JPH03123067A - リードフレーム及び半導体装置 - Google Patents
リードフレーム及び半導体装置Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、FPC(Flexible r’rinLe
d C1rcuit)を介して半導体チップを搭載する
リードフレーム及びこのリードフレームを用いた半導体
装置に関する。
d C1rcuit)を介して半導体チップを搭載する
リードフレーム及びこのリードフレームを用いた半導体
装置に関する。
(従来技術)
リードフレームのリード幅やリード間隔は、プレス打ち
抜きあるいはエツヂング加工で用いるリードフレーム材
の板厚しによって限定され、リード幅やリード間隔は0
.6L程度が限界とされている。
抜きあるいはエツヂング加工で用いるリードフレーム材
の板厚しによって限定され、リード幅やリード間隔は0
.6L程度が限界とされている。
そのため、リードフレームよりも高密度化が可能なFP
Cを用いたリードフレームが提案されている。このリー
ドフレー11は、半導体チップ搭載部にFPCを用い、
FPCのアウターリード部をリードフレームのリードに
接続したものである。
Cを用いたリードフレームが提案されている。このリー
ドフレー11は、半導体チップ搭載部にFPCを用い、
FPCのアウターリード部をリードフレームのリードに
接続したものである。
FPCと半導体チップとの間は一括ボンディングによっ
て接続する場合と、ワイヤボンディングによって接続す
る場合とがある。
て接続する場合と、ワイヤボンディングによって接続す
る場合とがある。
また、FPCとリードフレームとの間は、FPCのアウ
ターリードをリードフレームのリードにそのままボンデ
ィングする場合と、ワイヤボンディングによって接続す
る場合とがある。
ターリードをリードフレームのリードにそのままボンデ
ィングする場合と、ワイヤボンディングによって接続す
る場合とがある。
(発明が解決しようとする課題)
FPCとリードフレームとを接続する際、アウターリー
ドをそのまま接続する場合は、アウターリードの先端を
ベースフィルムから外方へ突出させて設けるため、取り
扱い時にアウターリードの変形がおきやすいという問題
点がある。
ドをそのまま接続する場合は、アウターリードの先端を
ベースフィルムから外方へ突出させて設けるため、取り
扱い時にアウターリードの変形がおきやすいという問題
点がある。
また、ワイヤボンディングによって接続する場合は、半
導体チップとFPCとの間、FPCとリードフレームと
の間をそれぞれ接続しなければならず。
導体チップとFPCとの間、FPCとリードフレームと
の間をそれぞれ接続しなければならず。
2度ワイヤボンディングしなければならないという煩わ
しさがある。
しさがある。
そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであ
り、その目的とするところは、リードフレームに接続す
るFl)Cのアウターリードの変形がおきにくく、リー
ドフレームとの間で確実な接続ができるリードフレーム
及びこのリードフレームを用いた半導体装置を提供する
にある。
り、その目的とするところは、リードフレームに接続す
るFl)Cのアウターリードの変形がおきにくく、リー
ドフレームとの間で確実な接続ができるリードフレーム
及びこのリードフレームを用いた半導体装置を提供する
にある。
(課題を解決するための手段)
本発明は」―配回的を達成するため次の構成をそなえる
。
。
すなわち、半導体チップ搭載部に1♂1)0を用い、F
l)Cのアウターリードをリードに接続して成るリード
フレームにおいて、アウターリードを前記リードの一方
の面に接合して接続するとともに、前記FPCの半導体
チップ搭載面と反対側のベースフィルムに放熱板または
グランドブレーンとしての金属板を設けたことを特徴と
する。また、半導体装置については、前記リードフレー
ムに半導体チップを搭載し、半導体チップと前記導体パ
ターンとをワイヤボンディングし、半導体チップを樹脂
対1■;シて成ることを特徴とする。
l)Cのアウターリードをリードに接続して成るリード
フレームにおいて、アウターリードを前記リードの一方
の面に接合して接続するとともに、前記FPCの半導体
チップ搭載面と反対側のベースフィルムに放熱板または
グランドブレーンとしての金属板を設けたことを特徴と
する。また、半導体装置については、前記リードフレー
ムに半導体チップを搭載し、半導体チップと前記導体パ
ターンとをワイヤボンディングし、半導体チップを樹脂
対1■;シて成ることを特徴とする。
(作用)
リードフレームに接続するFPCのアウターリードがベ
ースフィルムに支持されているからリードフレームにア
ウターリードを接続する際アウターリードを位置決めし
て接続することができ、ベースフィルムに金属板を設け
たことにより、放熱性を向−1ニさせることができかつ
グランド電位とすることによって半導体装置の電気的特
性を向−1ニさせることができる。
ースフィルムに支持されているからリードフレームにア
ウターリードを接続する際アウターリードを位置決めし
て接続することができ、ベースフィルムに金属板を設け
たことにより、放熱性を向−1ニさせることができかつ
グランド電位とすることによって半導体装置の電気的特
性を向−1ニさせることができる。
(実施例)
以下本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
第1図は本発明に係るリードフレームに半導体チップを
搭載した状態を示す断面図である。図で10はリードフ
レームのリードで、向がい合ったリード10の先端間に
は、半導体チップを搭載するためのFPC1,2を接合
する間隔をあけている。
搭載した状態を示す断面図である。図で10はリードフ
レームのリードで、向がい合ったリード10の先端間に
は、半導体チップを搭載するためのFPC1,2を接合
する間隔をあけている。
FPC12は電気的絶縁性を有するベースフィルムコ4
−ヒにリード1oのパターンにしたがって導体パターン
16を設けたもので、導体パターン16には、ダインボ
ンディング部17、ワイヤボンディング部18、アウタ
ーリード19を設ける。
−ヒにリード1oのパターンにしたがって導体パターン
16を設けたもので、導体パターン16には、ダインボ
ンディング部17、ワイヤボンディング部18、アウタ
ーリード19を設ける。
導体パターン16はベースフィルム14上に銅箔等の導
体部を形成した後、エツチング等によって形成したもの
で、導体パターン16はアウターリード19部分を含め
てすべてベースフィルム14に支持されている。
体部を形成した後、エツチング等によって形成したもの
で、導体パターン16はアウターリード19部分を含め
てすべてベースフィルム14に支持されている。
導体パターン16は銅箔のままで用いてもよいし、耐環
境性を向1−させるため金、銀、錫、また( 5 ) は錫合金等のめっきを施してもよい。なお、ワイヤボン
ディング部18にはボンディング性を確実に)るため、
あらかじめ金あるいは銀めっきを施しておくのがよい。
境性を向1−させるため金、銀、錫、また( 5 ) は錫合金等のめっきを施してもよい。なお、ワイヤボン
ディング部18にはボンディング性を確実に)るため、
あらかじめ金あるいは銀めっきを施しておくのがよい。
FPC12のアウターリード19は低温合金接合によっ
て、リード10の先端下面に一括してボンディングする
。20が合金接合部である。なお、合金接合によるほか
、導電性接着剤を用いる方法等も利用できる。また、リ
ードフレームが銅系材料の場合、FPCの導体パターン
を銅箔によって形成した場合、銅−銅圧着法によって接
合することも可能である。
て、リード10の先端下面に一括してボンディングする
。20が合金接合部である。なお、合金接合によるほか
、導電性接着剤を用いる方法等も利用できる。また、リ
ードフレームが銅系材料の場合、FPCの導体パターン
を銅箔によって形成した場合、銅−銅圧着法によって接
合することも可能である。
なお、第1図に示す例では合金接合に加えて接着剤22
を用いて接合することにより、Fl)C12の接合をよ
り確実にしている。
を用いて接合することにより、Fl)C12の接合をよ
り確実にしている。
24はベースフィルム14の下面に放熱板として接合し
た金属板である。
た金属板である。
」二頭実施例のFPC12が接合されてなるリードフレ
ームは、FPC12に設けられるアウターリード19が
ベースフィルム14に支持されているか(6) らアウターリード19とリード10との接続の際にアウ
ターリード19の位置決めが正確にでき確実な接続がで
きる。また、リード10間にFr1C12が介在してい
ることによって、リードフレームを移送する等の取り扱
い時におけるリード10等の変形を防止できるという効
果がある。
ームは、FPC12に設けられるアウターリード19が
ベースフィルム14に支持されているか(6) らアウターリード19とリード10との接続の際にアウ
ターリード19の位置決めが正確にでき確実な接続がで
きる。また、リード10間にFr1C12が介在してい
ることによって、リードフレームを移送する等の取り扱
い時におけるリード10等の変形を防止できるという効
果がある。
上記リードフレームを用いて半導体装置を製造する際は
、FPC12のダイボンディング部17に半導体チップ
26を接合した後、半導体チップ26とワイヤボンディ
ング部18とをワイヤボンディングし、半導体チップ2
6、FPC12、ボンディングワイヤ等の所要範囲を樹
脂封止する。
、FPC12のダイボンディング部17に半導体チップ
26を接合した後、半導体チップ26とワイヤボンディ
ング部18とをワイヤボンディングし、半導体チップ2
6、FPC12、ボンディングワイヤ等の所要範囲を樹
脂封止する。
ワイヤボンディング技術はきわめて微細なパターンに対
してボンディングできるレベルにあるから、FPC12
に設ける導体パターン16が微細パターンであっても容
易にワイヤボンディングすることができる。
してボンディングできるレベルにあるから、FPC12
に設ける導体パターン16が微細パターンであっても容
易にワイヤボンディングすることができる。
また、金属板24をベースフィルム14に接合したこと
により半導体装置の熱放散性を向」ニさせることができ
る。
により半導体装置の熱放散性を向」ニさせることができ
る。
第2図はベースフィルム14のf面に金属板24を接合
する他の例を示す。この実施例では金属板24と導体パ
ターンJ6のグランド線路とをビア28を介して接続し
、金属板24をグランド電位にすることを特徴とする。
する他の例を示す。この実施例では金属板24と導体パ
ターンJ6のグランド線路とをビア28を介して接続し
、金属板24をグランド電位にすることを特徴とする。
また、半導体チップ26は金属板24に直接接合して放
熱性を向」−させている。
熱性を向」−させている。
この実施例の場合は、金属板24が放熱板として作用す
ると同時にグランドプレーンとして作用することにより
半導体装置の高速性、高周波特性等の電気的特性を向」
ニさせることができる。
ると同時にグランドプレーンとして作用することにより
半導体装置の高速性、高周波特性等の電気的特性を向」
ニさせることができる。
なお、」二頭リードフレー11を用いて半導体装置を製
造する場合、FPC]、 2をあがらしめリードに接続
したリードフレームに対して半導体チップ26を搭載す
る方法と、まずl”IICI 2に半導体チップ26を
搭載してワイヤボンディングし、この半導体チップ26
を接続したFPC12をリード10に接続する方法があ
る。
造する場合、FPC]、 2をあがらしめリードに接続
したリードフレームに対して半導体チップ26を搭載す
る方法と、まずl”IICI 2に半導体チップ26を
搭載してワイヤボンディングし、この半導体チップ26
を接続したFPC12をリード10に接続する方法があ
る。
FPC12に半導体チップ26を接続してからリードに
接続する方法の場合は、FPC12に半導体チップ26
を接続した状態で半導体チップ26の特性試験をあらか
じめ行うことができるという利点があり、これによって
良品のみを搭載することができるという取り扱いが可能
となる。この場合、アウターリード19とリード10と
は一括ボンディングができ、アウターリード19が変形
しないようベースフィルムによって支持されていること
と、アウターリード19はワイヤボンディング18とく
らべて比較的リードの配設密度が低くなることから確実
なボンディングができるという利点がある。
接続する方法の場合は、FPC12に半導体チップ26
を接続した状態で半導体チップ26の特性試験をあらか
じめ行うことができるという利点があり、これによって
良品のみを搭載することができるという取り扱いが可能
となる。この場合、アウターリード19とリード10と
は一括ボンディングができ、アウターリード19が変形
しないようベースフィルムによって支持されていること
と、アウターリード19はワイヤボンディング18とく
らべて比較的リードの配設密度が低くなることから確実
なボンディングができるという利点がある。
以」二、本発明について好適な実施例を挙げて種々説明
したが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく
1種々のタイプの半導体装置に同様に適用できるもので
あって、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を
施し得るのはもちろんのことである。
したが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく
1種々のタイプの半導体装置に同様に適用できるもので
あって、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を
施し得るのはもちろんのことである。
(発明の効果)
上述したように、本発明に係るリードフレームによれば
、FPCとリードとの接続が確実にでき、(9) 金属板を付設したことによって半導体装置の放熱性を向
上させることができ、また金属板をグランド電位にする
ことによって半導体装置の電気的特性を向上させること
ができる等の著効を奏する。
、FPCとリードとの接続が確実にでき、(9) 金属板を付設したことによって半導体装置の放熱性を向
上させることができ、また金属板をグランド電位にする
ことによって半導体装置の電気的特性を向上させること
ができる等の著効を奏する。
第1図は本発明に係るリードフレームに半導体チップを
搭載した例を示す説明図、第2図は他の実施例を示す説
明図である。 10・・・リード、12・・・FPC1]4・・・ベー
スフィルム、16・・・導体パターン、17・・・ダイ
ボンディング部、I8・・・ワイヤボンディング部、1
9・・・アウターリード、20・・・合金接合部、22
・・・接着剤、24・・・金属板、26・・・半導体チ
ップ、28・・・ビア。
搭載した例を示す説明図、第2図は他の実施例を示す説
明図である。 10・・・リード、12・・・FPC1]4・・・ベー
スフィルム、16・・・導体パターン、17・・・ダイ
ボンディング部、I8・・・ワイヤボンディング部、1
9・・・アウターリード、20・・・合金接合部、22
・・・接着剤、24・・・金属板、26・・・半導体チ
ップ、28・・・ビア。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体チップ搭載部にFPCを用い、FPCのアウ
ターリードをリードに接続して成るリードフレームにお
いて、 アウターリードを前記リードの一方の面に 接合して接続するとともに、 前記FPCの半導体チップ搭載面と反対側のベースフィ
ルムに放熱板またはグランドプレーンとしての金属板を
設けたことを特徴とするリードフレーム。 2、請求項1記載のリードフレームに半導体チップを搭
載し、半導体チップと前記導体パターンとをワイヤボン
ディングし、半導体チップを樹脂封止して成ることを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1260988A JPH03123067A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | リードフレーム及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1260988A JPH03123067A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | リードフレーム及び半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03123067A true JPH03123067A (ja) | 1991-05-24 |
Family
ID=17355509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1260988A Pending JPH03123067A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | リードフレーム及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03123067A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0472655A (ja) * | 1990-05-24 | 1992-03-06 | Nippon Steel Corp | 複合リードフレームおよび半導体素子 |
JPH0515448U (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-26 | 住友金属工業株式会社 | セラミツクパツケージ |
JPH05114687A (ja) * | 1991-10-23 | 1993-05-07 | Hitachi Cable Ltd | 複合リードフレーム |
EP0598497A1 (en) * | 1992-11-19 | 1994-05-25 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Metal-core-type multi-layer lead frame |
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