JPS6135545A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS6135545A JP15559184A JP15559184A JPS6135545A JP S6135545 A JPS6135545 A JP S6135545A JP 15559184 A JP15559184 A JP 15559184A JP 15559184 A JP15559184 A JP 15559184A JP S6135545 A JPS6135545 A JP S6135545A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ この発明は半導体装置の製造方法に関するものであり、
更に詳細には銅系ワイＡ７をボンディングワイヤとして
使用する場合の半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
［発明の技術的背景］ 従来、気密封止型や樹脂封止型の半導体装置においては
、半導体素子の電極パッドと外部リードとを接続するボ
ンディングワイヤとして金線が多く使用されているが、
金線を用いて構成された半導体装置には次のような問題
点があった。
［背景技術の問題点］ 既によく知られているように、金線をボンディングワイ
ヤとして高温で組立を行った場合、Ａ１製の電極パッド
とボンディングワイヤとの接合部において金とＡ１との
化合物が生じ、この化合物の生成に伴って接合部の電気
的特性が劣化するという現象が起きる。　従って、金線
をボンディングワイヤとして使用した半導体装置におい
てはボンディングワイヤそれ自身の酸化などはなくても
接合部劣化の進行によって致命的な不良を生じやすいと
いう欠点があった。
この金とＡ１との化合物反応は温度が高い程進行するの
で、従来の金線使用の半導体装置を高温下で使用するこ
とには問題があり、高温放置試験の結果も極めて低かっ
た。
一方、金線をボンディングワイヤとして使用する場合、
高価な金を必要とするため、半導体装置の製造コストが
高くなるという別の欠点もあった。
［発明の目的］ この発明の目的は、前記のごとき欠点を有しない半導体
装置の製造方法を提供することであり、更に詳細には、
半導体チップの電極バッドにおけるワイヤ接合部に欠陥
を生ずる恐れがなく、且つ高温耐久性が従来の半導体装
置よりも著しく高く、更には従来の半導体装置よりも安
価に製造することのできる半導体装置の製造方法を提供
することである。
［発明の概要］ この発明は、銅線や銅合金線等の銅系ワイヤをボンディ
ングワイヤとして使用した半導体装置の製造方法に関す
るものであり、この発明により得られた半導体装置は銅
系ワイヤをボンディングワイヤとして使用しく′いるた
め電極パッドのＡ１との間に望ましくない金属間化合物
を生成する恐れがなく、また高い導電率を有するととも
にＡ１ワイヤよりも耐蝕性及び癲械的強度において勝っ
ている。　そして、この発明による半導体装置の製造方
法は、ワイヤボンディング工程において銅系ワイヤの端
部に溶融ボール形成を行った後く該ボールを所定温度以
上の還元性ガス中で還元してから接合を行うことを特徴
とするものであり、この発明の方法によれば、銅系ワイ
ヤをボンディングワイヤとした半導体装置を実現するこ
とができる３［発明の実施例コ 第１図乃至第４図を参照して本発明の半導体装置の製造
方法に関する一実施例を説明する。
第１図乃至第４図において、１Ａはリードフレームのア
イランド部、１Ｂはリードフレームのリード部、２は該
アイランド部１Ａ上に接続層を介して接着された半導体
チップ、２Ａは該半導体チップ２上に形成されたＡ１製
の電極パッド、３はリードフレームが載置されているヒ
ータ、４は銅系ワイヤ５を誘導し圧接するキャピラリ、
６はヒータ３の上方空間を覆うように設けられた可動カ
バー、７は銅系ワイヤ５を切断しボールを形成するため
の酸水素トーチである。　ヒータ３はワイヤボンダのＸ
Ｙステージ上に搭載されており、ＸＹステージとともに
水平面内で移動しうるようになっている。　可動カバー
６にはキャピラリ４よりも径の大きな孔ｅａＩｆｉ貫設
され、該孔６ａ内にキャピラリ４が侵入しうるようにな
っている。
可動カバー６とヒータ３との間の空間には図示しない還
元ガス供給装置から還元性ガス８が供給され、この還元
性ガス８は可動カバー６の孔６ａを通って図示矢印のよ
う（キャピラリ４の外周に沿って外部へ排出されるよう
になっている。
次に、前記のごとき構成のワイヤホンダによってワイヤ
ボンディングを行う際の各部の作動について説明する。
酸水素トーチ７から吹き出されるガス焔によってキャピ
ラリ４の出口において切ｉｃ’れた銅系ワイヤ５　ＧＥ
Ｌ　ｍ　１図に示すようにキレピラリ４の出口において
ボール５ａを形成している。　この状態でキャピラリ４
が半導体チップ２の電極パッド２△に向かって下降され
ると銅系ワイヤ５も下降してボール５ａが電極パッド２
Ａに圧着されて潰れ、その結果、電極パッド２Ａに銅系
ワイヤ５が接合される。　この場合、ボール形成時ボー
ルは溶融温度以上（たとえば１０００℃以上）に温度が
上昇しており、また半導体チップ２はヒータ３により所
望温度（たとえば３００℃）に加熱されている。
一方、可動カバー６の下側の空間には還元性ガス８（こ
の実施例では、Ｎ２　＋８２１０％の組成のガス）が供
給されており、従って、この還元性ガス８中に置かれた
２００℃以上のボール５ａの表面は還元された状態にあ
る。
電極パッド２Ａへの接合が終了すると直ちにキャピラリ
４は上昇し、これに伴って、電極バッド２Ａ上には銅系
ワイヤ５が直立する。　そして第２図に示すようにキャ
ピラリ４の先端が酸水素トーチ７の先端よりもやや上方
の位置に達すると、酸水素トーチ７の火焔によって銅系
ワイヤ５が切断−されると同時に、その切断端に溶融状
態のボール５ａが形成される。　そして電極バッド２Ａ
上に直立したワイヤ５Ａはキャピラリ４内の銅系ワイヤ
５どは分離されてボンディングワイヤとなる。
酸水素トーチ７（、Ｌ図示の二点鎖線のように上向きに
回動され、これによりキャピラリ４の出口から突出した
銅系ワイ１７５の先端にもボール５ａが形成されて次の
ボンディングのための準備がなされる。　なお、この場
合も、可動カバー６の孔６ａを通って可動カバー６の下
側から還元性ガス８が矢印のようにキャピラリ４の先端
周辺を流れるため、ワイヤのボール５ａは還元された状
態となる。
電極バッド２Ａ上に直立されたワイヤ５Ａは図示しない
部材により第３図のように水平に曲げた後、可動カバー
６を移動させて半導体チップ２とリード部１Ｂとの周辺
を可動カバー６で覆うとともに可動カバー６の下側の空
間内に還元性ガス８を矢印のごとく流してワイヤ５Ａの
先端のボール−５ａを還元状態に保つと同時にリード部
１Ｂの表面も還元状態にする。　なお、この場合もリー
ド部１Ｂはヒータ３によって２００℃以上の所定温度に
加熱される。
リード部１Ｂにワイヤボンディングを行う時には可動カ
バー６を移動させて該可動カバー６に設けた別の孔６ｂ
をリード部１Ｂの上に位置決めした後、該孔６ｂととも
に連動するボンディングツール９を該孔６ｂ内に下降さ
せてワイヤ５への先端のボール５ａをリード１Ｂ上に圧
接且つ圧潰させてリードボンディングを行う。
なお、第４図において、１０はボンディングツール９を
案内するガイドローラである。
［発明の効果］ 以上のごとき本発明の方法によって製造した半導体装置
と従来方法による（すなわちＡｌ１線でワイヤボンディ
ングした）装置とを同一条件で高温放置して比較したと
ころ、従来の半導体装置は４００時間で全体の２５％が
不良となり、６００時間後には全数が不良となったのに
反し、本発明の半導体装置は１２００時間経過しても全
く不良品の発生がなかった。
一方、従来の半導体装置と本発明により得られた半導体
装置に対して熱サイクル試験とワイヤの機械的強度テス
トを実施して比較したところ、熱サイクル試験でも本発
明の半導体装置は従来の半導体装置よりもはるかに良い
成績を示した。　また、ワイヤの引張強度にＪ３いても
銅線ワイＡ７の場合には従来の金線ワイヤの場合の２〜
２．５倍の強度を示し、銅合金線（ＡＩＪ２０％含有）
の場合は従来の金線ワイヤの場合の３〜５倍の強度を示
すことがわかった。
以上の実施例から明らかなように、本発明によれば、次
のような効果を得ることのできる半導体装置の製造方法
が提供−される。
（１）　従来の半導体装置よりも熱サイクルや高温放置
に対して極めて耐久性の高い半導体装置が実現する。
（ｉｉ）　　従来の半導体装置よりも材料コストが安く
、且つ歩留りの高い、安価な製造コスｊ・の半導体装置
を実現できる。
（ｉｉｉ　）　　信頼性の高い、大電力用の樹脂封止型
半導体装置を実現することができる。　なお、前記実施
例ではワイヤの切断とボール形成を酸水素トーチで行う
場合のみを示したが、レーザートーチや電気トーチを使
用してもよいことは当然である。　また、実施例は本発
明方法を限定するものではなく、本発明が種々の変形を
以て実施しうろことは明らかである。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第４図は本発明方法の一実施例を示す概略図
である。 １Ａ・・・（リードフレームの）アイランド部、１Ｂ・
・・（リードフレームの）゛リード部、　　２・・・半
導体チップ、　２Ａ・・・電極パッド、　３・・・ヒー
タ、４・・・キャピラリ、５・・・銅系ワイヤ、　５ａ
・・・ボール、　６・・・可動カバー、　７・・・トー
チ、　８・・・還元性ガス、　９・・・ボンディングツ
ール。 第１図 第３図 ら 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １　半導体チップの電極パッドと外部リードとを接続す
    るワイヤとして銅線や銅合金線等の銅系ワイヤを使用す
    る半導体装置の製造方法であつて、該銅系ワイヤの端部
    に溶融ボール形成を行った後に該ボールを２００℃以上
    の還元性ガス中で還元し、しかる後に該ボールを該電極
    パッド又は外部リードに接合させることを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
JP15559184A 1984-07-27 1984-07-27 半導体装置の製造方法 Granted JPS6135545A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15559184A JPS6135545A (ja) 1984-07-27 1984-07-27 半導体装置の製造方法
KR1019850004374A KR900005348B1 (ko) 1984-07-27 1985-06-20 반도체장치의 제조방법
US06/759,273 US4732313A (en) 1984-07-27 1985-07-26 Apparatus and method for manufacturing semiconductor device
DE8585109406T DE3577371D1 (de) 1984-07-27 1985-07-26 Apparat zum herstellen einer halbleiteranordnung.
EP85109406A EP0169574B1 (en) 1984-07-27 1985-07-26 Apparatus for manufacturing semiconductor device

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JP15559184A JPS6135545A (ja) 1984-07-27 1984-07-27 半導体装置の製造方法

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Publication Number Publication Date
JPS6135545A true JPS6135545A (ja) 1986-02-20
JPH0325019B2 JPH0325019B2 (ja) 1991-04-04

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KR (1) KR900005348B1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09134982A (ja) * 1995-11-08 1997-05-20 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09134982A (ja) * 1995-11-08 1997-05-20 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法

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Publication number Publication date
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KR860001477A (ko) 1986-02-26

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