JP2004071898A - 回路装置およびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】ロウ材１９がダイパッド１１から流出するのを防止する。
【解決手段】半導体素子１３が実装される領域を囲むようにして、ダイパッド１１の表面の周辺部に溝１４を設ける。半導体素子１３をロウ材１９を介してダイパッド１１に実装する工程では、半導体素子１３を融解したロウ材１９上部に載置することにより、ロウ材１９は広がるが、溝１４が流出を防止する阻止領域として機能する。従って、広がったロウ材１９によるダイパッド１１とボンディングパッド１２とのショートを防止することができる。
【選択図】　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子を固着するロウ材の流出を防止することができる回路装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子機器にセットされる回路装置は、携帯電話、携帯用のコンピューター等に採用されるため、小型化、薄型化、軽量化が求められている。例えば、回路装置として半導体装置を例にして述べると、一般的な半導体装置として、従来通常のトランスファーモールドで封止されたパッケージ型半導体装置がある。この半導体装置は、図１１のように、プリント基板ＰＳに実装される。
【０００３】
またこのパッケージ型半導体装置６１は、半導体チップ６２の周囲を樹脂層６３で被覆し、この樹脂層６３の側部から外部接続用のリード端子６４が導出されたものである。しかし、このパッケージ型半導体装置６１は、リード端子６４が樹脂層６３から外に出ており、全体のサイズが大きく、小型化、薄型化および軽量化を満足するものではなかった。そのため、各社が競って小型化、薄型化および軽量化を実現すべく、色々な構造を開発し、最近ではＣＳＰ（チップサイズパッケージ）と呼ばれる、チップのサイズと同等のウェハスケールＣＳＰ、またはチップサイズよりも若干大きいサイズのＣＳＰが開発されている。
【０００４】
図１２は、支持基板としてガラスエポキシ基板６５を採用した、チップサイズよりも若干大きいＣＳＰ６６を示すものである。ここではガラスエポキシ基板６５にトランジスタチップＴが実装されたものとして説明していく。
【０００５】
このガラスエポキシ基板６５の表面には、第１の電極６７、第２の電極６８およびダイパッド６９が形成され、裏面には第１の裏面電極７０と第２の裏面電極７１が形成されている。そしてスルーホールＴＨを介して、前記第１の電極６７と第１の裏面電極７０が、第２の電極６８と第２の裏面電極７１が電気的に接続されている。またダイパッド６９には前記ベアのトランジスタチップＴが固着され、トランジスタのエミッタ電極と第１の電極６７が金属細線７２を介して接続され、トランジスタのベース電極と第２の電極６８が金属細線７２を介して接続されている。更にトランジスタチップＴを覆うようにガラスエポキシ基板６５に樹脂層７３が設けられている。
【０００６】
前記ＣＳＰ６６は、ガラスエポキシ基板６５を採用するが、ウェハスケールＣＳＰと違い、チップＴから外部接続用の裏面電極７０、７１までの延在構造が簡単であり、安価に製造できるメリットを有する。また前記ＣＳＰ６６は、図１１のように、プリント基板ＰＳに実装される。プリント基板ＰＳには、電気回路を構成する電極、配線が設けられ、前記ＣＳＰ６６、パッケージ型半導体装置６１、チップ抵抗ＣＲまたはチップコンデンサＣＣ等が電気的に接続されて固着される。そしてこのプリント基板で構成された回路は、色々なセットの中に取り付けられていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような半導体装置では、トランジスタＴは、ダイパット６９上に塗布された半田等のロウ材を融解させるリフロー工程により固着されていた。従って、トランジスタＴを融解した半田上に載置すると、半田がダイパッド６９上から流出して、ダイパッド６９と他の電極とがショートしてしまう問題があった。
【０００８】
更に、ダイパッド６９から流出した半田が、第２の電極６８に到達してしまうのを防止するために、ダイパッド６９と第２の電極６８とは離間させており、このことが装置全体の大型化を招いていた。
【０００９】
本発明はこのような問題を鑑みて成されたものであり、本発明の主な目的は、ロウ材を介して半導体素子をダイパッドに実装する際に、ロウ材がダイパッドから流出するのを防止する回路装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第１に、ロウ材を介して実装される半導体素子とほぼ同等の大きさに形成されたダイパッドと、前記ダイパッドに近接して設けられたボンディングパッドと、前記半導体素子を囲むように前記ダイパッドの周辺部に形成され且つ前記ロウ材が流出するのを防止する溝と、前記ダイパッドおよび前記ボンディングパッドの裏面を露出させて前記ダイパッド、前記ボンディングパッドおよび前記半導体素子を封止する絶縁性樹脂とを有することを特徴とする。
【００１１】
本発明は、第２に、前記溝は、前記ダイパッドの厚みよりも浅く形成されることを特徴とする。
【００１２】
本発明は、第３に、前記溝には、前記絶縁性樹脂が充填されることを特徴とする。
【００１３】
本発明は、第４に、前記半導体装置は、ＩＣチップであることを特徴とする。
【００１４】
本発明は、第５に、前記半導体素子は、金属細線を介して所望の前記導電パターンと電気的に接続されることを特徴とする。
【００１５】
本発明は、第６に、前記ロウ材は、半田またはＡｇペーストであることを特徴とする。
【００１６】
本発明は、第７に、前記ロウ材に替えて絶縁性接着剤を用いることを特徴とする。
【００１７】
本発明は、第８に、前記ダイパッドの前記溝に囲まれる領域に、更に、溝を形成することを特徴とする。
【００１８】
本発明は、第９に、前記ダイパッドの前記溝に囲まれる領域に、格子状に、溝を形成することを特徴とする。
【００１９】
本発明は、第１０に、導電箔を用意する工程と、前記導電箔にその厚みよりも浅い分離溝を形成して複数個の回路装置部を構成するダイパッドおよびボンディングパッドを形成すると同時に、固着予定の半導体素子の領域を囲むように前記ダイパッドに前記分離溝よりも浅い溝を形成する工程と、前記ダイパッドにロウ材を介して半導体素子を固着する工程と、前記半導体素子と所望の前記ボンディングパッドとのワイヤボンディングを行う工程と、前記半導体素子を被覆し、前記分離溝および前記溝に充填されるように絶縁性樹脂で共通モールドする工程と、前記絶縁性樹脂が露出するまで前記導電箔の裏面を除去する工程と、前記絶縁性樹脂をダイシングすることにより各回路装置に分離する工程とを有することを特徴とする。
【００２０】
本発明は、第１１に、前記溝は、前記ダイパッドよりも浅く形成されることを特徴とする。
【００２１】
本発明は、第１２に、前記ロウ材は、半田またはＡｇペーストであることを特徴とする。
【００２２】
本発明は、第１３に、前記ロウ材に替えて絶縁性接着剤を用いることを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】
（回路装置１０の構成を説明する第１の実施の形態）
図１を参照して、本発明の回路装置１０の構成等を説明する。図１（Ａ）は回路装置１０の平面図であり、図１（Ｂ）は回路装置１０の断面図である。
【００２４】
図１（Ａ）および図１（Ｂ）を参照して、回路装置１０は次のような構成を有する。即ち、ロウ材１９を介して実装される半導体素子１３とほぼ同等の大きさに形成されたダイパッド１１と、ダイパッド１１に近接して設けられたボンディングパッド１２と、半導体素子１３を囲むようにダイパッド１１の周辺部に形成され且つロウ材１９が流出するのを防止する溝１４と、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２の裏面を露出させてダイパッド１１、ボンディングパッド１２および半導体素子１３を封止する絶縁性樹脂１６等から回路装置１０は構成されている。このような各構成要素を以下にて説明する。
【００２５】
ダイパッド１１は、半導体素子１３が実装される導電パターンであり、銅箔等の金属から成り、裏面を露出させて絶縁性樹脂１６に埋め込まれている。そしてダイパッド１１の平面的な大きさは、実装される半導体素子よりも若干大きく形成され、その周辺部には溝１４が形成されている。同図（Ａ）では、ダイパッド１１が中央部に形成され、ＩＣチップ等から成る半導体素子１３がロウ材１９を介して実装されている。また、半導体素子１３が実装される領域に対応するダイパッド１１の表面には、Ａｇ等から成るメッキ膜が形成されている。
【００２６】
ボンディングパッド１２は、金属細線１５がボンディングされる導電パターンであり、裏面を露出させて絶縁性樹脂１６に埋め込まれている。ここでは、装置の中央部に形成されたダイパッド１１を囲むように円形状の多数個のボンディングパッド１２が形成されている。同図（Ａ）に於いて、ダイパッド１１の左右両側に形成されたボンディングパッド１２Ａは、電気的に独立して設けられている。そして、ダイパッド１１の上下両側に形成されたボンディングパッド１２Ｂは、ダイパッド１１と連続して形成されており、電気的にも繋がっている。そして、ボンディングパッド１２の表面には、ボンディングされる金属細線の接着性を向上させるために、Ａｇ等から成るメッキ膜が形成されている。
【００２７】
半導体素子１３は、ロウ材１９を介してダイパッド１１の表面に実装され、ここでは半導体素子のなかでも比較的大型のＩＣチップがロウ材１９を介して実装されている。そして、金属細線１５を介して、半導体素子１３の表面に形成された電極と、ボンディングパッド１２とは電気的に接続されている。また、電気的にダイパッド１１と接続されたボンディングパッド１２も、金属細線１５を介して半導体素子１３に電気的に接続されている。ここで使用するロウ材としては、半田やＡｇペースト等の導電性接着剤を使用することができる。更に、絶縁性樹脂を用いて、半導体素子１３をダイパッド１１に実装することも可能である。
【００２８】
溝１４は、半導体素子１３を囲むようにダイパッド１１の周辺部に形成されており、絶縁性樹脂１６が充填されている。また、溝１４の深さは、ダイパッド１１の厚みよりも浅く形成されている。このように、半導体素子１３が実装される領域を囲むように溝１４を形成することにより、融解したロウ材１９上部に半導体素子１３を実装する工程で、ダイパッド１１からロウ材１９が流出するのを防止することができる。具体的には、半導体素子１３が実装される領域からロウ材１９が流出しても、溝１４にロウ材１９が貯留される。従って、溝１４は、ロウ材１９がダイパッド１１から流出するのを防止する阻止領域として機能している。また、溝１４の製造方法に関しては後述するが、溝１４は分離溝１６と共にエッチングにより製造される。従って、溝１４の断面の幅は、分離溝１６の幅よりも狭く形成されている。
【００２９】
絶縁性樹脂１６は、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２の裏面を露出させて、全体を封止している。更に、ダイパッド１１の表面に形成された溝１４にも絶縁性樹脂１６は充填されている。ここでは、半導体素子１３、金属細線１５、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２を封止している。絶縁性樹脂１６の材料としては、トランスファーモールドにより形成される熱硬化性樹脂や、インジェクションモールドにより形成される熱可塑性樹脂を採用することができる。
【００３０】
ロウ材１９は、半田やＡｇペースト等の導電性のペーストであり、半導体素子１３とダイパッド１１とを接着させる働きを有する。ロウ材１９は導電性の材料であるので、半導体素子１３の裏面とダイパッド１１とは電気的に接続される。また、ダイパッド１１の上下両側に形成されたボンディングパッド１２Ｂは、ダイパッド１１と電気的にも接続している。従って、金属細線１５を用いて、半導体素子１３の電極とボンディングパッド１２Ｂとを接続することにより、半導体素子１３の表面に形成された回路と半導体素子１３の裏面とを電気的に接続することができる。
【００３１】
図２を参照して、回路装置の裏面に形成される外部電極１７について説明する。外部電極１７は、ダイパッド１１を囲むようにして設けられたボンディングパッド１２の裏面に形成されている。更に、ダイパッド１１の裏面にも多数個の外部電極が設けられており、従って、外部電極１７は、回路装置１０裏面の全域にマトリックス状に等間隔に多数個が設けられている。このことにより、外部電極１７を介して、マザーボード等の実装基板に回路装置１０を実装した際に、外部電極１７に作用する応力を小さくすることができる。
【００３２】
図２（Ｂ）を参照して、ダイパッド１１の裏面に形成される外部電極１７の位置および大きさは、レジスト１８の開口部により規制されている。そして、ボンディングパッド１２の裏面に形成される外部電極１７の位置および大きさは、ボンディングパッド１２の裏面により形成されている。ボンディングパッド１２の材料である銅等の金属は濡れ性が良い材料であり、この濡れ性により外部電極１７の位置および大きさは規制されている。このように、ボンディングパッド１２の裏面に形成される外部電極１７の位置および大きさを、ボンディングパッド１２の濡れ性を用いて規制することにより、レジスト１８の開口部の位置がずれた場合でも精度良く外部電極１７を形成することができる。
【００３３】
本発明の特徴は、半導体素子１３を囲むようにダイパッド１１の周辺部に溝１４を形成したことにある。即ち、融解されたロウ材１９に半導体素子１３を実装すると、半導体素子１３の重み等によりロウ材１９は周囲に広がるが、周囲に広がったロウ材１９は溝１４に貯留されるので、ダイパッド１１の表面からロウ材１９が流出してしまうのを防止することができる。従って、流出したロウ材１９がボンディングパッド１２に接触することによるパッド同士のショートを防止することができる。また、このことにより、ダイパッド１１をそこに実装される半導体素子１３とほぼ同等に形成することができる。更には、ダイパッド１１とボンディングパッド１２とを接近させて形成することが可能となり、回路装置１０全体のサイズを小さくすることができる。更にまた、このようにダイパッド１１の表面に溝１４を形成することにより、ダイパッド１１と絶縁性樹脂１６とか接触する面積を増大させることなできるので、ダイパッド１１と絶縁性樹脂１３との接着力を向上させることができる。
【００３４】
図３を参照して、他の形態の回路装置１０Ａを説明する。図３（Ａ）は回路装置１０Ａの断面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＸ−Ｘ’線での断面図である。回路装置１０Ａは、図１で説明した回路装置１０とほぼ同様の構成を有し、ダイパッド１１の表面に形成された溝１４で囲まれる領域に、更に、格子状に溝１４Ａが形成されている。
【００３５】
溝１４は、半導体素子１３を固着させるロウ材１９がダイパッド１１の表面から流出してしまうのを防止するのを目的として、ダイパッド１１の周辺部に設けられている。更にここでは、溝１４で囲まれる領域に、格子状に溝１４Ａが形成されている。格子状に形成される溝１４Ａも、溝１４と同じ断面形状を有する。このように格子状に溝１４を形成することにより、より多量のロウ材１９を、溝１４に貯留させることができるので、ロウ材１９がダイパッド１１の表面から流出してしまうのを防止することができる。更に、ダイパッド１１と絶縁性樹脂１６とが接触する面積を更に増大させることができるので、ダイパッド１１と絶縁性樹脂１６との密着性を向上させることができる。
【００３６】
溝１４を設けることの更なるメリットを述べる。ロウ材１９は、ディスペンサ等のロウ材を供給する機械を用いて、ダイパッド１１の表面に塗布されるが、このディスペンサで供給できるロウ材２０の最小塗布量は決まっている。従って、半導体素子１３をダイパッド１１に実装するのに必要なロウ材１９の量よりも、ディスペンサの最小塗布量が多い場合には、ロウ材１９がダイパッド１１の表面から流出する恐れがある。このことから、溝１４を設けることにより、ロウ材１９が流出してしまうのを防止することができる。
【００３７】
（回路装置１０の製造方法を説明する第２の実施の形態）
本実施例では、回路装置１０の製造方法を説明する。本実施の形態では、回路装置１０は次の様な工程で製造される。即ち、導電箔４０を用意する工程と、導電箔４０にその厚みよりも浅い分離溝１６を形成して複数個の回路装置部４５を構成するダイパッド１１およびボンディングパッド１２を形成すると同時に、固着予定の半導体素子１３の領域を囲むようにダイパッド１１に分離溝１６よりも浅い溝１４を形成する工程と、ダイパッド１１にロウ材１９を介して半導体素子１３を固着する工程と、半導体素子１３と所望のボンディングパッド１２とのワイヤボンディングを行う工程と、半導体素子１３を被覆し、分離溝１６および溝１４に充填されるように絶縁性樹脂１６で共通モールドする工程と、絶縁性樹脂１６が露出するまで導電箔４０の裏面を除去する工程と、絶縁性樹脂１６をダイシングすることにより各回路装置１０に分離する工程とから構成されている。以下に、本発明の各工程を図４〜図１０を参照して説明する。
【００３８】
本発明の第１の工程は、図４から図６に示すように、導電箔４０を用意し、導電箔４０にその厚みよりも浅い分離溝１６を形成して複数個の回路装置部４５を構成するダイパッド１１およびボンディングパッド１２を形成すると同時に、固着予定の半導体素子１３の領域を囲むようにダイパッド１１に分離溝１６よりも浅い溝１４を形成することにある。
【００３９】
本工程では、まず図４（Ａ）の如く、シート状の導電箔４０を用意する。この導電箔４０は、ロウ材の付着性、ボンディング性、メッキ性が考慮されてその材料が選択され、材料としては、Ｃｕを主材料とした導電箔、Ａｌを主材料とした導電箔またはＦｅ−Ｎｉ等の合金から成る導電箔等が採用される。
【００４０】
導電箔の厚さは、後のエッチングを考慮すると１０μｍ〜３００μｍ程度が好ましいが、３００μｍ以上でも１０μｍ以下でも基本的には良い。後述するように、導電箔４０の厚みよりも浅い分離溝１６が形成できればよい。
【００４１】
尚、シート状の導電箔４０は、所定の幅、例えば４５ｍｍでロール状に巻かれて用意され、これが後述する各工程に搬送されても良いし、所定の大きさにカットされた短冊状の導電箔４０が用意され、後述する各工程に搬送されても良い。
【００４２】
具体的には、図４（Ｂ）に示す如く、短冊状の導電箔４０に多数の回路装置部４５が形成されるブロック４２が４〜５個離間して並べられる。各ブロック４２間にはスリット４３が設けられ、モールド工程等での加熱処理で発生する導電箔４０の応力を吸収する。また導電箔４０の上下周端にはインデックス孔４４が一定の間隔で設けられ、各工程での位置決めに用いられる。続いて、導電パターンを形成する。
【００４３】
まず、図５に示す如く、導電箔６０の上に、ホトレジスト（耐エッチングマスク）ＰＲを形成し、導電パターン５１となる領域を除いた導電箔４０が露出するようにホトレジストＰＲをパターニングする。そして、図６（Ａ）に示す如く、導電箔４０を選択的にエッチングする。ここでは、導電パターン５１は、各回路装置部４５のダイパッド１１およびボンディングパッド１２を形成している。
【００４４】
図６（Ａ）を参照して、溝１４および分離溝１６が形成される箇所にはホトレジストの開口部が設けられている。そして、溝１４が形成される箇所の開口部の幅は、分離溝１６が形成される箇所よりもその幅が狭く形成されている。具体的にその幅は半分以下に形成される。エッチングによる導電箔４０の除去は等方性を持って行われるので、このように溝１４に対応するホトレジストの開口部を狭く形成することにより、溝１４の深さを分離溝１６よりも浅く形成することができる。なお、上記したエッチングの工程は、エッチャント液に導電箔４０をデッピングさせることにより行うことができる。
【００４５】
図６（Ｂ）にダイパッド１１およびボンディングパッド１２を形成する導電パターン５１を示す。本図は図４（Ｂ）で示したブロック４２の１個を拡大したもの対応する。ハッチング部分の１個が１つの回路装置部４５であり、１つのブロック４２には２行２列のマトリックス状に多数の回路装置部４５が配列され、各回路装置部４５毎に同一の導電パターン５１が設けられている。各ブロックの周辺には枠状のパターン４６が設けられ、それと少し離間しその内側にダイシング時の位置合わせマーク４７が設けられている。枠状のパターン４６はモールド金型との嵌合に使用し、また導電箔４０の裏面エッチング後には絶縁性樹脂１６の補強をする働きを有する。また、各回路装置部に於いて、ダイパッド１１の上下両側に形成されるボンディングパッド１２は、ダイパッド１１と一体化されており、電気的にも両者は接続している。
【００４６】
本発明の第２の工程は、図７に示す如く、各回路装置部４５のダイパッド１１にロウ材１９を介して半導体素子１３を固着することにある。
【００４７】
図７（Ａ）を参照して、ダイパッド１１にロウ材１９を介して半導体素子１３を実装する。ここで、ロウ材１９としては、半田またはＡｇペースト等の導電性のペーストが使用される。本工程では、ロウ材１９は融解した状態であるので、ロウ材１９の上部に半導体素子１３を載置することにより、半導体素子１３の重み等によりロウ材１９は周囲に広がる。ここで、半導体素子１３が載置される領域を囲むように、ダイパッド１１の周辺部には溝１４が形成されているので、広がったロウ材１９はダイパッド１１から流出しない。溝１４に到達したロウ材１９は、溝１４に流れ込む形となるので、溝１４は半田の流出を阻止する阻止領域として機能している。更に、絶縁性樹脂を用いて、半導体素子１３をダイパッド１１に実装することも可能である。
【００４８】
本発明の第３の工程は、図８に示す如く、半導体素子１３と所望のボンディングパッド１２とのワイヤボンディングを行うことにある。
【００４９】
具体的には、各回路装置部に実装された半導体素子１３の電極と所望のボンディングパッド１２とを、熱圧着によるボールボンディング及び超音波によるウェッヂボンディングにより一括してワイヤボンディングを行う。
【００５０】
本発明の第４の工程は、図９に示す如く、半導体素子１３を被覆し、分離溝１６および溝１４に充填されるように絶縁性樹脂１６で共通モールドすることにある。
【００５１】
本工程では、図９（Ａ）に示すように、絶縁性樹脂１６は半導体素子１３および複数のダイパッド１１およびボンディングパッド１２を完全に被覆し、分離溝１６および溝１４には絶縁性樹脂１６が充填され、分離溝４１と嵌合して強固に結合する。そして絶縁性樹脂１６によりダイパッド１１およびボンディングパッド１２が支持されている。
【００５２】
また本工程では、トランスファーモールド、インジェクションモールド、またはポッティングにより実現できる。樹脂材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂がトランスファーモールドで実現でき、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂はインジェクションモールドで実現できる。
【００５３】
更に、本工程でトランスファーモールドあるいはインジェクションモールドする際に、図９（Ｂ）に示すように各ブロック４２は１つの共通のモールド金型に回路装置部６３を納め、各ブロック毎に１つの絶縁性樹脂１６で共通にモールドを行う。このために従来のトランスファーモールド等の様に各回路装置部を個別にモールドする方法に比べて、大幅な樹脂量の削減が図れる。
【００５４】
本工程の特徴は、絶縁性樹脂１６を被覆するまでは、導電パターン５１となる導電箔４０が支持基板となることである。従来では、本来必要としない支持基板を採用して導電パターンを形成しているが、本発明では、支持基板となる導電箔４０は、電極材料として必要な材料である。そのため、構成材料を極力省いて作業できるメリットを有し、コストの低下も実現できる。
【００５５】
また分離溝４１は、導電箔の厚みよりも浅く形成されているため、導電箔４０が導電パターン５１として個々に分離されていない。従ってシート状の導電箔４０として一体で取り扱え、絶縁性樹脂１６をモールドする際、金型への搬送、金型への実装の作業が非常に楽になる特徴を有する。
【００５６】
本発明の第５の工程は、絶縁性樹脂が露出するまで導電箔４０の裏面を除去することにある。
【００５７】
本工程は、導電箔４０の裏面を化学的および／または物理的に除き、導電パターン５１として分離するものである。この工程は、研磨、研削、エッチング、レーザの金属蒸発等により施される。
【００５８】
実験では導電箔４０を全面ウェトエッチングし、分離溝４１から絶縁性樹脂１６を露出させている。この露出される面を図９（Ａ）では点線で示している。その結果、導電パターン５１となって分離される。この結果、絶縁性樹脂１６に導電パターン５１の裏面が露出する構造となる。すなわち、分離溝４１に充填された絶縁性樹脂１６の表面と導電パターン５１の表面は、実質的に一致している構造となっている。
【００５９】
更に、導電パターン５１の裏面処理を行い、例えば図１に示す最終構造を得る。すなわち、必要によって露出した導電パターン５１に半田等の導電材を被着し、回路装置として完成する。
【００６０】
更にまた、本工程に於いては、分離溝１６に充填された絶縁性樹脂１６は裏面に露出するが、溝１４に充填された絶縁性樹脂１６は裏面に露出しない。
【００６１】
本発明の第６の工程は、図１０に示す如く、絶縁性樹脂１６を各回路装置部４５毎にダイシングにより分離することにある。
【００６２】
本工程では、ブロック４２をダイシング装置の載置台に真空で吸着させ、ダイシングブレード４９で各回路装置部４５間のダイシングライン（一点鎖線）に沿って分離溝４１の絶縁性樹脂１６をダイシングし、個別の回路装置に分離する。
【００６３】
本工程で、ダイシングブレード４９はほぼ絶縁性樹脂１６を切断する切削深さで行い、ダイシング装置からブロック４２を取り出した後にローラでチョコレートブレークするとよい。ダイシング時は予め前述した第１の工程で設けた各ブロックの位置合わせマーク４７を認識して、これを基準としてダイシングを行う。周知ではあるが、ダイシングは縦方向にすべてのダイシングラインをダイシングをした後、載置台を９０度回転させて横方向のダイシングライン７０に従ってダイシングを行う。
【００６４】
【発明の効果】
本発明では、以下に示すような効果を奏することができる。
【００６５】
第１に、本発明では、半導体素子１３を囲むようにダイパッド１１の周辺部に溝１４を設けて、半導体素子１３を固着するロウ材１９が流出するのを防止したので、流出したロウ材１９により、導電パターン同士がショートしてしまうのを防止することができる。
【００６６】
第２に、溝１４により、ロウ材１９の流出を防止することができるので、ダイパッド１１とボンディングパッド１２とを接近させることが可能となり、装置全体を小型化することができる。
【００６７】
第３に、半導体素子１３を実装する工程に於いて、ボンディングパッド１２の周辺部に設けた溝１４がロウ材の流出を阻止する阻止領域として機能し、ロウ材１９が外部に流出ことによる導電パターン同士のショートを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の回路装置を説明する平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図２】本発明の回路装置を説明する裏面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図３】本発明の回路装置を説明する断面図（Ａ）、平面図（Ｂ）である。
【図４】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図（Ａ）、平面図（Ｂ）である。
【図５】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図６】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図（Ａ）、平面図（Ｂ）である。
【図７】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図（Ａ）、平面図（Ｂ）である。
【図８】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図（Ａ）、平面図（Ｂ）である。
【図９】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図（Ａ）、平面図（Ｂ）である。
【図１０】本発明の回路装置の製造方法を説明する平面図である。
【図１１】従来の回路装置を説明する断面図である。
【図１２】従来の回路装置を説明する断面図である。

Claims (13)

  1. ロウ材を介して実装される半導体素子とほぼ同等の大きさに形成されたダイパッドと、
    前記ダイパッドに近接して設けられたボンディングパッドと、
    前記半導体素子を囲むように前記ダイパッドの周辺部に形成され且つ前記ロウ材が流出するのを防止する溝と、
    前記ダイパッドおよび前記ボンディングパッドの裏面を露出させて前記ダイパッド、前記ボンディングパッドおよび前記半導体素子を封止する絶縁性樹脂とを有することを特徴とする回路装置。
  2. 前記溝は、前記ダイパッドの厚みよりも浅く形成されることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
  3. 前記溝には、前記絶縁性樹脂が充填されることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
  4. 前記半導体装置は、ＩＣチップであることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
  5. 前記半導体素子は、金属細線を介して所望の前記導電パターンと電気的に接続されることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
  6. 前記ロウ材は、半田またはＡｇペーストであることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
  7. 前記ロウ材に替えて絶縁性接着剤を用いることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
  8. 前記ダイパッドの前記溝に囲まれる領域に、更に、溝を形成することを特徴とする請求項１記載の回路装置。
  9. 前記ダイパッドの前記溝に囲まれる領域に、格子状に、溝を形成することを特徴とする請求項８記載の回路装置。
  10. 導電箔を用意する工程と、
    前記導電箔にその厚みよりも浅い分離溝を形成して複数個の回路装置部を構成するダイパッドおよびボンディングパッドを形成すると同時に、固着予定の半導体素子の領域を囲むように前記ダイパッドに前記分離溝よりも浅い溝を形成する工程と、
    前記ダイパッドにロウ材を介して半導体素子を固着する工程と、
    前記半導体素子と所望の前記ボンディングパッドとのワイヤボンディングを行う工程と、
    前記半導体素子を被覆し、前記分離溝および前記溝に充填されるように絶縁性樹脂で共通モールドする工程と、
    前記絶縁性樹脂が露出するまで前記導電箔の裏面を除去する工程と、
    前記絶縁性樹脂をダイシングすることにより各回路装置に分離する工程とを有することを特徴とする回路装置の製造方法。
  11. 前記溝は、前記ダイパッドよりも浅く形成されることを特徴とする請求項１０記載の回路装置の製造方法。
  12. 前記ロウ材は、半田またはＡｇペーストであることを特徴とする請求項１０記載の回路装置の製造方法。
  13. 前記ロウ材に替えて絶縁性接着剤を用いることを特徴とする請求項１０記載の回路装置の製造方法。
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