JPH0394459A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH0394459A JPH0394459A JP1231132A JP23113289A JPH0394459A JP H0394459 A JPH0394459 A JP H0394459A JP 1231132 A JP1231132 A JP 1231132A JP 23113289 A JP23113289 A JP 23113289A JP H0394459 A JPH0394459 A JP H0394459A
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- bonding
- bonding part
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- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は回路基板に実装して用いる半導体チップモジュ
ールおよびその製造方法に関する。
ールおよびその製造方法に関する。
（従来技術）
半導体チップを回路基板に実装する搭載方法には、パッ
ケージ方式とペアチップ方式があり、半導体チップの接
続方法にはワイヤボンディング方式とバンプ方式がある
。
ケージ方式とペアチップ方式があり、半導体チップの接
続方法にはワイヤボンディング方式とバンプ方式がある
。
前記のパッケージ方式は、半導体チップをパッケージに
収納してパッケージごと回路基板に実装するもので、ペ
アチップ方式は、回路基板にペアチップを搭載し、ワイ
ヤボンディング方式により接続するかあるいはバンプ方
式によって接続搭載するものである． バンプ方式では、半導体チップにあらかじめ接続用のバ
ンプを形或しておき、半導体チップを加圧、加熱して回
路基板に接続する（フリップチップ法）．半導体チップ
を搭載した後は、接続部分、露出部分を樹脂によって封
止する． このブリップチップ法の場合は、半導体チップの面積内
で接続できるから、パッケージ方式とくらべて実装密度
を高めることができ、接続にボンディングワイヤを用い
ないからボンディングワイヤが交錯したりすることがな
い等の利点がある．（発明が解決しようとする課題） しかしながら，上記のフリップチップ法による場合は半
導体チップ上に接続用のバンプをつくる必要があり半導
体チップの製造コストが高くなること、実装用の基板に
接続する際に半導体チップを加圧、加熱するため熱応力
疲労によって半導体チップのパッド等の接続部が劣化し
やすいこと、ペアチップの状態で回路基板に接続される
から耐環境性が劣るといった問題点がある。
収納してパッケージごと回路基板に実装するもので、ペ
アチップ方式は、回路基板にペアチップを搭載し、ワイ
ヤボンディング方式により接続するかあるいはバンプ方
式によって接続搭載するものである． バンプ方式では、半導体チップにあらかじめ接続用のバ
ンプを形或しておき、半導体チップを加圧、加熱して回
路基板に接続する（フリップチップ法）．半導体チップ
を搭載した後は、接続部分、露出部分を樹脂によって封
止する． このブリップチップ法の場合は、半導体チップの面積内
で接続できるから、パッケージ方式とくらべて実装密度
を高めることができ、接続にボンディングワイヤを用い
ないからボンディングワイヤが交錯したりすることがな
い等の利点がある．（発明が解決しようとする課題） しかしながら，上記のフリップチップ法による場合は半
導体チップ上に接続用のバンプをつくる必要があり半導
体チップの製造コストが高くなること、実装用の基板に
接続する際に半導体チップを加圧、加熱するため熱応力
疲労によって半導体チップのパッド等の接続部が劣化し
やすいこと、ペアチップの状態で回路基板に接続される
から耐環境性が劣るといった問題点がある。
そこで，本発明は上記問題点を解消すべくなされたもの
であり、その目的とするところは、回路基板に対して上
記フリップチップ法と同程度の高密度実装ができ、耐環
境性に優れるとともに、取り扱いも容易な半導体チップ
モジュールおよびその製造方法を提供しようとするもの
である．（課題を解決するための手段） 本発明は上記目的を達或するため次のｎ１′＆をそなえ
る． すなわち，ダイボンディング部上に半導体チップが接合
され、ダイボンディング部の周囲に設けられたボンディ
ング部と前記半導体チップとがワイヤボンディングによ
って接続され、前記ボンディング部の一部を外部に露出
させて、ダイボンディング部の半導体チップを搭載する
一方の面側が、半導体チップ，ボンディングワイヤ、ボ
ンディング部を含めて樹脂封止されたことを特徴とする
．また、前記ボンディング部の露出部分に外部接続用の
バンプが形成されたことを特徴とする。また、その製造
方法としては、金属ベース上に半導体チップを接合し，
該半導体チップと金属ベース上に設けたボンディング部
とをワイヤボンディングによって接続し，前記金属ベー
スの半導体チップを搭載した一方の面側を、半導体チッ
プ、ボンディングワイヤ、ボンディング部を含めて樹脂
封止し、金属ベースの露出面に前記ボンディング部のパ
ターンに対応するレジストパターンを設けて金属べ−ス
をエッチングすることにより、ボンディング部に接合す
る端子部を形成することを特徴とし、また、金属ベース
上に金めつき層等の非エッチング金属層によりダイボン
ディング部およびボンディング部を形成し、前記ダイボ
ンディング部に半導体チップを接合して半導体チップと
ボンディング部とをワイヤボンディングによって接続し
，金属ベースの半導体チップが搭載された一方の面側を
、半導体チップ、ボンディングワイヤ、ボンディング部
を含めて樹脂封止し、前記金属ベースのみをエッチング
除去することを特徴とし，また、電気的絶縁性を有する
ベースフィルム上に剥離可能に金属層が設けられた転写
フィルムの金属層をエッチングしてダイボンディング部
およびボンディング部を形成し、前記ダイボンディング
部に半導体チップを接合して、半導体チップとボンディ
ング部とをワイヤボンディングによって接続し、前記転
写フィルムの半導体チップが搭載された一方の面側を、
半導体チップ、ボンディングワイヤ，ボンディング部を
含めて樹脂封止し，前記ベースフィルムを封止樹脂から
剥離除去することを特徴とし、また、電気的絶縁性を有
するベースフィルム上にダイボンディング部およびボン
ディング部を形成し、前記ダイボンディング部に半導体
チップを接合して半導体チップとボンディング部とをワ
イヤボンディングによって接続し、前記ベースフィルム
の半導体チップが搭載された一方の面側を、半導体チッ
プ、ボンディングワイヤ、ボンディング部を含めて樹脂
封止し、ベースフィルムをエッチングして，ボンディン
グ部を露出させることを特徴とする。
であり、その目的とするところは、回路基板に対して上
記フリップチップ法と同程度の高密度実装ができ、耐環
境性に優れるとともに、取り扱いも容易な半導体チップ
モジュールおよびその製造方法を提供しようとするもの
である．（課題を解決するための手段） 本発明は上記目的を達或するため次のｎ１′＆をそなえ
る． すなわち，ダイボンディング部上に半導体チップが接合
され、ダイボンディング部の周囲に設けられたボンディ
ング部と前記半導体チップとがワイヤボンディングによ
って接続され、前記ボンディング部の一部を外部に露出
させて、ダイボンディング部の半導体チップを搭載する
一方の面側が、半導体チップ，ボンディングワイヤ、ボ
ンディング部を含めて樹脂封止されたことを特徴とする
．また、前記ボンディング部の露出部分に外部接続用の
バンプが形成されたことを特徴とする。また、その製造
方法としては、金属ベース上に半導体チップを接合し，
該半導体チップと金属ベース上に設けたボンディング部
とをワイヤボンディングによって接続し，前記金属ベー
スの半導体チップを搭載した一方の面側を、半導体チッ
プ、ボンディングワイヤ、ボンディング部を含めて樹脂
封止し、金属ベースの露出面に前記ボンディング部のパ
ターンに対応するレジストパターンを設けて金属べ−ス
をエッチングすることにより、ボンディング部に接合す
る端子部を形成することを特徴とし、また、金属ベース
上に金めつき層等の非エッチング金属層によりダイボン
ディング部およびボンディング部を形成し、前記ダイボ
ンディング部に半導体チップを接合して半導体チップと
ボンディング部とをワイヤボンディングによって接続し
，金属ベースの半導体チップが搭載された一方の面側を
、半導体チップ、ボンディングワイヤ、ボンディング部
を含めて樹脂封止し、前記金属ベースのみをエッチング
除去することを特徴とし，また、電気的絶縁性を有する
ベースフィルム上に剥離可能に金属層が設けられた転写
フィルムの金属層をエッチングしてダイボンディング部
およびボンディング部を形成し、前記ダイボンディング
部に半導体チップを接合して、半導体チップとボンディ
ング部とをワイヤボンディングによって接続し、前記転
写フィルムの半導体チップが搭載された一方の面側を、
半導体チップ、ボンディングワイヤ，ボンディング部を
含めて樹脂封止し，前記ベースフィルムを封止樹脂から
剥離除去することを特徴とし、また、電気的絶縁性を有
するベースフィルム上にダイボンディング部およびボン
ディング部を形成し、前記ダイボンディング部に半導体
チップを接合して半導体チップとボンディング部とをワ
イヤボンディングによって接続し、前記ベースフィルム
の半導体チップが搭載された一方の面側を、半導体チッ
プ、ボンディングワイヤ、ボンディング部を含めて樹脂
封止し、ベースフィルムをエッチングして，ボンディン
グ部を露出させることを特徴とする。
（作用）
半導体チップモジュールは半導体チップが封止樹脂中に
封止されると共に、ボンディング部が半導体チップと導
通をとって封止樹脂の外面に露出する。これにより、ボ
ンディング部を回路基板等への接続部として実装する。
封止されると共に、ボンディング部が半導体チップと導
通をとって封止樹脂の外面に露出する。これにより、ボ
ンディング部を回路基板等への接続部として実装する。
（実施例）
以下本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
〔第１実施例〕
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明に係る半導体チップモジ
ュールの製造方法の一実施例を示す説明図である。
ュールの製造方法の一実施例を示す説明図である。
この実施例では半導体チップを金属ベースに接合して半
導体チップモジュールを作或する．製造方法としては、
まず、半導体チップ１０を金属ベース１２上にダイボン
ディングする．半導体チップ１０の接合方法としては金
−シリコン共品合金による方法あるいはダイボンディン
グペーストを用いる方法等がある。
導体チップモジュールを作或する．製造方法としては、
まず、半導体チップ１０を金属ベース１２上にダイボン
ディングする．半導体チップ１０の接合方法としては金
−シリコン共品合金による方法あるいはダイボンディン
グペーストを用いる方法等がある。
次に、半導体チップ１０と金属ベース１２との間を通常
のワイヤボンディング法によってワイヤボンディングす
る。ｌ６は半導体チップ１０上に設けたパッド、１８は
金属ベースｌ２に設けたボンディング部である．金属ベ
ース１２のボンディング部１８にはあらかじめ平滑処理
、金めつき等の表面処理を施して確実なボンディングが
できるようにする。２０はボンディングワイヤである。
のワイヤボンディング法によってワイヤボンディングす
る。ｌ６は半導体チップ１０上に設けたパッド、１８は
金属ベースｌ２に設けたボンディング部である．金属ベ
ース１２のボンディング部１８にはあらかじめ平滑処理
、金めつき等の表面処理を施して確実なボンディングが
できるようにする。２０はボンディングワイヤである。
次に、金属ベース１２の半導体チップ１０が接合された
片面側を、半導体チップ１ｏ、ボンディングワイヤ２０
等を含めて樹脂封止する。２２は封止樹脂である。
片面側を、半導体チップ１ｏ、ボンディングワイヤ２０
等を含めて樹脂封止する。２２は封止樹脂である。
次に、金属ベース１２の露出面上にレジストパターン２
４を設け，金属ベース１２をエッチングによって除去す
る。レジストパターン２４は半導体チップ１０と金属ベ
ース１２との接合部及び前記ボンディング部１８がエッ
チング後に残るように設ける． 金属ベース１２をエッチングし、レジストバターン２４
を除去した状態で、封止樹脂２２の外面に半導体チップ
１０の下面に接合する金属部１２ａと各ボンディング部
１８に導通する端子部１２ｂが露出する。回路基板等に
接続して用いる場合は端子部１２ｂにバンプ２６を設け
る（第１図（ｂ））。バンプ２６を形成する方法として
は、はんだめっきする方法、導電性ペーストを印刷、塗
布する方法、導電性接着剤を塗布する方法などが使用で
きる． こうして、半導体チップ１０が樹脂封止され、封止樹脂
の外面に外部接続用の端子部が設けられた半導体チップ
モジュールが得られる．この金属ベースを用いる製造方
法では、電解銅箔を金属ベース１２として好適に用いる
ことができる。電解銅箔はその表面が複雑な凹凸が形成
された粗面に形成されるから、この表面を封止樹脂２２
側にして樹脂封止することにより、表面の凹凸によるア
ンカー効果によって封止樹脂と強固に接合するという利
点がある。この場合、ボンディング部１８にはあらかじ
め平滑処理および金めっき等を施してボンディングが確
実になされるようにする。
４を設け，金属ベース１２をエッチングによって除去す
る。レジストパターン２４は半導体チップ１０と金属ベ
ース１２との接合部及び前記ボンディング部１８がエッ
チング後に残るように設ける． 金属ベース１２をエッチングし、レジストバターン２４
を除去した状態で、封止樹脂２２の外面に半導体チップ
１０の下面に接合する金属部１２ａと各ボンディング部
１８に導通する端子部１２ｂが露出する。回路基板等に
接続して用いる場合は端子部１２ｂにバンプ２６を設け
る（第１図（ｂ））。バンプ２６を形成する方法として
は、はんだめっきする方法、導電性ペーストを印刷、塗
布する方法、導電性接着剤を塗布する方法などが使用で
きる． こうして、半導体チップ１０が樹脂封止され、封止樹脂
の外面に外部接続用の端子部が設けられた半導体チップ
モジュールが得られる．この金属ベースを用いる製造方
法では、電解銅箔を金属ベース１２として好適に用いる
ことができる。電解銅箔はその表面が複雑な凹凸が形成
された粗面に形成されるから、この表面を封止樹脂２２
側にして樹脂封止することにより、表面の凹凸によるア
ンカー効果によって封止樹脂と強固に接合するという利
点がある。この場合、ボンディング部１８にはあらかじ
め平滑処理および金めっき等を施してボンディングが確
実になされるようにする。
金属ベース１２をエッチング除去して、最終的に金属部
１２ａ、端子部１２ｂを形成する方法としては、第２図
に示す方法も有効である。
１２ａ、端子部１２ｂを形成する方法としては、第２図
に示す方法も有効である。
すなわち，まず金属ベース１２にレジストパターン１３
を形成して金めつきを施し（第２図（ａ））、レジスト
パターンエ３を除去することによって金属ベース１２上
に金めつき層１５を形成する（第２図（ｂ））。金めつ
き層１５は半導体チップ１ｏを接合するダイボンディン
グ部と前記ボンディング部１８の配置にしたがって設け
る． 次に、ダイボンディング部に半導体チップ１ｏを接合し
，半導体チップ１０とボンディング部１８とをワイヤボ
ンディングした後、上記と同様に樹脂封止する。樹脂封
止後、金属ベース１２全体をエッチングによって除去す
る．金めつき層１５はエッチングされないから、エッチ
ング後は金めつき層が封止樹脂２２の外面に残る。ボン
ディング部１８に接続用のバンプを形成する場合は上記
例と同様にすればよい． 第２図に示す製造方法においては、金属ベース１２をエ
ッチングによって除去するから金属べ一スとしてはエッ
チングによって溶解除去しやすい金属、たとえば銅等を
用いる。また、金めつき層はエッチングによって除去さ
れないものとして用いているが，金のかわりに銀等のエ
ッチングされにくい材料を用いてもよい。
を形成して金めつきを施し（第２図（ａ））、レジスト
パターンエ３を除去することによって金属ベース１２上
に金めつき層１５を形成する（第２図（ｂ））。金めつ
き層１５は半導体チップ１ｏを接合するダイボンディン
グ部と前記ボンディング部１８の配置にしたがって設け
る． 次に、ダイボンディング部に半導体チップ１ｏを接合し
，半導体チップ１０とボンディング部１８とをワイヤボ
ンディングした後、上記と同様に樹脂封止する。樹脂封
止後、金属ベース１２全体をエッチングによって除去す
る．金めつき層１５はエッチングされないから、エッチ
ング後は金めつき層が封止樹脂２２の外面に残る。ボン
ディング部１８に接続用のバンプを形成する場合は上記
例と同様にすればよい． 第２図に示す製造方法においては、金属ベース１２をエ
ッチングによって除去するから金属べ一スとしてはエッ
チングによって溶解除去しやすい金属、たとえば銅等を
用いる。また、金めつき層はエッチングによって除去さ
れないものとして用いているが，金のかわりに銀等のエ
ッチングされにくい材料を用いてもよい。
半導体チップモジュールは第ｌ図（ｂ）に示すように，
回路基板２８に位置合わせして加圧、加熱して実装する
。
回路基板２８に位置合わせして加圧、加熱して実装する
。
なお，このようにバンプ２６によって回路基板に接続す
る他、第３図に示すようにコネクタを用いて接続しても
よい。この場合はバンプ２６を形成せず、コネクタとの
接点部に保護用の表面処理を施しておく．第３図で３０
はコネクタ、３２はコネクタの接点部である。
る他、第３図に示すようにコネクタを用いて接続しても
よい。この場合はバンプ２６を形成せず、コネクタとの
接点部に保護用の表面処理を施しておく．第３図で３０
はコネクタ、３２はコネクタの接点部である。
１１は半導体チップの熱放散性を向上させるために金属
部１２ａに接合して設けた放熱フィンである． 上記の半導体チップモジュールは樹脂によって完全に封
止されており、封止樹脂外面に外部接続用の端子部が形
成されているから，取り扱いがきわめて簡易で、かつ実
装が容易になっている。
部１２ａに接合して設けた放熱フィンである． 上記の半導体チップモジュールは樹脂によって完全に封
止されており、封止樹脂外面に外部接続用の端子部が形
成されているから，取り扱いがきわめて簡易で、かつ実
装が容易になっている。
〔第２実施例〕
第４図（ａ）、（ｂ）は′半導体チップモジュールの他
の製造方法を示す説明図である． この実施例では上記の金属ベース１２のかわりに転写フ
ィルムを用いることを特徴とする。
の製造方法を示す説明図である． この実施例では上記の金属ベース１２のかわりに転写フ
ィルムを用いることを特徴とする。
すなわち、転写フィルム３８は金属層３４、剥離層３５
、ベースフィルム３６とから成るもので，まず、金属層
３４をエッチングしてダイボンディング部３４ａおよび
ボンディング部３４ｂを形成する． 次に、半導体チップ１０をダイボンディング部３４ａに
接合し、半導体チップｌｏ上のパッド１６とボンディン
グ部３４ａとをワイヤボンディングする。
、ベースフィルム３６とから成るもので，まず、金属層
３４をエッチングしてダイボンディング部３４ａおよび
ボンディング部３４ｂを形成する． 次に、半導体チップ１０をダイボンディング部３４ａに
接合し、半導体チップｌｏ上のパッド１６とボンディン
グ部３４ａとをワイヤボンディングする。
次に、転写フィルム３８の半導体チップ１０が接合され
た片面側を樹脂封止する（第４図（ａ））。
た片面側を樹脂封止する（第４図（ａ））。
次に、転写フィルム３８を封止樹脂２２から剥離する．
転写フィルム３８は剥離層３５から容易に剥離されて、
封止樹脂２２側にダイボンディング部３４ａ、ボンディ
ング部３４ｂが残る。
転写フィルム３８は剥離層３５から容易に剥離されて、
封止樹脂２２側にダイボンディング部３４ａ、ボンディ
ング部３４ｂが残る。
ボンディング部３４ｂにバンプ２６を形成して、上記例
と同様な半導体チップモジュールが得られる（第４図（
ｂ））。
と同様な半導体チップモジュールが得られる（第４図（
ｂ））。
なお、転写フィルム３８としてはべ゜−スフィルム３６
に電解銅箔を接合したものが好適に用いられる．電解鋼
箔は前記第１実施例で説明したとおり、表面に複雑な凹
凸が形成されたものであって、封止樹脂２２と接合する
側をこの粗而側にすることにより封止樹脂２２と強固に
接合して転写フィルムの特性を効果的に発揮することが
できる。ボンディング部３４ｂにはあらかじめ平滑処理
および金めつきを施してボンディングが確実になされる
ようにしておくとよい。
に電解銅箔を接合したものが好適に用いられる．電解鋼
箔は前記第１実施例で説明したとおり、表面に複雑な凹
凸が形成されたものであって、封止樹脂２２と接合する
側をこの粗而側にすることにより封止樹脂２２と強固に
接合して転写フィルムの特性を効果的に発揮することが
できる。ボンディング部３４ｂにはあらかじめ平滑処理
および金めつきを施してボンディングが確実になされる
ようにしておくとよい。
〔第３実施例〕
第５図はさらに他の製造方法としてＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉ
ｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）を川いた例
である。
ｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）を川いた例
である。
図で４０はＦＰＣのベースフィルムであり、４２ａはベ
ースフィルム４０上に形或したダイボンディング部、４
２ｂはボンディング部である。半導体チップ１０はダイ
ボンディング部４２ａ上に接合した後、ワイヤボンディ
ングし、ベースフィルム４０の片面側を樹脂封止する（
第５図（ａ））。
ースフィルム４０上に形或したダイボンディング部、４
２ｂはボンディング部である。半導体チップ１０はダイ
ボンディング部４２ａ上に接合した後、ワイヤボンディ
ングし、ベースフィルム４０の片面側を樹脂封止する（
第５図（ａ））。
次いで，ベースフィルム４０の所定部位、たとえば外部
接続用の端子部等をエッチング除去することによって第
５図（ｂ）に示す半導体チップモジュールが得られる。
接続用の端子部等をエッチング除去することによって第
５図（ｂ）に示す半導体チップモジュールが得られる。
この実施例で得られた半導体チップモジュールは封止樹
脂２２の一方の外面が、端子部を除いてベースフィルム
４０によって被覆されている。端子部はそのまま接点と
して用いてもいいし、上記例と同じようにバンプを形威
してそのまま回路基板に接続できるようにしてもよい。
脂２２の一方の外面が、端子部を除いてベースフィルム
４０によって被覆されている。端子部はそのまま接点と
して用いてもいいし、上記例と同じようにバンプを形威
してそのまま回路基板に接続できるようにしてもよい。
以上各実施例について説明したが，各実施例の半導体チ
ップモジュールは以下のような特徴を有する。すなわち
、 ■ 半導体チップが完全に封止されて保護されているこ
とにより、取り扱いがきわめて容易であり，耐環境性に
優れることにより信頼性の高い装置が得られる。
ップモジュールは以下のような特徴を有する。すなわち
、 ■ 半導体チップが完全に封止されて保護されているこ
とにより、取り扱いがきわめて容易であり，耐環境性に
優れることにより信頼性の高い装置が得られる。
■ 封止樹脂上に外部接続用の端子部を設けているから
、従来のフリップチップ法による実装方法と同様な接続
方法が可能となり、これによって高密度実装が可能にな
る。
、従来のフリップチップ法による実装方法と同様な接続
方法が可能となり、これによって高密度実装が可能にな
る。
■ 半導体チップ上のパッドが基板に直接接続されず、
封止樹脂等が中間に介在するから、これらが緩衝材とし
て作用し、実装した際の接続部に対する応力集中が回避
でき接点部を長寿命とすることができる。
封止樹脂等が中間に介在するから、これらが緩衝材とし
て作用し、実装した際の接続部に対する応力集中が回避
でき接点部を長寿命とすることができる。
■ 高度の技術的完成度にあるワイヤボンディング法が
利用でき、確実に製造できると共に容易に製造できる． ■ 半導体チップに放熱体を付設することが容易にでき
、半導体チップの熱放散性を向上させることができる． 以上、本発明について好適な実施例を挙げて種々説明し
たが，本発明はこの実施例に限定されるものではなく、
種々のタイプの半導体チップモジュールに同様に適用で
きるものであって、発明の精神を逸脱しない範囲内で多
くの改変を施し得るのはもちろんのことである。
利用でき、確実に製造できると共に容易に製造できる． ■ 半導体チップに放熱体を付設することが容易にでき
、半導体チップの熱放散性を向上させることができる． 以上、本発明について好適な実施例を挙げて種々説明し
たが，本発明はこの実施例に限定されるものではなく、
種々のタイプの半導体チップモジュールに同様に適用で
きるものであって、発明の精神を逸脱しない範囲内で多
くの改変を施し得るのはもちろんのことである。
（発明の効果）
上述したように、本発明に係る半導体チップモジュール
は、半導体チップが完全に樹脂封止されていることによ
って取り扱いがきわめて容易になり、また、外部接続用
の端子部が半導体チップと導通をとって封止樹脂の外面
に設けられているから，モジュールをそのまま回路基板
に実装することができ、高密度実装を可能とすることが
できる。
は、半導体チップが完全に樹脂封止されていることによ
って取り扱いがきわめて容易になり、また、外部接続用
の端子部が半導体チップと導通をとって封止樹脂の外面
に設けられているから，モジュールをそのまま回路基板
に実装することができ、高密度実装を可能とすることが
できる。
また，従来のワイヤボンディング法を利用することによ
って、確実かつ容易に製造することができる等の著効を
奏する。
って、確実かつ容易に製造することができる等の著効を
奏する。
第１図は本発明に係る半導体チップモジュールの製造方
法についての第１実施例を示す説明図、第２図は第２実
施例を示す説明図、第３図は実装状態を示す説明図、第
４図および第５図は製造方法の第２および第３実施例を
示す説明図である。 １０・・・半導体チップ、 １２・・・金属ベース、
１５・・・金めつき層、 １８・・・ボンディン
グ部、 ２０・・・ボンディングワイヤ、２２・・・封
止樹脂， ２４・・・レジストパターン、 ２６・
・・バンプ、 ２８・・・回路基板、 ３０・・・コ
ネクタ、 ３４ａ・・・ダイボンディング部、 ３４
ｂ・・・ボンディング部、３５・・・ｌＨａＭ、 ３
６・・・ベースフィルム、３８・・・転写フィルム、
４０・・・ペースフイノレム． （ｂ）
法についての第１実施例を示す説明図、第２図は第２実
施例を示す説明図、第３図は実装状態を示す説明図、第
４図および第５図は製造方法の第２および第３実施例を
示す説明図である。 １０・・・半導体チップ、 １２・・・金属ベース、
１５・・・金めつき層、 １８・・・ボンディン
グ部、 ２０・・・ボンディングワイヤ、２２・・・封
止樹脂， ２４・・・レジストパターン、 ２６・
・・バンプ、 ２８・・・回路基板、 ３０・・・コ
ネクタ、 ３４ａ・・・ダイボンディング部、 ３４
ｂ・・・ボンディング部、３５・・・ｌＨａＭ、 ３
６・・・ベースフィルム、３８・・・転写フィルム、
４０・・・ペースフイノレム． （ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ダイボンディング部上に半導体チップが接合され、 ダイボンディング部の周囲に設けられたボ ンディング部と前記半導体チップとがワイヤボンディン
グによって接続され、 前記ボンディング部の一部を外部に露出さ せて、ダイボンディング部の半導体チップを搭載する一
方の面側が、半導体チップ、ボンディングワイヤ、ボン
ディング部を含めて樹脂封止されたことを特徴とする半
導体チップモジュール。 ２、ボンディング部の露出部分に外部接続用のバンプが
形成された請求項１記載の半導体チップモジュール。 ３、金属ベース上に半導体チップを接合し、該半導体チ
ップと金属ベース上に設けたボ ンディング部とをワイヤボンディングによって接続し、 前記金属ベースの半導体チップを搭載した 一方の面側を、半導体チップ、ボンディングワイヤ、ボ
ンディング部を含めて樹脂封止し、金属ベースの露出面
に前記ボンディング部 のパターンに対応するレジストパターンを設けて金属ベ
ースをエッチングすることにより、ボンディング部に接
合する端子部を形成することを特徴とする半導体チップ
モジュールの製造方法。 ４、金属ベース上に金めっき層等の非エッチング金属層
によりダイボンディング部およびボンディング部を形成
し、 前記ダイボンディング部に半導体チップを 接合して半導体チップとボンディング部とをワイヤボン
ディングによって接続し、 金属ベースの半導体チップが搭載された一 方の面側を、半導体チップ、ボンディングワイヤ、ボン
ディング部を含めて樹脂封止し、前記金属ベースのみを
エッチング除去する ことを特徴とする半導体チップモジュールの製造方法。 ５、電気的絶縁性を有するベースフィルム上に剥離可能
に金属層が設けられた転写フィルムの金属層をエッチン
グしてダイボンディング部およびボンディング部を形成
し、 前記ダイボンディング部に半導体チップを 接合して、半導体チップとボンディング部とをワイヤボ
ンディングによって接続し、 前記転写フィルムの半導体チップが搭載さ れた一方の面側を、半導体チップ、ボンディングワイヤ
、ボンディング部を含めて樹脂封止し、 前記ベースフィルムを封止樹脂から剥離除 去することを特徴とする半導体チップモジュールの製造
方法。 ６、電気的絶縁性を有するベースフィルム上にダイボン
ディング部およびボンディング部を形成し、 前記ダイボンディング部に半導体チップを 接合して半導体チップとボンディング部とをワイヤボン
ディングによって接続し、 前記ベースフィルムの半導体チップが搭載 された一方の面側を、半導体チップ、ボンディングワイ
ヤ、ボンディング部を含めて樹脂封止し、 ベースフィルムをエッチングして、ボンデ ィング部を露出させることを特徴とする半導体チップモ
ジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1231132A JP2840316B2 (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1231132A JP2840316B2 (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0394459A true JPH0394459A (ja) | 1991-04-19 |
| JP2840316B2 JP2840316B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=16918786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1231132A Expired - Lifetime JP2840316B2 (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2840316B2 (ja) |
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