JP2004536456A - 極細ピッチキャピラリー - Google Patents
極細ピッチキャピラリー Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004536456A JP2004536456A JP2003514584A JP2003514584A JP2004536456A JP 2004536456 A JP2004536456 A JP 2004536456A JP 2003514584 A JP2003514584 A JP 2003514584A JP 2003514584 A JP2003514584 A JP 2003514584A JP 2004536456 A JP2004536456 A JP 2004536456A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding tool
- bonding
- tapered portion
- tool according
- chamfer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 2
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical group [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
- B23K20/004—Wire welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/32—Wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
- H01L2224/78302—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
- H01L2224/78302—Shape
- H01L2224/78305—Shape of other portions
- H01L2224/78307—Shape of other portions outside the capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
- H01L2224/85207—Thermosonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/049—Nitrides composed of metals from groups of the periodic table
- H01L2924/0495—5th Group
- H01L2924/04953—TaN
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
高密度装置によって課される要求に応えるボンディングツールを提供する。細いワイヤを非常に細かいピッチを有するボンディングパッドにボンディングする、ボンディングツールが開示されている。ボンディングツールは、その終端にワーキングチップを含んでいる。ワーキングチップは以下を含む。ｉ） 第１の筒状部分の縦軸に対して所定の角度を有するテーパー部分ii） ワーキングチップの終端の外側部分に形成された第１の環状チャンファを伴うワーキング面、および、iii） ワーキングチップの終端の内側部分に形成された、第２の環状チャンファ。第１および第２の環状チャンファは、互いに隣接し、実質的に筒状軸経路は、第２の環状チャンファの上部部分に結合している。ボンディングツールは、重量で、少なくとも８０％のＺｒＯ２を含む材料から形成される。
Description
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して、半導体装置へのワイヤボンディングに用いるツールに関し、特に、細いワイヤを、ボンディングパッド・セットへ、非常に細いピッチでボンディングする、ボンディングツールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近代的電子装置は、半導体チップまたは集積回路（ＩＣ）が取り付けられる、プリント回路基板を大いに利用している。チップと基板との間の機械的および電気的な接続は、チップ設計者に新たな難問を提示している。基板に１Ｃを相互接続する、よく知られた３つの技術は：ワイヤボンディング、テープオートメーテッドボンディング（ＴＡＢ）、およびフリップチップである。
【０００３】
これらの処理の中で最も一般的なものは、ワイヤボンディングである。ワイヤボンディングでは、複数のボンディングパッドが基板の上面上のパターン内に配置され、チップがそのボンディングパッドのパターンの中央に取り付けられ、チップの上面は基板の上面から距離を置いて向かい合っている。細いワイヤ（アルミニウムまたは金のワイヤでよい）は、チップの上面上の接点と基板の上面上の接点との間に接続される。特に、接続ワイヤは、キャピラリーおよび以下でより詳しく述べるボンディングツールを通して、チップおよび基板に供給され、ボンディングされる。
【０００４】
キャピラリー（ボンディングツール）は、ワイヤを、電子装置、特に半導体装置のボンディングパッドにボールボンディングするために使用される。一般に、こうしたキャピラリーは、セラミック物質、主に酸化アルミニウム、タングステン・カーバイド、ルビー、ジルコン強化アルミナ（ＺＴＡ）、アルミナ強化ジルコン（ＡＴＺ）から形成される。非常に細長いワイヤ、通常約１ミルのオーダーの金、銅、あるいはアルミニウムのワイヤは、ワイヤの終端に形成されたスモールボールを備えたキャピラリー内の軸経路を通って入れ込まれ、ボールはキャピラリーチップの外部に配列される。初期物体は、ボールを半導体装置上のパッドにボンディングし、その後、ワイヤに沿って、リードフレームなどの、より遠い部分にボンディングすることになる。ボンディング・サイクルの間、キャピラリーは１つ以上の機能を実行する。
【０００５】
ボールが形成された後、ボンディングパッドがターゲティングするよう、キャピラリーは、先ずボールをキャピラリー内に部分的にセンタリングしなければならない。最初のボンディング・ステップで、ボールは半導体装置上のパッドにボンディングされる。キャピラリーがボンディングパッド上のボールに触れると、ボールは押しつぶされ、平らにされる。ボンディングパッドは、通常アルミニウムで作られているので、ボンディングパッドの表面には薄い酸化物が形成されている。適切なボンディングを形成するには、この酸化面を壊し、アルミニウム表面を露出させるのが好ましい。酸化物を壊す効果的な方法は、ワイヤボールで酸化物の表面を「擦る」ことである。ワイヤボールは酸化アルミニウムの表面上に配置され、キャピラリーは、キャピラリーが取り付けられる超音波ホーン内に配置された、ピエゾ素子の伸縮に基づいて直線方向に急速に移動する。ボンディングパッドを通して加えられる熱に加えて、急速な運動で、ワイヤとボンディングパッドとの間で分子を移動させることにより、有効なボンディングが形成される。
【０００６】
その後、ルーピングの間、キャピラリーがワイヤを取り扱い、ボンディングワイヤをスムーズにキャピラリーの外へ送り出し、その後、キャピラリー内へ戻す。キャピラリーは、その後、「ステッチ（ｓｔｉｔｃｈ）」ボンディング、および「タック（ｔａｃｋ）」または「テール（ｔａｉｌ）」ボンディングされる。
【０００７】
現在、サーモソニックワイヤボンディングは、支持基板への半導体装置の相互接続に対する選択処理である。サーモソニックボンディング処理は、例えば、キャピラリーまたはウェッジなどのツールを通して可動ボンドヘッドに付着したトランスデューサー振動子からの、半導性装置または支持基板に溶接されたボールまたはワイヤに対する超音波エネルギーの転送に、部分的に依存している。
【０００８】
その結果、従来のキャピラリー（ボンディングツール）では、ボンディングツール、および形成されているフリーエアボール（ＦＡＢ）の形状は、ボンディングツールが、ワイヤを、６０ミクロン（０．０６０ｍｍ；１５．３４＊１０−４インチ）より大きいインターバッド間隔（ピッチ）を有するボンディングパッドにボンディングする場合にのみ使用可能となるよう形成される。このため、半導体産業のより高密度の必要条件を満たして、ワイヤを装置にボンディングするには、これらは不適当なものとなる。これらの従来技術ボンディングツールはまた、直径０．４ミル（１０ミクロン）の小さなワイヤを用いるワイヤボンディングをおこなう場合にも不適当である。本発明の発明者は、ボンディングツールの構造的な完全性を維持しながらも、これら高密度装置によって課される要求に応えるボンディングツールを開発した。
【０００９】
図１Ａは、周知の従来技術微細ピッチボンディングツール１００を図示している。ボンディングツール１００は、筒状部分１０１、および筒状部分１０１とワーキングチップ１０４との間に結合された、テーパー部分１０２を有している。（ボンディングツール１００の終端の）ワーキングチップ１０４は、ボンディングツール１００の縦軸に対して１５度のチップ角を有している。言い換えれば、ワーキングチップ１０４は、３０度の総角度１０６を有している。特許文献１において説明されているように、ワーキングチップ１０４の幅が筒状部分１０１より小さいことにより、ワーキングチップ１０４は、ボンディングされたワイヤの隣接ループに接触することなく、約０．００３２インチのピッチを有するパッド上にボールボンディングを作成可能となる。
【００１０】
図１Ｂは、ワーキングチップ１０４の拡大断面図を示している。図１Ｂに示されるように、ワーキング面１１１は、４度の表面角度１０８を有し、さらにテーパー部分１０４は、１０度の総角度１１８を有している。さらに、作業面１１１に隣接している第１の内部チャンファ１１０、さらに順番に隣接する、第２の内部チャンファ１１２が備えられている。第１の内部チャンファ１１０は９０度のチャンファ角度１１４を有し、６０度より大きい角度を有する第２の内部チャンファ１１２に接続し、または連続している。これらのチャンファは、細いワイヤ（図示せず）を、直径約１ミルのワイヤを収容する直径１０６を有するワイヤ穴１１６内に導くよう設計されている。
【特許文献１】
米国特許第５，５５８，２７０号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、これらの従来技術のボンディングツールは、その設計が、半導体メーカーにより生産されている極細ピッチ（３０ミクロン以下）ボンディングパッド必要条件に適応出来ないものであるため、不完全である。さらに、これらのボンディングツールは、力に対する耐性がなく、ボンディングツールに半導体産業の需要を満たすのに十分なサイズのワーキングチップを提供ために必要な、弾性必要条件を満たし得ない材料から形成されている。
【００１２】
本発明は、従来のボンディングツールの前述の不都合を解決するために、３９ミクロン未満の直径のワーキングチップを有することに関する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本ボンディングツールは、ボンディングツールの終端にワーキングチップを含んでいる。ワーキングチップは以下を含む。ｉ） 第１の筒状部分の縦軸に対して所定の角度を有するテーパー部分、ii） ワーキングチップの終端の外側部分に形成された第１の環状チャンファを伴うワーキング面、および、iii） ワーキングチップの終端の内側部分に形成された、第２の環状チャンファ、第１および第２の環状チャンファは、互いに隣接している；および、第２の環状チャンファの上部部分に結合した実質的に筒状の軸経路。
【００１４】
本発明の他の態様によると、第２の環状チャンファは９０°未満の総角度を有している。
【００１５】
本発明のさらなる態様によると、第１の環状チャンファは、８°より以上の表面角度を有している。
【００１６】
本発明の他の態様によると、ボンディングツールは、重量で、少なくとも８０％のＺｒＯ２を含む材料から形成されている。
【００１７】
本発明のさらに他の態様によると、ボンディングツールは、ｉ） ＺｒＯ２＋Ｙ２Ｏ３、およびii） Ａｌ２Ｏ３＋ＺｒＯ２＋Ｙ２Ｏ３から成るグループのうちの１つから選択された材料から形成されている。
【００１８】
本発明の、これらの、および他の態様は、本発明の典型的実施例の図面および説明を参照して、以下に説明されている。
【００１９】
本発明は、添付図面と共に以下の説明を読むことにより、特に良く理解される。一般的な習慣に従い、図面の様々な特徴は、同一尺度となっていないことを明記しておく。逆に、様々な特徴の寸法は、明瞭さのために任意に拡大されたり、縮小されたりしている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明は、ワーキングチップを有するボンディングツールを提供することにより、従来のキャピラリーボンディングツールの難点を克服するものである。ワーキングチップは以下を含む。ｉ）第１の筒状部分の縦軸に対して所定の角度を有するテーパー部分、ii） ワーキングチップの終端の外側部分に形成された第１の環状チャンファを伴うワーキング面、および、iii） ワーキングチップの終端の内側部分に形成された、第２の環状チャンファ、第１および第２の環状チャンファは、互いに隣接している；および、第２の環状チャンファの上部部分に結合している実質的に筒状の軸経路。結果として得られるボンディングツールは、１０ミクロン程度に小さいワイヤの、３０ミクロン以下のピッチのボンディングパットへのボンディングを適用可能である。
【００２１】
図２Ａは、本発明の第１の典型的実施例に従うボンディングツール２００の側面図である。図２Ａに示されるように、ボンディングツール２００は、筒状ボディー部分２０１、筒状ボディー部分２０１の終端に結合したテーパー部分２０２、および、テーパー部分２０２の終端に結合したワーキングチップ２０４を有する。好ましい実施例では、ボンディングツール２００は単一材料から形成されている。ボンディングツールの形成に使用される材料の詳細については、以下で詳しく議論する。
【００２２】
図２Ｂは、ボンディングツール２００の縦断側面図である。図２Ｂに示されるように、ボンディングツール２００は、約１．５〜１．６ｍｍの間の、好ましくは約１．５８８ｍｍの直径２２７を有している。さらに、ボンディングツール２００は、約９．５〜１１．１ｍｍの間の長さを有している。テーパー部分２０２は、筒状部分２０１と接する点から始まる、約１８°〜２２°の間の、実質的に一定のテーパー２１８を有している。ある典型的実施例では、このテーパーは、約１９°から２１°の間、好ましくは２０°である。軸経路２２０は、ボンディングツール２００の上部終端２２２からワーキングチップ２０４まで延びている。典型的実施例では、軸経路２２０は、その長さの一部分にわたって、約１３°±１°の所定の角度を有する、実質的に連続するテーパー形状を有している。軸経路２２０は、ワーキングチップ２０４に近づき、このテーパーは、約６°±１°に遷移する。しかしながら、本発明はこのように限定されるものではなく、軸経路２２０が実質的に一定の直径を有するか、あるいはボンディングツール２００の長さの一部分のみにわたってテーパー化してもよいと企図される。後者は、ボンディングツール２００の上部終端２２２でのワイヤ挿入を容易にするために、望ましいであろう。こうした代替的軸経路の例は、図２Ｄおよび図２Ｅに示されている。
【００２３】
図２Ｄに示されるように、軸経路２２０は、ボンディングツール２００の長さに沿い、実質的に一定の直径２３０を有している。図２Ｅでは、軸経路２２０は、ボンディングツール２００の長さ部分に沿い、実質的に一定の直径２４０を有しており、ボンディングツール２００の上部終端２２２に隣接したテーパー２４２を有している。
【００２４】
図２Ｃは、ボンディングツール２００のワーキングチップ２０４の詳細な断面図である。図２Ｃに示されるように、ワーキングチップ２０４は、８〜１５度の面角度２０８を有する環状ワーキング面２１１を備えている。ある典型的実施例では、面角度２０８は、ボンディングツールにより、強力な第２のボンディング（ウェジ・ボンディング）を提供するために、少なくとも１１度、好ましくは１１〜１２度の間、最も好ましくは１１度である。隣接作業面２１１は、９０度未満の総角度２１４を有する環状チャンファ２１３である。好ましい実施例では、チャンファ角度２１４は、剪断および引張りのテスト要件を満たす第１のボンディング（ボール・ボンディング）を提供するために、６０〜９０度の間、最も好ましくは約６０度である。さらに、環状チャンファ２１３は、１〜４ミクロンの間の幅を有している。筒状経路２２４は、チャンファ２１３の上部と軸経路２２０との間に結合される。ある典型的実施例では、筒状経路２２４は、ボンディング・ワイヤ（図示せず）を収容するために、約１４ミクロンの直径２０６を有し、チャンファ２１３は約１８ミクロンの外径２１２を有し、さらにワーキングチップ２０４は約３３ミクロンの直径２１６を有している。筒状経路２２４の直径２０６は、ボンディングワイヤの直径に４ミクロンを加えることに基づき決定されてもよい。さらに、図２Ｃに示されるように、ワーキングチップ２０４は、ボンディングツール２００による、隣接ボンディングワイヤへの接触を回避するために、約０〜１０度の間の、好ましくは約７度の実質的に一定なテーパー２１９を有しており、さらに、約６０〜９０ミクロンの間の長さ２１０を有している。好ましい実施例では、長さ２１０は約７６．２ミクロンである。
【００２５】
テーパー部分２０２およびワーキングチップ２０４のテーパー角度２１８、２１９はそれぞれ異なっているので、テーパー部分２０２とワーキングチップ２０４との間に遷移領域２２５を配置してもよい。好ましい実施例では、遷移領域２２５は、約３．８ミクロンの半径を有している。さらに、ボンディングツール２００が欠けるのを防ぐために、約４〜６ミクロンの間の半径を有する遷移領域３１５は、ワーキングチップ２０４の下側部分とワーキング面２１１との間に配列されてもよい。
【００２６】
図３は、本発明の他の典型的実施例に従う、ワーキングチップ３０４の詳細な断面図である。この典型的実施例におけるボンディングツールの筒状ボディー部分、テーパー部分、および軸経路は、第１の典型的実施例のものと本質的に同一であるため、それに関係する記述は繰り返さないこととする。
【００２７】
図３に示されるように、ワーキングチップ３０４は、８〜１５度の間の面角度３０８を有する作業面３１１を有している。ある典型的実施例では、面角度３０８は、約１０〜１２度の間、好ましくは１１度である。隣接作業面３１１は、９０度未満の総角度３１４を有する環状チャンファ３１３である。好ましい実施例では、チャンファ角度３１４は、６０〜９０度の間、最も好ましくは約６０度である。さらに、環状チャンファ３１３は、１〜３ミクロンの幅を有している。筒状経路３２４は、チャンファ３１３の上部と軸経路２２０との間に結合される。ある典型的実施例では、筒状経路３２４は、ボンディング・ワイヤ（図示せず）を収容するために、約１４〜１６ミクロンの間、好ましくは１５ミクロンの直径３０６を有し、チャンファ３１３は約１７〜１９ミクロンの間、好ましくは約１８ミクロンの外径３１２を有し、さらにワーキングチップ３０４は約３７〜３９ミクロンの間、好ましくは約３８ミクロンの直径３１６を有している。筒状経路３２４の直径３０６は、ボンディングワイヤの直径に２ミクロンを加えることに基づき決定されてもよい。さらに、図３に示されるように、ワーキングチップ３０４は、ボンディングツール２００による、隣接ボンディングワイヤへの接触を回避するために、約０〜１０度の間、好ましくは約７度の実質的に一定なテーパー３１９を有しており、さらに、約１１７〜１３７ミクロンの間の長さ３１０を有している。好ましい実施例では、長さ３１０は、約１２７ミクロンである。
【００２８】
上述されたボンディングツールの提供は、半導体産業の要求を満たすことにおける難関の半分に過ぎない。ボンディング処理の間にツールに加えられる力に耐える程強く、さらに、必要に応じて壊れることなく屈曲可能な程弾力のある材料からボンディングツールを形成し得ることが重要である。発明者は、重量で、少なくとも８０％の酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）から、ボンディングツールを形成することにより、これらの需要が満たされると判断している。
【００２９】
本発明のある実施例では、ボンディングツールを形成するのに、酸化イットリウム安定化酸化ジルコニウムが使用されている。この実施例では、重量で約９５％の酸化ジルコニウムが、重量で約５％のＹ２Ｏ３に結合される。発明者は、純粋な酸化ジルコニウムが、熱処理の間、相転移処理を受けると判断している。純粋な酸化ジルコニウムは、室温では単斜晶であり、約１０００℃で、より高密度な正方晶の形状に変化する。これは、約１３５０〜１５００℃の間の温度での焼結の処理の間、大きな体積変化を伴い、その構造内にクラックを起こす。
【００３０】
追加した量のＹ２Ｏ３は、９００℃未満といった低温で、立方晶相と単斜晶相との混合物を生成する。立方晶相が存在することにより起こり、さらに遥かに小さな体積変化を伴う、この転移処理は、順番に、熱応力を低減し、さらに亀裂の生成を最低限に抑える。この材料は、従来のアルミナ・ベースの材料より、遥かに大きな曲げ強さを有し、結果として、ボンディングツールの生産能力を改善する。
【００３１】
他の典型的実施例では、重量で最大２０％のＡｌ２Ｏ３が、酸化イットリウム安定化酸化ジルコニウムに加えられる。この材料は、従来のアルミナ・ベースの材料のものと同様の音響ビヘイビアを有する。
【００３２】
本発明は、典型的実施例に関して説明されて来たが、これは本発明に制限を加えるものではない。むしろ、添付の請求項は、当業者により、本発明の真の精神および範囲から逸脱することなくなされ得る、本発明の他の変形および実施例を含んでいると解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１Ａ】従来のボンディングツールの側面図である。
【図１Ｂ】従来のボンディングツールの側面図である。
【図２Ａ】本発明の第１の典型的実施例に従うボンディングツールの側面図である。
【図２Ｂ】本発明の第１の典型的実施例に従うボンディングツールの縦断側面図である。
【図２Ｃ】本発明の第１の典型的実施例に従うボンディングツールの詳細な断面図である。
【図２Ｄ】本発明の第１の典型的実施例に従うボンディングツールの縦断側面図である。
【図２Ｅ】本発明の第１の典型的実施例に従うボンディングツールの縦断側面図である。
【図３】本発明の第２の典型的実施例に従うボンディングツールのワーキングチップの詳細な断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
２００ ボンディングツール、 ２０１ 筒状ボディー部分、 ２０２ テーパー部分、 ２０４ ワーキングチップ、 ２１３ 環状チャンファ、 ２１８ テーパー、 ２２０ 軸経路、 ２２２ 上部終端、 ２３０ 直径、 ２４０ 直径。
【０００１】
本発明は、概して、半導体装置へのワイヤボンディングに用いるツールに関し、特に、細いワイヤを、ボンディングパッド・セットへ、非常に細いピッチでボンディングする、ボンディングツールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近代的電子装置は、半導体チップまたは集積回路（ＩＣ）が取り付けられる、プリント回路基板を大いに利用している。チップと基板との間の機械的および電気的な接続は、チップ設計者に新たな難問を提示している。基板に１Ｃを相互接続する、よく知られた３つの技術は：ワイヤボンディング、テープオートメーテッドボンディング（ＴＡＢ）、およびフリップチップである。
【０００３】
これらの処理の中で最も一般的なものは、ワイヤボンディングである。ワイヤボンディングでは、複数のボンディングパッドが基板の上面上のパターン内に配置され、チップがそのボンディングパッドのパターンの中央に取り付けられ、チップの上面は基板の上面から距離を置いて向かい合っている。細いワイヤ（アルミニウムまたは金のワイヤでよい）は、チップの上面上の接点と基板の上面上の接点との間に接続される。特に、接続ワイヤは、キャピラリーおよび以下でより詳しく述べるボンディングツールを通して、チップおよび基板に供給され、ボンディングされる。
【０００４】
キャピラリー（ボンディングツール）は、ワイヤを、電子装置、特に半導体装置のボンディングパッドにボールボンディングするために使用される。一般に、こうしたキャピラリーは、セラミック物質、主に酸化アルミニウム、タングステン・カーバイド、ルビー、ジルコン強化アルミナ（ＺＴＡ）、アルミナ強化ジルコン（ＡＴＺ）から形成される。非常に細長いワイヤ、通常約１ミルのオーダーの金、銅、あるいはアルミニウムのワイヤは、ワイヤの終端に形成されたスモールボールを備えたキャピラリー内の軸経路を通って入れ込まれ、ボールはキャピラリーチップの外部に配列される。初期物体は、ボールを半導体装置上のパッドにボンディングし、その後、ワイヤに沿って、リードフレームなどの、より遠い部分にボンディングすることになる。ボンディング・サイクルの間、キャピラリーは１つ以上の機能を実行する。
【０００５】
ボールが形成された後、ボンディングパッドがターゲティングするよう、キャピラリーは、先ずボールをキャピラリー内に部分的にセンタリングしなければならない。最初のボンディング・ステップで、ボールは半導体装置上のパッドにボンディングされる。キャピラリーがボンディングパッド上のボールに触れると、ボールは押しつぶされ、平らにされる。ボンディングパッドは、通常アルミニウムで作られているので、ボンディングパッドの表面には薄い酸化物が形成されている。適切なボンディングを形成するには、この酸化面を壊し、アルミニウム表面を露出させるのが好ましい。酸化物を壊す効果的な方法は、ワイヤボールで酸化物の表面を「擦る」ことである。ワイヤボールは酸化アルミニウムの表面上に配置され、キャピラリーは、キャピラリーが取り付けられる超音波ホーン内に配置された、ピエゾ素子の伸縮に基づいて直線方向に急速に移動する。ボンディングパッドを通して加えられる熱に加えて、急速な運動で、ワイヤとボンディングパッドとの間で分子を移動させることにより、有効なボンディングが形成される。
【０００６】
その後、ルーピングの間、キャピラリーがワイヤを取り扱い、ボンディングワイヤをスムーズにキャピラリーの外へ送り出し、その後、キャピラリー内へ戻す。キャピラリーは、その後、「ステッチ（ｓｔｉｔｃｈ）」ボンディング、および「タック（ｔａｃｋ）」または「テール（ｔａｉｌ）」ボンディングされる。
【０００７】
現在、サーモソニックワイヤボンディングは、支持基板への半導体装置の相互接続に対する選択処理である。サーモソニックボンディング処理は、例えば、キャピラリーまたはウェッジなどのツールを通して可動ボンドヘッドに付着したトランスデューサー振動子からの、半導性装置または支持基板に溶接されたボールまたはワイヤに対する超音波エネルギーの転送に、部分的に依存している。
【０００８】
その結果、従来のキャピラリー（ボンディングツール）では、ボンディングツール、および形成されているフリーエアボール（ＦＡＢ）の形状は、ボンディングツールが、ワイヤを、６０ミクロン（０．０６０ｍｍ；１５．３４＊１０−４インチ）より大きいインターバッド間隔（ピッチ）を有するボンディングパッドにボンディングする場合にのみ使用可能となるよう形成される。このため、半導体産業のより高密度の必要条件を満たして、ワイヤを装置にボンディングするには、これらは不適当なものとなる。これらの従来技術ボンディングツールはまた、直径０．４ミル（１０ミクロン）の小さなワイヤを用いるワイヤボンディングをおこなう場合にも不適当である。本発明の発明者は、ボンディングツールの構造的な完全性を維持しながらも、これら高密度装置によって課される要求に応えるボンディングツールを開発した。
【０００９】
図１Ａは、周知の従来技術微細ピッチボンディングツール１００を図示している。ボンディングツール１００は、筒状部分１０１、および筒状部分１０１とワーキングチップ１０４との間に結合された、テーパー部分１０２を有している。（ボンディングツール１００の終端の）ワーキングチップ１０４は、ボンディングツール１００の縦軸に対して１５度のチップ角を有している。言い換えれば、ワーキングチップ１０４は、３０度の総角度１０６を有している。特許文献１において説明されているように、ワーキングチップ１０４の幅が筒状部分１０１より小さいことにより、ワーキングチップ１０４は、ボンディングされたワイヤの隣接ループに接触することなく、約０．００３２インチのピッチを有するパッド上にボールボンディングを作成可能となる。
【００１０】
図１Ｂは、ワーキングチップ１０４の拡大断面図を示している。図１Ｂに示されるように、ワーキング面１１１は、４度の表面角度１０８を有し、さらにテーパー部分１０４は、１０度の総角度１１８を有している。さらに、作業面１１１に隣接している第１の内部チャンファ１１０、さらに順番に隣接する、第２の内部チャンファ１１２が備えられている。第１の内部チャンファ１１０は９０度のチャンファ角度１１４を有し、６０度より大きい角度を有する第２の内部チャンファ１１２に接続し、または連続している。これらのチャンファは、細いワイヤ（図示せず）を、直径約１ミルのワイヤを収容する直径１０６を有するワイヤ穴１１６内に導くよう設計されている。
【特許文献１】
米国特許第５，５５８，２７０号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、これらの従来技術のボンディングツールは、その設計が、半導体メーカーにより生産されている極細ピッチ（３０ミクロン以下）ボンディングパッド必要条件に適応出来ないものであるため、不完全である。さらに、これらのボンディングツールは、力に対する耐性がなく、ボンディングツールに半導体産業の需要を満たすのに十分なサイズのワーキングチップを提供ために必要な、弾性必要条件を満たし得ない材料から形成されている。
【００１２】
本発明は、従来のボンディングツールの前述の不都合を解決するために、３９ミクロン未満の直径のワーキングチップを有することに関する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本ボンディングツールは、ボンディングツールの終端にワーキングチップを含んでいる。ワーキングチップは以下を含む。ｉ） 第１の筒状部分の縦軸に対して所定の角度を有するテーパー部分、ii） ワーキングチップの終端の外側部分に形成された第１の環状チャンファを伴うワーキング面、および、iii） ワーキングチップの終端の内側部分に形成された、第２の環状チャンファ、第１および第２の環状チャンファは、互いに隣接している；および、第２の環状チャンファの上部部分に結合した実質的に筒状の軸経路。
【００１４】
本発明の他の態様によると、第２の環状チャンファは９０°未満の総角度を有している。
【００１５】
本発明のさらなる態様によると、第１の環状チャンファは、８°より以上の表面角度を有している。
【００１６】
本発明の他の態様によると、ボンディングツールは、重量で、少なくとも８０％のＺｒＯ２を含む材料から形成されている。
【００１７】
本発明のさらに他の態様によると、ボンディングツールは、ｉ） ＺｒＯ２＋Ｙ２Ｏ３、およびii） Ａｌ２Ｏ３＋ＺｒＯ２＋Ｙ２Ｏ３から成るグループのうちの１つから選択された材料から形成されている。
【００１８】
本発明の、これらの、および他の態様は、本発明の典型的実施例の図面および説明を参照して、以下に説明されている。
【００１９】
本発明は、添付図面と共に以下の説明を読むことにより、特に良く理解される。一般的な習慣に従い、図面の様々な特徴は、同一尺度となっていないことを明記しておく。逆に、様々な特徴の寸法は、明瞭さのために任意に拡大されたり、縮小されたりしている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明は、ワーキングチップを有するボンディングツールを提供することにより、従来のキャピラリーボンディングツールの難点を克服するものである。ワーキングチップは以下を含む。ｉ）第１の筒状部分の縦軸に対して所定の角度を有するテーパー部分、ii） ワーキングチップの終端の外側部分に形成された第１の環状チャンファを伴うワーキング面、および、iii） ワーキングチップの終端の内側部分に形成された、第２の環状チャンファ、第１および第２の環状チャンファは、互いに隣接している；および、第２の環状チャンファの上部部分に結合している実質的に筒状の軸経路。結果として得られるボンディングツールは、１０ミクロン程度に小さいワイヤの、３０ミクロン以下のピッチのボンディングパットへのボンディングを適用可能である。
【００２１】
図２Ａは、本発明の第１の典型的実施例に従うボンディングツール２００の側面図である。図２Ａに示されるように、ボンディングツール２００は、筒状ボディー部分２０１、筒状ボディー部分２０１の終端に結合したテーパー部分２０２、および、テーパー部分２０２の終端に結合したワーキングチップ２０４を有する。好ましい実施例では、ボンディングツール２００は単一材料から形成されている。ボンディングツールの形成に使用される材料の詳細については、以下で詳しく議論する。
【００２２】
図２Ｂは、ボンディングツール２００の縦断側面図である。図２Ｂに示されるように、ボンディングツール２００は、約１．５〜１．６ｍｍの間の、好ましくは約１．５８８ｍｍの直径２２７を有している。さらに、ボンディングツール２００は、約９．５〜１１．１ｍｍの間の長さを有している。テーパー部分２０２は、筒状部分２０１と接する点から始まる、約１８°〜２２°の間の、実質的に一定のテーパー２１８を有している。ある典型的実施例では、このテーパーは、約１９°から２１°の間、好ましくは２０°である。軸経路２２０は、ボンディングツール２００の上部終端２２２からワーキングチップ２０４まで延びている。典型的実施例では、軸経路２２０は、その長さの一部分にわたって、約１３°±１°の所定の角度を有する、実質的に連続するテーパー形状を有している。軸経路２２０は、ワーキングチップ２０４に近づき、このテーパーは、約６°±１°に遷移する。しかしながら、本発明はこのように限定されるものではなく、軸経路２２０が実質的に一定の直径を有するか、あるいはボンディングツール２００の長さの一部分のみにわたってテーパー化してもよいと企図される。後者は、ボンディングツール２００の上部終端２２２でのワイヤ挿入を容易にするために、望ましいであろう。こうした代替的軸経路の例は、図２Ｄおよび図２Ｅに示されている。
【００２３】
図２Ｄに示されるように、軸経路２２０は、ボンディングツール２００の長さに沿い、実質的に一定の直径２３０を有している。図２Ｅでは、軸経路２２０は、ボンディングツール２００の長さ部分に沿い、実質的に一定の直径２４０を有しており、ボンディングツール２００の上部終端２２２に隣接したテーパー２４２を有している。
【００２４】
図２Ｃは、ボンディングツール２００のワーキングチップ２０４の詳細な断面図である。図２Ｃに示されるように、ワーキングチップ２０４は、８〜１５度の面角度２０８を有する環状ワーキング面２１１を備えている。ある典型的実施例では、面角度２０８は、ボンディングツールにより、強力な第２のボンディング（ウェジ・ボンディング）を提供するために、少なくとも１１度、好ましくは１１〜１２度の間、最も好ましくは１１度である。隣接作業面２１１は、９０度未満の総角度２１４を有する環状チャンファ２１３である。好ましい実施例では、チャンファ角度２１４は、剪断および引張りのテスト要件を満たす第１のボンディング（ボール・ボンディング）を提供するために、６０〜９０度の間、最も好ましくは約６０度である。さらに、環状チャンファ２１３は、１〜４ミクロンの間の幅を有している。筒状経路２２４は、チャンファ２１３の上部と軸経路２２０との間に結合される。ある典型的実施例では、筒状経路２２４は、ボンディング・ワイヤ（図示せず）を収容するために、約１４ミクロンの直径２０６を有し、チャンファ２１３は約１８ミクロンの外径２１２を有し、さらにワーキングチップ２０４は約３３ミクロンの直径２１６を有している。筒状経路２２４の直径２０６は、ボンディングワイヤの直径に４ミクロンを加えることに基づき決定されてもよい。さらに、図２Ｃに示されるように、ワーキングチップ２０４は、ボンディングツール２００による、隣接ボンディングワイヤへの接触を回避するために、約０〜１０度の間の、好ましくは約７度の実質的に一定なテーパー２１９を有しており、さらに、約６０〜９０ミクロンの間の長さ２１０を有している。好ましい実施例では、長さ２１０は約７６．２ミクロンである。
【００２５】
テーパー部分２０２およびワーキングチップ２０４のテーパー角度２１８、２１９はそれぞれ異なっているので、テーパー部分２０２とワーキングチップ２０４との間に遷移領域２２５を配置してもよい。好ましい実施例では、遷移領域２２５は、約３．８ミクロンの半径を有している。さらに、ボンディングツール２００が欠けるのを防ぐために、約４〜６ミクロンの間の半径を有する遷移領域３１５は、ワーキングチップ２０４の下側部分とワーキング面２１１との間に配列されてもよい。
【００２６】
図３は、本発明の他の典型的実施例に従う、ワーキングチップ３０４の詳細な断面図である。この典型的実施例におけるボンディングツールの筒状ボディー部分、テーパー部分、および軸経路は、第１の典型的実施例のものと本質的に同一であるため、それに関係する記述は繰り返さないこととする。
【００２７】
図３に示されるように、ワーキングチップ３０４は、８〜１５度の間の面角度３０８を有する作業面３１１を有している。ある典型的実施例では、面角度３０８は、約１０〜１２度の間、好ましくは１１度である。隣接作業面３１１は、９０度未満の総角度３１４を有する環状チャンファ３１３である。好ましい実施例では、チャンファ角度３１４は、６０〜９０度の間、最も好ましくは約６０度である。さらに、環状チャンファ３１３は、１〜３ミクロンの幅を有している。筒状経路３２４は、チャンファ３１３の上部と軸経路２２０との間に結合される。ある典型的実施例では、筒状経路３２４は、ボンディング・ワイヤ（図示せず）を収容するために、約１４〜１６ミクロンの間、好ましくは１５ミクロンの直径３０６を有し、チャンファ３１３は約１７〜１９ミクロンの間、好ましくは約１８ミクロンの外径３１２を有し、さらにワーキングチップ３０４は約３７〜３９ミクロンの間、好ましくは約３８ミクロンの直径３１６を有している。筒状経路３２４の直径３０６は、ボンディングワイヤの直径に２ミクロンを加えることに基づき決定されてもよい。さらに、図３に示されるように、ワーキングチップ３０４は、ボンディングツール２００による、隣接ボンディングワイヤへの接触を回避するために、約０〜１０度の間、好ましくは約７度の実質的に一定なテーパー３１９を有しており、さらに、約１１７〜１３７ミクロンの間の長さ３１０を有している。好ましい実施例では、長さ３１０は、約１２７ミクロンである。
【００２８】
上述されたボンディングツールの提供は、半導体産業の要求を満たすことにおける難関の半分に過ぎない。ボンディング処理の間にツールに加えられる力に耐える程強く、さらに、必要に応じて壊れることなく屈曲可能な程弾力のある材料からボンディングツールを形成し得ることが重要である。発明者は、重量で、少なくとも８０％の酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）から、ボンディングツールを形成することにより、これらの需要が満たされると判断している。
【００２９】
本発明のある実施例では、ボンディングツールを形成するのに、酸化イットリウム安定化酸化ジルコニウムが使用されている。この実施例では、重量で約９５％の酸化ジルコニウムが、重量で約５％のＹ２Ｏ３に結合される。発明者は、純粋な酸化ジルコニウムが、熱処理の間、相転移処理を受けると判断している。純粋な酸化ジルコニウムは、室温では単斜晶であり、約１０００℃で、より高密度な正方晶の形状に変化する。これは、約１３５０〜１５００℃の間の温度での焼結の処理の間、大きな体積変化を伴い、その構造内にクラックを起こす。
【００３０】
追加した量のＹ２Ｏ３は、９００℃未満といった低温で、立方晶相と単斜晶相との混合物を生成する。立方晶相が存在することにより起こり、さらに遥かに小さな体積変化を伴う、この転移処理は、順番に、熱応力を低減し、さらに亀裂の生成を最低限に抑える。この材料は、従来のアルミナ・ベースの材料より、遥かに大きな曲げ強さを有し、結果として、ボンディングツールの生産能力を改善する。
【００３１】
他の典型的実施例では、重量で最大２０％のＡｌ２Ｏ３が、酸化イットリウム安定化酸化ジルコニウムに加えられる。この材料は、従来のアルミナ・ベースの材料のものと同様の音響ビヘイビアを有する。
【００３２】
本発明は、典型的実施例に関して説明されて来たが、これは本発明に制限を加えるものではない。むしろ、添付の請求項は、当業者により、本発明の真の精神および範囲から逸脱することなくなされ得る、本発明の他の変形および実施例を含んでいると解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１Ａ】従来のボンディングツールの側面図である。
【図１Ｂ】従来のボンディングツールの側面図である。
【図２Ａ】本発明の第１の典型的実施例に従うボンディングツールの側面図である。
【図２Ｂ】本発明の第１の典型的実施例に従うボンディングツールの縦断側面図である。
【図２Ｃ】本発明の第１の典型的実施例に従うボンディングツールの詳細な断面図である。
【図２Ｄ】本発明の第１の典型的実施例に従うボンディングツールの縦断側面図である。
【図２Ｅ】本発明の第１の典型的実施例に従うボンディングツールの縦断側面図である。
【図３】本発明の第２の典型的実施例に従うボンディングツールのワーキングチップの詳細な断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
２００ ボンディングツール、 ２０１ 筒状ボディー部分、 ２０２ テーパー部分、 ２０４ ワーキングチップ、 ２１３ 環状チャンファ、 ２１８ テーパー、 ２２０ 軸経路、 ２２２ 上部終端、 ２３０ 直径、 ２４０ 直径。
Claims (33)
- 細いワイヤを基板にボンディングするためのボンディングツールであって、以下を含むもの：
作業ボンディングツールの終端のワーキングチップであって、以下を含むもの、
ｉ） ボンディングツールの縦軸に対して所定の角度を有するテーパー部分、
ii） ワーキングチップの終端の外側部分に形成された、第１の環状チャンファ、および、
iii） ワーキングチップの終端の内側部分に形成された、第２の環状チャンファ、第１および第２の環状チャンファは、互いに隣接している；および、
第２の環状チャンファの上部終端に結合した実質的に筒状の軸経路。 - 第２の環状チャンファが、９０°未満の総角度を有する、請求項１に従うボンディングツール。
- 第１の環状チャンファが、８°より大きい面角度を有する、請求項２に従うボンディングツール。
- 第２の環状チャンファが、約６０°の総角度を有する、請求項１に従うボンディングツール。
- 第１の環状チャンファが、約１０°から１２°の間の面角度を有する、請求項４に従うボンディングツール。
- 軸経路が、約１６ミクロン未満の直径を有する、請求項１に従うボンディングツール。
- テーパー部分が、約１３７ミクロン未満の長さを有する、請求項１に従うボンディングツール。
- テーパー部分が、約３９ミクロン未満の外径を有する、請求項７に従うボンディングツール。
- ボンディングツールが、重量で少なくとも８０％のＺｒＯ２を含む材料から形成されている、請求項１に従うボンディングツール。
- ボンディングツールが、ｉ） ＺｒＯ２＋Ｙ２Ｏ３、およびii） Ａｌ２Ｏ３＋ＺｒＯ２＋Ｙ２Ｏ３から成るグループのうちの１つから選択された材料で形成されている、請求項１に従うボンディングツール。
- ボンディングツールが、重量で約９５％のＺｒＯ２と、重量で約５％のＹ２Ｏ３とを含む材料から形成されている、請求項１に従うボンディングツール。
- 重量で最大約２０％のＡｌ２Ｏ３が材料に加えられる、請求項１１に従うボンディングツール。
- 材料が、少なくとも１３５０℃の温度で焼結されている、請求項９から請求項１２のいずれかに従うボンディングツール。
- ボンディングツールが、単一の材料から形成されている、請求項１に従うボンディングツール。
- テーパー部分の総角度が１０°未満である、請求項１に従うボンディングツール。
- テーパー部分の総角度が約７°である、請求項１に従うボンディングツール。
- 細いワイヤを基板にボンディングするためのボンディングツールであって、以下を含むもの：
直径を有する筒状部分；
筒状部分の終端に結合され、筒状部分の縦軸に対して第１の所定角度を有する、第１のテーパー部分；
以下を有する第２のテーパー部分
ｉ） 筒状部分の縦軸に対する第２の所定角度、
ii） その終端の外側部分に形成された第１のチャンファ、および
iii） その終端の内側部分に形成された第２のチャンファ、第１のテーパー部分の終端に結合した第２のテーパー部分；および、
筒状部分の第１の端から第２のチャンファに延びる軸経路。 - 第１のテーパー部分と第２のテーパー部分との間に配置された、第３のテーパー部分をさらに含む、請求項１７に従うボンディングツール。
- 第２のチャンファが、９０°未満の角度を有する、請求項１７に従うボンディングツール。
- 第２のチャンファが、約６０°の角度を有する、請求項１７に従うボンディングツール。
- 第１のチャンファが、約１０°から１２°の間の面角度を有する、請求項１７に従うボンディングツール。
- 軸経路が、第１の筒状部分の第１の終端に第１の直径を有し、第２のテーパー部分の先端に第２の直径を有し、第１の直径が第２の直径よりも大きい、請求項１７に従うボンディングツール。
- ボンディングツールが、重量で少なくとも８０％のＺｒＯ２を含む材料から形成されている、請求項１７に従うボンディングツール。
- ボンディングツールが、ｉ） ＺｒＯ２＋Ｙ２Ｏ３、およびii） Ａｌ２Ｏ３＋ＺｒＯ２＋Ｙ２Ｏ３から成るグループのうちの１つから選択された材料で形成されている、請求項１７に従うボンディングツール。
- 第１のテーパー部分の第１の所定角度が、約１９°と２１°の間である、請求項１７に従うボンディングツール。
- 第１の所定角度が約２０°である、請求項１７に従うボンディングツール。
- 第２のテーパー部分の第２の所定角度が約７°である、請求項１７に従うボンディングツール。
- 第２のテーパー部分の第２の所定角度が１０°未満である、請求項１７に従うボンディングツール。
- 細いワイヤを基板にボンディングするためのボンディングツールであって、以下を含むもの：
直径を有する筒状部分；
筒状部分の終端に結合され、筒状部分の縦軸に対して第１の所定角度を有する、第１のテーパー部分；および、
第１のテーパー部分の終端に結合した第２のテーパー部分であって、第２のテーパー部分は、以下を有する、
ｉ） 約１１７ミクロンと１３７ミクロンとの間の長さ、
ii） 筒状部分の縦軸に対して約７°の角度、および
iii） 第２のテーパー部分の内側部分に形成され、その終端に隣接した、約６０°の環状チャンファ。 - ボンディングツールが、ｉ） ＺｒＯ２＋Ｙ２Ｏ３、およびii） Ａｌ２Ｏ３＋ＺｒＯ２＋Ｙ２Ｏ３から成るグループのうちの１つから選択された材料で形成されている、請求項２９に従うボンディングツール。
- 細いワイヤを基板にボンディングするためのものであって、重量で少なくとも８０％のＺｒＯ２を含む材料から形成されているボンディングツール。
- 細いワイヤを基板にボンディングするためのものであって、ｉ） ＺｒＯ２＋Ｙ２Ｏ３、およびii） Ａｌ２Ｏ３＋ＺｒＯ２＋Ｙ２Ｏ３から成るグループのうちの１つから選択された材料で形成されているボンディングツール。
- ワイヤをボンディングパッドにボンディングするためのボンディングツールを作成する方法であって、以下のステップを含む方法：
ボンディングツールの終端にワーキングチップを形成するステップ；
ボンディングツールの縦軸に対して所定の角度を有するワーキングチップ上に、テーパー部分を形成するステップ；
ワーキングチップの終端に作業面を形成するステップ；
ワーキングチップの終端の外側部分に、少なくとも８°の面角度を有する第１の環状チャンファを形成するステップ；
ワーキングチップの終端の内側部分に、第１の環状チャンファに隣接して、９０°未満の総角度を有する第２の環状チャンファを形成するステップ；および、
第２の環状チャンファの上部終端に、実質的に筒状の軸経路を形成するステップ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/907,191 US6715658B2 (en) | 2001-07-17 | 2001-07-17 | Ultra fine pitch capillary |
| PCT/US2002/016663 WO2003009335A2 (en) | 2001-07-17 | 2002-05-29 | Ultra fine pitch capillary |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004536456A true JP2004536456A (ja) | 2004-12-02 |
Family
ID=25423667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003514584A Pending JP2004536456A (ja) | 2001-07-17 | 2002-05-29 | 極細ピッチキャピラリー |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6715658B2 (ja) |
| EP (1) | EP1393353A2 (ja) |
| JP (1) | JP2004536456A (ja) |
| KR (1) | KR20040017226A (ja) |
| CN (1) | CN1528008A (ja) |
| MY (1) | MY122909A (ja) |
| TW (1) | TW558778B (ja) |
| WO (1) | WO2003009335A2 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6910612B2 (en) * | 2001-07-17 | 2005-06-28 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Capillary with contained inner chamfer |
| JP3765778B2 (ja) * | 2002-08-29 | 2006-04-12 | ローム株式会社 | ワイヤボンディング用キャピラリ及びこれを用いたワイヤボンディング方法 |
| US7249702B2 (en) * | 2003-12-04 | 2007-07-31 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Multi-part capillary |
| US7320425B2 (en) * | 2004-05-12 | 2008-01-22 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Low-profile capillary for wire bonding |
| KR100642071B1 (ko) * | 2005-03-03 | 2006-11-10 | 이정구 | 개선된 보틀 넥을 갖는 미세피치 본딩용 캐필러리 및 그 제조방법 |
| US20070085008A1 (en) * | 2005-10-13 | 2007-04-19 | Seagate Technology Llc | Ceramic corona discharge emitter tip |
| KR100718889B1 (ko) * | 2005-11-28 | 2007-05-16 | 이정구 | 투스텝 하이 보틀넥을 갖는 와이어 본딩 캐필러리 |
| SG173340A1 (en) * | 2006-07-03 | 2011-08-29 | Kulicke & Soffa Ind Inc | Bonding tool with improved finish |
| CN102522349B (zh) * | 2011-12-13 | 2014-08-27 | 三星半导体(中国)研究开发有限公司 | 用于引线键合的劈刀 |
| CN102637613B (zh) * | 2012-05-09 | 2015-07-01 | 四川立泰电子有限公司 | 一种粗铝丝引线键合的实现方法 |
| TW201436920A (zh) | 2013-01-22 | 2014-10-01 | Micro Point Pro Ltd | 粗導線的超密線距楔型焊接 |
| US9093515B2 (en) | 2013-07-17 | 2015-07-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Wire bonding capillary with working tip protrusion |
| USD797171S1 (en) | 2015-02-03 | 2017-09-12 | Coorstek, Inc. | Ceramic bonding tool with textured tip |
| USD797172S1 (en) | 2015-02-03 | 2017-09-12 | Coorstek, Inc. | Ceramic bonding tool with textured tip |
| USD797826S1 (en) | 2015-02-03 | 2017-09-19 | Coorstek, Inc. | Ceramic bonding tool with textured tip |
| JP6064308B2 (ja) * | 2015-07-03 | 2017-01-25 | Toto株式会社 | ボンディングキャピラリ |
| US9931709B2 (en) | 2016-01-26 | 2018-04-03 | Orthodyne Electronics Corporation | Wedge bonding tools, wedge bonding systems, and related methods |
| USD868123S1 (en) | 2016-12-20 | 2019-11-26 | Coorstek, Inc. | Wire bonding wedge tool |
Family Cites Families (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3917148A (en) * | 1973-10-19 | 1975-11-04 | Technical Devices Inc | Welding tip |
| US3971499A (en) * | 1974-09-03 | 1976-07-27 | Tribotech | Bonding tool |
| US4405074A (en) * | 1981-08-31 | 1983-09-20 | Kulicke And Soffa Industries Inc. | Composite bonding tool and method of making same |
| JPS63239959A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Toshiba Corp | ワイヤボンデイング用キヤピラリ |
| JPH01201933A (ja) | 1988-02-08 | 1989-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | ワイヤボンディング方法及びその装置 |
| US4974767A (en) * | 1988-04-25 | 1990-12-04 | Texas Instruments Incorporated | Double cone wire bonding capillary |
| JPH0672050B2 (ja) * | 1990-10-12 | 1994-09-14 | 株式会社東芝 | ボンディングキャピラリおよび光コネクタ用部品 |
| US5485949A (en) | 1993-04-30 | 1996-01-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capillary for a wire bonding apparatus and a method for forming an electric connection bump using the capillary |
| US5437405A (en) * | 1994-08-22 | 1995-08-01 | National Semiconductor Corporation | Method and apparatus for stitch bonding of wires to integrated circuit bonding pads |
| US5421503A (en) * | 1994-08-24 | 1995-06-06 | Kulicke And Soffa Investments, Inc. | Fine pitch capillary bonding tool |
| US5465899A (en) | 1994-10-14 | 1995-11-14 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for fine pitch wire bonding using a shaved capillary |
| US5558270A (en) * | 1995-01-06 | 1996-09-24 | Kulicke And Soffa Investments, Inc | Fine pitch capillary/wedge bonding tool |
| US5662261A (en) * | 1995-04-11 | 1997-09-02 | Micron Technology, Inc. | Wire bonding capillary |
| JPH09162223A (ja) * | 1995-12-08 | 1997-06-20 | Can Electron:Kk | ワイヤーボンディングキャピラリー |
| DE69739065D1 (de) * | 1996-02-26 | 2008-12-11 | Texas Instruments Inc | Verbindungen in integrierten Schaltungen |
| JP3333399B2 (ja) | 1996-08-21 | 2002-10-15 | 株式会社新川 | ワイヤボンディング装置用キャピラリ |
| DE69737621T2 (de) * | 1996-10-01 | 2007-12-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Halbleiterelement mit einer Höckerelektrode |
| US5954260A (en) | 1996-12-17 | 1999-09-21 | Texas Instruments Incorporated | Fine pitch bonding technique |
| US6213378B1 (en) | 1997-01-15 | 2001-04-10 | National Semiconductor Corporation | Method and apparatus for ultra-fine pitch wire bonding |
| US6065667A (en) | 1997-01-15 | 2000-05-23 | National Semiconductor Corporation | Method and apparatus for fine pitch wire bonding |
| US5931368A (en) * | 1997-03-28 | 1999-08-03 | Kulicke And Soffa Investments, Inc | Long life bonding tool |
| US6274524B1 (en) | 1997-04-25 | 2001-08-14 | Kyocera Corporation | Semiconductive zirconia sintering body and electrostatic removing member constructed by semiconductive zirconia sintering body |
| US5871141A (en) * | 1997-05-22 | 1999-02-16 | Kulicke And Soffa, Investments, Inc. | Fine pitch bonding tool for constrained bonding |
| US6155474A (en) | 1997-12-16 | 2000-12-05 | Texas Instruments Incorporated | Fine pitch bonding technique |
| AU1682499A (en) * | 1997-12-19 | 1999-07-12 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Wire bonding capillary |
| JPH11186315A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Hitachi Ltd | ワイヤボンディング装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JPH11251357A (ja) * | 1998-03-06 | 1999-09-17 | Hitachi Ltd | ワイヤボンディング方法および装置 |
| US6651864B2 (en) * | 1999-02-25 | 2003-11-25 | Steven Frederick Reiber | Dissipative ceramic bonding tool tip |
| US6354479B1 (en) * | 1999-02-25 | 2002-03-12 | Sjm Technologies | Dissipative ceramic bonding tip |
| KR100334242B1 (ko) * | 2000-04-17 | 2002-05-03 | 이강열 | 와이어 본딩용 캐필러리 소결제, 이를 이용한 와이어본딩용 캐필러리 소결체의 제조 방법 및 이를 적용한 와이어 본딩용 캐필러리 제조 방법 |
| US6497356B2 (en) * | 2000-04-28 | 2002-12-24 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Controlled attenuation capillary with planar surface |
| US6523733B2 (en) * | 2000-04-28 | 2003-02-25 | Kulicke & Soffa Investments Inc. | Controlled attenuation capillary |
| US7083757B2 (en) * | 2001-02-28 | 2006-08-01 | Billiet Romain L | Method of making semiconductor bonding tools |
-
2001
- 2001-07-17 US US09/907,191 patent/US6715658B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-04-01 MY MYPI20021172A patent/MY122909A/en unknown
- 2002-04-09 TW TW91107086A patent/TW558778B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-05-29 WO PCT/US2002/016663 patent/WO2003009335A2/en not_active Application Discontinuation
- 2002-05-29 CN CNA02814080XA patent/CN1528008A/zh active Pending
- 2002-05-29 EP EP20020731946 patent/EP1393353A2/en not_active Withdrawn
- 2002-05-29 JP JP2003514584A patent/JP2004536456A/ja active Pending
- 2002-05-29 KR KR10-2003-7016055A patent/KR20040017226A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MY122909A (en) | 2006-05-31 |
| WO2003009335A2 (en) | 2003-01-30 |
| US6715658B2 (en) | 2004-04-06 |
| KR20040017226A (ko) | 2004-02-26 |
| EP1393353A2 (en) | 2004-03-03 |
| TW558778B (en) | 2003-10-21 |
| US20030015567A1 (en) | 2003-01-23 |
| WO2003009335A3 (en) | 2003-04-10 |
| CN1528008A (zh) | 2004-09-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7004369B2 (en) | Capillary with contained inner chamfer | |
| JP2004536456A (ja) | 極細ピッチキャピラリー | |
| US7500590B2 (en) | Multi-part capillary | |
| EP0791955B1 (en) | Integrated circuit interconnections | |
| EP0686454A1 (en) | Capillary and method of bonding | |
| CN101443885B (zh) | 具有改进的保护层的焊头 | |
| JP4153790B2 (ja) | 制御される減衰キャピラリ | |
| JP3598290B2 (ja) | 効率的なエネルギー移動キャピラリー | |
| US6497356B2 (en) | Controlled attenuation capillary with planar surface | |
| US20090308911A1 (en) | Wire bonding capillary tool having multiple outer steps | |
| EP2167269B1 (en) | Wire bonding capillary tool having multiple outer steps | |
| JPS62256447A (ja) | ワイヤボンデイング用キヤピラリチツプ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050118 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071207 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071218 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080520 |