JPH0447977B2 - - Google Patents
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- JPH0447977B2 JPH0447977B2 JP58083188A JP8318883A JPH0447977B2 JP H0447977 B2 JPH0447977 B2 JP H0447977B2 JP 58083188 A JP58083188 A JP 58083188A JP 8318883 A JP8318883 A JP 8318883A JP H0447977 B2 JPH0447977 B2 JP H0447977B2
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置のパツケージの製造方法
に関する。
に関する。
背景技術とその問題点
従来、プリント基板上の実装密度の高いパツケ
ージとして、チツプキヤリアタイプのパツケージ
が知られている。このパツケージはリードレスタ
イプのパツケージで、パツケージの裏面に引き出
されているハンダ付け可能な電極をプリント基板
の導体パタンに直接ハンド付けして接続すること
により実装を行うものである。
ージとして、チツプキヤリアタイプのパツケージ
が知られている。このパツケージはリードレスタ
イプのパツケージで、パツケージの裏面に引き出
されているハンダ付け可能な電極をプリント基板
の導体パタンに直接ハンド付けして接続すること
により実装を行うものである。
このチツプキヤリアタイプパツケージには、セ
ラミツクタイプとプラスチツクタイプとがある。
セラミツクタイプはパツケージ自体が高温である
ばかりではなく、プリント基板に直接ハング付け
すると、温度サイクル時にセラミツクスと上記ハ
ンダ及び上記導体との間の熱膨張係数の差によつ
て接続部にはがれやクラツクが生じる恐れがある
という欠点を有している。一方、プラスチツクタ
イプはパツケージが安価であるという利点を有し
ているが、熱放散性が悪く、また形状がパツケー
ジの製造の自動化に適していないという欠点を有
している。
ラミツクタイプとプラスチツクタイプとがある。
セラミツクタイプはパツケージ自体が高温である
ばかりではなく、プリント基板に直接ハング付け
すると、温度サイクル時にセラミツクスと上記ハ
ンダ及び上記導体との間の熱膨張係数の差によつ
て接続部にはがれやクラツクが生じる恐れがある
という欠点を有している。一方、プラスチツクタ
イプはパツケージが安価であるという利点を有し
ているが、熱放散性が悪く、また形状がパツケー
ジの製造の自動化に適していないという欠点を有
している。
このような従来のプラスチツクタイプのチツプ
キヤリヤタイプパツケージの構造を第1に示す。
このパツケージ1は、銅箔製の電極2が予め形成
されているプリント基板3上に半導体装置を構成
するチツプ4を載置し、ワイヤボンデイング法に
より上記チツプ4と上記電極2の一端とをAuの
細線から成るワイヤ5で接続した後、上方より液
状のエポキシ樹脂を適下させて硬化成形すること
によつて作る。
キヤリヤタイプパツケージの構造を第1に示す。
このパツケージ1は、銅箔製の電極2が予め形成
されているプリント基板3上に半導体装置を構成
するチツプ4を載置し、ワイヤボンデイング法に
より上記チツプ4と上記電極2の一端とをAuの
細線から成るワイヤ5で接続した後、上方より液
状のエポキシ樹脂を適下させて硬化成形すること
によつて作る。
このパツケージ1において、チツプ4は樹脂層
6とプリント基板3とによつて囲まれている。こ
れらの樹脂層6及びプリント基板3の熱抵抗は共
に大きいので、その動作時においてチツプ4で発
生する熱をパツケージ1の外部に効果的に放散す
ることができない。即ち、このパツケージ1は熱
放散製が悪いという欠点を有している。また上記
の液状のエポキシ樹脂を適下する際に、微量の樹
脂を一定量、しかも高速で適下することが難し
く、このためにパツケージ1はパツケージの製造
の自動化に適していないという欠点を有してい
る。
6とプリント基板3とによつて囲まれている。こ
れらの樹脂層6及びプリント基板3の熱抵抗は共
に大きいので、その動作時においてチツプ4で発
生する熱をパツケージ1の外部に効果的に放散す
ることができない。即ち、このパツケージ1は熱
放散製が悪いという欠点を有している。また上記
の液状のエポキシ樹脂を適下する際に、微量の樹
脂を一定量、しかも高速で適下することが難し
く、このためにパツケージ1はパツケージの製造
の自動化に適していないという欠点を有してい
る。
一方、上述のチツプキヤリアタイプパツケージ
とは異なるパツケージにテープキヤリアタイプパ
ツケージがある。このタイプのパツケージは従来
のチツプキヤリアタイプパツケージよりもさらに
小形化できるという利点を有するが、チツプが樹
脂層によつて完全に覆われているため熱放散性が
良好でないこと、テープを用いているために特殊
な装置が必要である等の欠点を有している。
とは異なるパツケージにテープキヤリアタイプパ
ツケージがある。このタイプのパツケージは従来
のチツプキヤリアタイプパツケージよりもさらに
小形化できるという利点を有するが、チツプが樹
脂層によつて完全に覆われているため熱放散性が
良好でないこと、テープを用いているために特殊
な装置が必要である等の欠点を有している。
発明の目的
本発明は、上述の問題にかんがみ、熱法散性が
良好でかつ信頼性の高い半導体装置のパツケージ
の製造方法を提供することを目的とする。
良好でかつ信頼性の高い半導体装置のパツケージ
の製造方法を提供することを目的とする。
発明の概要
本発明に係る半導体装置のパツケージの製造方
法は、選択エツチング可能な材料から成る基板上
に半導体装置を載置し、接続用ワイヤを上記半導
体装置に接続すると共にこの接続用ワイヤの外部
電極部を上記基板の外部電極接続部位に接続し、
次いで上記基板上において上記半導体装置及び上
記接続用ワイヤを一体に樹脂モールドし、しかる
後上記基板をエツチング除去するようにしてい
る。このようにすることによつて、熱放散性が良
好でかつ信頼性の高いリードレスタイプのパツケ
ージを、簡便かつ安価な方法によつて自動的に製
造することができる。なお上記外部電極部は上記
接続用ワイヤ自体が兼ねていてもよいし、上記接
続用ワイヤとは別に設けられかつ上記接続用ワイ
ヤが接続されているものでもよい。
法は、選択エツチング可能な材料から成る基板上
に半導体装置を載置し、接続用ワイヤを上記半導
体装置に接続すると共にこの接続用ワイヤの外部
電極部を上記基板の外部電極接続部位に接続し、
次いで上記基板上において上記半導体装置及び上
記接続用ワイヤを一体に樹脂モールドし、しかる
後上記基板をエツチング除去するようにしてい
る。このようにすることによつて、熱放散性が良
好でかつ信頼性の高いリードレスタイプのパツケ
ージを、簡便かつ安価な方法によつて自動的に製
造することができる。なお上記外部電極部は上記
接続用ワイヤ自体が兼ねていてもよいし、上記接
続用ワイヤとは別に設けられかつ上記接続用ワイ
ヤが接続されているものでもよい。
実施例
以下本発明に係る半導体装置のパツケージの製
造方法の実施例につき図面を参照しながら説明す
る。
造方法の実施例につき図面を参照しながら説明す
る。
第2A図〜第2D図は本発明の第1実施例によ
る半導体装置のパツケージの製造方法を説明する
ための工程図である。以下第2A図から工程順に
説明する。
る半導体装置のパツケージの製造方法を説明する
ための工程図である。以下第2A図から工程順に
説明する。
まず第2A図において、厚さ35〔μ〕のFe製の
基板11の上に、厚さ1〔μ〕のAu層12、厚さ
1〔μ〕のNi層13及び厚さ3〔μ〕のAu層14
を順次にメツキして、半導体装置を構成するチツ
プ15の載置部16及び外部電極部17,18の
それぞれを上記基板11の所定のチツプ載置部位
11g及び外部電極接続部位11h,11iのそ
れぞれに設ける。第2A図に示す工程終了後の上
記基板11の平面図を第3図に示す。次に第2B
図において、上記チツプ載置部16にチツプ15
を載置した後、ワイヤボンデイング法によつてこ
のチツプ15と上記外部電極部17,18とをそ
れぞれAuの細線から成るワイヤ19で接続する。
次に第2C図において、第2B図の基板11の上
に設けられた上記外部電極17,18、チツプ載
置部16、チツプ15及びワイヤ19を一体とす
るために、公知のトランスフア・モールド法(移
送設成形法)を用いて、エポキシから成る樹脂モ
ールド層20を上記基板11上に形成する。なの
実施例においては、上記樹脂モード層20の厚さ
tを1〔mm〕とした。
基板11の上に、厚さ1〔μ〕のAu層12、厚さ
1〔μ〕のNi層13及び厚さ3〔μ〕のAu層14
を順次にメツキして、半導体装置を構成するチツ
プ15の載置部16及び外部電極部17,18の
それぞれを上記基板11の所定のチツプ載置部位
11g及び外部電極接続部位11h,11iのそ
れぞれに設ける。第2A図に示す工程終了後の上
記基板11の平面図を第3図に示す。次に第2B
図において、上記チツプ載置部16にチツプ15
を載置した後、ワイヤボンデイング法によつてこ
のチツプ15と上記外部電極部17,18とをそ
れぞれAuの細線から成るワイヤ19で接続する。
次に第2C図において、第2B図の基板11の上
に設けられた上記外部電極17,18、チツプ載
置部16、チツプ15及びワイヤ19を一体とす
るために、公知のトランスフア・モールド法(移
送設成形法)を用いて、エポキシから成る樹脂モ
ールド層20を上記基板11上に形成する。なの
実施例においては、上記樹脂モード層20の厚さ
tを1〔mm〕とした。
次に第2C図において、Feのみを選択的にエ
ツチングするが樹脂モールド層20及びAu層1
2はエツチングしないエツチング液、例えば塩化
第二鉄(FeCl3)溶液を用いて、基板11の裏面
11a側からスプレーエツチングすることによ
り、上記基板11を除去して、第2D図に示すリ
ードレスタイプのパツケージ21を完成させる。
上記エツチングによつて露出されたAu層12の
下面のうち外部電極部17,18のAu層12の
下面が外部電極面12b,12cとなり、またチ
ツプ載置部16のAu層12の下面が熱放散面1
2aとなる。
ツチングするが樹脂モールド層20及びAu層1
2はエツチングしないエツチング液、例えば塩化
第二鉄(FeCl3)溶液を用いて、基板11の裏面
11a側からスプレーエツチングすることによ
り、上記基板11を除去して、第2D図に示すリ
ードレスタイプのパツケージ21を完成させる。
上記エツチングによつて露出されたAu層12の
下面のうち外部電極部17,18のAu層12の
下面が外部電極面12b,12cとなり、またチ
ツプ載置部16のAu層12の下面が熱放散面1
2aとなる。
上述のようにして完成されたパツケージ21を
プリント基板上に実装する場合には、第2D図に
示す上記外部電極面12b,12eをプリント基
板上の導体パタンに直接ハンダ付けして接続すれ
ばよい。
プリント基板上に実装する場合には、第2D図に
示す上記外部電極面12b,12eをプリント基
板上の導体パタンに直接ハンダ付けして接続すれ
ばよい。
上述の第1実施例の熱放散面12aは、その動
作時においてチツプ15から発生する熱の放散面
となつている。金属の熱伝導度は非常に高いの
で、チツプ15から発生する熱は金属製のチツプ
載置部16を外方に向かつて迅速に流れて、熱放
散面12aから放散されることによつて効果的に
除去される。しかし、より効果的にチツプ15の
発生熱を除去するためには、広い表面積を有する
放熱フインの一部を上記熱放散面12aに押し当
てて空冷により熱を放熱させるのが好ましい。
作時においてチツプ15から発生する熱の放散面
となつている。金属の熱伝導度は非常に高いの
で、チツプ15から発生する熱は金属製のチツプ
載置部16を外方に向かつて迅速に流れて、熱放
散面12aから放散されることによつて効果的に
除去される。しかし、より効果的にチツプ15の
発生熱を除去するためには、広い表面積を有する
放熱フインの一部を上記熱放散面12aに押し当
てて空冷により熱を放熱させるのが好ましい。
上述の第1実施例のパツケージ21は第2A図
〜第2D図に示すような簡単な工程によつて作る
ことができるばかりでなく、全ての製造工程に従
来から用いられている装置を用いることができる
ので、テープキヤリアタイプのパツケージにおい
て必要な既述の特殊な装置が不要である。従つ
て、簡便かつ安価な方法によりパツケージ21を
製造することができる。さらに上述の第1実施例
では樹脂モールド層20を形成する方法としてト
ランスフア・モールド法(移送成形法)を用いて
いる。この方法は信頼性の高い樹脂封止ができる
かりでなく、モールドの機械化、量産化が容易に
あるためにパツケージを自動的に製造できるとい
う利点を有している。
〜第2D図に示すような簡単な工程によつて作る
ことができるばかりでなく、全ての製造工程に従
来から用いられている装置を用いることができる
ので、テープキヤリアタイプのパツケージにおい
て必要な既述の特殊な装置が不要である。従つ
て、簡便かつ安価な方法によりパツケージ21を
製造することができる。さらに上述の第1実施例
では樹脂モールド層20を形成する方法としてト
ランスフア・モールド法(移送成形法)を用いて
いる。この方法は信頼性の高い樹脂封止ができる
かりでなく、モールドの機械化、量産化が容易に
あるためにパツケージを自動的に製造できるとい
う利点を有している。
なお上述の第1実施例において、第2A図に示
す場合と同様にチツプ載置部16及び外部電極部
17,18を設けた後に、基板11の上面を既述
のFeCl3溶液を用いて僅かにエツチングすること
により、第4A図に示すようにチツプ載置部16
及び外部電極部17,18の下部の基板11にア
ンダーカツト部11a〜11fを形成し、次に第
2B図〜第2D図と同様な方法によつて第4B図
に示すパツケージ22を完成させることができ
る。このように上記のエツチングによつてチツプ
載置部16及び外部電磁部17,18の下部に上
記アンダーカツト部11a〜11fが形成される
ので、これらの部分に樹脂が回り込んで突出部2
0a〜20fが形成される。従つてこれらの突出
部20a〜20fによつて上記チツプ載置部16
及び上記外部電極部17,18が下方から保持さ
れる構造となるので、上記チツプ載置部16及び
上記外部電極部17,18がパツケージ22の使
用時において樹脂モールド層20から抜け出して
しまうのを防止することができるという利点があ
る。さらにチツプ載置部16及び外部電極部1
7,18が樹脂モールド層20の下面から突出す
ることなく形成されるので、これらのチツプ載置
部16及び外部電極部17,18を保護すること
ができるという利点もある。
す場合と同様にチツプ載置部16及び外部電極部
17,18を設けた後に、基板11の上面を既述
のFeCl3溶液を用いて僅かにエツチングすること
により、第4A図に示すようにチツプ載置部16
及び外部電極部17,18の下部の基板11にア
ンダーカツト部11a〜11fを形成し、次に第
2B図〜第2D図と同様な方法によつて第4B図
に示すパツケージ22を完成させることができ
る。このように上記のエツチングによつてチツプ
載置部16及び外部電磁部17,18の下部に上
記アンダーカツト部11a〜11fが形成される
ので、これらの部分に樹脂が回り込んで突出部2
0a〜20fが形成される。従つてこれらの突出
部20a〜20fによつて上記チツプ載置部16
及び上記外部電極部17,18が下方から保持さ
れる構造となるので、上記チツプ載置部16及び
上記外部電極部17,18がパツケージ22の使
用時において樹脂モールド層20から抜け出して
しまうのを防止することができるという利点があ
る。さらにチツプ載置部16及び外部電極部1
7,18が樹脂モールド層20の下面から突出す
ることなく形成されるので、これらのチツプ載置
部16及び外部電極部17,18を保護すること
ができるという利点もある。
第5A図〜第5C図は本発明の第2実施例によ
る半導体装置のパツケージの製造方法を説明する
ための工程図である。以下第5A図から工程順に
説明する。
る半導体装置のパツケージの製造方法を説明する
ための工程図である。以下第5A図から工程順に
説明する。
まず第5A図において、厚さ35〔μ〕のCu製の
基板11の上面に公知のフオトレジストを塗布し
た後に所定のパターンニングを行う。次いでCu
のみを選択的にエツチングするエツチング液、例
えば既述のFeCl3溶液を用いて上記基盤11の表
面を僅かにエツチングすることによつて、上記基
板11の表面にチツプ載置部位11g及び外部電
極接続部位11h,11iをそれぞれ形成する。
上記フオトレジストを除去した後に第5B図にお
いて、第1実施例の同様に、上記チツプ載置部位
11gにハンダ層23を介してチツプ15を載置
した後、ワイヤボンデイング法によつてこのチツ
プ15と上記外部電極接続部位11h,11iと
をそれぞれAgの細線から成るワイヤ19で接続
する。なお本実施例においては、後述の理由によ
り、第1実施例で用いたワイヤよりも径の大きい
ワイヤを用いた。次に第1実施例と同様に樹脂モ
ールド層20を上記基板11上に形成する。次に
上記基板11を第1実施例と同様な方法でエツチ
ング除去してパツケージ24を完成させる。上記
エツチングにより露出されたワイヤ19の端部が
外部電極部17,18となり、またハンダ層23
の下面が熱法散面23aとなる。
基板11の上面に公知のフオトレジストを塗布し
た後に所定のパターンニングを行う。次いでCu
のみを選択的にエツチングするエツチング液、例
えば既述のFeCl3溶液を用いて上記基盤11の表
面を僅かにエツチングすることによつて、上記基
板11の表面にチツプ載置部位11g及び外部電
極接続部位11h,11iをそれぞれ形成する。
上記フオトレジストを除去した後に第5B図にお
いて、第1実施例の同様に、上記チツプ載置部位
11gにハンダ層23を介してチツプ15を載置
した後、ワイヤボンデイング法によつてこのチツ
プ15と上記外部電極接続部位11h,11iと
をそれぞれAgの細線から成るワイヤ19で接続
する。なお本実施例においては、後述の理由によ
り、第1実施例で用いたワイヤよりも径の大きい
ワイヤを用いた。次に第1実施例と同様に樹脂モ
ールド層20を上記基板11上に形成する。次に
上記基板11を第1実施例と同様な方法でエツチ
ング除去してパツケージ24を完成させる。上記
エツチングにより露出されたワイヤ19の端部が
外部電極部17,18となり、またハンダ層23
の下面が熱法散面23aとなる。
上述のようにして完成されたパツケージ24を
プリント基板上に実装する場合には、第1実施例
と同様に、第5C図に示す上記外部電極部17,
18をプリント基板上の導体パタンに直接ハンダ
付けして接続すればよい。このことから明らかな
ように、本実施例においてはワイヤ19の端部を
そのまま外部電極部17,18として用いるため
に、ワイヤ19の径を既述のように大きくするの
が好ましい。なお熱放散面23aの機能は第1実
施例と同様である。
プリント基板上に実装する場合には、第1実施例
と同様に、第5C図に示す上記外部電極部17,
18をプリント基板上の導体パタンに直接ハンダ
付けして接続すればよい。このことから明らかな
ように、本実施例においてはワイヤ19の端部を
そのまま外部電極部17,18として用いるため
に、ワイヤ19の径を既述のように大きくするの
が好ましい。なお熱放散面23aの機能は第1実
施例と同様である。
上述の第2実施例のパツケージ24は、第1実
施例のパツケージ21と異なつて、フオトレジス
ト工程及びエツチング工程によつて基板11に設
けられた外部電極接続部位11h,11iにワイ
ヤ19を直接接続するようにしているので、第1
実施例のパツケージ21におけるAu層12,1
4及びNi層13を形成する必要がない。上記の
フオトレジスト工程及びエツチング工程は第1実
施例のパツケージ21で用いたメツキ工程よりも
さらに簡便である。またこれらのフオトレジスト
工程及びエツチング工程を用いることにより、
Au等の貴金属を用いる必要がなくなるという利
点がある。
施例のパツケージ21と異なつて、フオトレジス
ト工程及びエツチング工程によつて基板11に設
けられた外部電極接続部位11h,11iにワイ
ヤ19を直接接続するようにしているので、第1
実施例のパツケージ21におけるAu層12,1
4及びNi層13を形成する必要がない。上記の
フオトレジスト工程及びエツチング工程は第1実
施例のパツケージ21で用いたメツキ工程よりも
さらに簡便である。またこれらのフオトレジスト
工程及びエツチング工程を用いることにより、
Au等の貴金属を用いる必要がなくなるという利
点がある。
上述の第1実施例及び第2実施例においては、
1個のチツプをチツプ載置部に載置してこれを樹
脂モールドする場合につき述べたが、基板上に多
数のチツプ載置部を設け、それぞれのチツプ載置
部に同一のチツプを載置して、これらのチツプを
一体に樹脂モールドした後に切断分離することに
より、それぞれ1個のチツプを有する同一のパツ
ケージを多数個同時に作ることもできる。また種
種のチツプと、コンデンサや抵抗等の受動素子と
を基板上に載置した後にこれらを一体に樹脂モー
ルドすれば、種々の機能を有するパツケージを作
ることができると共に、回路素子の集積度の高い
パツケージを作ることができるという利点があ
る。
1個のチツプをチツプ載置部に載置してこれを樹
脂モールドする場合につき述べたが、基板上に多
数のチツプ載置部を設け、それぞれのチツプ載置
部に同一のチツプを載置して、これらのチツプを
一体に樹脂モールドした後に切断分離することに
より、それぞれ1個のチツプを有する同一のパツ
ケージを多数個同時に作ることもできる。また種
種のチツプと、コンデンサや抵抗等の受動素子と
を基板上に載置した後にこれらを一体に樹脂モー
ルドすれば、種々の機能を有するパツケージを作
ることができると共に、回路素子の集積度の高い
パツケージを作ることができるという利点があ
る。
上述の第1実施例の基板の材料は選択エツチン
グが可能であればCu等の他の金属であつてもよ
く、また第2実施例の基板の材料もFe等の他の
金属であつてもよい。第1実施例においてはさら
に金属以外の材料、例えばポリイミドアミド系樹
脂を用いるとことも可能である。この場合に既述
のエツチング液としては、ヒドラジンとエチレン
ジアミンとの混合液を用いればよい。
グが可能であればCu等の他の金属であつてもよ
く、また第2実施例の基板の材料もFe等の他の
金属であつてもよい。第1実施例においてはさら
に金属以外の材料、例えばポリイミドアミド系樹
脂を用いるとことも可能である。この場合に既述
のエツチング液としては、ヒドラジンとエチレン
ジアミンとの混合液を用いればよい。
発明の効果
本発明に係る半導体装置のパツケージの製造方
法によれば、その動作時において半導体装置から
発生する熱の放散性が良好でありかつ信頼性が高
い小型のパツケージを、極めて簡便かつ安価な方
法によつて自動的に製造することができる。
法によれば、その動作時において半導体装置から
発生する熱の放散性が良好でありかつ信頼性が高
い小型のパツケージを、極めて簡便かつ安価な方
法によつて自動的に製造することができる。
第1図は従来のプラスチツクタイプのチツプキ
ヤリアタイプパツケージの構造を示す断面図、第
2A図〜第2D図は本発明の第1実施例による半
導体装置のパツケージの製造方法を説明するため
の工程図、第3図は上記第2A図に示す工程終了
後の基板の平面図、第4A図及び第4B図は上記
第1実施例の変形例を示す上記第2A図〜第2D
図と同様な図、第5A図〜第5C図は本発明の第
2実施例による半導体装置のパツケージの製造方
法を説明するための工程図である。 なお図面に用いた符号において、1,21,2
2,24……パツケージ、4,15……チツプ、
5,19……ワイヤ、11……基板、11h,1
1i……外部電極接続部位、17,18……外部
電極部、20……樹脂モールド層である。
ヤリアタイプパツケージの構造を示す断面図、第
2A図〜第2D図は本発明の第1実施例による半
導体装置のパツケージの製造方法を説明するため
の工程図、第3図は上記第2A図に示す工程終了
後の基板の平面図、第4A図及び第4B図は上記
第1実施例の変形例を示す上記第2A図〜第2D
図と同様な図、第5A図〜第5C図は本発明の第
2実施例による半導体装置のパツケージの製造方
法を説明するための工程図である。 なお図面に用いた符号において、1,21,2
2,24……パツケージ、4,15……チツプ、
5,19……ワイヤ、11……基板、11h,1
1i……外部電極接続部位、17,18……外部
電極部、20……樹脂モールド層である。
Claims (1)
- 1 選択エツチング可能な材料から成る基板上に
半導体装置を載置し、接続用ワイヤを上記半導体
装置に接続すると共にこの接続用ワイヤの外部電
極部を上記基板の外部を外部電極接続部位に接続
し、次いで上記基板上において上記半導体装置及
び上記接続用ワイヤを一体に樹脂モールドし、し
かる後上記基板をエツチング除去することを特徴
とする半導体装置のパツケージの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58083188A JPS59208756A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 半導体装置のパツケ−ジの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58083188A JPS59208756A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 半導体装置のパツケ−ジの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59208756A JPS59208756A (ja) | 1984-11-27 |
JPH0447977B2 true JPH0447977B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=13795346
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58083188A Granted JPS59208756A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 半導体装置のパツケ−ジの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59208756A (ja) |
Families Citing this family (124)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63301531A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-08 | Nec Corp | 混成集積回路装置 |
JP2702182B2 (ja) * | 1988-10-27 | 1998-01-21 | 九州日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2840316B2 (ja) * | 1989-09-06 | 1998-12-24 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2781020B2 (ja) * | 1989-09-06 | 1998-07-30 | モトローラ・インコーポレーテッド | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2781018B2 (ja) * | 1989-09-06 | 1998-07-30 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2781019B2 (ja) * | 1989-09-06 | 1998-07-30 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2840317B2 (ja) * | 1989-09-06 | 1998-12-24 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH0521637A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Nec Corp | リードレスチツプキヤリアおよびその製造方法 |
JP3055285B2 (ja) * | 1992-01-29 | 2000-06-26 | 松下電器産業株式会社 | 中間基材のボンディング方法 |
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JP3337467B2 (ja) * | 1994-03-18 | 2002-10-21 | 日立化成工業株式会社 | 半導体パッケージの製造法及び半導体パッケージ |
JP3352083B2 (ja) * | 1994-03-18 | 2002-12-03 | 日立化成工業株式会社 | 半導体パッケージ及び半導体素子搭載用基板の製造方法 |
JP3413191B2 (ja) * | 1994-03-18 | 2003-06-03 | 日立化成工業株式会社 | 半導体パッケージの製造法及び半導体パッケージ |
EP0751561A4 (en) * | 1994-03-18 | 1997-05-07 | Hitachi Chemical Co Ltd | PROCESS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PACKAGES AND SEMICONDUCTOR PACKAGES |
JP3413413B2 (ja) * | 1994-03-18 | 2003-06-03 | 日立化成工業株式会社 | 半導体素子搭載用基板及びその製造方法 |
JP3352084B2 (ja) * | 1994-03-18 | 2002-12-03 | 日立化成工業株式会社 | 半導体素子搭載用基板及び半導体パッケージ |
JP4029910B2 (ja) * | 1994-03-18 | 2008-01-09 | 日立化成工業株式会社 | 半導体パッケ−ジの製造法及び半導体パッケ−ジ |
JP3529507B2 (ja) * | 1995-09-04 | 2004-05-24 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置 |
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US6159770A (en) * | 1995-11-08 | 2000-12-12 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for fabricating semiconductor device |
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US6329711B1 (en) | 1995-11-08 | 2001-12-11 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and mounting structure |
JP3189703B2 (ja) * | 1996-10-08 | 2001-07-16 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
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US6821821B2 (en) | 1996-04-18 | 2004-11-23 | Tessera, Inc. | Methods for manufacturing resistors using a sacrificial layer |
KR0185512B1 (ko) * | 1996-08-19 | 1999-03-20 | 김광호 | 칼럼리드구조를갖는패키지및그의제조방법 |
JP3003617B2 (ja) * | 1997-03-14 | 2000-01-31 | 日本電気株式会社 | 樹脂封止型半導体パッケージ |
JPH10340925A (ja) * | 1997-06-09 | 1998-12-22 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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JP3837215B2 (ja) * | 1997-10-09 | 2006-10-25 | 三菱電機株式会社 | 個別半導体装置およびその製造方法 |
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US7271032B1 (en) | 1998-06-10 | 2007-09-18 | Asat Ltd. | Leadless plastic chip carrier with etch back pad singulation |
US6933594B2 (en) | 1998-06-10 | 2005-08-23 | Asat Ltd. | Leadless plastic chip carrier with etch back pad singulation |
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US6498099B1 (en) * | 1998-06-10 | 2002-12-24 | Asat Ltd. | Leadless plastic chip carrier with etch back pad singulation |
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US7226811B1 (en) | 1998-06-10 | 2007-06-05 | Asat Ltd. | Process for fabricating a leadless plastic chip carrier |
US8330270B1 (en) | 1998-06-10 | 2012-12-11 | Utac Hong Kong Limited | Integrated circuit package having a plurality of spaced apart pad portions |
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