工程図、第6図は上記第2
A図に示す工程終了後の基板の平面図、第4A図及び第
4B図は上記第1実施回の変形例を示す上記第2A図〜
第2D図と同様な図、第5A図〜第5C図は本発明の第
2実施例による半導体装置のパッケージの製造方法を説
明するための工程図である。 なお図面に用いた符号において、 (t)t2tK2a(24)ハラ’y −シ(4)時
チップ (5厄9) ワイヤ けり ・ 基板 (11hX11i) 外部電極接続部位(i雌8
) 外部電極部 (20) 樹脂モールド層である。 代理人 上屋 勝 常 包 芳 男 杉浦俊貴 第2D図 第3図 第4A図 第4B図 第5A図 第5B図 第50図
イプバンケージの構造を示す断面図、第2A図〜第2D
図は本発明の第1実施例による半導体装置のパッケージ
の製造方法を説明するための工程図、第6図は上記第2
A図に示す工程終了後の基板の平面図、第4A図及び第
4B図は上記第1実施回の変形例を示す上記第2A図〜
第2D図と同様な図、第5A図〜第5C図は本発明の第
2実施例による半導体装置のパッケージの製造方法を説
明するための工程図である。 なお図面に用いた符号において、 (t)t2tK2a(24)ハラ’y −シ(4)時
チップ (5厄9) ワイヤ けり ・ 基板 (11hX11i) 外部電極接続部位(i雌8
) 外部電極部 (20) 樹脂モールド層である。 代理人 上屋 勝 常 包 芳 男 杉浦俊貴 第2D図 第3図 第4A図 第4B図 第5A図 第5B図 第50図
Claims (1)
- 選択エツチング可能な材料から成る基板上に半導体装置
を載置し、接続用ワイヤを上記半導体装置に接続すると
共にこの接続用ワイヤの外部電極部を上記基板の外部電
極接続部位に接続し、次いで上記基板上において上記半
導体装置及び上記接続用ワイヤを一体に樹脂モールドし
、しかる後上記基板をエツチング除去することを特徴と
する半導体装置のパッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58083188A JPS59208756A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 半導体装置のパツケ−ジの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58083188A JPS59208756A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 半導体装置のパツケ−ジの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59208756A true JPS59208756A (ja) | 1984-11-27 |
JPH0447977B2 JPH0447977B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=13795346
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58083188A Granted JPS59208756A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 半導体装置のパツケ−ジの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59208756A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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