JP2002208609A - 金属線のボンディング方法 - Google Patents
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Abstract
ディングツールの先端部分が電極の下地構造等にぶつか
ってしまうこともなく、ボンディング箇所やボンディン
グ操作を十分に監視することのできるようにする。 【解決手段】ウェッジボンディング方法によって、両端
に配設された電極に金属線15をボンディングする第1
の工程と、前記金属線15を切断する第2の工程と、押
当てボンディング方法によって、中間に配設された電極
に前記金属線15の中間部分をボンディングする第3の
工程とを有し、三つ以上の電極を一つの金属線15によ
って接続する。
Description
ング方法に関するものである。
バイスにおいては、特に、電極配線の電気容量やワイヤ
インダクタンスを低減するために、金属線をボンディン
グするための電極パッドの大きさを小さくするととも
に、前記電極パッドからアクティブな領域への配線パタ
ーンの長さを短くする必要がある。これにより、電極パ
ッドがアクティブな領域に隣接するようなレイアウトに
なる。また、超LSI等においては、多くの電極パッド
をチップの外周に沿って配置するようになっているが、
該チップの寸法を小さくするためには、電極パッド自体
の大きさを小さくする必要がある。
ィング方法においては、金属線を押さえ付けるボンディ
ングツールの先端はドーナツ形状をしていて、先端の外
径は加工可能な最小寸法を考慮すると、100ミクロン
以上となってしまう。したがって、釘の頭のような形状
の金属線の先端部分の径は、100ミクロン以上とな
る。
グする際(二つの電極間をボンディングする場合)に
は、まず、金属線の先端をネイルヘッド状、すなわち、
釘の頭のような形状にする。
し、第1の電極の電極パッドに前記釘の頭のような形状
の金属線の先端を押しつけて、ボンディングする(第1
ボンディング)。
ンディングツールを垂直に持ち上げ、半円状に弧を描き
ながら、次の電極にむけてボンディングツールを降ろ
す。
を押しつけてボンディングする(第2ボンディング)。
ディングツールを垂直に持ち上げることによって、前記
金属線を切断する。
先端部分の径が100ミクロン以上となるので、第1ボ
ンディング用の電極は100ミクロン角以上の寸法が必
要とされ、また、第2ボンディング以降のボンディング
面積は100ミクロン以下にすることができるものの、
ボンディングツールの先端部分、すなわち、ツールヘッ
ド自体の大きさ及び形状から、微小電極へのボンディン
グには不向きである。そして、前述されたように金属線
をクランプしない状態でボンディングツールを垂直に持
ち上げ、半円状に弧を描きながら次の電極にむけてボン
ディングツールを降ろす操作においては、半円状の弧を
描くようになっているので、電極間の金属線の長さが長
くなってしまう。また、第2ボンディング終了後に金属
線を切断する操作の際には、金属線はボンディング箇所
から直上に数百ミクロン残った状態で切断されてしまう
ことが多い。
潰す方式のウェッジ型のボンディング方法の場合、電極
パッドに金属線をボンディングする場合(二つの電極間
をボンディングする場合)には、まず、ボンディングツ
ールを垂直に降ろし、第1の電極の電極パッドに金属線
の先端部分を押しつけてボンディングする(第1ボンデ
ィング)。なお、金属線の先端部分はネイルヘッド状に
なっていない。
ンディングツールをわずかに持ち上げ、次の電極に向け
て、ボンディングツールの奥行き方向にほぼ水平に移動
させる。
押しつけてボンディングする(第2ボンディング)。
ディングツールを垂直に持ち上げて金属線を切断する。
の場合、金属線をほぼ水平方向に配線することができ
る。したがって、前記ネイルヘッド型のボンディング方
法と比較して、電極間の金属線の長さを短くすることが
できる。また、ボンディングツールの先端の金属線を押
し潰す部分の形状を電極パッドの形状と合わせることが
できる。したがって、電極パッドの面積を小さくするこ
とができる。
ィング方法においては、ワイヤインダクタンスを小さく
することができ、また、電極間の容量を小さくすること
ができる。すなわち、LSI等においては、多くの電極
を高密度にレイアウトすることができ、また、高速動作
が要求される素子に適用する場合には高周波特性を改善
することができる。
来の金属線のボンディング方法においては、ウェッジ型
のボンディング方法の場合、押し潰した部分の金属線が
薄く平たくなり、その周辺では薄く折れ曲がってしま
う。そして、その後金属線を切断する際にその箇所に引
張応力が加わることによって、また、通電によって発生
する熱や物理的振動などによって、破断強度が低下して
しまう。
極の高さよりも高い場合には、ボンディング時にボンデ
ィングツールの先端のワイヤガイドが後ろ側の電極の下
地構造にぶつかってしまうことがある。この場合、ボン
ディングの位置ずれが発生したり、ボンディング部分の
強度が不安定になったりしてしまう。さらに、ボンディ
ングツールの破損や、後ろ側の電極の下地構造の破損を
引き起こす可能性が高い。このような現象は、特に、三
つの電極間を金属線で接続するときに、真ん中の電極の
高さが他の二つの電極の高さよりも低く、かつ、それら
の電極が互いに近接して配置されている場合に起こりや
すい。
場合、奥行方向にだけしか金属線を這わすことができな
いので、微小面積の電極パッドが金属線自体で視覚的に
遮断されてしまうので、ボンディング箇所やボンディン
グ操作を十分に監視することができなくなる。したがっ
て、ボンディング位置の再現性が低下してしまう。
グ方法の問題点を解決して、ボンディング部分の金属線
の破断強度が低下することがなく、ボンディングツール
の先端部分が電極の下地構造等にぶつかってしまうこと
もなく、ボンディング箇所やボンディング操作を十分に
監視することのできる金属線のボンディング方法を提供
することを目的とする。
属線のボンディング方法においては、ウェッジボンディ
ング方法によって、両端に配設された電極に前記金属線
をボンディングする第1の工程と、前記金属線を切断す
る第2の工程と、押当てボンディング方法によって、中
間に配設された電極に前記金属線の中間部分をボンディ
ングする第3の工程とを有し、三つ以上の電極を一つの
金属線によって接続する。
おいては、さらに、第1及び第2の工程と第3の工程と
では、異なるボンディングツールを使用する。
法においては、さらに、前記第3の工程において、前記
金属線が前記中間に配設された電極を視界的に遮断しな
いようにワーク固定装置又は顕微鏡を回転させてボンデ
ィングする。
法においては、二つの電極間の距離に相当する長さの金
属線をボンディングツールの先端から飛び出させる第1
の工程と、一方の電極に前記ボンディングツールの先端
に対応する部分の金属線をボンディングする第2の工程
と、前記金属線を切断する第3の工程と、他方の電極に
前記金属線の自由端を押し当ててボンディングする第4
の工程とを有し、二つの電極を一つの金属線によって接
続する。
法においては、さらに、前記第1〜第3の工程と第4の
工程とでは、異なるボンディングツールを使用する。
法においては、さらに、前記第4の工程において、前記
金属線が前記他方の電極を視界的に遮断しないようにワ
ーク固定装置又は顕微鏡を回転させてボンディングす
る。
て図面を参照しながら詳細に説明する。
ングする電極が三つ又はそれ以上ある場合に適するボン
ディング方法について説明する。
グ方法は、第1の電極、第2の電極、第3の電極、…、
第nの電極を金属線で接続する場合、まず、ウェッジボ
ンディング方法によって金属線を第1の電極パッドにボ
ンディングし、続いて金属線を第nの電極パッドにボン
ディングした後、前記金属線を切断することによって、
前記第1及び第nの電極を金属線で接続する第1の工程
と、次に、第2〜第(n−1)の電極のうちの一つ又は
複数の電極に、それぞれの電極の上方から金属線をそれ
ぞれの電極パッドに押し当ててボンディングする第2の
工程(以下「押当てボンディング」という。)とを有す
る。
金属線のボンディング方法の動作を示す第1の図、図2
は本発明の第1の実施の形態における金属線のボンディ
ング方法の動作を示す第2の図、図3は本発明の第1の
実施の形態における金属線のボンディング方法の動作を
示す第3の図、図4は本発明の第1の実施の形態におけ
る金属線のボンディング方法の動作を示す第4の図、図
5は本発明の第1の実施の形態における金属線のボンデ
ィング方法の動作を示す第5の図、図6は本発明の第1
の実施の形態における様々な電極の配置形態を示す図で
ある。
3は高周波のマイクロストリップラインの信号線自体で
あり、第2の電極12は、例えば、電界吸収型光変調器
のチップ表面に形成された電極パッドである。そして、
第2の電極12は微小面積であり、その面積は約250
0平方ミクロン(例えば、本実施の形態においては、5
0ミクロン角とする。)である。なお、第1の電極11
は、電極の面積が10000平方ミクロン以上(例え
ば、100ミクロン角)である。
ト)14を使用して第1のボンディングを行い、第3の
電極13に金属線15の先端をボンディングする。ここ
で、前記第1のボンディングツール14は概略楔形、す
なわち、ウェッジ形状をしており、図1における右下端
部を金属線15の先端部分の上に位置させて垂直に降ろ
し、該金属線15の先端部分を上から電極に押しつけて
ボンディングさせる。なお、前記第1のボンディングツ
ール14は超音波振動をボンディング部分に伝達するよ
うにしてもよい。また、前記金属線14は、通常、金、
銅、アルミニウム等より成るが、いかなる材質であって
もよい。
をクランプしない状態で第1のボンディングツール14
を図における左方へ移動させて、金属線15を第2の電
極12の真上を通過させて第3の電極13に向けて(矢
印a方向に)這わしていく。ここで、前記第2の電極1
2の位置は、第1の電極11及び第3の電極13よりも
低い位置にある。
の電極11上に金属線15をボンディングする。続い
て、図2に示されるように、金属線15をクランプした
状態で第1のボンディングツール14を上方(矢印b方
向)に引き上げて金属線15を切断する。
先細りとなる形状を有する第2のボンディングツール
(コレット)16を垂直に降ろし、図3に示されるよう
に、第2の電極12の真上を這っている金属線15を前
記第2のボンディングツール16の先端で矢印c方向に
押さえるようにしながら、図4に示されるように、前記
金属線15を第2の電極12の電極パッドに押し付けて
ボンディングする。ここで、前記第2のボンディングツ
ール15は超音波振動をボンディング部分に伝達するよ
うにしてもよい。このようにして、押当てボンディング
が行われる。
向に第2のボンディングツール16を持ち上げる。
ングにおいては、部材に引張応力が加わらないことを容
易に理解することができる。すなわち、第2の電極12
のパッドには図における横方向に引張応力が加わること
がない。同様に、第2の電極12上に押し当てた金属線
15にも図における左右方向に引張応力が加わらないの
で、金属線15の破断強度が低下するのを抑制すること
ができる。
の第2の電極12を50ミクロン角としているので、第
2のボンディングツール16の先端の押し当てる部分を
同様の寸法の微小な面積のものとすることによって、強
固なボンディング強度を得ることができる。
グ方法は、図1〜5に示された電極の配置形態以外に
も、図6に示されるように、マイクロストリップライ
ン、コプレーナライン、その他チップ抵抗等の様々な組
合せの電極配置形態のものに適用することができる。ま
た、第2の電極12を有する素子が、複数の電極を有す
る集積化素子(例えば、電界吸収型光変調器と半導体レ
ーザとの集積化素子)との組合せであっても、本実施の
形態の金属線のボンディング方法を適用することができ
る。
2の電極12上に金属線15をボンディングする場合
に、部材に引張応力が加わらないので、ボンディング部
分の金属線15の破断強度が低下することがない。した
がって、金属線15のボンディング強度の長期的な信頼
性を確保することができる。
金属線15をボンディングする押当てボンディングを行
うボンディングツールとして、ウェッジボンディング用
の第1のボンディングツール14ではなく、外径が小さ
くかつ先端に行くほど先細りとなる形状を有する第2の
ボンディングツール16を使用する。したがって、低い
位置にある第2の電極12上に金属線15をボンディン
グする時に、ボンディングツールが、第2の電極12よ
りも高い位置にある第1の電極11や第3の電極13の
下地構造等にぶつかってしまうことがなく、ボンディン
グツールや下地構造等を破損してしまうことがない。
説明する。なお、前記第1の実施の形態と同じ構造を有
するものについては、同一の符号を付すことによって、
その説明を省略する。
ボンディングする電極が三つ又はそれ以上ある場合に適
するボンディング方法について説明したが、本実施の形
態においては、ボンディングする電極が二つの場合に適
するボンディング方法について説明する。
グ方法は、二つの電極(第1の電極及び第2の電極)を
金属線によって接続する場合、第1の電極と第2の電極
とのの間の距離に相当する分の長さの金属線をボンディ
ングツールの先端から飛び出させる第1の工程と、第1
の電極にボンディングツールの先端で金属線をボンディ
ングする第2の工程と、金属線を切断する第3の工程
と、同一の又は別のボンディングツールを使用して宙に
浮いた金属線の先端を第2の電極に押し当ててボンディ
ングする第4の工程とを有する。
金属線のボンディング方法の動作を示す第1の図、図8
は本発明の第2の実施の形態における金属線のボンディ
ング方法の動作を示す第2の図、図9は本発明の第2の
実施の形態における金属線のボンディング方法の動作を
示す第3の図、図10は本発明の第2の実施の形態にお
ける金属線のボンディング方法の動作を示す第4の図、
図11は本発明の第2の実施の形態における金属線のボ
ンディング方法の動作を示す第5の図、図12は本発明
の第2の実施の形態における金属線のボンディング方法
の動作を示す第6の図、図13は本発明の第2の実施の
形態における様々な電極の配置形態を示す図である。
ディングツール14から矢印e方向に金属線15を所望
の長さ分だけフィードする。この所望の長さとは、第1
の電極11のボンディングすべき箇所と第2の電極12
のボンディングすべき箇所との距離に相当する。
11に第1ボンディングを行い、第1の電極11上に金
属線15をボンディングする。続いて、図9に示される
ように、金属線15をクランプした状態で第1のボンデ
ィングツール14を上方(矢印f方向)に引き上げて金
属線15を切断する。
直に降ろし、図10に示されるように、第2の電極12
の真上を這っている金属線15の先端部分を前記第2の
ボンディングツール16の先端で矢印g方向に押さえる
ようにしながら、図11に示されるように、前記金属線
15を第2の電極12の電極パッドに押し付けてボンデ
ィングする。このようにして、押当てボンディングが行
われる。
方向に第2のボンディングツール16を持ち上げる。
ィングにおいては、部材に引張応力が加わらないことを
容易に理解することができる。すなわち、第2の電極1
2のパッドには図における横方向に引張応力が加わるこ
とがない。同様に、第2の電極12上に押し当てた金属
線15にも図における左右方向に引張応力が加わらない
ので、金属線15の破断強度が低下するのを抑制するこ
とができる。
ンディングツール16の先端の押し当てる部分を第2の
電極12と同様の寸法の微小な面積のものとすることに
よって、強固なボンディング強度を得ることができる。
グ方法は、図7〜12に示された電極の配置形態以外に
も、図13に示されるように、マイクロストリップライ
ン、コプレーナライン、その他チップ抵抗等の様々な組
合せの電極配置形態のものに適用することができる。ま
た、第2の電極12を有する素子が、複数の電極を有す
る集積化素子(例えば、電界吸収型光変調器と半導体レ
ーザとの集積化素子)との組合せであっても、本実施の
形態の金属線のボンディング方法を適用することができ
る。また、これらの電極の中で最も小さい電極面積であ
るのが第2の電極12である。
2の電極12上に金属線15をボンディングする場合
に、部材に引張応力が加わらないので、ボンディング部
分の金属線15の破断強度が低下することがない。した
がって、金属線15のボンディング強度の長期的な信頼
性を確保することができる。
金属線15をボンディングする押当てボンディングを行
うボンディングツールとして、ウェッジボンディング用
の第1のボンディングツール14ではなく、外径が小さ
くかつ先端に行くほど先細りとなる形状を有する第2の
ボンディングツール16を使用する。したがって、低い
位置にある第2の電極12上に金属線15をボンディン
グする時に、ボンディングツールが、第2の電極12よ
りも高い位置にある第1の電極11の下地構造等にぶつ
かってしまうことがなく、ボンディングツールや下地構
造等を破損してしまうことがない。
説明する。
実施の形態におけるボンディング方法に基づいて説明す
る。
ボンディングツールを使用するとともに、押当てボンデ
ィングの際に金属線が第2の電極を視界的に遮断するこ
とがないようにワーク固定装置としてのワークホルダー
を回転させることによって、第2の電極12の位置を確
認してからボンディングするようになっている。
ボンディングツール14を使用する場合、奥行方向、す
なわち、図1等における左右方向にだけしか金属線15
を這わすことができないので、微小面積の第2の電極1
2の電極パッドが金属線15自体で視覚的に遮断されて
しまう。そのため、金属線15を第2の電極12の電極
パッドに押し付ける状態を顕微鏡等を用いて確認するこ
とができないので、押当てボンディングの際にボンディ
ング位置の再現性が低下してしまう。
すると、第1の電極11と第3の電極13との間の金属
線15のボンディングと、第2の電極12のボンディン
グとを別個の操作として実施する。そして、実際に微小
電極である第2の電極12のボンディングを行う場合に
は、図3に示されるように、金属線15を第2のボンデ
ィングツール16の先端で矢印c方向に押さえるように
しながら、図4に示されるように、前記金属線15を第
2の電極12のパッドに押し付けて押当てボンディング
する。
野内において、金属線15と第2の電極12とが重なら
ないように、第1の電極11から第3の電極13への金
属線15の這っている方向に対して垂直な方向から観察
する必要がある。すなわち、図1等における紙面に垂直
な方向から観察する必要がある。
1のボンディング及び第2のボンディングにおいては、
通常、図における右手方向からボンディング箇所を観察
する。したがって、同一の顕微鏡を使用して金属線15
を第2の電極12のパッドに押し付ける押当てボンディ
ングを観察する場合には、その顕微鏡又はワークを保持
しているワーク固定装置としてのワークホルダーを90
度回転させる。
属線15を微小面積の第2の電極12の電極パッドに押
し付ける押当てボンディングを観察する場合には、顕微
鏡又はワークを保持しているワークホルダーを90度回
転させる。これにより、第1の電極11から第3の電極
13への金属線15の這っている方向に対して垂直な方
向から観察することができ、金属線15と第2の電極1
2とが重ならず、微小面積の第2の電極12の電極パッ
ドが金属線15自体で視覚的に遮断されてしまうことが
ないので、押当てボンディングの際にボンディングの位
置の再現性が低下してしまうことがない。
安定的に実施することができる。
るものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々変形させ
ることが可能であり、それらを本発明の範囲から排除す
るものではない。
れば、金属線のボンディング方法においては、ウェッジ
ボンディング方法によって、両端に配設された電極に前
記金属線をボンディングする第1の工程と、前記金属線
を切断する第2の工程と、押当てボンディング方法によ
って、中間に配設された電極に前記金属線の中間部分を
ボンディングする第3の工程とを有し、三つ以上の電極
を一つの金属線によって接続する。
をボンディングする場合に、部材に引張応力が加わらな
いので、ボンディング部分の金属線の破断強度が低下す
ることがない。したがって、金属線のボンディング強度
の長期的な信頼性を確保することができる。
おいては、さらに、第1及び第2の工程と第3の工程と
では、異なるボンディングツールを使用する。
電極の高さよりも高い場合でも、ボンディング時にボン
ディングツールの先端のワイヤガイドが後ろ側の電極の
下地構造にぶつかってしまうことがない。
法においては、さらに、前記第3の工程において、前記
金属線が前記中間に配設された電極を視界的に遮断しな
いようにワーク固定装置又は顕微鏡を回転させてボンデ
ィングする。
電極とが重ならず、微小面積の前記中間に配設された電
極が金属線自体で視覚的に遮断されてしまうことがない
ので、押当てボンディングの際にボンディングの位置の
再現性が低下してしまうことがない。
法においては、二つの電極間の距離に相当する長さの金
属線をボンディングツールの先端から飛び出させる第1
の工程と、一方の電極に前記ボンディングツールの先端
に対応する部分の金属線をボンディングする第2の工程
と、前記金属線を切断する第3の工程と、他方の電極に
前記金属線の自由端を押し当ててボンディングする第4
の工程とを有し、二つの電極を一つの金属線によって接
続する。
ングする場合に、部材に引張応力が加わらないので、ボ
ンディング部分の金属線の破断強度が低下することがな
い。したがって、金属線のボンディング強度の長期的な
信頼性を確保することができる。
法においては、さらに、前記第1〜第3の工程と第4の
工程とでは、異なるボンディングツールを使用する。
電極の高さよりも高い場合でも、ボンディング時にボン
ディングツールの先端のワイヤガイドが後ろ側の電極の
下地構造にぶつかってしまうことがない。
法においては、さらに、前記第4の工程において、前記
金属線が前記他方の電極を視界的に遮断しないようにワ
ーク固定装置又は顕微鏡を回転させてボンディングす
る。
ならず、微小面積の前記他方の電極が金属線自体で視覚
的に遮断されてしまうことがないので、押当てボンディ
ングの際にボンディングの位置の再現性が低下してしま
うことがない。
ンディング方法の動作を示す第1の図である。
ンディング方法の動作を示す第2の図である。
ンディング方法の動作を示す第3の図である。
ンディング方法の動作を示す第4の図である。
ンディング方法の動作を示す第5の図である。
の配置形態を示す図である。
ンディング方法の動作を示す第1の図である。
ンディング方法の動作を示す第2の図である。
ンディング方法の動作を示す第3の図である。
ボンディング方法の動作を示す第4の図である。
ボンディング方法の動作を示す第5の図である。
ボンディング方法の動作を示す第6の図である。
極の配置形態を示す図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 (a)ウェッジボンディング方法によっ
て、両端に配設された電極に前記金属線をボンディング
する第1の工程と、(b)前記金属線を切断する第2の
工程と、(c)押当てボンディング方法によって、中間
に配設された電極に前記金属線の中間部分をボンディン
グする第3の工程とを有し、三つ以上の電極を一つの金
属線によって接続することを特徴とする金属線のボンデ
ィング方法。 - 【請求項2】 第1及び第2の工程と第3の工程とで
は、異なるボンディングツールを使用する請求項1に記
載の金属線のボンディング方法。 - 【請求項3】 前記第3の工程において、前記金属線が
前記中間に配設された電極を視界的に遮断しないように
ワーク固定装置又は顕微鏡を回転させてボンディングす
る請求項1又は2に記載の金属線のボンディング方法。 - 【請求項4】 (a)二つの電極間の距離に相当する長
さの金属線をボンディングツールの先端から飛び出させ
る第1の工程と、(b)一方の電極に前記ボンディング
ツールの先端に対応する部分の金属線をボンディングす
る第2の工程と、(c)前記金属線を切断する第3の工
程と、(d)他方の電極に前記金属線の自由端を押し当
ててボンディングする第4の工程とを有し、二つの電極
を一つの金属線によって接続することを特徴とする金属
線のボンディング方法。 - 【請求項5】 前記第1〜第3の工程と第4の工程とで
は、異なるボンディングツールを使用する請求項4に記
載の金属線のボンディング方法。 - 【請求項6】 前記第4の工程において、前記金属線が
前記他方の電極を視界的に遮断しないようにワーク固定
装置又は顕微鏡を回転させてボンディングする請求項4
又は5に記載の金属線のボンディング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2001001213A JP4674970B2 (ja) | 2001-01-09 | 2001-01-09 | 金属線のボンディング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002208609A true JP2002208609A (ja) | 2002-07-26 |
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ID=18869872
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP4674970B2 (ja) |
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JPH02303038A (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-17 | Seiko Epson Corp | ワイヤボンディング方法 |
JPH03263335A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
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JP4674970B2 (ja) | 2011-04-20 |
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A521 | Written amendment |
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|
A02 | Decision of refusal |
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A521 | Written amendment |
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